Amplificador con impedancia de entrada

Bryan José Silva Perugachi

Laboratorio de Circuitos Electrónicos, Departamento de Electrónica, Telecomunicaciones y Redes de Información,
Escuela Politécnica Nacional

Quito, Ecuador

bryanzsilva@hotmail.com

Impedancia de entrada del transistor:

I. TRABAJO PREPARATORIO 𝑉𝑖𝑛𝑇

𝑍𝑖𝑛𝑇 =
𝐼𝑖𝑛𝑇
A. Consultar:
(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝑖𝐸 𝑖𝐸
Características y definición de Impedancia de 𝑍𝑖𝑛𝑇 = ; 𝑖𝐵 =
𝑖𝐵 𝛽+1
Entrada e Impedancia de Salida en un Amplificador
Emisor Común 𝑍𝑖𝑛𝑇 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )

La impedancia de entrada de un circuito eléctrico es la Impedancia de entrada del amplificador:

impedancia que presenta un circuito frente a una
fuente de energía y puede calcularse mediante la ley 𝑉𝑖𝑛
de Ohm. Para la impedancia de salida, un circuito 𝑍𝑖𝑛 =
𝐼𝑖𝑛
eléctrico que esté destinado a entregar una corriente
puede ser vista como una fuente de voltaje en serie con (𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇 )𝑖𝑖𝑛
una impedancia (equivalente de Thévenin). Esa 𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑖𝑛
impedancia determina con qué facilidad podrá fluir la
potencia a la salida del circuito. En dispositivos de 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇
audio se requiere una impedancia de salida baja.
Impedancia de salida del amplificador:
En un amplificador de emisor común, encontramos
una impedancia de entrada alta, mientras que la 𝑉𝑜𝑢𝑡
impedancia de salida es baja. 𝑍𝑜𝑢𝑡 =
𝑉𝑖𝑛
Este amplificador en configuración de Emisor Común
puede ser diseñado con un requerimiento inicial de (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )𝑖𝐶
impedancia de entrada. 𝑍𝑜𝑢𝑡 =
𝑖𝐶

Deducir analíticamente la expresión de Impedancia 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

de Entrada y Salida de un circuito amplificador
emisor común con resistencia dividida en emisor.

Fig. 1 Equivalente pi del TBJ en Emisor Común

B. En el siguiente circuito determinar Av en función de
Rs y Zin, señalar que sucede si: Zin es mucho menor El criterio principal para diseñar un amplificador con
que Rs, igual a Rs, y mucho mayor que Rs ( Rs es la impedancia de entrada es que se debe cumplir que:
resistencia interna de la fuente.) 𝑍𝑖𝑛𝑇 ≥ 𝑍𝑖𝑛

(𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) ≥ 𝑍𝑖𝑛 (1)

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 = (2)
|𝐴𝑉 |

Reemplazando (2) en (1)

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
(𝛽 + 1) ≥ 𝑍𝑖𝑛
Fig. 2 Amplificador en EC con impedancia interna de una fuente
𝐴𝑉
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 |𝐴𝑉 |
𝐴𝑣 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ≥ 𝑍𝑖𝑛
𝑅𝑆 + 𝑍𝑖𝑛 𝛽+1

Si Rs es mucho mayor que Zin

La principal diferencia de un diseño sin impedancia y con
impedancia, es que en el diseño con impedancia de entrada
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = no se asume un valor de Rc sino que se debe cumplir la
𝑅𝑆
condición.

En esta condición, la ganancia dependería netamente D. Diseñar un amplificador con TBJ que cumpla con
del valor de la impedancia de la fuente y bajaría las siguientes condiciones:
drásticamente. Av = -14
Vin = 150mV
Si Rs es mucho menor que Zin Zin ≥ 3.0 kΩ
RL = 1.8KΩ
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = f= 1kHz
𝑍𝑖𝑛

En este caso, la ganancia en este caso estaríamos en

una condición “normal” ya que esta es una
consideración de diseño.

