CARACTERÍSTICAS DEL DIODO UNIÓN

Astrid Carolina Quirá Vaca.cod: 102213021066

Richard Calvache, cod: 102213011308
Elkin J. Durán Almeciga, cod:102214011752
Erick Ceron, cod: 22092029
LABORATORIO DE DISP. ACTIVOS.

ING. FÍSICA.

UNIVERSIDAD DEL CAUCA

1. OBJETIVOS

➔ Medir los efectos de las polarizaciones directa e inversa en la corriente de un

diodo de unión.
➔ Determinar de manera experimental las características de voltaje y corriente de un
diodo de unión y graficarlas.
➔ Medir resistencias directa e inversa de un diodo de unión con un óhmetro.

2. INTRODUCCIÓN

A Través de esta práctica se planea estudiar el comportamiento de los diodos(germanio y

silicio) para de una manera teórica llevarlo a una práctica, analizaremos el
comportamiento de estos mismos y su funcionalidad, El diodo es un elemento electrónico
que deja circular corriente siempre que sea polarizado directamente, y se comporta como
un aislante si su polarización es inversa. la rectificación. como es llamado el proceso de
transformar la corriente alterna en continua es una de las aplicaciones del diodo, pues
combinado con otros elementos posee otros usos, es vital para muchos ingenieros y
personas que estudian la electrónica comprender a la perfección el funcionamiento de
este componente , por tal razón con esta práctica se pretende caracterizar el diodo de
silicio y el diodo de germanio por medio del circuito propuesto en la guia de clase.

MARCO TEÓRICO

Diodo
El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por una unión P-N, es un material
extrínseco que adquiere unas propiedades específicas dependiendo del dopado o las
impurezas que han sido añadidas a una configuración molecular, en la parte práctica es
utilizado en el área de la electricidad con el objetivo de modificar diferentes señales de
voltaje, regular el voltaje, emitir luz y muchas otras aplicaciones que no se abordan en
este informe. este diodo es el más común en la actualidad se forma a partir de la unión de
dos cristales semiconductores la unión P-N posee una zona llamada zona de juntura.
El diodo es polarizado en directa, es decir el terminal P(ánodo) se conecta con un
potencial positivo y el terminal N(cátodo) con uno negativo, para que el diodo entre en
conducción la diferencia de potencial entre el cátodo y el ánodo debe superar un umbral
para que los electrones y huecos logren separar una barrera de potencial producida por la
zona de juntura. esa diferencia de potencial umbral depende del tipo de material con que
sean fabricados los semiconductores, en el caso del silicio la barrera umbral es de 0.7 V y
en el caso del germanio la barrera umbral es de 0.3 V. De manera contraria , el diodo
puede ser polarizado de manera inversa si el potencial en el ánodo es negativo y el del
cátodo positivo; aquí el diodo no conducirá a menos que la diferencia de potencial entre el
ánodo y el cátodo supere el umbral de ruptura y el diodo entra en zona de avalancha ,
donde se produce la ruptura de la zona de juntura y posteriormente puede ocurrir la
destrucción del diodo.

El símbolo gráfico del dido se muestra en la figura siguiente:

Diodos Rectificadores

Los diodos rectificadores son dispositivos electrónicos que se utilizan para controlar
la dirección del flujo de corriente en un circuito eléctrico. Dos materiales comúnmente
utilizados para los diodos son el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos
realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser
tomadas en consideración antes de instalar uno u otro en un circuito electrónico.

Diodos de silicio
La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del
diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y arsénico o fósforo en el
lado del cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen se llama la "unión p-n".
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo
empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión p-n. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unión p-n detendrá la conducción
de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica. Debido
a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos de
silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.
Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensión de polarización directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco común
que se encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata.
Debido a su rareza, los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces
más caros) que los diodos de silicio.

¿Qué diodo debo usar?

