INTRODUCCIÓN.

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a
la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor
más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después
del oxígeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

Se dice que un semiconductor es intrínseco cuando se encuentra en estado puro, o

sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia
al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción. Un semiconductor extrínseco es
aquel en el que se han introducido pequeñas cantidades de una impureza con el objeto
de aumentar la conductividad eléctrica del material a la temperatura ambiente. A este
proceso se le conoce como dopado. Así, por ejemplo, el número de portadores
negativos (electrones) puede aumentar si se dopa el material con átomos de un
elemento que tenga más electrones de valencia que el que compone dicho material

semiconductor. El nivel de dopado no debe de ser muy alto (un átomo por cada 10 9
átomos del material de partida) para que sea efectivo.

Para fines de esta investigación se considerarán tres clasificaciones de los materiales

semiconductores: los elementos simples y los compuestos.

En este documento se expondrán los principales materiales semiconductores que se

aplican al campo de la ingeniería biomédica. Se examinarán sus características más
sobresalientes, su estructura y en qué campos específicos de la ingeniería se aplican.

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  Materiales semiconductores

Los primeros semiconductores utilizados para fines técnicos fueron pequeños detectores
diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se
conocían como “de galena”. Ese nombre lo tomó el radiorreceptor de la pequeña piedra
de galena o sulfuro de plomo (PbS) que hacía la función de diodo y que tenían instalado
para sintonizar las emisoras de radio. La sintonización se obtenía moviendo una aguja que
tenía dispuesta sobre la superficie de la piedra.Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie
conocía que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.

En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos
cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica
variaba cuando el material se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al
desarrollo de las celdas fotoeléctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William
Shockley, investigador también de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden,
desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
“transistor” y que se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna. Los
"semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin
embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación
de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de
corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica.
Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos con. características de
semiconductores, identificados con su correspondiente. número atómico y grupo al
que pertenecen.

Los que aparecen con fondo. Gris corresponden a “metales”, los de fondo
verde a“metaloides” y los de. fondo azul a “no metales”. Esos elementos
semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica constituyen
la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos
detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados.

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 EL SILICIO

Es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla

periódica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos de símbolo Si.
Es un sólido no magnético que presenta una estructura
cristalina cúbica centrada en las caras. El silicio es el
elemento electropositivo más abundante de la corteza
terrestre. Es un metaloide con marcado lustre metálico y
sumamente quebradizo. Por lo regular, es tetravalente en sus
compuestos, aunque algunas veces es divalente, y es
netamente electropositivo en su comportamiento químico. Además, se conocen compuestos
de silicio pentacoordinados y hexacoordinados.

El silicio natural contiene 92.2% del isótopo de masa número 28, 4.7% de silicio-29 y 3.1%
de silicio-30. Además de estos isótopos naturales estables, se conocen varios isótopos
radiactivos artificiales. El silicio elemental tiene las propiedades
físicas de los metaloides, parecidas a las del germanio, situado debajo
de él en el grupo IV de la tabla periódica. En su forma más pura, el
silicio es un semiconductor intrínseco, aunque la intensidad de su
semiconducción se ve enormemente incrementada al introducir
pequeñas cantidades de impurezas. El silicio se parece a los metales
en su comportamiento químico. Es casi tan electropositivo como el estaño y mucho más
positivo que el germanio o el plomo. De acuerdo con este carácter más bien metálico, forma
iones tetrapositivos y diversos compuestos covalentes; aparece como un ion negativo sólo en
unos pocos siliciuros y como un constituyente positivo de oxiácidos o aniones complejos.

Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo que
la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisáceo y brillo metálico.

Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina es
muy duro y poco soluble y presenta un brillo metálico y color grisáceo.

Se utiliza en aleaciones, en la preparación de las siliconas y tiene un interés especial en la

industria electrónica y microelectrónica como material básico para la creación chips que se

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pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrónicos.
Por sus propiedades semiconductoras se usa en la fabricación de transistores, células solares y
todo tipo de dispositivos semiconductores. Otros importantes usos del silicio son:

 Se usa en láseres para obtener una luz con una longitud de onda de 456 nm.

