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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
Facultad de Ingeniería de Ingeniería de sistemas e
Informática

“Evolución de las memorias principales RAM,


ROM, PROM y otros aportes”

Informe
Para el curso de Computación e Informática a
cargo de Mg. Carlos A. Cánepa

Huarez Arévalo Diego


Inche Arzápalo Álvaro
Jiménez Huerta Jack Alexander
López Ochoa Nikol
Marquina Mora Milagros Julisa

Lima-Perú
2017
Evolución y clasificación de las memorias
principales RAM, ROM, PROM y otros
aportes

1.- Dispositivos primarios:

Los Dispositivos primarios también conocidos como memoria principal de las


computadoras, incluyen las memorias semiconductoras y la caché. Las
memorias semiconductoras forman un grupo muy importante de las memorias
primarias porque es la tecnológica que usan las memorias RAM y ROM que son
las memorias más utilizadas hoy en día en las computadoras, igual que las
memorias Caché de nivel I, II y III para almacenar datos de instrucciones.

Tipos de memorias semiconductoras y sus características generales (Pasi, 2006).


1.1.- Memorias semiconductoras:

Las memorias semiconductoras son llamadas así porque hacen uso de circuitos
integrados de dos tipos de transistores con características semiconductoras. Los
transistores que usan son de dos tipos, transistores bipolar y unipolar. Los
circuitos integrados de transistores unipolares usan transistores MOS o CMOS y
el bipolar usan los transistores TTL, ECL o Schottky TTL (Pardo Collantes, 2006).
De los dos tipos de circuitos integrados el de transistores bipolares es el más
rápido ya que usan transistores TTL y tienen baja (Packing density) densidad
con bajo tiempo de acceso.
La característica más notable de las memorias semiconductoras es que
son muy pequeñas, tienen alta velocidad, alrededor de 4.5ns para las memorias
SRAM. Se operan con baja alimentación y pueden ser no-volátil (ROM) y volátil
(RAM).

1.1.1.-Memoria RAM (Random-Access Memory):

Es una de las partes más significativas de la computadora, ya que nos permite


ejecutar programas y acceder aleatoriamente a los datos. Las memorias RAM
son aquellas que permiten accesos de lectura y escritura de datos e
instrucciones por parte del procesador o cualquier otro dispositivo con capacidad
para ello. Tienen la particularidad de que mantienen el dato mientras tienen
energía, y lo pierden si esta falla, por lo que también se les llama Volátiles
(Ricardo, 2003).
Las primeras memorias RAM se fabricaron con elementos toscos basados en
medios magnéticos; con la aparición de los semiconductores surgieron las RAM
transistorizadas. Estas se componen de una matriz de elementos de
almacenamiento (flip-flop o biestables) más una lógica combinacional de acceso.
Son memorias bastante rápidas, pero limitadas en el aspecto de la integración.
Debido a esta limitación aparecieron las memorias RAM llamadas dinámicas, en
las cuales los elementos de almacenamiento se simplifican mucho a cambio de
que la persistencia del dato almacenado que tiene un límite si no es reescrito con
cierta periodicidad (refresco). La simplificación de la celda implica mayor
capacidad de integración lo que permite fabricar memorias de mayor capacidad
al mismo costo (con el mismo número de transistores), pero a cambio presentan
un mayor tiempo de acceso; en parte por la necesidad de refrescamiento, que
obliga a detener todo acceso durante el tiempo que dura este proceso, y en parte
por el método de acceso que varía ligeramente (Pardo Collantes, 2006).

A.-Módulos de Memorias RAM:


Los computadores modernos implementan sus sistemas de memoria principal
en base a módulos de memoria. Estos módulos son pequeñas tarjetas de circuito
impreso que disponen de los chips de memoria en cantidad y organización
adecuada para el tamaño de palabra soportado por la arquitectura del
procesador utilizado. Estas tarjetas de circuito se insertan en zócalos (memory
sockets) previstos en las placas principales (motherboards) de los computadores
a tales efectos (UDELAR, 2014).
Algunos ejemplos de estos módulos son:

SIMM
Estos fueron los primeros módulos en imponerse en la industria del PC. La sigla
significa Single In-line Memory Module, ya que si bien la placa de circuito tenía
contactos en ambas caras estos eran en realidad redundantes. Existieron en dos
variantes:
- 30 contactos o pines (para buses de memoria de 8 bits)

Figura 1.5 Un SIMM de 30 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros (Plano
frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).


- 72 contactos o pines (para buses de memoria de 32 bits)

Figura 1.6 Un SIMM de 72 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros (Plano
frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).


DIMM

Fueron la evolución de los SIMM asociados con la aparición de las SDRAM y la


arquitectura de memoria de 64 bits (aun para procesadores de 32 bits). La sigla
significa Dual In-line Memory Module. Existen variantes con distinta cantidad de
contactos.
- 168 contactos o pines (utilizado con memorias SDRAM)

Figura 1.7 SDRAM DIMM de 168 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros
(Plano frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).

Memorias RAM tipo DIMM. Imagen de: Dsimic. Bajo licencia: CC BY-SA 4.0.


RIMM
Son los módulos utilizados para memorias con tecnología Rambus. También hay variantes
con distinta cantidad de contactos.

