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1. INTRODUÇÃO
Para o transistor de efeito de campo, a relação entre os parâmetros de entrada e saída é não-
linear devido ao termo quadrático na equação de Shockley. A relação não-linear entre ID e VGS
pode complicar o raciocínio matemático necessário à análise cc de configurações com FET.
Um método gráfico pode limitar bastante a precisão, mas é o método mais rápido para a
maioria dos amplificadores a FET.
As relações gerais que podem ser aplicadas à análise cc dos amplificadores a FET são:
IG ≅ 0A (1)
ID = IS (2)
O mais simples dos arranjos de polarização para o JFET de canal n é mostrado na Figura 1.
Esse arranjo é chamado de configuração com polarização fixa.
IG ≅ 0A
-VGG –VGS = 0
Como VGG é uma fonte cc constante, a tensão VGS é fixa, daí a notação ‘configuração com
polarização fixa’.
Para uma análise gráfica, lembramos que a escolha de VGS = VP/2 resulta em uma corrente de
dreno de IDSS/4 quando o gráfico da equação é traçado.
Na figura 4 a reta vertical representa VGS = - VGG; logo, o valor de ID deve ser determinado
sobre essa reta. O ponto de interseção das duas curvas é a solução para a configuração e é
geralmente chamado de ponto de operação, ou ponto quiescente (ponto Q).
É importante observar que, uma vez montado o circuito da Figura 1, os valores cc de ID e VGS,
que podem ser medidos como mostra a Figura 5, são os valores quiescentes definidos pela
Figura 4.
Lembre-se de que os índices de uma única letra indicam uma tensão medida em relação à
GND. Para a configuração da Figura 2:
VS = 0 v (7)
VDS = VD - VS
ou
VD = VDS + VS = VDS = 0 V
VD = VDS (8)
Além disso:
VGS = VG - VS
ou
VG = VGS + VS = VGS = 0 V
VG = VGS (9)
EXEMPLO 1
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDS
d) VD
e) VG
f) VS
Figura 6. Exemplo 1.
Solução
Método matemático:
a) VGSQ = - VGG = - 2
2
− 2V
2
V
b) I DQ = I DSS 1 − GS = 10mA1 −
VP − 8V
= 5,625 mA
= 16 V – 11,25 V = 4,75 V
d) VD = VDS = 4,75 V
e) VG = VGS = - 2 V
f) VS = 0 V
Método Gráfico
b) IDQ = 5,6 mA
= 16 V – 11,2 V = 4,8 V
d) VD = VDS = 4,8 V
e) VG = VGS = - 2 V
f) VS = 0 V
VRS = IDRS
-VGS – VRS = 0
VGS = - VRS
ou
Observe, nesse caso, que VGS é função corrente de saída ID, e não mais de amplitude constante.
A solução matemática pode ser obtida simplesmente por meio da substituição da Equação (10)
de Shockley:
2
V
I D = I DSS 1 − GS
VP
2
− I D RS
= I DSS 1 −
VP
2
I R
ou I D = I DSS 1 + D S
VP
Desenvolvendo-se a equação anterior e reorganizando-se os termos, pode-se obter uma
equação com o seguinte formato:
K 1 I D2 + K 2 I D + K 3 = 0
− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A
Onde
A = Rs2
V p2
B = − 2 | V p | Rs +
I DSS
C = V p2
| VDS |=| VDD | − I D ( RD + Rs ) , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P
| VGS |= I D RS , VGS é negativo para FET canal N e positivo para FET canal P
I DSS
ID =
2
então
I DSS RS
VGS = − I D RS = −
2
O resultado é o segundo ponto na reta traçada da Figura 11. A linha reta definida pela Equação
(10) é traçada e o ponto quiescente é obtido na interseção da reta com a curva característica do
dispositivo.
O valor de VDS pode ser determinado aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões ao circuito
de saída com o seguinte resultado:
mas como
ID = IS
temos:
Além disso:
VS = IDRS (12)
VG = 0 V (13)
A polarização por divisor de tensão é aplicada também aos amplificadores com FET, como
demonstrado pela Figura 21. A análise cc é bastante diferente, IG = 0A para os amplificadores
que utilizam TBJN, o valor de IB pode afetar os valores de corrente e tensão nos circuitos de
entrada e saída. Lembramos que IG é o elo entre os circuitos de entrada e saída na configuração
com divisor de tensão para o BJ e VGS cumpre esse mesmo papel para a configuração com
FET.