 La silicona se usa en medicina en implantes de seno y lentes de contacto.

Una de las propiedades más destacable del Silicio orgánico es que colabora o favorece la
síntesis de colágeno lo cual es básico en la formación del tejido conjuntivo. Esto hará que sus
beneficios sean muy diversos y afecten a partes muy distintas de nuestro organismo.

Es un ingrediente que se está utilizando con profusión en la formulación de productos

dermofarmacéuticos: reorganiza las membranas celulares, haciéndolas más resistentes al
ataque de los radicales libres y, por tanto, al envejecimiento.

La unión de moléculas de silicio a proteínas y mucopolisacáridos, rodeadas de moléculas de

agua unidas por puentes de hidrógeno, simula un tejido que es capaz de mantener la
hidratación de la epidermis. Estimula el funcionamiento de las células de la dermis y del
folículo piloso (fibroblastos y queratinocitos). Tiene propiedades semiconductoras, se usa en
la fabricación de transistores, células solares.

Los nanocristales de Si luminiscentes (partículas de nano-silicio) se utilizan como

generadores eficaces de moléculas de oxígeno singlete (1O2). El objetivo es desarrollar
materiales biocompatibles y respetuosos con el medio ambiente, así como prototipos de
sistemas capaces de competir con los fotosensibilizadores (PS) existentes en las aplicaciones
fotoquímicas, biológicas y médicas.

En la terapia fotodinámica (TFD) de tumores, se administra un fotosensibilizador a

lospacientes y a continuación se irradia la masa tumoral con una fuente de luz de longitud de
onda apropiada. Aunque se corre el riesgo de que la oxidación provoque daños, se ha
demostrado que los efectos indirectos contribuyen realmente a la aniquilación de los tumores.
Actualmente ya se utiliza una serie de fotosensibilizadores (PS) en la praxis clínica. Los
miembros del proyecto desarrollaron el primer fotosensibilizador para TFD en estado sólido.
Se trata de un polvo formado por partículas de nano-silicio cuyas dimensiones se hallan en
el orden de micrómetros o incluso por debajo, capaz de producir oxígeno singlete.

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 EL GERMANIO.
El germanio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales. Este tipo
de elementos tienen propiedades intermedias entre metales
y no metales. En cuanto a su conductividad eléctrica, este
tipo de materiales al que pertenece el germanio, son
semiconductores. El estado del germanio en su forma
natural es sólido. El germanio es un elemento químico de
aspecto blanco
grisáceo y
pertenece al grupo
de los metaloides. El número atómico del germanio es
32. El símbolo químico del germanio es Ge. Elemento
químico, metálico, gris plata, quebradizo, símbolo Ge,
número atómico 32, peso atómico 72.59, punto de fusión 937.4ºC (1719ºF) y punto de
ebullición 2830ºC (5130ºF), con propiedades entre el silicio y estaño. El germanio se
encuentra muy distribuido en la corteza terrestre con una abundancia de 6.7 partes por millón
(ppm). El germanio se halla como sulfuro o está asociado a los sulfuros minerales de otros
elementos, en particular con los del cobre, zinc, plomo, estaño y antimonio.

El germanio tiene una apariencia metálica, pero

exhibe las propiedades físicas y químicas de un
metal sólo en condiciones especiales, dado que está
localizado en la tabla periódica en donde ocurre la
transición de metales a no metales. A temperatura
ambiente hay poca indicación de flujo plástico y, en
consecuencia, se comporta como un material
quebradizo. El germanio es divalente o tetravalente.
Los compuestos divalentes (óxido, sulfuro y los
halogenuros) se oxidan o reducen con facilidad. Los compuestos tetravalentes son más
estables. Los compuestos órgano-germánicos son numerosos y, en este aspecto, el germanio
se parece al silicio. El interés en los compuestos órgano-germánicos se centra en su acción
biológica. El germanio y sus derivados parecen tener una toxicidad menor en los mamíferos

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que los compuestos de estaño o plomo. El germanio presenta la misma estructura cristalina
que el diamante. En la figura de la izquierda se puede observar la celda unitaria del germanio.

