Generador de Pulsos de Alto Vol - Eirez Izquierdo, Jose Enrique

Instituto Superior Politécnico José Antonio
Echeverría CUJAE
GENERADOR DE PULSOS DE
ALTO VOLTAJE Y CORTA
DURACIÓN
José Enrique Eirez Izquierdo
La Habana, 2011
Tesis de Maestría
Página Legal
Generador de Pulsos de Alto Voltaje y Corta Duración. – La Habana : Instituto Superior

Politécnico José Antonio Echeverría (CUJAE), 2011. – Tesis (Maestría).
Dewey: 621.3 INGENIERIA ELECTRICA. ELECTRONICA.

Registro No.: Maestria1001 CUJAE.
(cc) José Enrique Eirez Izquierdo, 2012.

Licencia: Creative Commons de tipo Reconocimiento, Sin Obra Derivada.
En acceso perpetuo: KWWSZZZHOLEURFRPWLWXORV
Generador de Pulsos de Alto
Voltaje y Corta Duración
Tesis presentada para optar por el grado de Máster en Ciencias
Autor: Ing. José Enrique Eirez Izquierdo

Tutores: Dr.C. Sonnia Pavoni Oliver
Dr.C. Fabriciano Rodriguez Gonzalez
INSTITUTO SUPERIOR POLITÉCNICO JOSÉ ANTONIO ECHEVERRÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
Centro de Investigaciones en Microelectrónica

CIME, La Habana
Noviembre de 2011
Índice
AGRADECIMIENTOS ................................................................................................... IV
RESUMEN ........................................................................................................................ 1
INTRODUCCIÓN ............................................................................................................. 2
CAPÍTULO 1. MÉTODOS DE AJUSTE DE RESISTORES ............................................. 5
1.1 Resistencia y resistencia pelicular ........................................................................ 5
1.2 Resistores de Película Gruesa ............................................................................... 6
1.3 Ajuste de elementos pasivos en la fabricación de dispositivos electrónicos .......... 7
1.3.1 Ajuste con LASER ....................................................................................... 7
1.3.2 Ajuste por flujo abrasivo ............................................................................... 9
1.3.3 Ajuste por método de Pulsos de Alto Voltaje (HVPT) ................................. 10
1.4 Efecto de la aplicación del método HVPT en el ajuste de resistores de película

gruesa .......................................................................................................................... 11
1.5 Conclusiones...................................................................................................... 13
CAPÍTULO 2. SISTEMA PARA LA APLICACIÓN DE PULSOS DE ALTO VOLTAJE

........................................................................................................................................ 14
2.1 Introducción....................................................................................................... 14
2.2 Fuente de Alimentación basada en Multiplicadores de Voltaje ........................... 15
2.2.1 Multiplicadores de Voltaje .......................................................................... 15
2.2.2 Multiplicador de Voltaje de ½ Onda ........................................................... 15
2.3 Generador de Pulsos de Alto Voltaje basado en el Banco Marx.......................... 17
2.3.2 El transistor bipolar en régimen de avalancha.............................................. 19
2.3.1 Banco de Marx con Transistores en Avalancha ........................................... 24
2.3.2 Etapa de Carga............................................................................................ 25
2.3.3 Etapa de Descarga....................................................................................... 26
2.4 Circuito de disparo ............................................................................................. 28
I
Índice
2.5 Conclusiones...................................................................................................... 28
CAPÍTULO 3. DISEÑO DE LA FUENTE DE ALTO VOLTAJE Y DEL CIRCUITO DE

DISPARO ........................................................................................................................ 30
3.1 Introducción....................................................................................................... 30
3.2 Fuente de alto voltaje basada en multiplicadores de voltaje ................................ 30
3.2.1 Resultados de simulación ............................................................................ 31
3.2.2 Materiales y métodos del trabajo experimental ............................................ 35
3.2.3 Resultados experimentales para una carga RL= ∞ ........................................ 35
3.2.4 Resultados experimentales para una carga, RL= 1 MΩ ................................ 37
3.2.5 Resultados experimentales para una carga, RL= Banco Marx ...................... 40
3.2.6 Análisis y discusión de los resultados experimentales ................................. 43
3.3 Circuito Generador de Disparo ........................................................................... 44
3.3.2 Resultados experimentales .......................................................................... 47
3.4 Conclusiones...................................................................................................... 49
CAPÍTULO 4. DESARROLLO DE UN BANCO DE MARX CON TRANSISTORES EN

AVALANCHA ................................................................................................................ 50
4.1 Introducción....................................................................................................... 50
4.2 Evaluación práctica de la zona de avalancha en transistores bipolares ................ 50
4.2.1 Materiales y métodos .................................................................................. 50
4.3 Resultados experimentales ................................................................................. 53
4.4 Análisis de los resultados ................................................................................... 54
4.5 Diseño y medición del Banco de Marx ............................................................... 55
4.5.2 Resultados y discusión ................................................................................ 57
4.6 Conclusiones...................................................................................................... 61
II
Índice
CONCLUSIONES GENERALES .................................................................................... 62
RECOMENDACIONES .................................................................................................. 63
REFERENCIAS .............................................................................................................. 64
ANEXOS ......................................................................................................................... 69
III
Agradecimientos
AGRADECIMIENTOS
A mis tutores, por el esfuerzo y dedicación a lo largo de esta investigación.
A todas las personas que de una forma u otra han contribuido a la realización de esta tesis.
A mi familia por el apoyo constante y seguro.
IV
Resumen
RESUMEN
En el presente documento se describen aspectos teóricos y experimentales para el desarrollo

de un generador de pulsos de alto voltaje encaminado al ajuste de resistores de películas
gruesas.
Existen varios métodos para el ajuste de resistores y elementos pasivos en general. En esta
tesis se analiza y propone un sistema basado en el método de pulsos de alto voltaje (High
Voltage Pulse Trimming, HVPT). Se realiza un estudio sobre los bloques principales que
integran el sistema, se presentan soluciones circuitales para cada uno de ellos, así como
resultados de simulación y experimentales. Los bloques son: un generador de pulsos de alto
voltaje basados en la topología Banco de Marx, que utiliza transistores bipolares que operan
la zona de ruptura por avalancha; una fuente de directa de alto voltaje (300 V); un circuito
de disparo para excitar el Banco de Marx. Además, se muestra un estudio teórico y práctico
de la zona de ruptura por avalancha en los transistores bipolares.
Palabras Claves: Trimming, High Voltage, Banco Marx, Second Breakdown, ruptura,
avalanche.
1
INTRODUCCIÓN
Uno de los retos en el desarrollo de sistemas electrónicos es la búsqueda incesante de

nuevos materiales y métodos para la fabricación de los dispositivos, haciendo uso de las
novedosas tecnologías emergentes [1], como son Screen Printing [2, 3], LTCC (Low
Temperature Co-fired Ceramic) [1, 4] y otras más [1, 5-7].
Por supuesto, para apoyar la búsqueda de nuevas tecnologías se necesita contar con un
equipamiento para la puesta a punto, ajuste, calibración, etc. En particular, esta tesis parte
de la necesidad de ajustar resistores de películas gruesas, que pudieran formar parte de un
sistema electrónico.
Entre las técnicas que se reportan en la literatura para el ajuste de elementos pasivos se
encuentran el ajuste con LASER, el ajuste por flujo abrasivo y el ajuste por pulsos de alto
voltaje.
El ajuste con LASER se basa en la aplicación de un haz de luz en la superficie del

elemento. Como consecuencia se modifica la estructura atómica del mismo, lo cual se
refleja en una variación de la resistencia. Esta técnica tiene como desventaja que el
elemento debe estar en contacto directo con la luz. En sistemas de una sola capa no
representa un gran inconveniente, pero en sistemas multicapas, tendría que existir una
ventana a través de la cual se pudiera acceder al elemento que se encuentre en las capas
más internas, cuestión que complicaría el diseño de cualquier circuito electrónico [8, 9].
El principio de funcionamiento, de la técnica basada en el método de flujo abrasivo, es

similar al del ajuste por LASER, con la diferencia de que en este se aplica un flujo de
nitrógeno seco [10], a una presión muy elevada (30-100 PSI), en la superficie del elemento,
variando así la estructura atómica del mismo. Esta también comparte como principal
desventaja, que el elemento debe estar en contacto directo con el flujo a alta velocidad.
El ajuste por pulsos de alto voltaje (HVPT) es otra de las técnicas utilizadas. Consiste en
aplicar pulsos de alto voltaje (hasta el orden de los kiloVolt) y de pequeña duración (hasta
el orden de los nanosegundos), en los extremos del elemento pasivo. De esta forma se
provoca un estrés en la estructura que forma dicho elemento, y varían así las propiedades
2
Introducción
físicas del material que compone el cuerpo del resistor y su resistencia. Esta técnica mejora
la principal desventaja que presentan las dos anteriores, ya que no hace falta que el resistor
esté a la vista, sólo debe tener disponible una conexión a ambos terminales, lo cual se logra
extendiendo una conexión desde la capa donde se encuentra el elemento hasta la capa más
externa [11].
Estos pulsos de alto voltaje y corta duración también pueden ser utilizados en otras
aplicaciones y ramas de la ciencia como la biología, aplicaciones nucleares, militares, entre
otras [12-16].
A nivel mundial existen equipos comerciales que realizan el ajuste de resistores, utilizando
la técnica LASER (Anexo 5). Hasta el momento de esta investigación no se ha encontrado
ninguno que utilice la técnica de pulsos de alto voltaje. Por otra parte sí se ofertan en el
mercado generadores de pulsos de alto voltaje (Anexos 2-4), los cuales pudieran ser
utilizados en sistemas de ajuste que utilizan esta técnica.
En el Centro de Investigaciones en Microelectrónica (CIME), varios grupos de trabajo han

trabajado y comienzan a trabajar con estas nuevas tecnología para la fabricación de
sensores y sistemas, sin embargo, no se cuenta con el equipamiento para realizar el ajuste
de los elementos pasivos ni con el presupuesto para adquirirlo. Contar con esta técnica es
de gran importancia debido a que muchos de los sistemas modernos necesitan una alta
exactitud en los valores de los componentes a usar en su diseño, dígase elementos pasivos
como resistencias, inductores, capacitores y también circuitos integrados precisos, lo cual
se traduce en una alta fidelidad en el producto final y en la calidad de las mediciones.
Para contribuir al desarrollo de las tecnologías emergentes, es necesario contar con un

equipamiento de apoyo que permita poner a punto los dispositivos que se construyan. Por
ejemplo, cuando se fabrican elementos pasivos es necesario ajustar los valores de los
mismos. De esta necesidad surge el problema de la investigación que se presenta en este
trabajo.
Aunque en la literatura consultada no queda reportado directamente cómo obtener los

pulsos de alto voltaje y corta duración, en esta tesis se propone un circuito que esté
3
Introducción
conformado por tres bloques: una fuente de alimentación de alto voltaje (cientos de Volt),
un circuito de disparo que permita obtener pulsos de corta duración y amplitud del orden de
los Volt, y un generador de pulsos de alto voltaje.
Objetivo principal de la tesis: Diseñar y montar un sistema que genere pulsos de alto
voltaje y corta duración que puede ser empleado en el ajuste de resistores de película
gruesa.
Hipótesis: Es posible lograr un generador de pulsos de alto voltaje y corta duración, a partir
de una fuente basada en multiplicadores de voltaje, un generador de pulsos de alto voltaje y
un circuito de disparo.
Tareas de Investigación:
1. Estudio del estado del arte de los métodos de ajuste de resistores.
2. Estudio del estado del arte de los circuitos de generación pulsos de alto voltaje.
3. Diseño y simulación de una fuente de alto voltaje, basada en multiplicadores de

voltaje de media onda.
4. Montaje y puesta a punto de la fuente de alto voltaje.
5. Diseño y simulación de un circuito generador de disparo, basado en los retardos de

las compuertas digitales.
6. Montaje y puesta a punto del circuito de generación del disparo.
7. Diseño de un circuito generador de pulsos de alto voltaje y ancho de pulso en el

orden de los cientos de nanosegundos, basado en la topología Banco Marx.
8. Montaje y puesta a punto del circuito de generación de pulsos.
4
CAPÍTULO 1. MÉTODOS DE AJUSTE DE RESISTORES
En este Capítulo se presentará un estudio teórico de los conceptos relacionados con los
resistores de película gruesa, así como varios de los diferentes métodos de ajuste que se
reportan en la literatura. Además de que se profundizará en el método de pulsos de alto
voltaje y se analizará el efecto de estos en el ajuste de los resistores.
1.1 Resistencia y resistencia pelicular
La resistencia de un elemento depende de sus dimensiones (área, longitud) y de la

resistividad del material. La relación entre estos parámetros queda descrita por la ley de
Pouillet, que se presenta en la expresión 1.1 [2].
(1.1)
Donde, R es el valor de la resistencia, L la longitud de la resistencia de terminal a terminal,

A el área transversal y ρ la resistividad del material.
En la Figura 1.1 se presenta el esquema de un resistor con área de sección transversal A,

longitud L, profundidad t y altura W. La flecha acompañada de la letra I, indica el sentido
en que circula la corriente por el resistor.
Figura 1.1: Esquema que representa las dimensiones de un resistor.
Si en el esquema de la Figura 1.1 se cumple que W es igual a L, se tiene un cuadro de área

, con resistividad ρ, espesor y sección transversal . La resistencia de este
cuadro en unidades de “Ohm por cuadro”, indicado con el símbolo , es:
5
CAPíTULO 1
MÉTODOS DE AJUSTE DE RESISTORES
(1.2)
Obsérvese que en la expresión 1.2, RS es independiente del tamaño del cuadro. Este valor
se conoce como resistencia pelicular [2].
1.2 Resistores de Película Gruesa
Una gran cantidad de elementos electrónicos se fabrican utilizando la tecnología de

impresión de películas o capas gruesas, también conocida como Screen Printing [2, 17].
Estas capas se obtienen a partir de pastas o tintas comerciales que poseen diversas
características eléctricas y se imprimen sobre la superficie de un sustrato aislante como
vidrio, alúmina, papel, cerámica, etc. [18].
Desde 1958 se desarrollaron sistemas de tintas o pastas que lograban un amplio rango de
resistencias de lámina. Ellas se basan en la mezcla de un material aislante con uno
conductor en diferentes proporciones, unido a otros aditivos. La conducción se efectúa
mediante cadenas del material conductor que se forman en la capa gruesa y las propiedades
conductivas dependen de la proporción de material conductor y del tratamiento térmico que
se realice. Actualmente se utiliza, en muchos casos, el rutenio como material conductor y el
vidrio como aislante [2]. También se ha reportado [19] como conductor el grafito y como
aislante el PVC.
Para construir resistores mediante esta tecnología, pueden emplearse diversas pastas
comerciales. Por ejemplo, el fabricante DuPont ofrece las del tipo 7082 [20], 7400, con
valores de resistencia pelicular entre 0.1 y 3 [21], 8039 y 8049 [22].
Los resistores obtenidos a partir de esta técnica tienen la característica de que sus
tolerancias están por encima del 20% [2]. Por esta razón, es importante concebir
herramientas y métodos de trabajo que permitan ajustar los valores de cada uno de estos
elementos.
6
CAPíTULO 1
1.3 Ajuste de elementos pasivos en la fabricación de dispositivos electrónicos
Según la expresión 1.1 del epígrafe 1.2, para modificar el valor de la resistencia de un
elemento, puede variarse el área de su sección transversal, su longitud o alterar la
resistividad del material. En la literatura se reportan fundamentalmente tres técnicas para el
ajuste de elementos pasivos: el ajuste con LASER (LASER trimming) [8, 23], el ajuste por
flujo abrasivo [10] y el ajuste por pulsos de alto voltaje (HVPT) [11].
Una diferencia importante que existe entre estas formas de ajuste es, que en las dos
primeras el resistor debe estar visible, a sea en contacto directo con el haz de luz LASER o
con el chorro de aire a presión, mientras que en la última el elemento que será ajustado
pudiera estar enterrado en alguna capa interna de un sistema multicapas.
1.3.1 Ajuste con LASER
Esta variante consiste en hacer cortes en la superficie del elemento con un LASER, de esta
forma se logra un aumento del valor de resistencia al cortar parte del área efectiva del
resistor. Se llama área efectiva al espacio que ocupa el cuerpo del elemento sobre el
sustrato. Estos cortes pueden ser tipo L, serpentín, entre otras variantes, como se ilustra en
la Figura 1.2a.
7
CAPíTULO 1
a)
b)
Figura 1.2: a) Cortes tipo L y serpentín b) Ajuste de elementos pasivos utilizando un haz de
luz LASER [24].
En la Figura 1.2b se presenta un esquema a nivel de bloques de un sistema de ajuste con