Si Rs es igual que Zin

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 =
2𝑅𝑆

Para este caso, nuestro amplificador no alcanzaría la

ganancia que se deseaba puesto que sería igualmente Fig.3 Circuito amplificador en configuración de Emisor Común [1]
una ganancia demasiado baja.
𝑍𝑖𝑛
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ≥ |𝐴𝑉 |
𝛽+1
C. Especificar los criterios de diseño de un amplificador
en emisor común con condición de impedancia de
𝑅𝐶 ∙ 𝑅𝐿 14
entrada, señalar cuales son las principales ≥ 3𝑘Ω ≥ 823.53Ω
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 51
diferencias entre diseñar con condición de
impedancia de entrada y sin condición de
𝑅𝐶 ≥ 1.52𝑘Ω
impedancia de entrada.
𝑅𝐶 = 3𝑘Ω 𝑅2 = 150𝑘Ω

𝑅𝐶 3𝑘Ω 𝑉𝐵 = 𝑅2 ∙ 𝐼2 = (22𝑘Ω)(666𝜇𝐴 ) = 14.65𝑉

𝑉𝑅𝐶 ≥ ∙ 𝑣𝑜𝑝 ≥ ∙ 2.1𝑉
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 3𝑘Ω ∥ 1.8𝑘Ω 𝑉𝐵 = 𝑉𝑅2
𝑉𝑅𝐶 ≥ 5.6𝑉
𝑉𝑅𝐶 = 6𝑉 𝑉𝐸 ≥ 1𝑉 + 𝑣𝑖𝑛𝑝
𝑉𝐸 ≥ 1𝑉 + 90𝑚𝑉 ≥ 1.09𝑉
𝑉𝑅𝐶 6𝑉 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 14.65 − 0.7 = 13.95𝑉
𝐼𝐶 = =
𝑅𝐶 1.8𝑘𝛺 Sí se cumple la condición del voltaje de emisor
𝐼𝐶 = 3.33𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 ≥ 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐶 ≥ 13.95𝑉 + 5.5𝑉 + 6𝑉
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 𝑉𝐶𝐶 ≥ 25.45𝑉
𝑟𝑒 = ; 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 ∴ 𝑟𝑒 = = 7.81 𝛺
𝐼𝐸 3.33 𝑚𝐴 𝑉𝐶𝐶 = 26𝑉

𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
|𝐴𝑣| =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 1125Ω
𝑅𝐸1 = − 𝑟𝑒 = − 7.81Ω = 72.55Ω
|𝐴𝑣| 14

Los valores estándar más cercanos para 𝑅𝐸1 son 𝑉𝐸 13.95𝑉

68Ω 𝑦 82Ω, por lo que escogemos la resistencia de 𝑅𝐸𝑇 = = = 4189.18Ω
𝐼𝐸 3.33𝑚𝐴
82Ω, para garantizar la estabilidad térmica. 𝑅𝐸2 = 𝑅𝐸𝑇 − 𝑅𝐸1 = 4189.18Ω − 68Ω = 4.12𝑘Ω
𝑅𝐸1 = 68Ω
Los valores más cercanos a 𝑅𝐸2 son 3.9Ω 𝑦 4.7Ω en
El diseño cumple con la condición de estabilidad escogemos 3.9𝑘Ω
térmica: 𝑟𝑒 ≪ 𝑅𝐸1 𝑅𝐸2 = 3.9𝑘Ω

𝐼𝐶 3.33𝑚𝐴 𝑍𝑖𝑛𝑇 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )

𝐼𝐵 = = = 66.6𝜇𝐴
𝛽 50 𝑍𝑖𝑛𝑇 = (50 + 1)(7.81Ω + 82Ω) = 89.81Ω
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇 = 15𝑘Ω ∥ 22𝑘Ω ∥ 89.81Ω
𝐼2 = 10 ∙ 𝐼𝐵 = 666𝜇𝐴 𝑍𝑖𝑛 = 3012.24Ω
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 732.6𝜇𝐴
𝑋𝐶𝐵 ≪ 𝑍𝑖𝑛 ∴ 𝑍𝑖𝑛 = 10 𝑋𝐶𝐵
𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑣𝑖𝑛𝑝 + 𝑣𝑜𝑝 + 𝑉𝑎𝑐𝑡 ≥ 150𝑚𝑉 + 2.1𝑉 + 2𝑉 10 10
𝑉𝐶𝐸 ≥ 4.25𝑉 ∙ 1.2 ≥ 5.1𝑉 𝐶𝐵 = =
2 ∙ 𝜋 ∙ 𝑓 ∙ 𝑍𝑖𝑛 2 ∙ 𝜋 ∙ 1𝑘𝐻𝑧 ∙ 3012.24Ω
𝑉𝐶𝐸 = 5.5𝑉 = 0.53𝜇𝐹
𝐶𝐵 = 1𝜇𝐹
𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = 6𝑉 + 5.5𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑅1 = 10.8𝑉 𝑋𝐶𝐶 ≪ 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ∴ 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 = 10 𝑋𝐶𝐶
𝑉𝑅1 10.8𝑉 10
𝑅1 = = = 14.74𝑘Ω 𝐶𝐶 =
𝐼1 732.6𝜇𝐴 2 ∙ 𝜋 ∙ 𝑓 ∙ (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )
Los valores estándar más cercanos para 𝑅1 son 10
12𝑘Ω 𝑦 15𝑘Ω, escogemos 15𝑘Ω. 𝐶𝐶 = = 1.41𝜇𝐹
2 ∙ 𝜋 ∙ 1𝑘𝐻𝑧 ∙ 1125Ω
𝑅1 = 15𝑘Ω 𝐶𝐶 = 4.7𝜇𝐹

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) ≥ 3𝑘Ω 𝑋𝐶𝐸 ≪ 𝑅𝐸2 ∴ 𝑅𝐸2 = 10 𝑋𝐶𝐸

𝑅2 ∥ 3073.9Ω ≥ 3𝑘Ω 10
𝑅2 ∙ 3073.9 𝐶𝐸 =
≥ 3𝑘Ω 2 ∙ 𝜋 ∙ 𝑓 ∙ 𝑅𝐸2
𝑅2 + 3073.9 10
𝐶𝐸 = = 0.41𝜇𝐴
𝑅2 ≥ 124.78𝑘Ω 2 ∙ 𝜋 ∙ 1𝑘𝐻𝑧 ∙ 3900Ω
Los valores estándar más cercanos para 𝑅2 son
120𝑘Ω 𝑦 150𝑘Ω, en este caso escogemos la 𝐶𝐸 = 1𝜇𝐹
resistencia de 150𝑘Ω
E. Realizar la simulación del circuito diseñado en un
software computacional, presentar las formas de
onda obtenidas en los terminales del TBJ y un
cuadro con las mediciones de voltajes y corrientes de
polarización.

Fig.4 Simulación del Circuito amplificador en configuración de

Emisor Común diseñado

TABLA I
VALORES DE POLARIZACIÓN DEL CIRCUITO

Magnitud DC Valor

VRC 10.26V

IC 3.42mA

VE 15.6V

IE 4.48mA

VCE 0.13v

VCC 26V

VB 16.4V

IB 1.03mA

VR1 9.6V

I1 1.139mA

I2 109.33uA
F. Consultar un método indirecto para medir la
impedancia de entrada de un circuito, describir el
método y presentar esquema del circuito a emplear.

Para medir la impedancia de entrada, se coloca una

resistencia de prueba entre la fuente y la entrada del
circuito amplificador. Midiendo con un canal la salida
de la fuente y con otro la señal a la entrada del circuito
es posible verificar mediante una simple relación la
impedancia de entrada conociendo el valor de la
resistencia de prueba. Otra forma es poner una
resistencia de prueba variable (potenciómetro),
cercana al valor esperado de impedancia de entrada y
ajustarla hasta que una señal es la mitad de la otra, en
cuyo caso el valor que tiene la resistencia variable es
el mismo que el de la impedancia de entrada.[2]

Fig.4 Esquema de medición de la impedancia de entrada de un

circuito [2]

REFERENCIAS

[1] (2015) The rabfis15 website [Online]. Available:

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/images/Tutorial/TutorialGe
neral/Datos/Figuras/image7.gif
[2] (2013) García. J. The Universidad Carlos III de Madrid website
[Online]. Available: http://ocw.uc3m.es/tecnologia-
electronica/componentes-y-circuitos-electronicos/practicas-
1/OCW-
CCE_P3_Tecnicas_de_medida_en_laboratorio_de_electronica.pd
f