Debido a las propiedades antes mencionadas, el germanio tiene un sinnúmero de aplicaciones

en la rama de instrumentación biomédica. En la
instrumentación biomédica, ya sea el silicio como el
germanio puros pueden ser utilizados como
semiconductores intrínsecos, los cuales forman el
punto de partida para la fabricación de diferentes
componentes esenciales para la fabricación de
equipos médicos, como son los diodos, transistores,
circuitos integrados, entre otros. Cada uno de ellos
tienen cuatro electrones de valencia, pero el
germanio a una determinada temperatura tiene más electrones libres y una mayor
conductividad. El silicio es de lejos, el semiconductor más ampliamente utilizado en
electrónica, particularmente porque se puede usar a mucha mayor temperatura que el
germanio.

Actualmente se están llevando a cabo estudios acerca de las posibilidades de usar este
elemento semiconductor en el tratamiento de cáncer por medio de las quimioterapias. Hay
algunos indicios de que puede ayudar al sistema inmunológico de pacientes con cáncer, pero
esto todavía no está probado. Actualmente el germanio está considerado como un peligro
potencial para la salud cuando se utiliza como suplemento nutricional

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 ANTIMONIURO DE INDIO

El Antimoniuro de Indio es un compuesto de indio y antimonio como su nombre lo indica.

Es un semiconductor de banda prohibida, similar al arseniuro de
galio y su fórmula molecular InSb. El antimoniuro de indio es
un sólido que tiene una estructura cristalina cúbica, lo cual le da
la (macroscópicamente) apariencia de cristales oscuros grises
vítreos de densidad alta y con una masa molar de 236.58 g/mol.

Al calentarse por encima de los 500ºC se descompone, liberando antimonio y óxido de

antimonio. El compuesto sin dopar a 300K posee la mayor movilidad electrónica, velocidad
de deriva y transporte balístico de todos los materiales conocidos, solo siendo superado por
los nanotubos de carbono. Su conductividad térmica es de 180 m-1•Ω-1

Una lámina del compuesto entra láminas de antimoniuro de aluminio-indio actúa como pozo
cuántico. Este efecto es utilizable en la construcción de
transistores de alta velocidad, en el orden de los GHz.

Este compuesto es utilizado en detectores de infrarrojos

como las cámaras termográficas como las utilizadas en
los hospitales para contribuir al diagnóstico médico
puesto que el mayor valor clínico de la termografía esta
es su alta sensibilidad a la patología en los sistemas vasculares, musculares, nervioso y óseo

Otra aplicación se encuentra en la producción de radiación terahertz que es un tipo de

radiación electromagnética no ionizante que no daña tejidos o el ADN. La radiación terahertz
puede también detectar diferencias en el contenido de agua y la densidad del tejido. Estos
métodos pueden permitir la detección eficaz del cáncer epitelial con un sistema más seguro
y menos doloroso por medio de la utilización de imágenes.

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 NITRURO DE GALIO-INDIO

El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho

de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de
semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de
indio en la aleación. En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente
0.02/0.98 y 0.3/0.7.

El InGaN está en una de las capas emisoras de luz de los modernos LEDs de color azul y
verde. Comúnmente el compuesto es crecido en una base de GaN sobre un substrato
transparente.

Tiene alta capacidad calorífica y baja sensibilidad a la radiación, lo que hace un material
adecuado para construir células fotoeléctricas, especialmente para arreglos usados en
satélites.