LASER. En ella se puede apreciar que el haz de luz incide sobre la superficie del resistor
que se está ajustando y se mide el valor de resistencia para saber cuándo llego al valor
deseado. Con el “Controlador del LASER” se gradúa la potencia del haz de luz que va a
incidir sobre el resistor [24].
Para niveles de la potencia del LASER mayores que un valor umbral (predefinido por el
diseñador del sistema), se puede aumentar la resistencia del elemento, debido a que se
evaporan secciones y se dificulta el flujo de la corriente. Para potencias menores que dicho
valor, se disminuye la resistencia, ya que se funden secciones y se mejora el flujo de la
corriente a través del resistor.
8
CAPíTULO 1
La corta duración, unida al elevado pico de energía pero una baja potencia promedio del
LASER, proporcionan una rápida vaporización con un mínimo flujo de calor, en la región
del resistor donde se aplica. En consecuencia, se disminuyen los riesgos de
sobrecalentamiento y de aparición de microgrietas, resultando mejor la estabilidad del
resistor [2].
1.3.2 Ajuste por flujo abrasivo
El principio de funcionamiento de esta técnica es similar a la basada en LASER en cuanto a

que el elemento que va a ser ajustado debe estar visible. Partículas micrométricas de agua
destilada se disparan a alta velocidad hacia la superficie del resistor y erosionan el material
del mismo en porciones determinadas, ya que se crean cortes en la estructura del resistor.
Como consecuencia, se logra la variación de la resistencia.
En la Figura 1.3 se muestra un esquema funcional del sistema de ajuste. El agua destilada
se mezcla con nitrógeno seco a una alta presión (30-100 PSI), y se dispara con una pistola
de aire hacia el resistor, con un ángulo de 45 grados y una velocidad de 1 ml/min. Las
puntas de contacto de oro, permiten lecturas continuas de resistencia al óhmetro digital
[10].
Figura 1.3: Esquema de un aparato de ajuste de flujo abrasivo.
9
CAPíTULO 1
Esta forma de ajuste al igual que la anterior, poseen como inconveniente que el resistor
debe estar visible o poseer una ventana de acceso, para que pueda entrar en contacto con el
sistema de ajuste. Razón por la cual esta tesis se inclina por una tercera variante para
realizar el ajuste, basada en pulsos de alto voltaje.
1.3.3 Ajuste por método de Pulsos de Alto Voltaje (HVPT)
El uso del método de ajuste de resistencia por pulsos de alto voltaje (HVPT: High Voltage
Pulse Trimming) se reporta en la bibliografía consultada [25, 26]. Consiste en aplicar
pulsos de alto voltaje (orden de hasta los kiloVolt) y de pequeña duración (orden de hasta
los nanosegundos) [2, 14, 27-29], en los extremos del resistor. De esta forma se provoca un
estrés en la estructura interna de dicho elemento, se modifican así las propiedades físicas
del material que compone el cuerpo del resistor y, en consecuencia, varía su resistencia. En
esta técnica se usan ambos terminales del resistor como electrodos para aplicar la energía
del alto voltaje al cuerpo del elemento. Este procedimiento mejora la principal desventaja
que presentan los métodos descritos en los dos epígrafes anteriores, ya que no hace falta
que el resistor esté a la vista, sólo debe tenerse disponible una conexión con ambos
terminales [11]. Por esta razón fue la técnica escogida para realizar este trabajo y su
diagrama en bloques se presenta en la Figura 1.4.
Figura 1.4: Diagrama en bloques de un sistema ajuste por pulsos de alto voltaje (HVPT).
10
CAPíTULO 1
En el sistema de la Figura 1.4 el Bloque Generador de Pulsos de Alto Voltaje, que

representa el actuador del sistema, suministra los pulsos de alto voltaje que serán aplicados
al resistor que se va a ajustar. El Bloque Óhmetro, que representa el elemento sensor, mide
el valor de resistencia antes y después del ajuste, información que llega hasta el Bloque
Control y este se encarga de comprobar si el resistor ya está ajustado, comparando el valor
medido con un valor deseado, dentro de un margen de error, que estará dado por la
estrategia de control que se emplee. Este control puede ser manual o automático. El Bloque
Control además decide si se mide o si se aplica el pulso.
1.4 Efecto de la aplicación del método HVPT en el ajuste de resistores de película

gruesa
El comportamiento de los resistores de película gruesa durante el HVPT, depende de la

resistencia pelicular de la pasta usada. La sensibilidad al ajuste por pulso de alto voltaje,
depende de la composición de la pasta, especialmente del tamaño de la partícula y de la
relación de la mezcla [2].
El principal factor para el ajuste de los resistores es la energía de los pulsos de alto voltaje
(EHVP). La dosis de energía eléctrica debe controlarse cuidadosamente para no dañar los
resistores y se define como donde P es la potencia eléctrica que disipa el
resistor, V es el voltaje en los terminales del mismo y R es su valor de resistencia. Un

calentamiento excesivo, en regiones con una alta concentración de corriente, puede evitarse
mediante la aplicación de pulsos de nanosegundos de duración [2].
Durante el ajuste de resistores, mientras menor sea el valor de resistencia pelicular, la

corriente que fluye a través del resistor será mayor, calentando así las microestructuras e
interrumpiendo, algunas de las rutas conductoras. Como consecuencia se incrementará el
valor de resistencia. Este efecto se ilustra en la Figura 1.5, donde se han representado la
variación del valor de resistencia ΔR con respecto al número de pulsos aplicados para
realizar el ajuste. Para el cálculo de dicha variación se utiliza la siguiente expresión
donde RF y RI son las resistencias después y antes de aplicar el ajuste,
respectivamente. Sería oportuno destacar que el valor de 100 , no es un valor estándar
11
CAPíTULO 1
a partir del cual comienza a apreciarse un aumento en la resistencia, con cada pulso
aplicado, es sólo un ejemplo utilizado para demostrar el comportamiento de la resistencia
ante los pulsos de alto voltaje.
Figura 1.5: Variación de la resistencia en función del número de pulsos, a) para resistores
fabricados con resistencia pelicular < 100 , b) resistencia pelicular > 100 [2].
Por el contrario, mientras más alto es el valor de resistencia pelicular, más decrece el valor
de la resistencia, cuando se somete a la técnica de ajuste por pulsos de alto voltaje. Debido
a que con el mismo voltaje aplicado, la corriente resultante será mucho menor en estos. El
transporte de carga eléctrica para ellos, depende del fenómeno de tunelización además de
que existen pocos caminos conductores en su estructura. Mientras menores sean las
corrientes eléctricas, menor será la energía eléctrica y el calentamiento de la
microestructuras. Esta cantidad de energía no es capaz de interrumpir los caminos
conductores, los cuales son los responsables del transporte de la carga eléctrica.
La dosis de energía eléctrica debe ser controlada cuidadosamente, ya que una alta energía
podría dañar los resistores. Luego, la validación del método de HVPT depende además de la
composición física de las pastas con que se fabrican los elementos, de la distribución de las
microestructuras dentro del resistor y de la estructura de la red que lo forma.
Para lograr grandes cambios en la resistencia, se recomienda comenzar el proceso de ajuste

con un elevado nivel de alto voltaje. Este es el ajuste grueso (coarse-trimming). También
12
CAPíTULO 1
existe el ajuste fino (fine-trimming), el cual se logra ajustando sólo el número de pulsos,
manteniendo la amplitud del voltaje y por consiguiente la energía eléctrica constante. Esta
puede ser repetidamente aplicada al resistor y cambiará su valor ligeramente. Pulsos con
una energía inapropiada, pueden lograr un efecto similar al proceso de envejecimiento [2].
1.5 Conclusiones
De la búsqueda bibliográfica realizada sobre las técnicas de ajuste de elementos

pasivos, se concluye que el método de ajuste por Pulsos de Alto Voltaje es el
recomendado para arreglar elementos enterrados en capas internas de sistemas
multicapas y se ha empleado en el ajuste de resistores.
El método de ajuste por Pulsos de Alto Voltaje precisa de un sistema donde se

generen pulsos con voltaje del orden de los cientos de Volt con muy corta duración,
los cuales, dependiendo de los materiales utilizados para construir los resistores,
aumentan o disminuyen el valor de resistencia de los mismos.
13
CAPÍTULO 2. SISTEMA PARA LA APLICACIÓN DE PULSOS DE
ALTO VOLTAJE
2.1 Introducción
En la Figura 1.4 del Capítulo 1, se mostró un diagrama de bloques general correspondiente

a un sistema de ajuste de resistores por el método de HVPT. De los diferentes bloques que
lo conforman, el encargado de generar los pulsos es actuador del sistema.
En la literatura consultada, aunque se reporta el empleo de generadores de pulsos de alto

voltaje para el ajuste de resistores, no se encontraron propuestas circuitales para este tipo de
equipamiento.
En la Figura 2.1 se propone un diagrama en bloques para el generador de pulsos de alto

voltaje y corta duración. Como puede observarse, este se conforma de tres partes: Fuente de
Alimentación, Circuito de Disparo y Generador de pulsos de Alto Voltaje. En este Capítulo
se explicarán los aspectos teóricos relacionados con cada uno de ellos. Los autores
consultados reportan pulsos con amplitudes (VO) entre 1 - 4 kV y tiempos de caída (tf) de
200 - 300 ps y de subida (tr) de 320 ps, tiempo de disparo (ttr) de alrededor de 8 ns y un
voltaje de alimentación VCC = ± 1.5 kV [28], VO = 2 kV y tr = 1 ns [27, 29], VO = 4 kV, tr =
1 ns, ancho del pulso = 14 ns y VCC = 900 V [14].
Figura 2.1: Diagrama de bloques del generador de pulsos de alto voltaje.
14
CAPíTULO 2
SISTEMA PARA LA APLICACIÓN DE PULSOS DE ALTO VOLTAJE
2.2 Fuente de Alimentación basada en Multiplicadores de Voltaje
Para obtener este bloque, se seleccionó la configuración de multiplicadores de voltaje,