Los diodos de germanio se utiliza mejor en circuitos eléctricos de baja potencia. Las
polarizaciones de voltaje más bajas resultan en pérdidas de potencia más pequeñas, lo
que permite que el circuito sea más eficiente eléctricamente. Los diodos de germanio
también son apropiados para circuitos de precisión, en donde las fluctuaciones de
tensión deben mantenerse a un mínimo. Sin embargo, los diodos de germanio se
dañan más fácilmente que los diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes
diodos de propósito general y se pueden utilizar en casi todos los circuitos eléctricos
que requieran de un diodo. Los diodos de silicio son más duraderos que los diodos de
germanio y son mucho más fáciles de obtener. Mientras que los diodos de germanio
son apropiados para circuitos de precisión, a menos que exista un requisito específico
para un diodo de germanio, por lo general es preferible utilizar diodos de silicio
cuando se fabrique un circuito.

Para analizar con precisión un circuito con diodos se necesita saber la resistencia
interna del diodo. La fórmula para calcular la resistencia interna es:

Polarización Directa
 El diodo permite la circulación de corriente sólo cuando se encuentra polarizado en
forma directa, que es cuando el terminal ánodo tiene polaridad positiva con respecto
al terminal cátodo; en este caso, se dice que el diodo se comporta como un conductor ,
y se produce una circulación de corriente por el circuito, en el sentido convencional.

Polarización inversa

Cuando el diodo se polariza en forma inversa,(negativo en el ánodo y positivo en el

cátodo), a nivel práctico, éste se comporta como un circuito abierto, es decir, no
circula corriente. pero realmente si existe una cierta corriente, que por ser tan
pequeña no se considera a efectos prácticos. Dicha corriente se denomina corriente
inversa de fuga (IR), y es muy dependiente de la temperatura. Su valor es del orden de
nA en el silicio, y de mA en el germanio.

Las zonas directas e inversa quedan descritas de manera unificada por la siguiente
expresión matemática.

3. MONTAJE EXPERIMENTAL

En esta primera práctica se montó el siguiente circuito:

Y para ello se utilizaron los siguientes dispositivos:

● 1 diodo de silicio
● 1 diodo de germanio
● 1 resistor 240 Ω a 5 W
● 1 fuente de voltaje
● 2 multímetros

El primer procedimiento consistió en medir el voltaje y la corriente que circulaba por el

diodo cuando se encontraba alimentado por la fuente con un voltaje aproximadamente
igual al valor del voltaje de umbral del diodo, así mismo se midió la resistencia en directa
del diodo, se tomaron los mismos datos tanto en polarización directa como en inversa, la
tabla 1.1 muestra estos resultados.

En el segundo procedimiento se tomaron medidas de la corriente que circulaba por el

diodo en polarización directa cuando el voltaje de la fuente se variaba en 10 valores; 5
valores por debajo y 5 valores mayores al voltaje de umbral (Tabla 1.2). Luego se cambió
la polarización del diodo a inversa y se registraron los valores de la corriente para 10
voltajes determinados.

Todos estos pasos, se realizaron de la misma forma para el diodo de germanio.

4. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

1. Diodo de Germanio:
Tabla 1.1 POLARIZACION DEL DIODO

PASO V A-K IO RESISTENCIA DEL DIODO

2 0,55 V 0,496 mA 1,27 KΩ

3 0,71 V 0 -1,32 KΩ

4 Directa: 547
 Inversa: 240 KΩ

Tabla 1.2. CARACTERISTICAS VOLTAJE - CORRIENTE

[V] Paso 5 VAK Polarización PASO 6 VAK [ V Polarización

directa [mA] ID ] Inversa ID [μ A]

0,2 0 0 0

0,3 0,001 -3 0

0,4 0,019 -5 0

0,5 0,094 -7 0

0,6 0,255 -9 0

V -11 0

0,8 0,683 -13 0

0,9 0,945 -15 0

1 1,251 -17 0

1,11 1,488 -19 0

1,2 1,726 -21 0

2. Diodo de Silicio:

Tabla 2.1. Polarización del Diodo

PASO V A-K IO RESISTENCIA DEL DIODO

2 0,22 V 0 8,33 KΩ

3 0,208 V 0 6,53 KΩ

4 Directa: 731

Inversa : 180 KΩ

Tabla 2.2 Caracteristicas Voltajes - Corrientes

[V] Paso 5 VAK Polarización PASO 6 VAK [ V Polarización
directa [mA] ID ] Inversa ID [μ A]