La emisión de luz desde la capa con InGaN crecido sobre capas intermedias de GaN usados
en LEDs azules y verdes se espera sea atenuada debido a la recombinación no radiactiva
producida por tales efectos, componentes presentes en algunos elementos de la
instrumentación biomédica

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 ARSENIURO DE INDIO

El Arseniuro de indio (InAs) o también llamado monoarseniuro de indio, es un compuesto

semiconductor formado por indio y arsénico. Tiene la
apariencia de cristales cúbicos de color gris con un punto
de fusión de 942 ºC, y una densidad de 5670 kg/m3; 5,67
g/cm3. El arseniuro de indio es bien conocido por su alta
movilidad de electrones y la energía de banda prohibida
estrecha. Es ampliamente utilizado como fuente de
radiación de terahercios

En el área biomédica resulta muy útil la utilización de receptores de advertencia, y sensores

de temperatura, el cual, viene incluido a los detectores infrarrojos. La emisividad de la piel
humana es muy alta lo que permite, mediante la radiación infrarroja emitida, medir las
diferentes temperaturas de los seres vivos a lo largo de su cuerpo. Esta es captada
por los detectores, medida por sensores y convertida a
imágenes. Este tipo de avance tecnológico ayuda a
obtener y comparar con los rangos obtenidos u
observados del paciente.

Termografía

La termografía es un proceso de obtención de imágenes

fisiológicas que brinda información sobre el
funcionamiento normal o anormal del sistema nervioso, vascular, músculo-esquelético y
procesos de inflamación local. Solamente tiene en cuenta el infrarrojo irradiado por el cuerpo.

Para esta técnica se emplea un teletermógrafo que es capaz de detectar a distancias mínimas
intensidades de radiación infrarroja y contiene un sistema óptico que focaliza la radiación
infrarroja sobre un detector, el cual es capaz de emitir una mínima señal eléctrica cada vez
que un fotón infrarrojo de un intervalo de longitud de onda determinado, incide en su
superficie.En la actualidad, la aplicación más común de la termografía es la detección del
cáncer de mama. Investigación sobre semiconductores alternativos en el Laboratorio de
Tecnología deMicrosistemas del MIT ha conseguido desarrollar el transistor más pequeño de
la historia con un material. El material utilizado es, concretamente, el arseniuro de indio y
galio, un semiconductor de indio, galio y arsénico con gran velocidad de operación y longitud
de onda.
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  CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de

corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al
movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se
producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas
positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al
grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le
introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la
corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de
la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su
resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No

existen electrones ni huecos libres

La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio

podemos observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan
la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos
unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de
que los electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los
cuatro átomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se
muestra en la figura de arriba en la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre
y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros

átomos vecinos para así formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en
la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el
cero absoluto, el cristal tendrá tan poca energía que no hará posible la conducción
eléctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos
electrones adquieren suficiente energía para romper el enlace del que forman parte
y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formación de un espacio vacío, que

}}
por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo denomina
hueco.El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose
un cierto número de electrones.

En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes

uniones entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y
como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura
siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la
unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo,
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente
Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por
tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al
electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.
Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su
posición inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el
electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste.

 Semiconductores intrínsecos

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina

semiconductor intrínseco. Los más empleados históricamente son el germanio (Ge)
y el silicio (Si); siendo éste último el más empleado (por ser mucho más abundante
y poder trabajar a temperaturas mayores que el germanio). Cada átomo de un
semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones de valencia), que
comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De esta
manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa., formando una red
cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por
consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material
en circunstancias normales se comporta como un aislante. Sin embargo, al
aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos pueden
separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad
aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben
suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través
de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, se les

}}
somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en
la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga
positiva. Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La
conducción eléctrica a través de un semiconductor es el resultado del movimiento
de electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones
opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los
electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos,
originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo
positivo de la pila (cátodo), mientras que los huecos pueden considerarse como
portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado
ánodo (hay que considerar que por el conductor exterior sólo circulan los electrones
que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos sólo existen en el seno del cristal
semiconductor).