debido a que es una solución económica y satisface los requerimientos en cuanto a corriente
(orden de los mA) y voltaje (cientos de Volts) que se necesitan para el generador.
2.2.1 Multiplicadores de Voltaje
Este tipo de circuito permite obtener un voltaje con un nivel de directa igual a un factor
entero multiplicado por el valor pico de la señal de entrada. El principio de operación de
estos circuitos es la carga sucesiva de condensadores debido a la habilitación en cascada de
diodos.
Este tipo de circuitos eleva el voltaje de salida de pico a dos, tres, cuatro o más veces el
voltaje pico rectificado, como se puede apreciar en la Figura 2.3. En la Figura 2.2 D1, D2,
D3 y D4 son diodos, VC1, VC2, VC3 y VC4 son los voltajes en los capacitores y VO1, VO2, VO3
y VO4 son voltajes medidos en diferentes nodos del circuito.
2.2.2 Multiplicador de Voltaje de ½ Onda
Pueden conectarse en cascada dos duplicadores de media onda para multiplicar por tres o
por cuatro el voltaje de entrada pico V m, como se muestra en la Figura 2.3. Durante el
primer cuarto de ciclo ( ) del voltaje de entrada vS, el capacitor C1 se carga a
Vm a través de D1. Durante el tercer cuarto de ciclo ( ), observe que se
aplica al capacitor C2 a través de D2, un voltaje 2Vm, pues al voltaje vs de la fuente se suma
el del capacitor C1 que ya estaba cargado a Vm. Entonces el capacitor C2 se carga a 2Vm por
medio de C1 y D2. Durante el quinto cuarto de ciclo ( , el capacitor C3 se
carga a 2Vm a través de C1, C2 y D3. Durante el séptimo cuarto de ciclo ( ),
el capacitor C4 se carga a 2Vm, por medio de C1, C2, C3 y D4.
Dependiendo de las conexiones de salida, el voltaje de salida de estado estable puede ser
Vm, 2Vm, 3Vm o 4Vm. Si se utilizan más secciones de diodo y capacitor, cada capacitor se
cargará a 2Vm. El voltaje pico inverso PIV de cada diodo es PIV = 2V m, por lo que deben
15
CAPíTULO 2
completarse un par de ciclos antes de que se alcancen las condiciones de estado estable
[30].
Figura 2.2: Circuito eléctrico del cuadriplicador de voltaje.
Figura 2.3: Formas de ondas de un multiplicador de voltaje.
16
CAPíTULO 2
2.3 Generador de Pulsos de Alto Voltaje basado en el Banco Marx
Los pulsos de alto voltaje pueden generarse de varias formas. Habitualmente los
generadores consisten en bancos de capacitores que se cargan en paralelo a un mismo
voltaje, y se conectan en serie para la descarga, lográndose de esta forma multiplicar varias
veces el voltaje de carga. Suelen tener varias etapas y una característica que los diferencia
unos de los otros, es el elemento que se utiliza para conectar los capacitores en serie,
cuando el circuito se encuentra en la etapa de descarga. Con el circuito propuesto en la
primera mitad del siglo XX por Erwin Otto Marx, ingeniero electricista alemán, pueden
obtenerse impulsos con crestas de 3600 V y aún mayores. Esta conexión es conocida como
Banco Marx [31].
En la Figura 2.4 se muestra el circuito propuesto por Marx para la generación de pulsos de
alto voltaje. Un número n de capacitores se carga al voltaje de carga V CC (charge voltage
en la Figura) a través de las resistencias RC y después son conectados en serie, para la
descarga, por los explosores de esferas (spark gap switch) que aparecen en la Figura.
Figura 2.4: Banco Marx con explosores de esfera.
Estos últimos constan de dos esferas metálicas, como se puede ver a la izquierda de la
Figura 2.5, situadas a corta distancia una de otra, y entre las cuales se establece la conexión
eléctrica a través de un arco eléctrico que salta entre ellas (ver en la parte derecha de la
17
CAPíTULO 2
Figura 2.5). Algo parecido sucede en las bujías encargadas de proporcionar la chispa en los
motores de combustión interna.
a) b)
Figura 2.5: a) Explosor de esferas o spark gap y b) mostrando el momento en que salta el
arco.
El voltaje que se obtiene a la salida es cercano y algo menor que el voltaje de carga, V CC,
multiplicado por el número n de capacitores (o etapas). Cuando todos los capacitores se han
cargado, por ninguna rama del circuito circula corriente. A cada explosor está aplicado un
voltaje VCC, mantenido por cada uno de los capacitores cargados y a través de las
resistencias RC. Este voltaje no es suficiente para producir la chispa entre ellos. Mientras no
aparezca un sobre voltaje que dispare los explosores, el circuito permanecerá en estas
condiciones indefinidamente.
En la Figura 2.6 se muestra el banco en las condiciones de disparo de los explosores. Note
que todas las esferas de la izquierda de los explosores se encuentran inicialmente a un
voltaje +VCC con respecto a tierra y las de la derecha se encuentran inicialmente a potencial
de tierra. Si se aplica otra fuente independiente de voltaje negativo –Vtr con respecto a
tierra a la esfera derecha del primer explosor, instantáneamente se produce una corriente
Vtr/RC, en la primera resistencia RC de la izquierda abajo, cuyo terminal izquierdo está
conectado a tierra. Sigue sin circular corriente por las demás ramas del circuito, pues no
hay ninguna otra RC conectada a tierra. El voltaje Vtr se propaga a todas las esferas
derechas de todos los explosores, excepto el que conecta la resistencia de carga (último de
la derecha en la Figura 2.6).
18
CAPíTULO 2
Figura 2.6: Banco Marx durante la descarga de los capacitores.
El voltaje aplicado a los explosores será modularmente Vtr + VCC si, aumentando Vtr, se
hace este, mayor que el voltaje de disparo de los explosores, saltará el arco eléctrico en
todos ellos a la vez, excepto el que conecta la carga. Entonces circulará una corriente de
descarga por todos los capacitores, que estarán conectados en serie. El voltaje en el terminal
superior del último capacitor de la derecha en Figura 2.6 será aproximadamente nVCC, que
debe ser suficiente para provocar el disparo del explosor que conecta la resistencia de
carga, por la cual circulará la corriente de descarga, produciéndose en ella el pulso de salida
de alto voltaje y del orden de los nanosegundos.
2.3.2 El transistor bipolar en régimen de avalancha
Desde el surgimiento de los transistores bipolares hacia la mitad del siglo XX, estos han
sido utilizados ampliamente en multitud de aplicaciones y en tres de sus zonas de
operación: región activa, saturación y corte. En cualquier libro de Electrónica [32] se puede
encontrar un estudio y descripción de estas tres zonas de operación; menos conocida es la
zona en que el transistor bipolar funciona en régimen de avalancha. Aunque este cuarto
régimen fue descrito y estudiado desde la década de los cincuenta [33, 34], ha sido menos
utilizado y por eso es casi desconocido. Revisando los programas en el campo de la
simulación de circuitos electrónicos, se encuentra que el programa PSpice no contempla
este régimen, por lo cual no fue posible realizar simulaciones del circuito de Marx. No
19
CAPíTULO 2
obstante en la literatura se encuentran intentos de incorporar modelos a este programa para

simular los circuitos de avalancha [35].
Un transistor de avalancha es un transistor bipolar diseñado para operar después que se ha

alcanzado el voltaje de ruptura de la unión Base-Colector, en la región conocida como
región de ruptura de avalancha y en particular la zona conocida como segunda ruptura. La
operación entre corte y esta región permite a los transistores de avalancha conmutar con
tiempos de subida y caída del orden de un nanosegundo. Muchos transistores no diseñados
para trabajar en régimen de avalancha pueden, no obstante, trabajar aceptablemente en esa
región. El fenómeno de la ruptura en avalancha, que interesa ahora, se produce cuando la
unión BC esta polarizada en inversa y sin inyección de portadores desde el emisor (si la
unión BE también está en inversa o con cero voltaje aplicado, o sea, en región de corte) la
corriente de colector será ICO del orden de los nanoAmpere, cuyo crecimiento al aumentar
el voltaje inverso BC es muy poco, pues su valor está limitado por el número pequeño de
portadores que la conducen. Efectivamente, la corriente inversa I CO de la unión colectora es
conducida solamente por los portadores minoritarios (huecos que van de la zona n a la p y
electrones que van de la zona p a la n). Como la concentración de portadores minoritarios,
para la temperatura ambiente, es muy baja, la magnitud de esta corriente es muy pequeña y
está limitada por el número de portadores que la integran. No obstante, esta corriente crece
exponencialmente con el aumento de la temperatura, al crecer de esta forma la
concentración de portadores minoritarios.
Si aumentamos el voltaje base colector, los portadores adquieren más energía, hasta que
son capaces de arrancar electrones del retículo cristalino, durante los choques con este. A su
vez estos nuevos portadores adquieren la energía necesaria para romper otros enlaces,
creciendo el número de portadores de forma muy rápida, en forma de avalancha. La
corriente crece fuertemente, se ha producido la ruptura en avalancha de la unión. Si se
permite un crecimiento mayor de la corriente ocurre otro fenómeno conocido como
segunda ruptura, el voltaje de la unión BC comienza a decrecer en la medida que crece la
corriente. La segunda ruptura ocurre porque la distribución de la corriente por el volumen
de la base no es uniforme y se concentra en algunos puntos conocidos como “puntos
calientes” donde la temperatura se eleva y crece exponencialmente el número de portadores
20
CAPíTULO 2
minoritarios generados. Cuando se alcanza este estado ya no se requiere generar portadores

por avalancha para mantener la corriente, pues ya se generan térmicamente, por lo cual el
voltaje de la unión CB disminuye muy por debajo de V CEO.
En la Figura 2.7a se muestra un circuito que permite estudiar el régimen de avalancha en el

transistor bipolar [34]. La resistencia RB se escoge de modo que el transistor Q este a corte
cuando Vi = 0 V. Cuando el transistor Q está a corte el capacitor C se carga hasta un voltaje
cercano a Vcc a través de las resistencias R C y RL en serie. La constante de tiempo de la
carga es τC = (RC + RL) C.
En la gráfica de la Figura 2.7b se representa, en los mismos ejes coordenados, la corriente

de carga I del capacitor C contra su voltaje V C y la corriente de colector IC contra el voltaje
colector emisor VCE del transistor Q (curva característica de salida del transistor Q). Se
observa la línea de carga del capacitor, es una recta (la inferior) cuyos interceptos están
determinados por VCC, RC y RL como se ve en esta Figura. Después que el capacitor se
carga la corriente por RC se reduce considerablemente (punto de operación P1 de la
característica de salida de Q, en la Figura 2.7b) y por RL no circula corriente alguna. El
voltaje de salida VO es cero. El circuito puede mantenerse en este estado indefinidamente,
siempre que el transistor se mantenga en corte. El voltaje VCC se escoge muy próximo al
voltaje de ruptura de la unión BC, VCEO. Más exactamente, en este punto P1 se cortan la
característica voltaje contra corriente de Q (para Vi = 0 V) y la línea de carga del transistor
Q (no representada en la Figura, pero muy próxima a la línea de carga del capacitor, para
este voltaje). La característica I-V, para bajos voltajes prácticamente coincide con el eje
VCE, pues la corriente es despreciable (I CO). El transistor está en la región de corte. En la
medida que situamos el punto de operación P1 cerca al voltaje de ruptura, la corriente
aumenta moderadamente y puede llegar a varios miliAmpere. Es interesante notar, que en
esta posición de P1, ya no es totalmente válido decir que el transistor está en corte, pero sí
está aún en la zona de alta resistencia y baja corriente, no se ha producido todavía la
irrupción en la zona de alta corriente ni la disminución de V CE. En la característica se
observa después la ruptura en avalancha, cuando se alcanza el voltaje V CEO y al aumentar la
corriente, la zona de segunda ruptura caracterizada por el decrecimiento de V CE y el valor
21
CAPíTULO 2
negativo de la resistencia y al final la zona de alta corriente, en que la resistencia es de

nuevo positiva, pero pequeña y VCE está bastante debajo del voltaje de ruptura.
Figura 2.7: El régimen de avalancha y de segunda ruptura en el transistor bipolar (a)

circuito para estudiar el régimen, con el transistor a corte y el capacitor cargándose. (b)
curva corriente contra voltaje del transistor en avalancha y segunda ruptura y líneas de
carga correspondientes a la carga del capacitor y a la descarga de este. La resistencia
equivalente para la descarga, REQ es la combinación en paralelo de RC y RL [36].
Cuando se aplica un pulso positivo a la entrada, de amplitud adecuada, el voltaje de ruptura

VCEO baja por debajo del punto P1 y se produce la ruptura con el aumento brusco de la
corriente y la disminución del voltaje. Al conducir el transistor fuertemente, se cierra un
circuito que permite la descarga del capacitor C, a través de R L y el transistor Q. Ahora el
desplazamiento del punto de operación se va a efectuar sobre una nueva línea de carga,
denominada línea de carga para la descarga (Figura 2.7b). En la Figura 2.8a se muestra el
circuito durante la descarga del capacitor. En la Figura 2.8b se muestra el circuito
equivalente para la descarga del capacitor, válido solamente para t << RLC. Se ha sustituido
el capacitor por una batería de valor VCC, suponiendo que la disminución del voltaje del
capacitor en el tiempo t es despreciable. Como se aprecia de la Figura, en este caso la
corriente IC está integrada por dos componentes: I que circula por RC y cuyo valor máximo
es VCC/RC, e ID, de descarga del capacitor y cuyo valor máximo es V CC/RL, o sea que:
22
CAPíTULO 2
(1)
Donde REQ es la resistencia equivalente de conectar RC y RL en paralelo (Figura 2.7b). El

otro intercepto de esta línea de carga es VCC para IC = 0.
Figura 2.8: a) Circuito para la descarga del capacitor b) Circuito equivalente, válido para
t<< RLC. Se ha sustituido el capacitor por una batería de valor V CC, suponiendo que la
disminución del voltaje del capacitor en el tiempo t es despreciable.
Como habitualmente RL << RC la corriente de descarga del capacitor es mucho mayor que
la de carga y permite al transistor operar en el régimen de segunda ruptura. Como se
observa en la Figura 2.7b esta línea de carga intercepta a la característica voltaje corriente
en tres puntos. El primero (P1 en la Figura) cae en la zona de baja corriente, el segundo (no
se representa en la Figura) cae en la zona de resistencia negativa y es inestable y el tercero
(P2 en la Figura), está en la zona de alta corriente y es estable. Es aquí (en P2) donde se
establece el punto de operación. La corriente I D provoca un pulso negativo en la salida VO,
cuyo flanco de caída es tan rápido como el flanco de subida del pulso de entrada, aunque el
flanco de subida del pulso de la salida suele ser más lento que el flanco de caída del de la
entrada. Si se hace llegar a la entrada de este circuito un tren de pulsos de frecuencia f, se
producirá a la salida otro tren de pulsos como el descrito en el párrafo anterior. Es necesario
23
CAPíTULO 2
tener en cuenta que en el transistor Q se disipa una gran potencia en el estado de alta
corriente, por lo cual la frecuencia f no debe ser demasiado grande, pues puede quemarse el
transistor.
2.3.1 Banco de Marx con Transistores en Avalancha
El uso de los explosores de esfera para conectar los capacitores en serie en el Banco de
Marx tiene la desventaja de que se requiere otra fuente, independiente a la de alimentación,
para disparar los explosores. El surgimiento de los dispositivos semiconductores permitió
una mayor duración y confiabilidad en esta función. Los transistores de avalancha han
sustituido a los explosores en el Banco de Marx.
En la Figura 2.9 aparece el esquema eléctrico de un Banco de Marx, que utiliza transistores
bipolares operando entre corte y avalancha, como elemento de conexión [14]. Está formado
por cinco etapas, cada una de las cuales opera en forma similar al circuito de la Figura
2.1(a). Cada etapa está formada por tres transistores en serie, pero que trabajan como si se
tratara de un solo transistor, con un voltaje de ruptura BC tres veces mayor.
Figura 2.9: Circuito de Banco Marx de cinco etapas.
24
CAPíTULO 2
2.3.2 Etapa de Carga
Cuando en la base del transistor Q3 del circuito de la Figura 2.9 no hay pulso, este transistor
permanece en la zona de corte. En la Figura 2.10 se muestra el circuito de carga de los
capacitores. El primer capacitor C, se carga a un valor muy cercano a +V CC a través de una
resistencia de RC`+ RE. Los tres capacitores siguientes se cargan también a casi +VCC, a
través de una resistencia RC + RE. El último capacitor C se carga a casi + V CC a través de
RC + RL. Mientras no aparezca un pulso, en la base del transistor Q 3, el circuito
permanecerá en estas condiciones indefinidamente, las corrientes en todas las ramas serán
casi cero (sólo circularán las corrientes inversas de las uniones Base-Colector (BC)).
Observe que el terminal izquierdo de todos los capacitores es el positivo, y el negativo está
conectado a tierra, a través de una resistencia R E (o de RL, en el caso del último).
Figura 2.10: Circuito equivalente durante la carga de los capacitores.
Observe también que todos los transistores, excepto Q 3, tienen las uniones Base-Emisor
(BE) en cortocircuito y las uniones BC están en serie, de tres en tres, polarizadas en inversa
por un voltaje +Vcc, repartido, a partes aproximadamente iguales entre las tres uniones
(pues los transistores se escogen con las mismas características). El valor del voltaje VCC y
del voltaje de ruptura de las uniones BC de los transistores son tales, que las uniones se
encuentran en inversa ligeramente por debajo del voltaje de ruptura V CEO.
25
CAPíTULO 2
2.3.3 Etapa de Descarga
Cuando llega el pulso a la base de Q3, este, que permanecía en zona de corte, se prepara
para conducir. Su emisor inyecta electrones en la base que son colectados por la unión BC.
Inicialmente, cuando aún no existe un circuito externo cerrado para que circule la corriente,
pues los transistores Q1 y Q2 están cortados, estos electrones se emplean en disminuir la
carga de la unión BC de Q3, por lo tanto baja la barrera de potencial de esta unión, y baja su
voltaje colector base. Entonces aumenta el voltaje a través de las uniones BC de Q 1 y Q2, en
serie, y el aumento es tal, que provoca la ruptura de avalancha, llevando a los transistores a
la segunda ruptura. Al conducir los tres transistores en serie (Q1, Q2 y Q3) el capacitor
comienza a descargarse, por estos transistores y la resistencia R E (primera de la izquierda,
abajo). La corriente Id de la Figura 2.9, representa esta descarga. Además circulará por los
transistores, hacia tierra, una corriente I1 proveniente de Vcc por la resistencia de 1 MΩ.
La circulación de la corriente Id por la resistencia RE de la izquierda abajo provoca que el