0 0 0 0

0,038 0 -3 0

0,08 0 -5 00,8

0,12 0 -7 3,72 mA

0,16 0 -9 11,27 mA

V -11 19,08 mA

0,5 0,01 -13 28 mA

1 0,842 -15 36,1 mA

2 5,72 -17 44,3 mA

1,5 2,95 -19 52,3 mA

1,85 4,32 -21 58,2 mA

Tabla 3: Resistencia del diodos

DIODO DIRECTA INVERSA

Germanio 1108,87 ∞

Silicio ∞ ∞

➢ GERMANIO:

GRAFICA 1: Voltaje vs Corriente (Polarización Directa)

GRÁFICA 2: Voltaje vs Corriente (Polarización Inversa)

➢ SILICIO:

GRAFICA 3: Voltaje vs Corriente (Polarización Directa)

GRÁFICA 4: Voltaje vs Corriente (Polarización Inversa)

Tabla 4: Resistencia Másica de los diodos:

DIODO RESISTENCIA MÁSICA [Ω]

Germanio 239,81

Silicio 831,35

ANÁLISIS:

Para la realización de esta práctica se utilizaron los diodos de silicio 1N4148 y de

germanio 1N60 o equivalentes , estos se utilizaron ambos en polarización directa y luego
en polarización inversa, observando los datasheets del fabricante determinamos cuál de
las terminales corresponde al ánodo y cuál al cátodo esto también se puede comprobar
midiendo los voltajes de umbral de estos con el multímetro, se pudo comprobar que solo
en una dirección se dirigía la corriente comprobado lo expuesto en los datasheets. luego
de esto se montó el circuito de la figura 1,1 y se simulo en proteus.

Polarización en directa diodo de germanio

Después de haber montado el circuito y como se explica en el montaje se midió la

diferencia de potencial del diodo de germanio, el multímetro arrojó 0.55V y luego una
corriente de 0.469mA. esto se debe a que se le aplicó a la fuente 0.7 V inicialmente
entonces con estas condiciones los huecos de la región P y los electrones de la región
N son empujados hacia la unión por el campo eléctrico formado que da lugar a la
polarización por lo cual se reduce la anchura de la zona de transición, como el campo
eléctrico de la polarización se opone al de la unión, por esta razón se reduce el campo
eléctrico de la unión y consecuentemente la barrera de potencial esto lo podemos ver
en la disminución del voltaje en el diodo de aproximadamente de 0.15V cercano a el
voltaje de umbral del diodo de germanio que es de 0.2V. mostrando una resistencia
1.27 KΩ al estar en DC en conducción esta disminuyó.

Cuanto más se disminuya la barrera, esto se logra aumentando el voltaje como se puede
corroborar en la tabla 1.2 CARACTERÍSTICAS VOLTAJE-CORRIENTE para el diodo de
germanio, más portadores mayoritarios la podrán superar y difundirse hacia el otro lado
de la unión y por tanto mayor será la corriente si se observa la gráfica 1, a medida que el
voltaje aumenta se disminuye la barrera del diodo por ende la corriente también aumenta
comienzan a 0,2V con una corriente de 0 mA a medida que aumenta el voltaje
exponencialmente aumenta la corriente hasta llegar a 1,2V con una corriente de 1,726mA
. En definitiva, la corriente que atraviesa la unión es debida al movimiento de electrones y
huecos inyectados a cada lado de la unión donde son minoritarios. los huecos que circulan
de izquierda a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones
que se mueven de derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que
atraviesa la unión es la suma de las corrientes de los huecos y de los electrones
minoritarios que puede llegar a ser importante o significativa, sin superar el voltaje
estipulado en el datasheet 1N60.

