Semiconductores intrínsecos

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina semiconductor int
rínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo éste último el má
s empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a temperaturas mayores que el ger
manio).

Conductividad eleCtrica

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de valencia)

, que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada
átomo posee 8 electrones en su capa más externa., formando una red cristalina, en la que la uni
ón entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrone
s no se desplazan fácilmente, y el material en circunstancias normales se comporta como un aisla
nte.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos pued
en separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la resistividad de
un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A temperatura amb
iente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace
covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos
electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red crista
lina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a través de
un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga negativa) y de los hue
cos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el crist
al a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas: una debida al movimiento
de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electron
es en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corrient
e de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras q
ue los huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior sólo circula
n los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen en el seno del cris
tal semiconductor).

Estructura electronica

Semiconductores intrínsecos
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina semiconductor int
rínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo éste último el má
s empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a temperaturas mayores que el ger
manio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de valencia)

, que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada
átomo posee 8 electrones en su capa más externa., formando una red cristalina, en la que la uni
ón entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrone
s no se desplazan fácilmente, y el material en circunstancias normales se comporta como un aisla
nte.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos pued
en separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la resistividad de
un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A temperatura amb
iente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace
covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos
electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red crista
lina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a través de
un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga negativa) y de los hue
cos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el crist
al a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas: una debida al movimiento
de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electron
es en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corrient
e de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras q
ue los huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior sólo circula
n los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen en el seno del cris
tal semiconductor).