emisor y la base de Q6, que estaban a potencial de tierra salten casi instantáneamente a un
valor negativo - IdRE. El voltaje aplicado a las tres uniones BC de Q 4, Q5 y Q6 en serie, que
se encontraban próximas a la ruptura, aumenta en esa misma cantidad, provocando la
segunda ruptura en los tres transistores y comenzando la descarga del segundo capacitor,
que ahora es colocado en serie con el primero, a través de los transistores Q4, Q5 y Q6. Este
proceso se repite con cada una de las etapas, hasta que los cinco capacitores se colocan en
serie entre la salida y tierra (ver Figura 2.11). Ahora los capacitores, que se cargaron en
paralelo, están conectados en serie, si recorremos el circuito desde tierra hasta el nodo de
salida, partiendo del emisor de Q3 (a tierra), subimos hasta el colector de Q1, bajamos a
través de C a la base de Q6 y repetimos esta trayectoria en cada una de las secciones, hasta
llegar al colector de Q13. A la resistencia RL se aplica el voltaje de los cinco capacitores en
serie, restándoles las pequeñas caídas que ocurren en los quince transistores en segunda
ruptura. En la Figura 2.11, VCC = 900 V, Q1-Q15 (2N5550/2N5551), C = 1000 pF y 3 kV.
26
CAPíTULO 2
Figura 2.11: Circuito equivalente durante la descarga de los capacitores en serie.
Se puede considerar que el voltaje de todos los capacitores se mantiene constante en V CC

pues la constante de tiempo con que se descargan estos es τ = R LC es mucho mayor que el
ancho del pulso que se produce si este fuera de alrededor de 1 ns. Aunque la conmutación
de corte a segunda ruptura de los transistores se efectúa en forma secuencial, o sea ha de
ocurrir la conmutación de la primera etapa para que comience la segunda, este proceso es
casi instantáneo. Algunos autores reportan que estas conmutaciones son simultáneas, dentro
del error que pueda existir en la medición del tiempo [31].
Una cuestión importante, de la cual no se ha hablado, es como salen los transistores del
régimen de avalancha al que son sometidos cuando se da el pulso en la base del transistor
Q3, el cual provoca que dicho elemento se sature y por lo tanto Q 1 y Q2 caen en avalancha,
desencadenándose este fenómeno a todas las etapas del Banco Marx, como se ha explicado
anteriormente. Posteriormente, cuando todos los transistores se encuentran bajo este
régimen de trabajo, y se quita el pulso en la base de Q3, este vuelve a la región de corte y al
no estar en avalancha, va disminuyendo la corriente paulatinamente, en esa rama, hasta que
retoma los 300 V que tenía antes de que se produjera el pulso de disparo, lo cual provoca
una reducción paulatina en la corriente que pasa por los tres transistores, provocando un
aumento del voltaje en los mismos.
27
CAPíTULO 2
Saliendo de dicha zona de trabajo en inversa y volviendo de esta forma a la condición de

equilibrio del circuito, entiéndase por condición de equilibrio, aquella donde todos los
capacitores están cargados a VCC, todos los transistores están cortados, en inversa, con un
voltaje VCE cercano a la avalancha, pero sin llegar a ella y circulando por todas las ramas
del circuito solo las corrientes de saturación inversa de las uniones PN de los transistores.
2.4 Circuito de disparo
El objetivo de este bloque es generar pulsos de corta duración, del orden de los cientos de
nanosegundos y que puedan controlarse mecánicamente mediante un interruptor. Estos se
utilizarán como disparo del generador de pulsos, que utiliza la topología Banco Marx.
Existen variantes para generar estos pulsos, una es utilizar las demoras de propagación de
las compuertas digitales. Debido a estos retardos, cuando las entradas de un circuito lógico
combinacional cambian, puede producir un pulso corto (glitch), que generalmente es
indeseado [37]. Que ocurra o no esta interferencia depende de los retardos exactos y de
cómo esté conformado el circuito. A la posibilidad de que ocurra un glitch a la salida de un
circuito lógico combinacional, se le conoce como azar estático. Estos azares son
considerados riesgos de temporización y en muchas aplicaciones tratan de eliminarse.
En esta aplicación, se pretende utilizar un glitch como señal de disparo y para ello se
construirá un circuito lógico combinacional que no esté libre de azar estático.
2.5 Conclusiones
Se propuso, a nivel de diagrama de bloques, el esquema de un sistema para generar

pulsos de alto voltaje. Este consta de tres partes principales: una fuente de alto
voltaje, un Banco de Marx y un disparador o generador de trigger.
Se analizó la estructura de las fuentes de alimentación de alto voltaje basadas en

multiplicadores de voltaje de media onda, llegando a la conclusión de que podían
usarse para alimentar el Banco Marx, porque aunque la corriente que estas brindan
no es grande (orden de los mA), satisface la demanda del generador.
28
CAPíTULO 2
Se realizó un profundo estudio teórico del principio de funcionamiento de los

generadores de pulsos de alto voltaje basados en la topología Banco Marx. Este tipo
de circuito utiliza como elementos de conmutación transistores bipolares que operan
en las zonas de ruptura por avalancha.
Se realizó un estudio teórico de la zona de ruptura por avalancha en los transistores

bipolares. Encontrándose que el transistor bipolar BC 548 B, tiene un voltaje de
ruptura de 156 V, dato importante para su utilización en el Banco Marx.
29
CAPÍTULO 3. DISEÑO DE LA FUENTE DE ALTO VOLTAJE Y DEL
CIRCUITO DE DISPARO
3.1 Introducción
En este Capítulo se presentarán el diseño, simulación y resultados experimentales de la

fuente de Alto Voltaje y del circuito de disparo, que conforman el generador de pulsos de
alto voltaje. Las variantes utilizadas no están directamente reportadas en la bibliografía
consultada, pero cumplen con los requisitos en cuanto a voltaje y tiempo, para ser utilizadas
en el generador de pulsos. La fuente de alto voltaje garantizará una amplitud en el orden de
los cientos de Volt y una corriente en el orden de los miliAmpere. Con el circuito de
disparo se obtendrán pulsos en el orden de los cientos de nanosegundos, con amplitudes en
el orden de los Volt.
3.2 Fuente de alto voltaje basada en multiplicadores de voltaje
Como se explicó en el Capítulo 2, los multiplicadores permiten obtener un voltaje con un

nivel de directa igual a un factor entero (número de etapas) multiplicado por el valor pico
de la señal de entrada (Vm). El principio de operación de estos circuitos es la carga sucesiva
de condensadores debido a la habilitación en cascada de diodos.
Para el diseño de este bloque del circuito se utilizó un multiplicador de voltaje, con una
topología similar a la del cuadriplicador, mostrado en la Figura 2.2 del Capítulo 2, con la
única diferencia que se incluyen 2 capacitores y 2 diodos más (ver Figura 3.1). Esta
modificación tiene como fin poder lograr un multiplicador de seis etapas y así alcanzar el
voltaje máximo deseado V900 = 6Vm. O sea el circuito propuesto tiene 6 diodos 1N4007 y 6
capacitores polarizados (el terminal positivo es el más corto en la Figura 3.1) de 22 µF y
250 V cada uno.
En la entrada, representada por la fuente VAC en la Figura 3.1, se le aplican 110 Vrms de
corriente alterna. Si la salida V900, se toma entre los nodos 2 (negativo) y 7 (positivo) del
circuito, se obtienen alrededor de 1000 V de corriente directa (dados por la suma de los
voltajes de los capacitores C2, C4 y C6). De este nivel serán necesarios en la aplicación de
30
CAPíTULO 3
DISEÑO DE LA FUENTE DE ALTO VOLTAJE Y DEL CIRCUITO DE DISPARO
esta tesis alrededor de 300 V (denominado V300), para ello puede tomarse la salida entre los
nodos 2 (negativo) y 4 (positivo), o sea en el capacitor C2, para alimentar el bloque Banco
Marx. Se decidió hacer la fuente de modo que pudiera alcanzar hasta 1 kV, superior a los
300 V que se necesitaban, porque esto permite en el futuro analizar otras variantes del
Banco Marx con mayor número de transistores, que permitan ampliar y profundizar las
investigaciones encaminadas a comprender mejor el funcionamiento de este circuito.
3.2.1 Resultados de simulación
Se utilizó el programa PSpice8 para la simulación del multiplicador de 6 etapas propuesto.

El circuito simulado se muestra en la Figura 3.1. En el diseño del esquemático se utilizaron
6 capacitores de 22 µF, 6 diodos D1N4007, iguales a los que se disponen para montar el
diseño. Con el fin de simular el comportamiento de la Red de Distribución Nacional
(RDN), se empleó una fuente de voltaje de alterna sinusoidal (V AC) que se configuró con
una amplitud Vm = 155.56 V y frecuencia f = 60 Hz.
Figura 3.1: Multiplicador de 6 etapas simulado con PSpice8.
En la Figura 3.2 se muestran los resultados de la simulación correspondientes a los voltajes

VAC (color azul), V300 (color verde) y V900 (color rojo).
También se puede apreciar que en un tiempo de alrededor de 0.9 s se establece el valor de

voltaje de V300 y V900, los cuales se mantienen estables a lo largo del tiempo de simulación.
31
CAPíTULO 3
Por otra parte, V300 en un tiempo de aproximadamente 0.9 s se establece alrededor de 300 V
(exactamente 308.54 V). Por último, V 900, que es la suma de los voltajes de los capacitores
C2, C4 y C6, como se observa en el resultado de la simulación, tras un tiempo de
establecimiento alcanza un valor de 900 V (exactamente 922.466 V). Estas simulaciones se
hicieron sin carga aplicada en ninguno de los voltajes (V 300 y V900).
Figura 3.2: Resultados de la simulación en PSpice8.
Después de analizar los datos obtenidos en la simulación, se comprobó que están en

correspondencia con los valores esperados, ya que C 2 se debe cargar a 2Vm = 311.13 V, y
en la simulación V300 alcanzó en 0.9 s el 99.17 % de este valor. Algo similar ocurre con
V900, que en 0.9 s llegó al 98.83 % de 6Vm = 933.38 V, que es el valor esperado para esta
variable.
En la Figura 3.3 se muestra el mismo circuito propuesto anteriormente, pero en este caso un
resistor de 1 MΩ conectado en el nodo V300. Esta simulación se realizó con el fin de medir
la corriente que pasa por dicha resistencia, la cual puede ser calculada con un simple
despeje de una Ley de Ohm según las expresiones (1) y (2):
32
CAPíTULO 3
(1)
(2)
Además, se desea conocer cuál es el valor de V300 ante la presencia de una carga que le
demande una corriente distinta de cero, para saber la variación de voltaje con respecto a
cuando no tiene carga aplicada.
Figura 3.3: Multiplicador de 6 etapas simulado, con carga de 1 MΩ.
En la Figura 3.4a se muestra, como resultado de la simulación, la corriente que deberá

entregar el multiplicador a dicha carga de 1 MΩ, IL tiene un valor de 307.436 µA, cercano
al valor calculado teóricamente (300 µA). También se puede apreciar que en alrededor de
1 segundo se establece el valor de V300 (307.688 V), el cual se mantiene estable a lo largo
del tiempo de simulación. Se aprecia una ligera disminución de este con respecto a su valor
(308.54 V) sin carga, cómo se esperaba.
33
CAPíTULO 3
a)
b)
Figura 3.4: Resultados de la simulación del circuito de la Figura 3.3, a) V300 y b) IL.
34
CAPíTULO 3
3.2.2 Materiales y métodos del trabajo experimental
El circuito mostrado en la Figura 3.1 se montó y para verificar cómo se iba a comportar
ante diferentes condiciones de trabajo, se le hicieron tres tipos experimentos: sin carga (RL
= ∞), con una carga RL = 1 MΩ, y con el circuito Banco Marx como carga. En cada
experimento se hicieron mediciones simultáneas con tres instrumentos Agilent 34401A, 6½
Digit Multimeter: dos de ellos midiendo voltaje (en V300, V900 ó VAC, según el experimento)
y el tercero, para evaluar la corriente en la carga. Para cada variable se tomaron alrededor
de 100 muestras en cada experimento, separados por un intervalo de tiempo de
aproximadamente 30 s. Los datos fueron procesados estadísticamente y graficados con el
programa EXCEL de Office 2007.
También se midió el voltaje de rizado utilizando el osciloscopio, HAMEG Instruments,

Analog Digital Scope HM 1507, que tiene las siguientes prestaciones; frecuencia de
muestreo 150 MHz, con 200 MS/s (106 muestras por segundo) un voltaje de entrada
máximo de 400 V.
3.2.3 Resultados experimentales para una carga RL= ∞
Uno de los experimentos fue medir V300 (tomado entre los nodos 4 (positivo) y 2 (negativo)
de la Figura 3.1) y V900 (tomado entre los nodos 7 (positivo) y 2 (negativo) de la Figura
3.1). Las condiciones fueron las siguientes V AC = 110 Vrms de alterna (procedente de la
Red de Distribución Nacional), con los puntos 2 y 7 (Figura 3.1) en circuito abierto, sin
carga aplicada (RL = ∞). Además se midió el voltaje de rizado que presentaba V 300 bajo las
condiciones dadas.
Después de procesar los datos obtenidos, se presenta un gráfico que ilustra el

comportamiento de V300 y V900 con respecto al tiempo. Los resultados se muestran en la
Figura 3.5, donde se puede apreciar que V300 presenta un valor promedio aproximado de
334.88 V, con una desviación estándar de 1.97 V. El error relativo entre este valor medio
obtenido y el esperado (311.13 V) es 6.52 %. La variable V900 tuvo un valor promedio de
1005.91 V, con una desviación estándar de 6.023 V (en el Anexo 6 se puede encontrar más
información sobre el análisis estadístico). El error relativo entre el valor medio obtenido y
35
CAPíTULO 3
el esperado (933.38 V) es 7.77 %. Además se calculó el coeficiente de correlación lineal r =