 Semiconductores extrínsecos

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso

de impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros
elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominará semiconductor extrínseco. Según la impureza (llamada dopante)
distinguimos: Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3 electrones
de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que
no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en
la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los
4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de
electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se
le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones). Semiconductor tipo N:
Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones de
valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante
aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán
fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina también donador de electrones.
}}
tipos de materiales intrínsecos y extrínsecos

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque

solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En un
semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los
electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos
con lo que la corriente total es cero. La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones
libres a circular hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los huecos
hacia la izquierda.

Simulación

En este applet podemos ver mediante una animación en que dirección se mueven los
electrones y los huecos en un semiconductor intrínseco.

Cuando los electrones libres llegan la extremo derecho del cristal, entran al conductor externo
(normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia el terminal positivo de la batería. Por otro
lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirían hacia el extremos
izquierdo del cristal. Así entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al
extremo izquierdo del cristal. Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro
del semiconductor.Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta
como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo
el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla
periódica se indican en la tabla adjunta.

Electrones en
Elemento Grupos
la última capa

Cd 12 2 e-

Al, Ga, B, In 13 3 e-

Si, C, Ge 14 4 e-

P, As, Sb 15 5 e-

Se, Te, (S) 16 6 e-

}}
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque de
idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13
con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S Cd).
Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrínsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano
por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

El proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energético correspondiente en la banda de conducción a un hueco en la banda de
valencia, liberando así energía. Este fenómeno se conoce como "recombinación". A una
determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se
igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple entonces que:

}}
ni = n = p

donde ni es la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

temperatura y del elemento en cuestión.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos
próximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección
contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducción.

Semiconductores extrínsecos

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas deberán formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

8.

Semiconductor tipo N un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de

dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número
de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los
átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del
silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma

}}
un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla periódica —p. ej., fósforo (P),
arsénico (As) o antimonio (Sb)—, se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de
silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este
electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones
en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los
átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados
átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un
ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
eléctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los
átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor
y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
átomo tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B,
In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo
tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrará en condición de
aceptar un electrón libre.

Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se
ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son
añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen
impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera
natural.
}}
9.

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos

comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está
formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel
atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente
con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del
funcionamiento de la energía solar fotovoltaica.

Unión directa

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de una batería a la parte P de la unión P - N y

el negativo a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.

El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente
a decir que empuja los huecos hacia la unión p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta que
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la batería se consume.

Unión inversa

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona
n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del
cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería.
A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren
estabilidad (4 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga
eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que
han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones
de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los
electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y
una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería. En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente;
sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos
lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada
corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial
de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de
la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad
a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente
superficial de fugas es usualmente despreciable. Sin embargo, existen ciertas aplicaciones
especiales de bajo consumo donde es necesario saber cuánto valen dichas corrientes.

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10.

Una de las claves cruciales en la electrónica de estado sólido es la naturaleza de la unión P-

N. Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unión se
comporta de manera muy diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos.
Específicamente, la corriente fluirá fácilmente en una dirección (polarización directa) pero
no en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico. Este comportamiento no
reversible, surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos de
materiales.

Los círculos vacíos en el lado izquierdo de la unión de arriba a la derecha, representan

"huecos" o deficiencias de electrones en la red, que pueden actuar como portadores de carga
positiva. Los círculos sólidos a la derecha de la unión representan los electrones disponibles
desde el dopante de tipo n. Cerca de la unión, los electrones se difunden a su través y se
combinan con los agujeros, creando una "región de depleción". El croquis de nivel de energía
de arriba a la derecha, es una forma de visualizar la condición de equilibrio de la unión P-N.
La dirección ascendente en el diagrama representa la energía creciente de electrones.

