UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA CENTRO DE DESARROLLO E INVESTIGACION

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA DE MECATRONICA

TRANSISTOR BJT

Un transistor de unión es un componente semiconductor que puede estar constituido por

cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres
terminales cuya agrupación da lugar a 2 tipos de transistores según la disposición de las
capas.

Transistor bipolar, de unión o BJT es lo mismo.

Transistor PNP Transistor NPN

Simbología

Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP.

Si el transistor tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN.
Los tres terminales son: E = Emisor, B = Base, C = Colector

Existen tres zonas de funcionamiento : zona de corte, zona de saturación y zona

activa o de trabajo.

1. ZONA ACTIVA.

El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente
constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo
suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de
colector dada (Ic);

Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de polarizar la unión J1

directamente y la unión J2 inversamente.
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2. ZONA DE CORTE.

En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos

digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

Un transistor funciona al corte cuando la unión J1 se polariza inversamente (o no se

polariza) y la J2 se polariza inversamente.

La corriente de emisor IE es casi nula. Tiene valores de microamperios.

3.- ZONA DE SATURACIÓN.

el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales,

etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en
especial Ic).

Para colocar un transistor en saturación, debemos polarizar ambas uniones directamente.

En la zona activa los transistores funcionan como amplificadores. En la zona de corte

equivalen a un interruptor abierto y en la zona de saturación a un interruptor cerrado.
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4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes

son opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:

1.Se el transistor NPN por un PNP.

2.Se invierten todos los voltajes y corrientes.

Observaciones.

La tensión colector - emisor tiene un valor próximo a cero (0 V) Voltios.

La IB (corriente de base) puede ser comparable a IE e IC.

La ecuación fundamental del transistor: IC = b IB - (1 + b ) ICSo no se cumple cuando trabaja

en saturación.
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Prueba de transistores

Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposición (tiene dos uniones), por lo tanto
las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el
electrodo base es común a ambas direcciones.

Se empleará un multímetro analógico y las medidas se efectuarán colocando el instrumento

en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 ó también
ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de
éste, ya que si es NPN se procederá de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el
primer caso (NPN) se situará la punta negra (positivo) del multímetro sobre el terminal de
la base y se aplicará la punta roja sobre las patillas correspondientes al emisor y colector.
Con esto se habrá aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarización directa, lo
que traerá como consecuencia la entrada en conducción de ambas uniones, moviéndose la
aguja del multímetro hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja
(algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuación se invertirá la posición de las puntas del instrumento, colocando la punta

roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y después sobre el colector.
De esta manera el transistor recibirá una tensión inversa sobre sus uniones con lo que
circulará por él una corriente muy débil, traduciéndose en un pequeño o incluso nulo
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movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el método a seguir es

justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones
son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multímetro entre
los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la
indicación del instrumento será muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar
polarización inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexión el
transistor estará bloqueado. Esta comprobación no debe olvidarse, ya que se puede detectar
un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las
medidas anteriores.
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OPTOACOPLADORES
También se denominan optoaisladores o dispositivos de acoplamiento óptico. Basan su
funcionamiento en el empleo de un haz de radiación luminosa para pasar señales de un
circuito a otro sin conexión eléctrica.

Fundamentalmente este dispositivo está formado por una fuente emisora de luz, y un
fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso.

TIPOS

Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre sí depende de los dispositivos
de salida que se inserten en el componente. Según esto tenemos los siguientes tipos:

Fototransistor: o lineal, conmuta una variación de corriente de entrada en una variación de

tensión de salida. Se utiliza en acoplamientos de líneas telefónicas, periféricos, audio...

Optotiristor: Diseñado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una señal
lógica y la red.

Optotriac: Al igual que el optotiristor, se utiliza para aislar una circuiteria de baja tensión a
la red.

En general pueden sustituir a relés ya que tienen una velocidad de conmutación mayor, así
como, la ausencia de rebotes.

Símbolo de un optotransistor en Símbolo de un optotransistor de

Símbolo del optotransistor
configuración Darlington encapsulado ranurado

Símbolo del Optotiristor Símbolo Optotriac

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El TRIAC

INTRODUCCION

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo
de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos
y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del
valor de mantenimiento.

BTA06-600B un triac de potencia

Este triac es un peso pesado, soporta 600V (el 600B) o 800 el del mismo número.
En cuanto a los amperios, deja pasar hasta 6A si se monta con radiador.
Como nos vamos a mover entre 0,25A a 0,5A podremos montarlo sin radiador.

La etapa de potencia más sencilla que podemos diseñar es esta:

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Pero sólo será apta para potencias pequeñas.

Si queremos etapas más complejas deberemos fijarnos en una etapa que sería la de un
motor o una bombilla de 220V.

Veamos el dibujo someramente, pues más abajo tenemos una animación con el que vamos
a usar:

 Las resistencias de 56 ohmios y de 1,2 K ohmios dividen los 220V en una tensión
más razonable para excitar la puerta de triac grande.
 Para que esta señal llegue al triac grande deberá estar excitado el triac pequeño
(optotriac) para dejar pasar esta señal.
 El puente de la resistencia de 100 ohmios y el condensador de 0,1 microfaradios de
hasta 250V son un filtro para eliminar el auto cebado por variación de tensión (el
temido dv/dt).
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DEFINICIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL TRIAC

 VDRM (Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el máximo valor de

tensión admitido de tensión inversa, sin que el triac se dañe.
 IT(RMS) ( Corriente en estado de conducción) = en general en el grafico se da la
temperatura en función de la corriente.
 ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conducción(ON)) = es la corriente
pico máxima que puede pasar a través del triac, en estado de conducción. En general
seta dada a 50 o 60 Hz.
 I2t ( Corriente de fusión) = este parámetro da el valor relativo de la energía
necesaria para la destrucción del componente.
 PGM ( Potencia pico de disipación de compuerta) = la disipación instantánea
máxima permitida en la compuerta.
 IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el
triac volverá del estado de conducción al estado de bloqueo.
 dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensión en el estado de bloqueo) =
designa el ritmo de crecimiento máximo permitido de la tensión en el ánodo antes
de que el triac pase al estado de conducción. Se da a una temperatura de 100C y se
mide en V/m s.
 tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y
aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente anódica
nominal.