Polarización inversa del diodo de germanio

En la gráfica 2, voltaje vs corriente en polarización inversa del diodo de germanio, se
puede observar que no hay conducción de corriente, es decir, que permanece
constante en el tiempo con un valor de 0 amperios para cada uno de los voltajes que
se utilizaron para tomar datos, esto se dio porque al momento de suministrar un
voltaje desde la fuente en esta polarización, la placa positiva de la fuente empezó a
atraer a los electrones libres del material tipo N los cuales fueron llenando los
“huecos” que existían en el material tipo P y al tratar de pasar nuevamente al material
tipo N se encuentran con la barrera de potencial que existe en el diodo y que no
pueden atravesar porque en el instante en que se produce esta mínima corriente de
transición la zona de empobrecimiento obtiene más potencial ya que los materiales N
y P se van quedando sin portadores de carga mayoritarios y la intensidad del campo
eléctrico entre las zonas de empobrecimiento aumenta hasta que el potencial a través
de estas regiones es igual al de la fuente, por esta razón es que no hay conducción de
corriente a través del diodo así se aumente la magnitud de la fuente de voltaje y como
la corriente de transición es tan pero tan pequeña el tester no es capaz de medirla
porque no tiene tanta precisión, además del hecho de que esto ocurre en
nanosegundos, por otro lado, ésta aumenta siempre que la zona de empobrecimiento
se agranda y como esta zona no puede crecer más la corriente de transición se
mantiene constante con un valor muy cercano a cero.

Cuando la zona de deplexión ya no puede crecer más dentro del diodo, habrán
electrones que se posicionarán en los pocos huecos disponibles que quedan, los otros
electrones que no alcanzaron a tomar un hueco y quedaron por fuera del diodo
adquieren un aumento en su energía cinética gracias a la excitación de la fuente
haciendo que traspasen la barrera de potencial y como cuentan con una gran energía
cinética estos al llegar al material de tipo N rompen los enlaces covalentes que
golpean dejando ahora más electrones libres y estos a su vez rompen otros enlaces
covalentes dejando una gran cantidad de electrones libres que se sentirán atraídos
por la placa positiva de la fuente creando el efecto avalancha, a la magnitud de este
potencial cuando ocurre el efecto avalancha se le conoce como voltaje de ruptura, el cual
no se sobrepaso en la práctica ya que suele ser mayor a 30 o 40 voltios para diodos
rectificadores.

Como se vio anteriormente en polarización inversa el diodo no conduce corriente, así,

aunque se pueden tomar dos puntos de voltaje en la gráfica para realizar el cálculo de
la resistencia interna con la fórmula, a la hora de tomar sus respectivos puntos de
corriente no se podrá llegar a un valor cuantitativo conveniente, ya que, en cualquier
punto se encuentra el valor de cero, por eso a la hora de utilizar el concepto de límite
para realizar el cálculo de dichas diferenciales de esta función, esta tiende a infinito,
de ahí, el comportamiento de la resistencia interna del diodo de germanio en
polarización inversa.

Polarización directa del diodo de silicio

En la gráfica 3 se aprecia en polarización directa el diodo de silicio , es decir, cuando la
corriente circula de positivo a negativo por el diodo en disposición [ P-N] a partir de
alrededor de 0,5V con una corriente muy pequeña (0,001 mA), al que posiblemente puede
ser el voltaje umbral o de barrera . Sin embargo, generalmente este tipo de diodos poseen
un voltaje umbral de 0,7 V ; lo cual puede cuestionarse que la circulación de esta
corriente (0,001mA) puede representar una corriente de fuga, dado por las impurezas del
efecto joule ó otro tipo de excitación que genera el flujo de portadores de carga en poca
cantidad. Al consultar este comportamiento con la hoja de datos del diodo (Data Sheet),
dada por el fabricante; se deniega esta especulación, ya que confirma la conducción de
corriente en polarización directa a partir de un voltaje de 0,5 V aproximadamente.
Posteriormente al comparar la curva Corriente - Voltaje experimental con la dada por el
fabricante, se comprueba el funcionamiento exitoso del diodo, que parte de 0,5V aprox. a
conducir corriente y su comportamiento efectivamente es potencial.
La corriente aumenta linealmente con respecto al voltaje; asi como tambien la resistencia
disminuye finitamente en el diodo permitiendo mayor cantidad de flujo de corriente; Ya
que estos dispositivos soportan una corriente, voltaje límite dado por cada fabricante en
su hoja de datos.