11. curvas de operación

Transistor de unión bipolar

En realidad sí que hay un pequeño aumento de la corriente de colector a medida que aumenta
(en valor absoluto) la tensión VCB. Es decir, las curvas no son perfectamente horizontales
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sino que tienen una pequeña pendiente positiva. Esto se debe al efecto Early o de modulación
de anchura de la base. Al aumentar el módulo de la tensión VCB (recordemos que es positiva
del lado del colector para un transistor pnp) estamos aumentando la polarización inversa de
la unión de colector. Esto hará que la zona de carga espacial correspondiente a esta unión
aumente, por lo que la anchura efectiva de la base (donde existen portadores) disminuirá.
Esta disminución de la anchura efectiva de la base tendrá como consecuencia que los
portadores inyectados por el emisor van a tenerlo más fácil a la hora de atravesar la misma.
Es decir, aumentará en número de portadores que llegarán al Tema 4. El Transistor de Unión
Bipolar. 93 colector o, lo que es lo mismo, aumentará . Si aumenta y si tenemos en cuenta
que IC = IE . Para un determinado valor de IE, a medida que aumenta VCB aumenta y
por lo tanto aumenta IC. Figura 4.17.- Efecto Early en las características de salida. No
obstante, esta dependencia de IC con VCB es apenas apreciable ya que aunque, efectivamente
se produzca un aumento de , el valor del mismo siempre será muy próximo a la unidad por
lo que se seguirá cumpliendo que C E I I . De ahí que las curvas, en la zona activa, incluso
considerando el efecto Early sean prácticamente horizontales, es decir, el dispositivo, en esta
zona se comporta como una fuente de corriente.

Transistor de efecto de campo

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del MOSFET
de enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET de
agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de
aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el
canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET

con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la
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puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son
comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V.
Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de
tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida
del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta
fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.

Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.

Tiristores

Para comprender mejor la explicación dada hasta este momento sobre el funcionamiento del
tiristor, será conveniente que veamos la curva característica de este componente, al igual que
hicimos en la sección del diodo con dicho semiconductor, ya que esta curva nos va a aclarar
posibles dudas sobre el modo de comportarse el tiristor.

Esta curva la podemos ver en el gráfico como un tiristor

imaginario, que podemos comparar, para la mejor
comprensión, con la curva característica del diodo.
Ahora, vemos representadas en primer lugar las
características que presenta el tiristor en estado de paso
de corriente directa. Hay inicialmente, una característica
de bloqueo en el momento del paso de la corriente en
sentido directo, que viene representado por toda la linea
A. Aquí crece la tensión directa sin que el tiristor
permita el paso de la corriente. Pero cuado esta alcanza
un determinado punto conocido con el nombre de tensión de operación, el tiristor permite el
paso de la corriente en sentido directo, lo que se representa por la linea ascendente B. Ahora
la corriente de paso directo es elevada.
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Cuando la corriente directa desciende de valor se mantiene hasta la llamada corriente de
retención o corriente de mantenimieto (C), por debajo de la cual se interrumpe el paso de la
corriente en sentido directo.

En el sentido inverso , el tiristor se comporta como un diodo normal, es decir, impidieno el

paso de la corriente, aunque opsee, al igual que el diodo Zener, un acodamiento en la curva
característica a la cual, no obsante y en servicio normal, no suele llegarse.

De acuerdo con lo dicho, vemos que el tiristor de u modo parecido a un diodo normal si no
fuera por la 'falla' que se produce en su curva característica los puntos O-C-D, como se ve en
el segundo gráfico en donde la corriente debe sufrir
como un disparo para conseguir el paso en el sentido
directo. En realidad, cuando la tensión entre ánodo
y cátodo crece apartir de cero (ahora nos referimos
a una tensión nula entre electrodo de gobierno y
cátodo) el punto representativo se desplaza porla
curva O-C hasta obtener el valor V2 de la tensión
con un valor de intensidad muy débil. En el
momento de llegar a V2 la conducción en sentido
directo aparece brucamente, de modo instantaneo,
entre C-D de forma que aquí se mantiene la misma
intensidad, pero para una tensión muy inferior. Si la tensión aumenta el paso de la corrente
aumenta también pero muy rápidamente a través de la curva D-B, con fuertes intensidades
para tensiones muy pequeñas.