O circuito da Figura 21 é redesenhado para a análise cc, como mostrado na Fiugra 22. a fonte
VDD foi separada em duas fontes equivalentes para permitir a distinção entre a região de
entrada e de saída do circuito. Uma vez que IG = 0 A, a lei de Kirchhoff para correntes permite
afirmar que IR1 = IR2, e o circuito em série equivalente que aparece à esquerda da figura podem
ser utilizados para determinar o valor de VG. A tensão VG igual à tensão através de R2 pode ser
determinada utilizando-se a regra do divisor de tensão, conforme mostrado a seguir:
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para tensões no sentido horário na malha indicada na Figura
22, obtém-se:
VG – VGS – VRS = 0
VGS = VG - VRS
O resultado é uma equação que inclui as mesmas duas variáveis da equação de Shockley: VGS
e ID. As quantidades VG e RS são fixas pela configuração do circuito. A equação (16) é ainda a
equação de uma reta, mas a origem não está mais contida nela. Como são necessários dois
pontos para se definir uma reta, utilizaremos o fato de que em qualquer ponto no eixo
horizontal da Figura 23, a corrente ID = 0 mA. Se selecionarmos então ID = 0 mA, estaremos,
em essência, em algum ponto do eixo horizontal. A posição exata pode ser determinada
simplesmente substituindo ID = 0 mA na Equação (16) e encontrando o valor resultante
IGS,como a seguir:
VGS = VG - IDRS
= VG – (0 mA)RS
Para o outro ponto, vamos considerar o fato de que, em qualquer ponto do eixo vertical, VGS =
0 V e solucionar para o valor resultante de ID:
VGS = VG - IDRS
0 V = VG -IDRS
VG
ID = |VGS =0V (18)
RS
O resultado demonstra que, sempre que traçarmos o gráfico da Equação (16) com VGS = 0 V, o
valor de ID será determinado pela Equação (18). Essa interseção também aparece na Figura 23.
Os dois pontos definidos anteriormente permitem o traçado de uma linha reta para representar
a Equação (16). A interseção da linha reta com a curva de transferência na região à esquerda
do eixo vertical define o ponto de operação e os valores correspondentes de ID e VGS.
Uma vez que sejam determinados os valores de ID0 e VGS0, a análise restante poderá ser feita da
maneira comum. Ou seja:
VS = IDRS (21)
VDD
I R1 = I R 2 = (22)
R1 + R2
Solução Algébrica
A seguir será apresentada a solução algébrica geral para o ponto de polarização de circuitos
usando um FET com polarização por divisor de tensão
− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A
Onde
A = Rs2
V p2
B = − 2 | V p | + | VG | R s +
I DSS
C = (| VP | + | VG |)
2
R2
| VG |= | VDD |
R1 + R2
| V DS |=| V DD | − I D ( R D + Rs ) , VDS positivo para FET canal N e negativo para um FET canal P
| VGS |=| VG | − I D RS , VGS é negativo para FET canal N e positivo para FET canal P
EXEMPLO 5.
a) IDQ e VGSQ
b) VD
c) VS
d) VDS
e) VDG
Solução
a) Para a curva de transferência, se ID = IDSS/4 = 8 mA/4 = 2 mA, então VGS = VP/2 = -4V/2 =
- 2V. A curva resultante que representa a equação de Shockley aparece na Figura 26. A
equação do circuito é definida por:
R2VDD
VG =
R1 + R2
(270kΩ)(16V )
=
2,1MΩ + 0,27 MΩ
= 1,82 V
e
VGS = VG - IDRS
Quando ID = 0 mA:
VGS = + 1,82 V
Quando VGS = 0 V:
1,82V
ID = = 1,21mA
1,5kΩ
IDQ = 2,4 Ma
VGSQ = - 1,8 V
b) VD = VDD - IDRD
= 10,24 V
= 3,6 V
d) VDS = VDD – ID(RD + RS)
= 6,64 V
ou
= 6,64 V
e) Embora raramente pedida, a tensão VDG pode ser determinada de maneira muito fácil,
utilizando:
VDG = VD – VG
= 10,24 V – 1,82 V
= 8,42 V
A diferença principal entre MOSFET e FET é o fato de que o MOSFET tipo depleção
apresenta pontos de operação com valores positivos de VGS e valores de IS maiores que IDSS.
Para todas as configurações discutidas até agora, a análise é a mesma se um JFET for
substituído por um MOSFET tipo depleção, inclusive as equações e soluções algébricas.
A única parte da análise que não foi definida é como traçar o gráfico da equação do Shockley
para valores positivos de VGS. Para a região de valores positivos de VGS. Para a região de
valores positivos de VGS e valores de ID maiores do que IDSS, até que ponto a curva de
transferência se estende? Para muitas situações, essa região será razoavelmente bem definida
pelos parâmetros do MOSFET e pela reta de polarização resultante do circuito. Alguns
exemplos revelarão o impacto da mudança no dispositivo sobre a análise resultante.
EXEMPLO 7.
a) IDQ e VGSQ
b) VDS
Figura 30. Exemplo 7.
