Universidade do Estado do Rio de Janeiro – UERJ

Faculdade de Engenharia - FEN

Laboratório de Eletrônica II

Atividade 1: Preparatório Circuito BJT

Setembro de 2017
Introdução
Neste experimento iremos estudar o comportamento de um transistor BJT em um
circuito e assim visualizar experimentalmente suas características e compara-las com seus
valores nominais presentes na folha de dados(Data Sheet). Para a execução do experimento
iremos apenas polarizar o transistor nas suas devidas regiões, que são elas a região linear,
corte e saturação.

Polarização do Transitor

A operação no corte, na saturação e nas regiões lineares das curvas características do BJT são:

1. Operação na região linear:

Junção base-emissor polarizada diretamente e junção base-coletor polarizada reversamente.

2. Operação na região de corte:

Junção base-emissor polarizada reversamente e junção base-coletor polarizada reversamente.

3. Operação na região de saturação:

Junção base-emissor polarizada diretamente junção base-coletor polarizada diretamente.

Neste experimento iremos analisar o seguinte o seguinte circuito (figura1) polarizado por
divisor de tensão.

Figura 1 - Circuito com BJT(Polarizado com Div. de Tensão)

Para os devidos cálculos de Ib, Ic, Ie, e Vce iremos utilizar os conceitos de análise de circuitos
para determinar as equações já presentes abaixo(figura 2)
Objetivo
Medir as características do trasistor BJT (BC548) e compara-las aos valores presentes na folha
de dados do transistor.

Materiais Utilizados
 Protoboard
 Osciloscópio
 Gerador de Sinais
 Fonte de Alimentação DC
 Resistores
 Transistor BJT( BC547A)
 Capacitores

Procedimentos
 Montar o devido circuito apresentado acima utilizando os equipamentos e
instrumentos presentes na bancada.
 Após montado medir a tensão de entrada e de saída do circuito para realização do
cálculo do ganho e compara-lo com o presente na folha de dados.
 Medir as tensões Vce, Vbc e Vbe
 Variar as regiões de operação do transistor para saturação e corte refazendo as
medidas anteriores
 Comparar os resultados com os simulados e calculados olhando também as
especificações da folha de dados do transistor
Simulação
I: 4.09 mA
XSC1
I(p-p): 5.88 mA
I(rms): 5.20 mA Ext Trig
I(dc): 4.74 mA +
VCC I(f req): 1.00 kHz XMM1 _
A B
10V + _ + _

R4
I: -26.7 uA
XFG1 I(p-p): 74.7 uA 600Ω
I(rms): 40.2 uA
R3 A C2
I(dc): -31.0 uA 35kΩ PR1
COM I(f req): 1.00 kHz

C1 10µF
A Q1
PR2
BC547A R5
10µF 1kΩ

R2
R1
400Ω
14kΩ

Resultados

Tabela 1:
Representação Calculado Simulação Experimentação
Tesão de
emissor VE

Tesão de coletor VC

Tensão coletor-emissor VCE

Ganho
Conclusões

Bibliografia
Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos 11ª Ed. (BOYLESTAD)