Para un mejor conocimiento final del tiristor vamos a hacer un resumen de su maner de
actuar. para ello vamos a considerar las tres posibilidades que se le presentan y que son:

a) sin tensión en el electrodo de gobierno.

b) con tensión alterna entre ánodo y cátodo.

c) con tensión positiva aplicada al electrodo de gobierno.

a) El funcionamiento es el explicado anteriormente y corresponde al trazo gruezo de la curva

del último gráfico. En resumen podemos decir: Si el valor de la tensión se mantiene a la
izquierda del punto V1 existe una avalancha tipo Zener en sentido inverso; pero si la tensión
se mantiene entre V1 y O solamente puede existir una ligera corriente de fuga en sentido
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inverso de valor despreciable.

· Entre O y V2 no hay corriente de paso directo (salvo una despreciable corriente de fuga).

· En el punto V2 se produce el cebado y el tiristor permite el paso de grandes corrientes por

D-B. Para que el aso de la corriente se interrumpa se precisa que la intensidad baje por debajo
de los valores de la corriente de mantenimiento (I1) que corresponde a los puntos D-C. En
este momento el tiristor se bloquea instantáneamente.

b) El tiristor es ante todo es un diodo rectificaador de modo que se utiliza también formando
parte de puentes de diodosrectificadores en los altenadores. Dadas las características
expuestas hasta ahora cabe preguntarse: ¿Cómo actúa este elemento frente a una corriente
alterna que aplica, por consiguiente una tensión alterna entre ánodo y cátodo en donde las
tensiones están comprendidas entre V1 y V2? La respuesta es sencilla. Se comporta omo un
diodo normal porque al llegar la tensión a V2 cierra el circuito y se hace pasante.

c) Si la tensión positiva se aplica al electrodo de electrodo el circuito O-C-D queda sustituido

por O-C1-D1, de modo que se modifica suscaracerísticas de isparo a la corriente directa. Pero
según el valor de las tensiones sobre el electrodo de disparo se tendrían valores como O-C2-
D2 o bien O-C3-D3, etc. De ello se deduce que el cebado producido para el paso de la
corriente directa es permitido o facilitado por la existencia de una tensión e el electrodo de
gobierno. Esta nueva faceta del tiristor será también de gran interés ara muchas de sus
aplicaciones.

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 CONCLUSIONES.

Gracias a los datos recabados en la investigación y a las fuentes de información consultadas,

se pudo conocer las principales características de los materiales semiconductores más
importantes. Asimismo se pudo tomar conciencia de todas las ventajas y aplicaciones, junto
con la gran importancia que tienen estos materiales en el mundo de la ingeniería biomédica.
Aunque estos materiales no son tan numerosos como los metales o polímeros dentro del área
de la ingeniería biomédica, juegan un papel muy importante en el desarrollo de la
instrumentación biomédica. Sin estos materiales, sería imposible alcanzar el grado de
tecnología actual y equipo tan importante como rayos X, equipos de medicina nuclear y de
imagenología. Asimismo, por medio de esta investigación se alcanzó un panorama general
de la situación de los semiconductores en la actualidad. Ahora, estos materiales no solo se
limitan a meras aplicaciones de instrumentación, sino que gracias a varios de estos materiales
es posible fabricar prótesis o incluso injertos de piel inteligente que en un futuro serán
aprovechados por el personal en los hospitales. Asimismo la investigación de estos materiales
tan interesantes ha llevado a la innovación y mejoramiento en las técnicas quirúrgicas y de
tratamiento para el paciente. Es ahí donde radica la importancia de los materiales
semiconductores. Es importante que un ingeniero biomédico conozca estos materiales, junto
con sus características, ya que ellos brindan las herramientas necesarias el mejoramiento y la
introducción hacia nuevos horizontes en la medicina.

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15-2-2014 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

-PROPIEDADES DE LOS MATERIALES-

DOCENTE: ING.SAUL BENJAMIN VILLEDA

SANCHEZ.

INTEGRANTES:
 Jorge Luis Méndez Garcia
 Luis Fernando Guerrero Briones

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