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Dispositivos Electrónicos
Se pide:
Aplicando la fórmula:
1 L
RST
e ( e h ) ni A
Tenemos:
Entonces, reemplazando:
1 2 10 2 1000mm 2
RST 6.95 10 2
e (3900 1900) 1.55 1019 20mm
2
1m 2
b) Para el caso de RAB (tipo n) se sabe que no habrán impurezas
aceptantes, es decir NA = 0.
Entonces:
1 L
R AB ; N Ge Concentración de Germanio
e ( e ) N D A
ND Concentración de impurezas donantes
atomos
Densidad del Germanio: 4.4 10 28
m3
N Ge 4.4 10 28 2 10 7 8.8 10 21
N Ge 8.8 10 21
ND 8.8 1013 ; e 3900
10 8 10 8
Reemplazando en la fórmula:
1 2 10 2 (1000mm) 2
R AB 3.64 10 4
e (3900) 8.8 1013 10mm
2
1m 2
1 L
RCD ; Donde: NA= Concentración de impurezas aceptantes
e ( h ) N A A
N Ge 8.8 10 21
NA 9
9
8.8 1012 ;
10 10
h 1900
Reemplazando en la fórmula:
1 2 10 2 (1000mm) 2
RCD 7.48 10 5
e (1900) 8.8 1012 10mm
2
1m 2
c)
De acuerdo a la interpretación mostrada, deducimos RST:
d) Para t = 400ºC:
N Ge 8.8 10 21
De la parte b) tenemos: N D 8 8
8.8 1013
10 10
ND = nn - pn
nn * pn = ni(T)2 = 5.76*1026
1 L
R AB
e ( e )n n A