0.98683486 entre V300 y V900, demostrándose la estrecha dependencia que existe entre las
dos variables, como era de esperarse.
V300
340
339
338
337
Voltajes 336
Medidos 335
V300 (V) 334
RL = infinito 333
332
331
330
329
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
Tiempo (segundos)
a)
V900
1020
1015
Voltajes 1010
Medidos 1005
V900 (V)
RL = infinito 1000
995
990
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
Tiempo (segundos)
b)
Figura 3.5: Comportamiento de a) V300 y b) V900 en función del tiempo, sin carga.
36
CAPíTULO 3
Como se puede apreciar en la Figura 3.6a, el rizado para V 300 resultó menor que 1 V
(exactamente 0.874 V), lo cual representa 0.28 % del valor medio obtenido para esta
variable. En la Figura 3.6b se puede comprobar que la frecuencia de la señal medida fue de
aproximadamente 59 Hz, próximo a los 60 Hz, que es el valor esperado por tratarse de un
rectificador de media onda. Estas dos figuras sólo se diferencian en la medición que está
representada en cada una de ellas.
a) b)
Figura 3.6: a) Amplitud y b) frecuencia del voltaje de rizado de V300 sin carga aplicada.
El rizado está provocado por la descarga de los capacitores. Sin embargo, las variaciones en
el tiempo que sufren los voltajes mostrados en las Figura 3.5 sí son atribuibles a la línea, lo
que se demuestra más adelante en el epígrafe 3.2.4.
3.2.4 Resultados experimentales para una carga, RL= 1 MΩ
Otro de los experimentos fue volver a medir VAC, V300 (tomado entre los mismos nodos de
la Figura 3.1) e IL, que representa la corriente que fluye por la carga RL. Las condiciones
fueron las siguientes VAC=110 Vrms de alterna, con una carga RL= 1 MΩ conectada a los
nodos 2 y 7 (Figura 3.1).
Los resultados se muestran en la Figura 3.7. Se aprecia una fluctuación en las tres variables,
acotadas por valores máximos y mínimo. Para V300 se obtuvo un valor promedio de 333.49
37
CAPíTULO 3
V y una desviación estándar de 2.17 V. El error relativo entre el valor medio obtenido y el
esperado (311.13 V) es 7.18 %. La corriente I L presentó un valor promedio de 0.332 mA y
una desviación estándar de 0.0022 mA. El error relativo entre el valor medio obtenido y el
esperado (0.311 mA) es 6.75 %.
Para explicar las fluctuaciones obtenidas en V 300, que a su vez determinan el

comportamiento de IL, en este experimento también de forma simultánea se midió la señal
VAC procedente de la Red de Distribución Nacional, (Figura 3.7a). V AC presentó un valor
promedio de 120.02 Vrms y una desviación estándar de 0.72 Vrms. Por simple inspección,
al comparar las curvas de la Figura 3.7, se puede apreciar que cuando las variaciones en
VAC se reflejan tanto en V300 como en IL. Para demostrar cuantitativamente esta relación se
calculó el coeficiente de correlación (r) existente entre V AC y V300, que resultó de
0.94638551.
Vac
122
121.5
121
120.5
Voltajes
Medidos 120
VAC (Vrms) 119.5
RL = 1 Mohm 119
118.5
118
117.5
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
Tiempo (segundos)
a)
Figura 3.7: Comportamiento de a) VAC en función del tiempo, con una carga RL= 1 MΩ
aplicada a V300.
38
CAPíTULO 3
V300
340
338
336
Voltajes
334
Medidos
V300 (V) 332
RL = 1 Mohm
330
328
326
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
Tiempo (segundos)
b)
IL
0.338
0.336
0.334
Corrientes
0.332
Medidas
IL (mA) 0.33
RL = 1 Mohm
0.328
0.326
0.324
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
Tiempo (segundos)
c)
Figura 3.7: Comportamiento de b) V300 c) IL en función del tiempo, con una carga RL= 1
MΩ aplicada a V300.
39
CAPíTULO 3
El voltaje de rizado correspondiente a V 300 puede apreciarse en la Figura 3.8a, fue menor
que 3.5 V (exactamente 3.40 V), lo cual representa 1.02 % del valor medio (333.49 V). En
la Figura 3.8b se puede comprobar que la frecuencia de la señal medida es
aproximadamente de 60 Hz, que corresponde con lo esperado.
a) b)
Figura 3.8: a) Amplitud b) y frecuencia medidas, del voltaje de rizado en V300, ante una
carga de 1 MΩ aplicada.
3.2.5 Resultados experimentales para una carga, RL= Banco Marx
El tercer experimento consistió en medir V AC, V300 (tomado entre los mismos nodos de la
Figura 3.1) e IL, que representa la corriente que fluye por la carga R L. Las condiciones
fueron las siguientes V AC=110 Vrms de alterna, pero ahora la carga RL está dada por el
circuito Banco Marx que se conecta a los nodos 2 y 7 del circuito de la Figura 3.1.
Los resultados se muestran en la Figura 3.9, donde se aprecia que, al igual que en el
experimento descrito y analizado en el epígrafe anterior, las variaciones de V AC se ven
reflejadas tanto en V300 como en IL. Estas fluctuaciones en las tres variables, están acotadas
por valores máximos y mínimos: VAC presenta un valor promedio de 119.72 Vrms y una
desviación estándar de 1.44 Vrms; V300 tiene un valor promedio de 331.42 V y una
desviación estándar de 4.13 V. El error relativo entre el valor medio obtenido y el esperado
(311.13 V) es 6.52 %. En la corriente I L se observó un valor promedio de 0.124 mA, con
40
CAPíTULO 3
una desviación estándar de 0.00603 mA. También se calculó el coeficiente de correlación

entre las variables V AC y V300, que resultó de 0.99783795.
Vac
122
121.5
121
Voltajes 120.5
Medidos 120
VAC (Vrms) 119.5
RL = Banco
119
Marx
118.5
118
117.5
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
Tiempo (segundos)
a)
V300
338
336
Voltajes 334
Medidos 332
V300 (V)
RL = Banco 330
Marx 328
326
324
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
Tiempo (segundos)
b)
Figura 3.9: Comportamiento de a) VAC b) V300 en función del tiempo, con el Banco Marx
como carga entre los terminales de V300.
41
CAPíTULO 3
IL
0.14
0.135
Corrientes 0.13
Medidas
IL (mA) 0.125
RL = Banco
Marx 0.12
0.115
0.11
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
Tiempo (segundos)
c)
Figura 3.9: Comportamiento de c) IL en función del tiempo, con el Banco Marx como carga
entre los terminales de V300.
El voltaje de rizado se muestra en la Figura 3.10a, el cual fue de 1.20 V, lo cual representa
0.36 % del valor medio (331.42 V). En la Figura 3.10b se puede comprobar que la
frecuencia de la señal medida es aproximadamente 60 Hz, resultado esperado por tratarse
de un rectificador de media onda.
42
CAPíTULO 3
a) b)
Figura 3.10: a) Amplitud y b) frecuencia del voltaje de rizado de V300, con el Banco Marx
como carga.
3.2.6 Análisis y discusión de los resultados experimentales
En la Tabla 3.1 se presentan en conjunto los resultados obtenidos para V AC e IL en los tres
tipos de experimentos realizados. Como se puede apreciar en la Tabla 3.1, el valor
promedio de la fuente (V300) disminuyó ligeramente (en un 1%) cuando se le conectó una
carga a ella con respecto a cuando se midió sin carga.
Por otra parte el voltaje de rizado aumentó con la presencia de una carga, según lo
esperado, con respecto a su valor cuando no hay carga aplicada, ya que los capacitores se
descargan más que cuando no tienen carga conectada (RL = ∞). También se aprecia un
aumento de la corriente que pasa por la carga (I L), cuando existe una disminución de esta
(RL). Destacar que aunque no se midió el valor de la resistencia equivalente del Banco
Marx entre los nodos de alimentación, se aprecia que es mayor que 1 MΩ, aspecto que se
comprueba observando los valores de las corrientes en la Tabla 3.1. Este valor se atribuye a
la resistencia propia de las uniones PN de los transistores que conforman el Banco.
43
CAPíTULO 3
Variable RL = ∞ RL = 1 MΩ RL = Banco Marx

Valor medio 334.88 333.49 331.42
V300 (V) Desviación estándar 1.97 2.17 4.13
Vrizado 0.874 3.40 1.20
Valor medio 0 0.332 0.124
IL (mA)
Desviación estándar 0 0.0022 0.00603
Tabla 3.1: Relación entre los datos obtenidos para cada V300 e IL, en cada experimento.
3.3 Circuito Generador de Disparo
El circuito que se propone para generar el pulso es el mostrado en la Figura 3.11.
Figura 3.11: Circuito simulado en PSpice8 para la obtención pulso estrecho.
Este cuenta con una fuente de alimentación de directa (V3) de 5 V, un interruptor y una
resistencia (R3) de valor 1 kΩ. Además posee un capacitor (C3) de 1 nF, compuertas
inversoras con retardo Schmitt-Trigger (7414 en el PSpice) y una compuerta XOR (7486 en
el PSpice).
Para analizar el comportamiento de esta red RC, puede considerarse que inicialmente el
interruptor está conectado a tierra, no circula corriente y el voltaje en C 3 es cero (se
desprecia la corriente de entrada de la compuerta inversora). Al conmutar el interruptor,
44
CAPíTULO 3
comienza a circular corriente por la red RC y el capacitor se carga a 5 V, el voltaje de la

fuente de alimentación de este bloque.
Este diagrama de conexión impone una constante de tiempo para su carga, τ = R 3*C3 =
1 µs. La compuerta inversora que se conecta al nodo que forman R 3 y C3, tiene entrada
Schmitt-Trigger. Se seleccionó este tipo de entrada con el objetivo de que absorbiera los
pulsos que se generan debido al efecto de rebote del interruptor. La salida del inversor se
conecta directamente a la entrada de una compuerta XOR, de dos entradas y la misma
salida pasa a través de otros dos inversores y se conecta a la otra entrada del XOR. El
objetivo de esta conexión es retrasar la señal y lograr el pequeño pulso. Se escogió un
número par de inversores para garantizar que en las entradas del XOR exista el mismo nivel
lógico, pero una más retrasada con respecto a la otra. En dicha compuerta la salida será 0
lógico sólo para los casos en que: la señal de sus dos entradas sea 1 ó la señal de sus dos
entradas sea 0, en caso contrario su salida será 1 lógico.
Para la simulación se colocaron voltímetros en el nodo entre el capacitor (C 3) y la

resistencia (R3), en cada una de las entradas y en la salida del XOR (ver Figura 3.11). Estos
voltajes simulados fueron graficados en función del tiempo y se muestran en la Figura 3.12.
Figura 3.12: Resultados de simulación del circuito de la Figura 3.12. U6A:A nivel lógico en
la primera entrada del XOR, U17A:B nivel lógico retardado en la segunda entrada del
XOR, U17A:Y pulso en la salida del XOR.
45
CAPíTULO 3
En su parte superior se puede observar el pulso logrado del orden de los cientos de
nanosegundos, la salida del XOR, con un tiempo de propagación de 143.000 ns. La salida
del primer inversor se conecta directamente a una entrada del XOR. A la otra entrada del
XOR se conecta la misma señal de salida después de haber pasado por los dos inversores,
en la cual se aprecia claramente el retardo de tiempo que han introducido las compuertas. El
circuito de la Figura 3.11 también fue simulado con diferentes números de inversores,
obteniéndose distintos tiempos de propagación para el pulso, mostrados en la Tabla 3.2.
n (número de inversores) tpd ( tiempo de propagación

en nanosegundos)
6 83
8 113
10 143
Tabla 3.2: Relación entre la cantidad de inversores y los tiempos de propagación del pulso.
Como se aprecia en la Tabla, al aumentar el número de inversores el tiempo de propagación

aumenta, debido a que se introduce un tiempo de demora mayor a la señal que viaja a través
de las compuertas, obteniéndose de esta manera un ancho del pulso más grande en la salida
del XOR.
Después de montado el circuito se le hicieron varias pruebas para comprobar la obtención

del pulso de disparo. Las mediciones se hicieron con el instrumento Agilent Technologies,
DSO 3062A, Digital Storage Oscilloscope, el cual admite un voltaje máximo en sus
entradas de 300 Vrms y una frecuencia máxima de 60 MHz. Una de ellas fue medir la carga
y descarga del capacitor, así como la salida del primer inversor Schmitt-Trigger, sin carga
aplicada (RL= ∞). También se midieron los niveles lógicos en las entradas de la compuerta
XOR, para comprobar que las dos señales tenían el mismo valor, pero una atrasada con
respecto a la otra.
Para este circuito fueron utilizados los siguientes circuitos integrados (CI): inversor de
montaje superficial Schmitt-Trigger MC14584B, compuerta XOR CD4030BE. Por razones
de disponibilidad los CI no son de la misma familia, motivo por el cual se analizaron los
márgenes de ruido de las compuertas, así como sus respectivas corrientes para verificar que
46
CAPíTULO 3
pudiesen acoplarse. Al realizar los cálculos correspondientes se verificó, en las respectivas

hojas de datos [38, 39], que se cumplieran las condiciones de aclopamiento.
3.3.2 Resultados experimentales
La Figura 3.13 corresponde a una imagen tomada con el osciloscopio donde se puede
apreciar el proceso de carga y descarga del capacitor al conmutar el interruptor. También es
apreciable como cambia de nivel lógico la señal a la salida del primer inversor, cuando el
capacitor se descarga, aparece un 1 lógico en la salida de la mencionada compuerta y
cuando el capacitor se carga a su voltaje máximo, aparece un 0.
Figura 3.13: Proceso de carga y descarga del capacitor C3 (Negro) y cambio de nivel lógico
en la salida del primer inversor Schmitt-Trigger (Gris).
Como se puede apreciar en la Figura 3.14, las dos señales están una encima de la otra y no
se aprecia el retardo. Además se realizaron mediciones en la salida del XOR para ilustrar el
glitch y tampoco se pudo visualizar el resultado. En la Figura 3.14 se tienen las dos señales
47
CAPíTULO 3
que se encuentran en las respectivas entradas de la compuerta XOR. No se aprecia un

retardo entre ellas, pues la escala del tiempo no lo permite, lo cual no confirma que exista el
pulso deseado.
Figura 3.14: Señales presentes en las entradas del XOR (Negro y Gris).
Esta situación, unida a que se realizó la medición directamente en la salida del XOR y no se
encontró el pulso esperado, nos llevó a pensar en una solución para al menos comprobar
que el pulso se estaba produciendo, aunque no sea detectable por el instrumento de
medición.
La variante escogida fue configurar un circuito integrado LM555 como monoestable y por
la entrada de trigger conectar el pulso de salida del XOR. Los resultados prácticos son
mostrados en la Figura 3.15, donde se puede apreciar cómo se produce un pulso en la salida
del LM555, debido a la presencia de un disparo externo, pudiendo afirmarse de esta manera
que el pulso a la salida del XOR existe.
48
CAPíTULO 3
Figura 3.15: Señal en la salida del XOR (Gris) y en la salida del LM555 (Negro).
3.4 Conclusiones
Se diseñó, simuló y fabricó una fuente de alimentación basada en la topología de

multiplicadores de voltaje de media onda. Entrega, sin carga aplicada, un valor
promedio de 334.88 V, con un voltaje de rizado de 0.874 V, lo cual representa un
0.28 % del valor promedio. Para una resistencia de carga de 1 MΩ, un voltaje medio
de 333.49 V, con un rizado de 3.4 V, representando un 1.02 % del valor medio y
una corriente promedio de 0.332 mA, la cual es suficiente para garantizar un
correcto funcionamiento del Banco Marx.
Se diseñó, simuló y fabricó un circuito de disparo para obtener el trigger del Banco
Marx, basado en el tiempo de propagación que se produce en las compuertas
digitales. Aunque no se pudo detectar con el instrumento de medición (Agilent
Technologies, DSO 3062A, Digital Storage Oscilloscope), se comprobó
experimentalmente su existencia, empleándolo como pulso de disparo de un
monoestable.
49
CAPÍTULO 4. DESARROLLO DE UN BANCO DE MARX CON
TRANSISTORES EN AVALANCHA
4.1 Introducción
Como se explicó en el Capítulo 2, el generador de pulsos de alto voltaje que se propone en

este trabajo está basado en la topología Banco Marx. Esta configuración circuital utiliza
transistores en régimen de avalancha, zona poco estudiada y que generalmente se evita en
los diseños electrónicos por ser un proceso destructivo. Por esta razón, como parte del
trabajo de investigación de esta tesis, fue necesario realizar un estudio práctico de esta zona
de trabajo de los transistores bipolares. Primeramente se presentarán en este capítulo el
procedimiento, los resultados y el análisis de esta evaluación. Luego se mostrará el diseño
resultante del Banco Marx y las mediciones experimentales que se realizaron con el mismo.
4.2 Evaluación práctica de la zona de avalancha en transistores bipolares
Los fabricantes de transistores proporcionan en sus hojas de datos diferentes parámetros

acerca de su comportamiento. En los transistores de propósito general, el mayor volumen
de información lo abarcan las zonas de corte, activa y saturación. Estos dispositivos no
están diseñados para trabajar en la zona de avalancha, por lo que en muchos casos no se
cuenta con una descripción precisa sobre esta. Aunque la falta de información no prohíbe
su uso en aplicaciones que requieran este régimen de trabajo (avalancha), sí es un
inconveniente para elegir al dispositivo más adecuado. Parámetros cómo el voltaje colector-
emisor cuando la base está cortocircuitada con el emisor (VCES), representa el voltaje de
ruptura, el cual es de vital importancia en el diseño del Banco Marx. Muchos de estos datos
se pueden obtener experimentalmente y luego utilizarse para seleccionar dispositivos
aunque no estén fabricados para trabajar en avalancha.
4.2.1 Materiales y métodos
Se caracterizaron 25 transistores bipolares NPN de propósito general (tres BC547, quince