Solução
+ 1v
2 2
1
= 6 mA 1 − = 6 mA 1 + = 6 Ma (1,778)
− 3v 3
= 10,67 mA
Equação (15):
10 MΩ(18V )
VG = = 1,5V
10 MΩ + 110 MΩ
Equação (16)
VGS = VG = 1,5 V
Estabelecer VGS = 0 V produz:
VG 1,5V
ID = = = 2mA
RS 750Ω
IDQ = 3,1 Ma
VGSQ = - 0,8 V
b) Equação (19)
≅ 10,1 V
ID = k(VGS – VGS(TB))2
I D ( ligado )
k=
(V − VGS (Tb ) )
2
(26)
GS ( ligado )
Uma vez que k esteja definido, podem-se determinar outros valores de ID para valores
selecionados de VGS. Geralmente um ponto entre VGS(Tb), e VGS(ligado) e outro um pouco maior do
que VGS(ligado) oferecem um número suficiente de pontos para traçar a Equação (25) (observe
ID1 e ID2 na Figura 36).
Configuração de Polarização com Realimentação
Agora existe uma conexão direta entre dreno e porta, o que resulta em:
VD = VG
O resultado é uma equação que relaciona as mesmas duas variáveis, com na Equação (25),
permitindo o traçado de ambas no mesmo conjunto de eixos.
Como a Equação (28) representa uma linha reta, pode-se empregar o mesmo procedimento
descrito anteriormente para determinar os dois pontos que definem o traçado no gráfico.
Substituindo ID = 0 mA na Equação (28), obtemos:
VDD
ID = |VGS =0V (30)
RD
Os gráficos definidos pelas Equações (25) e (28) aparecem na Figura 39 com o ponto de
operação resultante.
Equações
Solução algébrica geral para o ponto de polarização dos circuitos NMOS e PMOS com
polarização por realimentação
− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A
Onde
A = RD2
1
B = −2 (| VDD | − | VT |) RD +
β
C = (| V DD | − | VT |)
2
EXEMPLO 11
Solução
Dois pontos são definidos imediatamente, como mostrado na Figura 41. Resolvendo para k:
Equação (26):
I D ( ligado )
k=
VGS (ligado ) − VGS (Tb ) 2
6mA 6 × 10 −3
= = A /V 2
(8V − 3V ) 2
25
= 2,16 mA
como mostrado na Figura 41. Para VGS = 10 V (um pouco maior do que VGS(Tb):
= 11,76 mA
como também é mostrado na Figura 41. Os quatro pontos são suficientes para traçar toda a
curva na faixa de interesse, conforme indicado nessa mesma figura.
= 12 V - ID(2 kΩ)
Equação (29):
VGS = VDD = 12 V|ID = 0 mA
Equação (30)
VDD 12V
ID = = = 6mA |VGS =0V
RD 2kΩ
No ponto de operação:
IDQ = 2,75 mA
VGSQ = 6,4 V
com
A aplicação da lei de Kirchhoff para tensões ao longo da malha indicada na Figura 43 resulta
em:
+ VG - VGS – VRS = 0
VGS = VG – VRS
ou
ou
Figura 43. Configuração com polarização por divisor de tensão para um MOSFET de
intensificação de canal n.
Como a curva característica representa um gráfico de ID versus VGS e a Equação (32) relaciona
as mesmas duas variáveis, as duas curvas podem ser traçadas no mesmo gráfico e a solução
pode ser determinada na interseção. Uma vez que IDQ e VGSQ sejam conhecidos, todos os
demais parâmetros do circuito, com VDS, VD e VS podem ser determinados.
Equações
Solução algébrica geral para o ponto de polarização dos circuitos NMOS e PMOS com
polarização por divisor de tensão
− B − B 2 − 4 AC
ID =
2A
R2
| VG |= | VDD |
R1 + R2
Onde
A = Rs2
1
B = −2 (| VG | − | VT |) RS +
β
C = (| VG | − | VT |)
2
| VDS |=| VDD | − I D ( RD + Rs ) , VDS é positivo para FET NMOS e negativo para um FET
PMOS
| VGS |=| VG | − I D RS , VGS é positivo para FET NMOS e negativo para um FET PMOS
EXEMPLO 12
Circuito
Equação (31):
R2VDD (18MΩ)(40V )
VG = = = 18V
R1 + R2 22MΩ + 18MΩ
Equação (32)
Quando ID = 0 mA:
0 = 18 V - ID(0,82 kΩ)
18V
ID = = 21,95mA
0,82kΩ
Dispositivo:
Equação (26)
I D ( ligado )
k=
(VGS ( ligado ) − VGS (Tb )
2
3mA
= = 0,12 X 10 −3 A / V 2
(10V − 5V ) 2
ID = k(VGS - VGS(Tb))2
I DQ ≅ 6,7 mA
VGSQ = 12,5 V
Equação (33):
= 40 V – 25,6 V
= 14,4 V
7. TABELA RESUMO
Agora que já foram introduzidas as configurações mais utilizadas para os diversos dispositivos
FET´s, na Tabela 1 são revistos os principais resultados e as semelhanças existentes entre as
abordagens para as várias configurações. Além disso, é mostrado que, de maneira geral, a
análise das configurações cc para os FETs não é tão compelxa. Uma vez que esteja
estabelecida a curva característica de transferência, pode-se desenhar a reta de autopolarização
do circuito e determinar o ponto Q na interseção. Para o restante da análise, são aplicadas
simplesmente as leis básicas de análise de circuitos.