Polarización inversa del diodo de silicio

La curva característica de un diodo muestra que éste no conduce corriente cuando se

encuentra polarizado inversamente, sin embargo, cuando se supera cierta tensión de
ruptura aparece el efecto avalancha, lo que provoca que la magnitud de la corriente
comience a elevarse de una manera muy rápida. A diferencia del diodo de germanio, en
este caso, sí se sobrepasó la tensión de ruptura, permitiendo comprobar
experimentalmente el efecto avalancha, para ello recurrimos a la gráfica 4, en donde se
puede observar este comportamiento claramente, cuanto mayor es el voltaje de entrada,
mayor es la corriente que circula en inversa por el diodo. El problema de experimentar
este fenómeno se encuentra cuando la corriente aumenta demasiado, pues cada diodo
tiene una especificación con respecto a la corriente máxima soportada, lo que llevaría a la
destrucción del diodo.

La resistencia en continua del diodo de silicio con polarización inversa es

considerablemente grande, pues como ya se vió la corriente es mínima para voltajes
pequeños. En nuestro caso, el valor fue de 180 kΩ, el cual supera en varios órdenes de
magnitud a la resistencia interna del diodo. Desde este mismo enfoque se logra deducir
que la resistencia va ir disminuyendo a medida que el voltaje se acerca a la tensión de
ruptura.

5. CONCLUSIONES

● La relación entre la corriente y el voltaje en un diodo no es lineal, por lo tanto la

resistencia varía según la corriente.
 ● Un diodo se comporta como una resistencia, al vencer la barrera energética
necesaria para su conducción (Voltaje Umbral) y aumentar linealmente su
potencial como lo describe la ley de Ohm en los resistores.

● A partir del voltaje de umbral, la resistencia másica del diodo se comporta de

manera lineal y es igual a la inversa de la pendiente de la gráfica de corriente vs
voltaje.

● En polarización directa la resistencia del diodo disminuye, mientras que en

inversa, su valor crece.

● Por más que se aumente la amplitud de la fuente en polarización inversa no va a

existir conducción de corriente, ya que la barrera de potencial en este caso
aumenta hasta igualarse a dicha amplitud.

● En polarización inversa, en el momento en que la zona de deplexión ya no puede

crecer dentro del diodo para igualar el potencial suministrado por la fuente,
actuará en él el efecto avalancha, a la magnitud de este potencial cuando ocurre el
efecto avalancha se le conoce como voltaje de ruptura.

● se pudo establecer comparación y diferencia directa para los diodos como lo es

claramente que la función de los diodos es la de permitir el paso de la corriente en
una dirección determinada, pero cada diodo trabaja distinto con diferente voltaje
de umbral y a distintas frecuencias, por lo cual sus aplicaciones son distintas.

6. BIBLIOGRAFÍA

● http://www.nxp.com/documents/data_sheet/1N4148_1N4448.pdf
● http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-
diodo-silicio-lista_153695/
● http://www.academia.edu/8495120/INFORME_DE_ELECTR%C3%93NICA_B
%C3%81SICA_DIODOS_RECTIFICADORES_Tabla_de_contenido
● http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina
11.htm

TABLA RESUMEN DE APORTES AL INFORME

NUM NOMBRE OBJ INTRO MONT RES Y CONCL OTROS
(%) (%) EXP DISC (%) (%)
(%) (%)

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