BC548B, tres BF199 y cuatro BF310). Como instrumento de medición se empleó el
caracteriógrafo XJ4822 Curve Tracer como se muestra en la Figura 4.1a.
50
CAPíTULO 4
DESARROLLO DE UN BANCO DE MARX CON TRANSISTORES EN AVALANCHA
El equipo ofrece tres terminales (E, C, B) para conectar al transistor bajo prueba. El
esquema circuital interno que brinda el caracteriógrafo para polarizar los transistores se
observa en la Figura 4.1b. El interruptor (SW), los valores del resistor R C, de la fuente de
voltaje variable VCC y de la fuente de corriente IB, se ajustan desde el panel frontal.
Mediante un cursor, pueden leerse los valores de cada punto de la curva. En el Anexo 1
puede encontrarse información sobre cómo utilizar los controles de este equipo.
En este trabajo, los transistores se caracterizaron con la base y el emisor cortocircuitados y

esta unión se conectó al terminal E del caracteriógrafo. El colector se conectó al terminal C,
mientras que el terminal B quedó libre (Figura 4.1c). La resistencia R C siempre se tomó
como 1kΩ. El equipo está diseñado para obtener las curvas V-I de los transistores en las
regiones de corte, activa y saturación, por esta razón cuando el dispositivo se acerca a las
zonas de ruptura hay que establecer un procedimiento de medición, el cual no se incluye en
el equipo, para obtener las curvas experimentales sin destruir a los transistores [36].
Las curvas resultantes se fotografiaron con una cámara digital Kodak Easy Share CX6200
(2 Mega pixels) y se anotaron los valores, de voltaje y corriente, de los puntos notables
correspondientes a las zonas de primera y segunda rupturas.
El procedimiento seguido fue el siguiente:
1. Se ubica el transistor en el equipo con el SW cerrado.
2. Se incrementa lentamente el valor de VCC. Es importante ser cuidadoso en este paso

porque un cambio brusco puede provocar la rotura del dispositivo debido a la alta
disipación de potencia.
3. Cuando comienza a observarse en la pantalla del caracteriógrafo la zona de segunda

ruptura, se detiene el aumento del voltaje de la fuente V CC y se desconecta el
interruptor SW.
4. Conectar el transistor a través del interruptor durante un breve lapso de tiempo

(aproximadamente 2 s). Repetir la conexión a intervalos más o menos regulares. De
51
CAPíTULO 4
esta manera el dispositivo recibe pulsos de alto voltaje y durante los instantes de
desconexión disipa el calor generado por el incremento de la corriente.
5. En los momentos que se conecta el transistor y aparece la gráfica en la pantalla, se

procede a fotografiarla, ya que el equipo no permite descargar los datos a través de
ninguna interfaz.
a)
b) c)
Figura 4.1: a) Foto del caracteriógrafo XJ4822 Curve Tracer, b) Circuito de

caracterización del equipo incluyendo al transistor que se evalúa, b) Conexión para
caracterizar las zonas de ruptura de los transistores.
52
CAPíTULO 4
4.3 Resultados experimentales
En la Figura 4.2 se muestra la curva experimental IC contra VCE obtenida con un transistor
NPN de uso general, el BC548B. La curva se obtuvo bajo la condición VBE = 0 V, es decir
la base cortocircuitada con el emisor. Este transistor no fue diseñado especialmente para
trabajar en avalancha. Sin embargo si se compara esta curva con la de la Figura 2.10b del
Capítulo 2, puede apreciarse claramente la región de avalancha, similar a la que aparece en
la literatura consultada [40].
Figura 4.2: Característica V-I obtenida en el caracteriógrafo, para un transistor bipolar

BC548B, polarizado en inversa y con la base y emisor cortocircuitados.
Eje X [20 V/división], eje Y [20 mA/división].
Es apreciable que si se sigue incrementando el voltaje de la fuente VCC, el transistor llegará

a un valor mínimo del voltaje VCE, de pendiente vertical (la resistencia negativa llega a cero
y pasa a valores positivos, al predominar la resistencia óhmica del material sobre la
resistencia de la unión). Este comportamiento se corresponde con los modelos teóricos ya
que el valor del VCE tiende a un valor próximo a cero mientras que la IC va creciendo
fuertemente.
53
CAPíTULO 4
Curvas similares se obtuvieron con el resto de los dispositivos. En la Tabla 4.1 se reporta
un resumen de los valores experimentales obtenidos para estos casos. En la primera
columna se encuentran los tipos de transistores medidos. En la segunda columna aparecen
los valores de VCC aplicados a cada transistor, la diferencia en estos V CC se debe a las
características propias de cada dispositivo. En las columnas Punto1, Punto 2 y Punto 3 se
encuentran los valores de VCE e IC, para cada dispositivo, en los puntos escogidos en la
gráfica. En las dos últimas columnas, aparecen los valores de la resistencia dinámica (rd),
calculados para los tramos comprendidos entre los puntos 1 y el 2 y entre los puntos 2 y el
3, respectivamente.
VCC [V] Puntos Puntos

Punto 1 Punto 2 Punto 3
Transistor 2y3 1y2
RC=1kΩ IC [mA] VCE [V] IC [mA] VCE [V] IC [mA] VCE[V] rd(Ω) rd(Ω)
BC548B 176 7,2 160,8 25 78 76,8 63,2 -0,2857 -4,6527
BC548B 164,8 2,4 156 6 90 55,2 79,2 -0,2195 -18,3333
BF 310 182 28 146 68 30 124 10 -0,3571 -2,9000
BF 310 180 30 144 70 25 124 10 -0,2778 -2,9750
BC547 190 13,6 166 95 25 152 10 -0,2632 -1,7322
BF199 210 28,8 168 62 12 132 8,8 -0,0457 -4,6988
Tabla 4.1: Resultados experimentales.
4.4 Análisis de los resultados
En cada una de las columnas de la Tabla 4.1 se encuentran sólo los valores de una
medición, para cada dispositivo. En los transistores, BF 310, BC547 y BF199, se obtiene
como promedio para el punto 1 de la Figura 4.2, que IC = 25,1 mA, VCE = 156 V. Para el
punto 2 IC = 73.75 mA, VCE = 23 V. Para el punto 3 IC = 133 mA, VCE = 9,7 V. Estos
valores se podrían utilizar para seleccionar los dispositivos a usar en el diseño del Banco,
pero por motivos de disponibilidad no se usaron estos transistores.
El tramo de la curva, comprendido entre el origen del eje de coordenadas y el punto 1,

corresponde a la zona de alta resistencia y baja corriente. En el punto 1, se tiene el voltaje
de ruptura del transistor BC548B, que puede apreciarse alrededor de 156 V. No es posible
54
CAPíTULO 4
apreciar la corriente, en esta zona (origen-punto1), para valores bajos del voltaje, pues es
muy baja para la escala utilizada.
La zona comprendida entre el punto 1 y el 2 es muy inestable, como se puede observar en

la gráfica. El punto 2 es el primer punto estable después de la ruptura, donde la corriente ha
aumentado y se puede estimar en aproximadamente 25 mA y el voltaje colector-emisor ha
disminuido. A continuación se encuentra la región de alta corriente (alrededor de 80 mA)
en el tramo entre el punto 2 y el 3, caracterizada por tener una pequeña resistencia negativa.
En esta zona el voltaje colector-emisor sigue disminuyendo aún más mientras la corriente
sube fuertemente (ver Tabla 4.1). Dicha resistencia se calcula mediante la ley de Ohm
como rd=∆V/∆I, entre dos puntos de la gráfica. Esta resistencia negativa entre los puntos 1
y 2 es mayor (modularmente) que entre los puntos 2 y 3, lo cual indica, un cambio en la
pendiente de la curva, a partir del punto 2, evidenciándose de esta manera que el transistor
se acerca a la zona de voltaje mínimo.
El trazo que se extingue entre 1 y 2, reaparece en la parte final de la zona de resistencia

negativa, donde el recorrido del haz electrónico es más lento. El aumento de la corriente
debe ser detenido, pues la potencia que se disipa puede dañar al transistor. Los resultados
experimentales muestran que, los transistores que no se dañaron mostraron un
comportamiento similar. Algunos de los transistores soportaron el alto voltaje al que fueron
sometidos durante un tiempo muy grande en comparación con el tiempo de descarga del
Banco Marx. Los voltajes colector-emisor medidos en los dispositivos son de gran utilidad
para el diseño del generador de pulsos de alto voltaje, ya que proporcionaron un criterio de
selección. En este caso fue: conociendo cuantos transistores hay en cada etapa, calcular el
valor de la fuente de alimentación del Banco Marx.
4.5 Diseño y medición del Banco de Marx
En el diseño de este circuito se utilizaron cuatro transistores NPN bipolares BC548B,

representados por Q1, Q2, Q3 y Q4 en la Figura 4.4. De ellos, tres tienen la base y el emisor
cortocircuitados (Q1, Q3 y Q4), respondiendo a la topología de Banco Marx analizada en el
Capítulo 2.
55
CAPíTULO 4
Este diseño también cuenta con dos capacitores cerámicos de 22 nF (C 1 y C2) y varios
resistores (R = 50 Ω, RC´ = 1 MΩ, RC = RE = 390 kΩ y RL= 2 kΩ). Como fuente de
alimentación para este circuito se empleó la presentada en el epígrafe 3.2.3 del Capítulo 3,
que entrega un voltaje de 331.42 V entre sus terminales 4 y 2 (V300). Los parámetros
medidos para esta fuente con el banco Marx como carga, se discutieron en el Epígrafe 3.3.5
del Capítulo 3. Los capacitores C1 y C2 se cargan a un voltaje cercano a la fuente V300, el
primero (C1) mediante las resistencias RC´ y RE y el segundo (C2) a través de RC y RL. Los
transistores bipolares soportan un voltaje en inversa, antes de caer en avalancha, de 156 V,
dato obtenido del análisis práctico hecho en el epígrafe 4.2.2. Al poner dos transistores por
etapa, se necesita que la fuente de alimentación sea de alrededor de 300 V.
Figura 4.3: Banco Marx de dos etapas.
56
CAPíTULO 4
Este bloque no pudo ser simulado debido a que el PSpice8 no cuenta con modelos que
contemplen la ruptura en la unión BC, lo cual imposibilita que se pueda obtener el
comportamiento de los transistores bipolares que se utilizan en el Banco Marx.
El circuito mostrado en la Figura 4.4 y explicado en el epígrafe anterior se montó y

posteriormente se le hicieron varias mediciones. El instrumento utilizado fue el multímetro
Agilent 34401A, 6½ Digit Multimeter. Los datos fueron procesados y graficados con el
programa EXCEL de Office 2007.
Se midieron los voltajes en los capacitores C1 y C2, también se midieron los voltajes
colector-emisor, VBE, de los transistores bipolares, en búsqueda de información sobre
dichas variables cuando el circuito permanece en reposo, es decir antes de aplicarle el
trigger.
4.5.2 Resultados y discusión
En la Figura 4.4 se puede apreciar cómo los capacitores C1 y C2 del Banco Marx (Figura
4.3), se cargan aproximadamente al valor de la fuente (C1 está cargado a un 97 % y C2 a un
86 %). La razón por la cual no acumulan su plena capacidad pudiera ser la corriente de fuga
que puede tener cada uno de ellos. Además se puede apreciar claramente que cuando el
voltaje de la fuente varía, los capacitores siguen la variación.
57
CAPíTULO 4
V300 VC1 VC2

340
330
320
Voltajes
Medidos 310
V300 (V)
VC1 (V) 300
VC2 (V)
290
280
270
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Tiempo (minutos)
Figura 4.4: Valores de a) V300 b) VC1 c) VC2 en el Banco Marx.
En la Figura 4.5 se pueden apreciar los voltajes colector-emisor de los transistores (Q1, Q2,
Q3 y Q4) que conforman las dos etapas del Banco. Q1 y Q2 es la pareja de ellos que está en
la etapa 1, la cual debe repartirse a partes iguales el voltaje de alimentación (V300). Como se
puede apreciar en la gráfica, hasta los 260 V de la fuente, la diferencia en los voltajes
individuales de los transistores es casi inapreciable, pero después de este valor comienza a
crecer haciéndose más evidente, este efecto se manifiesta posiblemente debido a la
asimetría existente entre ambos elementos. El mismo fenómeno puede ser apreciado en Q 3
y Q4, con la única diferencia es que en estos se empieza a apreciar la diferencia alrededor
de los 280 V.
58
CAPíTULO 4
VQ1 VQ2
170
160
150
Voltajes 140
Medidos (V) 130
Transistores 120
Q1 y Q 2 110
100
90
80
200 220 240 260 280 300 320 340
V300 (V)
a)
VQ3 [V] VQ4 [V]

180
170
160
150
Voltajes
140
Medidos (V) 130
Transistores 120
Q3 y Q 4 110
100
90
80
200 220 240 260 280 300 320 340
V300 (V)
b)
Figura 4.5: Valores de los voltajes colector-emisor a) VQ1 y VQ2 b) VQ3 y VQ4 en el Banco
Marx.
Después de analizar los datos obtenidos en las mediciones se comprueba que existe un
comportamiento acorde con lo esperado, ya que los voltajes colector-emisor de las parejas
de transistores (Q1 y Q2, Q3 y Q4) son aproximadamente iguales.
59
CAPíTULO 4
Estas mediciones realizadas al Banco Marx en reposo representan un primer paso muy
importante para el correcto funcionamiento del generador. Un adecuado valor de energía
almacenado en los capacitores, unido a que los transistores repartan entre colector y emisor,
a partes aproximadamente iguales, el voltaje de la fuente de alimentación, son un excelente
preámbulo para la generación del pulso. Entiéndase por condición de equilibrio o reposo,
que los capacitores (C1 y C2) estén cargados a su valor máximo, todos los transistores están
en la zona de corte y por las ramas donde están conectados sólo circulas las corrientes de
saturación inversas de las uniones PN y que por las demás ramas del circuito circulan
corrientes muy pequeñas.
Aunque no se han realizado mediciones con el generador aplicándole el pulso de disparo

obtenido en el epígrafe 3.3 del Capítulo 3, se ha hecho un análisis de como se debería
comportar el voltaje de salida del Banco Marx en relación con el disparo.
Si se parte de que los capacitores se encuentran cargados a su máxima capacidad y el pulso

de disparo (en la base de Q1) es de muy corta duración (mucho menor que la constante de
tiempo de descarga de los capacitores (C1=C2=C se descargan en serie) τD = (C/2)*RL),
entonces en la salida (RL) se producirá un pulso, con la misma duración que el de disparo y
con una amplitud de dos veces VCC.
Por otra parte, manteniendo las mismas condiciones de carga de los capacitores, si se
mantiene el pulso de trigger en nivel alto durante un intervalo prolongado de tiempo
(mucho mayor que el tiempo de carga y descarga de los capacitores), entonces en la salida
se generará un tren de pulsos. El primero de estos pulsos tendrá la amplitud de dos VCC y
los demás poseerán una amplitud menor. Este comportamiento se debe a que el transistor
Q1 se mantendrá en la zona de activa y Q2 entrará en avalancha cuando C1 se cargue a un
valor menor que VCC.
Por último bajo las mismas condiciones de carga, si el pulso de disparo fuera ligeramente
mayor que el tiempo de descarga de los capacitores, entonces se produciría en la salida un
pulso del ancho de la constante de descarga τD de los capacitores y con un amplitud de
2VCC.
60
CAPíTULO 4
Para poder comprobar todos estos análisis, haría falta un instrumento de medición que
permita detectar señales con una frecuencia del orden de los GHz y amplitud del orden de
los kV.
4.6 Conclusiones
Se realizó un estudio práctico del régimen de avalancha en los transistores

bipolares. Los datos recopilados fueron de gran importancia para la elección de los
transistores a utilizar en el generador de pulsos. Estos presentan un voltaje de
ruptura de 156 V, característica que los hacen adecuados para su utilización en el
generador.
Se estableció un procedimiento para analizar transistores bajo régimen de

avalancha, con el caracteriógrafo XJ4822 Curve Tracer, útil para caracterizar
dispositivos, ya que el instrumento no está diseñado para la caracterización en esta
zona de trabajo, sin que se rompa el dispositivo.
Se comprobó que el simulador PSpice8 no cuenta con un modelo que contemple el

fenómeno de segunda ruptura por avalancha en los transistores bipolares.
Se diseñó y fabricó un generador de pulsos de alto voltaje basado en el Banco Marx.

Los capacitores de las dos etapas que conforman el circuito, se carga a un 86 y 97 %
de su capacidad total, cuestión importante para el diseño ya que mientras más
energía almacenen los capacitores, el pulso de salida del generador tendrá mayor
amplitud.
61
CONCLUSIONES
CONCLUSIONES GENERALES
Se diseñaron, montaron y probaron los tres bloques de un sistema para generar

pulsos de alto voltaje: una fuente de alto voltaje, un banco de Marx y un disparador
o generador de trigger.
Se diseñó, simuló y fabricó una fuente de alimentación basada en la topología de

multiplicadores de voltaje de media onda. Entrega, sin carga aplicada, un valor
promedio de 334.88 V, con un voltaje de rizado de 874 mV, lo cual representa un
0.28 % del valor promedio. Una corriente de 0.332 mA y un voltaje cuyo valor
medio fue 333.49 V, con un rizado de 3.4 V, representando un 1.02 % de dicho
valor, para una resistencia de carga de 1 MΩ. Se considera que estos voltaje y
corrientes son suficientes para garantizar un correcto funcionamiento del Banco
Marx diseñado, que requiere alrededor de 0.125 mA y 310 V aproximadamente.
Se realizó un estudio práctico del régimen de avalancha en los transistores

bipolares. Los datos recopilados fueron de gran importancia para la elección de los
transistores a utilizar en el generador de pulsos. Estos presentan un voltaje de
ruptura de 156 V y característica que los hacen adecuados para su utilización en el
generador.
Se diseñó, simuló y fabricó un circuito de disparo para obtener el trigger del Banco
Marx, basado en el tiempo de propagación que se produce en las compuertas
digitales.
62
RECOMENDACIONES
RECOMENDACIONES
Diseñar una fuente de alto voltaje de directa que sea ajustable, para la alimentación
de Bancos de Marx construidos con diferentes tipos y cantidad de transistores.
Encontrar un modelo que represente el fenómeno de segunda ruptura en los
transistores bipolares para poder simular el Banco Marx en PSpice.
Fabricar varios resistores de película gruesa para comprobar experimentalmente la
validez del sistema desarrollado.
Encontrar un equipamiento que permita medir directamente los pulsos de disparo y
de salida del Banco Marx. Esto facilitará profundizar teóricamente acerca de la
validez del sistema desarrollado.
Diseñar un sistema de ajuste por pulsos de alto voltaje automático, que además de
aplicar los pulsos, mida el valor de resistencia y decida cuando el resistor esta
ajustado al valor deseado.
63
REFERENCIAS
1. Autores, C.d., Estudio de factibilidad para la introducción de tecnologías de

fabricación de componentes microelectrónicas en el país. 2009: Centro de
Investigaciones en Microelectrónica (CIME), ISPJAE, Cuba.
2. Heiko, T. and M. Jens, Ceramic Interconnect Technology Handbook, ed. L. Taylor

& Francis Group. 2007.
3. Pavoni Oliver, S., Microceldas para Análisis Voltamétrico de Microvolúmenes de

Soluciones Líquidas. 2006: Ciudad de la Habana.
4. Imanaka, Y., Multilayered Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC)

Technology, ed. I. Springer Science + Business Media. 2005, Fujitsu Laboratories,
Ltd. Japan.
5. M. Gongora-Rubio, L.M.S.-L., P.J. Moffett, J.J. Santiago-Avilés, The utilization of

low temperature co-fired ceramics (LTCC-ML) technology for meso-scale EMS, a
simple thermistor based flow sensor. Sensors and Actuators A., 1999. 73: p. 215–
221.
6. M.R. Gongora-Rubio, P.E.-V., L. Sola-Laguna, J.J. Santiago-Avilés, Overview of

low temperature co-Fired ceramics tape technology for meso-system technology
(MsST). Sensors and Actuators A., 2001. 89: p. 222-241.
7. Abgrall, P. and A.M. Gué, Lab-on-chip technologies: making a microfluidic et work

and coupling it into a complete microsystem a review. IOP Publishing Journal of
Micromechanics and Microengineering, 2007.
8. T. Badri Narayana, K.R., and M. Satyam, Downward Laser Trimming of Thick Film
Resistors in IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing
Technology. 1991.
64
REFERENCIAS
9. Erie, A.F.D.a.A.J.C., LASER Trimming of Thick Film Resistors. Electrocomponent

Science and Technology, Electronics Ltd., Gt. Yarmouth, Norfolk, U.K, 1974. 1: p.
51-57.
10. Thomas J. Faith, J., Member, IEEE, AND John W. Jennings, Fluid Abrasive
Trimming of Thin-Film Resistors, in IEEE Transactionson Parts, Hybrids and
Packaging. 1976.
11. Takasago, T.T.a.H., New Trimming Technology of a Thick Film Resistor by the
Pulse Voltage Method, in IEEE Transactions on Components, Hybrids, and
Manufacturing Technology. 1991.
12. Jinyuan, L., S. Bing, and C. Zenghu, High voltage fast ramp pulse generation using
avalanche transistor. Review of Scientific Instruments, 1998. 69(8): p. 3066-3067.
13. Bishop, A.I. and P.F. Barker, Subnanosecond Pockels cell switching using
avalanche transistors. Review of Scientific Instruments, 2006. 77(4).
14. Rai, V.N., Shukla, M., Khardekar, R K A transistorized Marx bank circuit
providing sub-nanosecond high-voltage pulses. Measurement Scince and
Technology, 1994. 5(4): p. 447-449.
15. Iveković, D., A triple subnanosecond pulse generator with avalanche transistors
and charge-storage diodes. Nuclear Instruments and Methods, 1965. 32(2): p. 339-
340.
16. Zou, A.M., et al. Nanosecond pulser based on serial connection of avalanche
transistors. 2010. Changsha.
17. Lambrechts, M., Biosensors: Microelectromechanical Devices, W. Sansen, Editor.

1992: Katholieke Universiteit Leuven.
18. Dupont, Technical DataSheet, in 7400 Series Resistor. 2009.
65
REFERENCIAS
19. M.Satyam, Y.S.R.a., The Effect of High Voltage Pulses on PVC –Graphite Thick
Film Resistors. The International Journal of Microcircuits and Electronic
Packaging, 1997. Vol. 20(No.1, First Quarter): p. pp.51 –56.
20. DuPont, Technical Data Sheet, in 7082, Carbon Conductor. 2099.
21. DuPont, Technical Data Sheet, in 7400 Series Resistor. 2009.
22. I. Stanimirovic, I.T.a.E., Batajnicki Put 23, Belgrade 11080 Zemun, Serbia,
Yugoslavia. M.M. Jevtic, Institute of Physics, Pregrevica 118, Belgrade 11080
Zemun, Serbia, Yugoslavia. Z. Stanimirovic, IRITEL Telecommunications and
Electronics, Batajni_cki Put 23, Belgrade 11080 Zemun, Serbia, Yugoslavia, High
voltage pulse stressing of thick film resistors and noise, in Microelectronics
Reliability 2003.
23. Erie, A.F.D.a.A.J.C., Laser Trimming of Thick Film Resistors, in Electrocomponent

Science and Technology. 1974: Electronics Ltd., Gt. Yarmouth, Norfolk, U.K. p.
51-57.
24. Bo Gu, P.C., Gary Mezack, Bruce Couch, Joe Lento, Yun Chu, Technology Report,
Advanced Resistor Trimming. 2007.
25. Srinivasa Rao, Y. and M. Satyam, Downward Trimming of Polymer Thick Film
Resistors through High Voltage Pulses. The International Journal of Microcircuits
and Electronic Packaging., 2001. Vol. 24, Number 4, Fourth Quarter.
26. Srinivasa Rao, Y. and M. Satyam, The effect of pulse voltage trimming on current
noise of polymer thick film resistors. Microelectronics International, 2003. Vol.
20(3): p. 7-10.
27. Rai, V.N. and M. Shukla, A high-voltage pulser circuit with subnanosecond rise
time. Review of Scientific Instruments, 1994. 65(6): p. 2134-2136.
28. Liu, J., B. Shan, and Z. Chang, High voltage fast ramp pulse generation using
avalanche transistor. Review of Scientific Instruments, 1998. 69(8): p. 3066-3067.
66
REFERENCIAS
29. Baker, R.J., High voltage pulse generation using current mode second breakdown
in a bipolar junction transistor. Review of Scientific Instruments, 1991. 62(4): p.
1031-1036.
30. Rashid, M.H., Circuitos Microelectrónicos, análisis y diseño, ed. I.T. Editores.
2000, University of Florida.
31. Amitabh, C., M. Kanad, and S.M. Oak, The principle of operation of the avalanche
transistor-based Marx bank circuit: A new perspective. Review of Scientific
Instruments, 1998. 69(5): p. 2166-2170.
32. Millman, J. and A. Grabel, Microelectrónica. Editorial Hispano Europea, Sexta ed.
1995.
33. Ebers, J.J. and S.L. Miller, Alloyed Junction Avalanche Transistors (The first paper
analyzing the use of bipolar junction transistors in the avalanche region) Bell
System Technical Journal 4:883, 1955.
34. Millman, J. and H. Taub, Pulse and Digital Switching Waveform, ed. E.
Revolucionaria. 1968.
35. Rickelt, M. and H.M. Rein, A novel transistor model for simulating avalanche-
breakdown effects in Si bipolar circuits. Solid-State Circuits, IEEE Journal of, 2002.
37(9): p. 1184-1197.
36. Eirez Izquierdo. José Enrique., R.F., Fabriciano., López Cadalso, Ernesto
Alejandro., Ávila Vázquez Yunior, Estudio teórico y práctico del régimen de
avalancha en los transistores bipolares, in RIELAC. 2011. p. 42 - 49.
37. Wakerly, J.F., Digital Desing: Principles and Practices. Prentice Hall, Cuarta ed.
2005, Cisco Systems, lnc. Stanford University
38. Semiconductor, O., Data Sheet, MC14584B, Hex Schmitt Trigger Inverter, L.
Components Industries, Editor. 2006.
67
REFERENCIAS
39. Instruments, T., Data Sheet, CD4030B, Quad Exclusive OR Gate. 2003.
40. Baker, R.J., High voltage pulse generation using current mode second breakdown
in a bipolar junction transistor. Review of Scientific Instruments, 1990. Vol. 4(62):
p. 1031-1036.
68
ANEXOS
Anexo 1
En la Figura 1 se muestra el caracteriógrafo XJ4822 de fabricación china, con el que se

midieron los transistores en para poder observar el régimen de segunda ruptura.
Figura 1. Caracteriógrafo utilizado en las mediciones.
Los números en la Figura indican distintas zonas que permiten controlar y visualizar las
curvas I-V de los transistores estudiados. A continuación se brinda una breve descripción
de cada una de estas zonas:
1. Pantalla para visualizar las curvas I-V en el transistor que está siendo caracterizado,
en la esquina superior derecha muestra la escala de los ejes coordenados en V/div
(volt por división) para el caso del eje X y A/div (amperes por división) en el caso
del eje Y. Además se muestra el valor de corriente que circula por el colector (I C) y
69
ANEXOS
voltaje entre el colector y el emisor (VCE) en el punto de la curva donde se

encuentre el cursor (parecido a un signo de suma ¨+¨, útil para desplazarse sobre la
misma y obtener con mayor precisión los valores deseados).
2. Selector para variar la escala de la corriente IC. Posibilita que se pueda mostrar tanto
valores grandes como pequeños de corrientes, en la pantalla con dimensiones y
divisiones fijas. Cuando tiene valores bajos es recomendable también bajar la escala
para aprovechar una mayor área de visualización, mientras que al subir los valores
de la corriente se hace necesario subir la escala para que la curva se vea totalmente.
3. Botones de dirección para mover el cursor (+) en toda el área de la pantalla, así
como activar y desactivar su función. Dicho cursor muestra las coordenadas de los
puntos donde está posicionado, tomando como referencia la esquina inferior
izquierda de la pantalla.
4. Selector para variar la escala del voltaje, similar al de la corriente.
5. Botones para seleccionar el valor máximo de voltaje (VCCmáx) en la fuente de

alimentación con la que se polariza el transistor. Existen cuatro intervalos posibles
para polarizar los transistores (10, 50, 100 y 500 V). Dependiendo del valor del
resistor que se conecta en serie con la fuente, se llega a un por ciento determinado
de dicho valor máximo.
6. Selector para variar el valor de VCC. Su escala varía de 0 a 100 % e indica a qué
tanto por ciento del valor máximo está trabajando la fuente de alimentación. Es el
único selector que toma valores continuos.
7. Selector para variar el valor en ohm (Ω) de la resistencia que va conectada entre la
fuente y el colector del transistor que está siendo caracterizado. Se deben hacer los
cálculos previos antes de seleccionar su valor, ya que si éste es muy bajo aumenta la
corriente de colector, pudiendo sobrepasar el valor máximo que soporta el
transistor. El equipo cuenta con un fusible de 2 A y 250 V, de protección que limita
la corriente de colector, para no dañarse.
70
ANEXOS
8. Selector para variar el valor de la corriente que se le suministrará, por la base, al

transistor que está siendo caracterizado. En nuestra aplicación no fue usado ya que
el emisor y la base de dicho transistor están cortocircuitados y se encuentran en el
terminal del emisor.
9. Terminales para conectar el transistor, cuenta con tres agujeros en los cuales se
introduce la base, el colector y el emisor de los transistores, aunque en nuestro caso
se usaron sólo dos de ellos, el del colector y el del emisor, debido a que los
transistores fueron caracterizados con la base y el emisor cortocircuitados.
10. Interruptor que permite conectar el transistor al circuito interno del caracteriógrafo,
permitiendo así una rápida desconexión del mismo ante un aumento considerable de
su temperatura, debido a un aumento de la corriente cuando trabaja en la zona de
segunda ruptura.
11. Botón para encender y apagar el caracteriógrafo.
71
ANEXOS
Anexo 2
Generador de pulsos de alto voltaje comercial DEI HV1000 Pulse Generator.

Características principales y formas de onda de salida.
a)
b) c)
Figura 2: a) Foto del equipo, formas de onda de salida b) Mínimo Ancho de Pulso,
20ns/div, Vin=950V, RL = 50 Ohm, c) 4.5 MHz Burst; 900V into 50 Ohm.
72
ANEXOS
Características y Formas de Onda de Salida:(medidas para 50 Ω)
Output Características del Pulso de Salida
Maximum Negative Polarity: 6ns @

850 volts
Value 850V (10-90%)
Pulse Rise Time
Minimum Positive Polarity: 10ns
0 volts @850V (10-90%)
Value
Maximum 17 amperes 55ns to 10µs, controlled

Pulse Width
Current (850V/50 Ohms) by input trigger
Controlled by Single shot to 1MHz,

Means of Pulse Recurrence
input high 5MHz burst, controlled by
Adjustment Frequency
voltage input trigger
Connector Over/undershoot < 5%

BNC, side panel
Type Jitter < 100ps shot-to-shot
Delay Between
Gate and Output < 40ns
Pulse
73
ANEXOS
Anexo 3
Equipo comercial de generación de pulsos de alto voltaje High Voltage Pulse Generator
Model HVGP 2001. Diagrama en bloques y características principales del equipo.
a) b)
Figura 3: a) Diagrama en bloques del circuito interno, b) características y parámetros de

salida.
Fura 4: Foto del equipo HVGP 2001.
74
ANEXOS
Anexo 4
Generador de pulso comercial, IPG 605, IPG 1012, IPG 1218
Figura 5: Foto del equipo.
Figura 6: Características del equipo.
75
ANEXOS
Anexo 5:
Equipo para el ajuste de resistores mediante Laser CircuitTrim™ W778, Thin Film Chip
Component Trim System.
Figura 7: Foto del equipo CircuitTrim™ W778.
Características Principales
Sistema LASER:
Laser Type: Nd:YAG laser, wavelength 532 nm
Power Control: Programmable via optical attenuation and laser current
Programmable pulse repetition rate: up to 50 kHz
Diode Pumped Laser Power: 3 W, pulse width 30 ns at 1 kHz
76
ANEXOS
Sistema de Medición:
Bridge: High speed, current-nulling
Resistance: 0.1 Ω to 1000 MΩ
Accuracy: ±0.02% (% of value) ±0.02% of value ±1%/R (< 50 Ω) ±0.02% of value
±0.02% per M (>160 kΩ)
Low Ohm option: ±0.5% of value (10 mΩ to 100 mΩ) ±0.25% of value (100 mΩ to
1 Ω)
DC Voltage: 0 to 160 V
Accuracy: ±0.05% of value ±1 mV ±0.1% ±1 mV (100 mV to 400 mV) ±0.05% ±5
mV (10 V to 160 V)
DC Current: 0 to 200mA
Accuracy: ±0.05% of value 20 μA – 20 mA ±0.1% 200 mA
Matrix: Configurable from 48 to 240 pins
77
ANEXOS
Anexo 6:
Análisis Estadístico realizado a las mediciones efectuadas. Teoría:
Población: Conjunto de elementos que tienen una característica común, que es

observable y acerca de la cual queremos hacer inferencias.
Muestra: Subconjunto de la población obtenida con el fin de investigar a toda la
población de donde fue obtenida.
Variable: Característica observable susceptible de adoptar diferentes valores.
Dato: Valor o respuesta que adquiere la variable en cada unidad experimental.
Unidad experimental: Elemento básico que será estudiado en una población.
Parámetro: Cualquier característica medible de la población. Son cantidades
constantes para la población dada.
n
2
Xi X
Varianza de la muestra: S 2 i 1
n 1
Desviación estándar de la muestra: S S2

Estimación de la media (μ):
LI x z
2 n
LS x z
2 n
Estadística descriptiva para la Variable Vac [Vrms]
Descriptive Statistics: Vac [Vrms]

Variable Mean StDev Minimum Maximum
Vac [Vrms] 119.72 1.44 117.88 121.71
78
ANEXOS
Histogram of Vac [Vrms]

Normal
Mean 119.7
20 StDev 1.441
N 102
15
Frequency
10
0
117 118 119 120 121 122 123
Vac [Vrms]
Figura 7: Histograma de la variable Vac.
Intervalos de Confianza para μ con σ desconocida (90%, 95% y 99%)
One-Sample Z: Vac [Vrms]

The assumed standard deviation = 1.44
Variable N Mean StDev SE Mean 95% CI

Vac [Vrms] 102 119.719 1.441 0.143 (119.440, 119.999)


Vac [Vrms] 102 119.719 1.441 0.143 (119.485, 119.954)

79
ANEXOS
Vac [Vrms] 102 119.719 1.441 0.143 (119.352, 120.087)
Estadística descriptiva para la Variable Vac [Vrms]
Descriptive Statistics: V300 [V]

V300 [V] 331.42 4.13 326.22 337.29
Histogram of V300 [V]

Normal
35 Mean 331.4
StDev 4.130
N 102
30
25
Frequency
20
15
10
0
324 327 330 333 336 339
V300 [V]
Figura 8: Histograma de la variable V300.
One-Sample Z: V300 [V]


V300 [V] 102 331.423 4.130 0.409 (330.370, 332.476)

80
ANEXOS

V300 [V] 102 331.423 4.130 0.409 (330.750, 332.096)


V300 [V] 102 331.423 4.130 0.409 (330.622, 332.225)
3. Estadística descriptiva para la Variable IL [mA]
Descriptive Statistics: IL [mA]

IL [mA] 0.12416 0.00603 0.11380 0.13420
Histogram of IL [mA]
Normal
Mean 0.1242
20
StDev 0.006029
N 102
15
Frequency
10
0
0.112 0.116 0.120 0.124 0.128 0.132 0.136
IL [mA]
Figura 9: Histograma de la variable IL.
One-Sample Z: IL [mA]
81
ANEXOS

IL [mA] 102 0.124164 0.006029 0.000597 (0.122994, 0.125334)

IL [mA] 102 0.124164 0.006029 0.000597 (0.123182, 0.125146)

IL [mA] 102 0.124164 0.006029 0.000597 (0.122626, 0.125702)
Diagramas de Dispersión
Scatterplot of Vac [Vrms] vs V300 [V]

122
121
Vac [Vrms]
120
119
118
325.0 327.5 330.0 332.5 335.0 337.5

V300 [V]
Figura 10: Diagrama de dispersión de las variables Vac y V300.
82
ANEXOS
Scatterplot of Vac [Vrms] vs IL [mA]

122
121
Vac [Vrms]
120
119
118
0.115 0.120 0.125 0.130 0.135

IL [mA]
Figura 11: Diagrama de dispersión de las variables Vac e IL.
Scatterplot of V300 [V] vs IL [mA]

337.5
335.0
332.5
V300 [V]
330.0
327.5
325.0
0.115 0.120 0.125 0.130 0.135
IL [mA]
Figura 12: Diagrama de dispersión de las variables V300 e IL.
83
ANEXOS
Time Series Plot of Vac [Vrms]

122
121
Vac [Vrms]
120
119
118
1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Index
Figura 13: Gráfica de la variable Vac contra el tiempo.
Time Series Plot of V300 [V]

337.5
335.0
332.5
V300 [V]
330.0
327.5
325.0
1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Index
Figura 14: Gráfica de la variable V300 contra el tiempo.
84
ANEXOS
Time Series Plot of IL [mA]

0.135
0.130
IL [mA]
0.125
0.120
0.115
1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Index
Figura 15: Gráfica de la variable IL contra el tiempo.
85

Generador de Pulsos de Alto Vol - Eirez Izquierdo, Jose Enrique

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Instituto Superior Politécnico José Antonio

José Enrique Eirez Izquierdo

Generador de Pulsos de Alto Voltaje y Corta Duración. – La Habana : Instituto Superior

Dewey: 621.3 INGENIERIA ELECTRICA. ELECTRONICA.

(cc) José Enrique Eirez Izquierdo, 2012.

Tesis presentada para optar por el grado de Máster en Ciencias

Autor: Ing. José Enrique Eirez Izquierdo

INSTITUTO SUPERIOR POLITÉCNICO JOSÉ ANTONIO ECHEVERRÍA

Centro de Investigaciones en Microelectrónica

CAPÍTULO 1. MÉTODOS DE AJUSTE DE RESISTORES ............................................. 5

1.1 Resistencia y resistencia pelicular ........................................................................ 5

1.2 Resistores de Película Gruesa ............................................................................... 6

1.3 Ajuste de elementos pasivos en la fabricación de dispositivos electrónicos .......... 7

1.3.1 Ajuste con LASER ....................................................................................... 7

1.3.2 Ajuste por flujo abrasivo ............................................................................... 9

1.3.3 Ajuste por método de Pulsos de Alto Voltaje (HVPT) ................................. 10

1.4 Efecto de la aplicación del método HVPT en el ajuste de resistores de película

CAPÍTULO 2. SISTEMA PARA LA APLICACIÓN DE PULSOS DE ALTO VOLTAJE

2.2 Fuente de Alimentación basada en Multiplicadores de Voltaje ........................... 15

2.2.1 Multiplicadores de Voltaje .......................................................................... 15

2.2.2 Multiplicador de Voltaje de ½ Onda ........................................................... 15

2.3 Generador de Pulsos de Alto Voltaje basado en el Banco Marx.......................... 17

2.3.2 El transistor bipolar en régimen de avalancha.............................................. 19

2.3.1 Banco de Marx con Transistores en Avalancha ........................................... 24

2.3.2 Etapa de Carga............................................................................................ 25

2.3.3 Etapa de Descarga....................................................................................... 26

2.4 Circuito de disparo ............................................................................................. 28

CAPÍTULO 3. DISEÑO DE LA FUENTE DE ALTO VOLTAJE Y DEL CIRCUITO DE

3.2 Fuente de alto voltaje basada en multiplicadores de voltaje ................................ 30

3.2.1 Resultados de simulación ............................................................................ 31

3.2.2 Materiales y métodos del trabajo experimental ............................................ 35

3.2.3 Resultados experimentales para una carga RL= ∞ ........................................ 35

3.2.4 Resultados experimentales para una carga, RL= 1 MΩ ................................ 37

3.2.6 Análisis y discusión de los resultados experimentales ................................. 43

3.3 Circuito Generador de Disparo ........................................................................... 44

3.3.1 Materiales y métodos del trabajo experimental ............................................ 46

3.3.2 Resultados experimentales .......................................................................... 47

CAPÍTULO 4. DESARROLLO DE UN BANCO DE MARX CON TRANSISTORES EN

4.2 Evaluación práctica de la zona de avalancha en transistores bipolares ................ 50

4.2.1 Materiales y métodos .................................................................................. 50

4.3 Resultados experimentales ................................................................................. 53

4.4 Análisis de los resultados ................................................................................... 54

4.5 Diseño y medición del Banco de Marx ............................................................... 55

4.5.1 Materiales y métodos del trabajo experimental ............................................ 57

4.5.2 Resultados y discusión ................................................................................ 57

CONCLUSIONES GENERALES .................................................................................... 62

En el presente documento se describen aspectos teóricos y experimentales para el desarrollo

Uno de los retos en el desarrollo de sistemas electrónicos es la búsqueda incesante de

El ajuste con LASER se basa en la aplicación de un haz de luz en la superficie del

El principio de funcionamiento, de la técnica basada en el método de flujo abrasivo, es

En el Centro de Investigaciones en Microelectrónica (CIME), varios grupos de trabajo han

Para contribuir al desarrollo de las tecnologías emergentes, es necesario contar con un

Aunque en la literatura consultada no queda reportado directamente cómo obtener los

1. Estudio del estado del arte de los métodos de ajuste de resistores.

3. Diseño y simulación de una fuente de alto voltaje, basada en multiplicadores de

4. Montaje y puesta a punto de la fuente de alto voltaje.

5. Diseño y simulación de un circuito generador de disparo, basado en los retardos de

6. Montaje y puesta a punto del circuito de generación del disparo.

7. Diseño de un circuito generador de pulsos de alto voltaje y ancho de pulso en el

8. Montaje y puesta a punto del circuito de generación de pulsos.

1.1 Resistencia y resistencia pelicular

La resistencia de un elemento depende de sus dimensiones (área, longitud) y de la

Donde, R es el valor de la resistencia, L la longitud de la resistencia de terminal a terminal,

En la Figura 1.1 se presenta el esquema de un resistor con área de sección transversal A,