- 184 contactos o pines (utilizado en sistemas de memoria con buses de 16 bits)


Módulo del RIMM de 184 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros (Plano
frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).

B.- Desarrollo evolutivo de tipos de Memoria DRAM (Memoria de


acceso aleatorio dinámica):

Se puede hacer un breve resumen de los varios tipos de memoria DRAM. Como
se puede observar las memorias DRAM empezaron su desarrollo en el año 1987
y mientras que fueron mejorando, la característica en que más se mejoró fue la
velocidad del reloj. Esto fue gracias a los diferentes modos de acceso
implementado en los procesadores como por ejemplo el “Modo de Ráfaga” y
mejor uso de cada ciclo de transferencia.

B.1.-SDRAM (Synchronous DRAM de Estándar JEDEC):

Las Synchronous DRAM utilizan un reloj para marcar los tiempos de los ciclos
de lectura o escritura y mantener en sincronismo la memoria con el resto del
sistema (en particular con la CPU). Este sincronismo le permite mejorar los
tiempos de acceso a un 20% con respecto a las memorias EDO, ya que permite
un modo de ráfaga de 5-1-1-1. Además de ser más rápida el SDRAM puede
suportar sistemas de 133MHz (7.5ns), casi todas las computadoras de 1998-
2002 tenía el SDRAM incluido. El SDRAM se vende en forma del módulo DIMM
de 168-pin (Mueller, 2011). Las SDRAM se sub-clasifican en función de la
frecuencia del reloj para la que están diseñadas, para lo que se utiliza una
clasificación propuesta por Intel en su especificación del computador tipo PC,
como son: 66 MHz, 100 MHz y 133 MHz.

B.2.-DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM):

Estas memorias también son del estándar JEDEC, utilizan ambos flancos del
reloj para realizar las operaciones, de allí que reciben el nombre de Double Data
Rate (Transferencia de Datos Doble). En vez de realizar una sola transferencia
de datos por cada ciclo, como el SDRAM el DDR SDRAM realice 2
transferencias. Una de ellos en la cabeza del ciclo y el otro en el trasero. Esto
proceso hace que se duplique la razón de reloj y también la razón de
transferencia.
Figura 1.12 SDR vs DDR (Mueller, 2011).

B.3.-DDR2 SDRAM:

Son la evolución tecnológica de las DDR, con un diseño pensado en aumentar


la frecuencia de trabajo. Son técnicamente incompatibles (trabajan a otro voltaje
de alimentación y poseen un encapsulado totalmente distinto).

B.4.-DDR3 SDRAM:

Son el siguiente paso en la evolución tecnológica de las DDR, con mayor


frecuencia de trabajo y menor consumo (basado en un voltaje de trabajo menor).
También son técnicamente incompatibles con las DDR2 y las DDR.

Memoria RAM. Imagen de: Tobias b köhler. Bajo licencia: CC BY-SA 3.0.

C.- Problemas de las memorias RAM:

A veces las problemas de la RAM pueden ser causados por la fluctuación en la


fuente de alimentación, o cuando se apaga la computadora quitando la
alimentación y no por la vía recomendable del “start menu”. Algunos de los
síntomas de los dispositivos de memoria RAM con deficiencias se muestran a
continuación:
La computadora se congela mientras se está trabajando
Se reinicia el dispositivo sin recibir el comando de reiniciar
Problemas para arrancar el sistema operativo
BSOD (Blue Screen Stop Error), la pantalla se queda en azul
La pantalla se queda completamente negra en el “start up”

No es tan fácil diagnosticar un problema de la computadora como problema de


la RAM. La mayoría de los sistemas de computadora de hoy en día llevan más
de una tarjeta RAM, puede fallar una y las otras estar en perfecto funcionamiento.
Cuando en una computadora se comiencen a observar los síntomas
mencionados anteriormente, será recomendable para el usuario que realicé
algunos análisis y pruebas para saber en qué estado está la memoria RAM.

1.1.2.- Memoria ROM:


La memoria ROM (Read Only Memory), se refiere a la memoria especial
generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque
de la máquina y de diagnósticos (Batista et al., 2010). La mayoría de los
computadores personales tienen una pequeña cantidad de ROM de algunos
Kbytes. Las memorias ROM son difíciles de sobrescribir y modificar. Además,
las ROM son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos
periféricos tales como impresoras láser, cuyos 'fonts' están almacenados en
ROM. Una ROM de m x n es un arreglo de celdas binarias organizadas en m
palabras de n bits cada una. Tienen k líneas de entrada de dirección para
seleccionar una de 2𝑘 = m palabras de memoria, y n líneas de salida, una para
cada bit de la palabra.

A.- Tipos de Memoria ROM:


- PROM
Las PROM son Programmable ROM. Una PROM es una ROM cuyo contenido
puede ser definido posterior a su construcción, mediante la programación que se
realiza utilizando un circuito electrónico especial (Programador de PROM). En
esencia son ROM que tienen conexiones realizadas mediante fusibles, que se
queman al momento de "programar" el contenido de la PROM. Si se quiere
grabar un 0 se quema el fusible de la conexión a Vcc y si se quiere grabar un 1,
se quema el fusible de la conexión a tierra. Estos fusibles no pueden
reconstruirse. Cuando se graba una PROM con un cierto contenido no hay
marcha atrás. La memoria PROM permite una sola grabación y es más cara que
la ROM.
- EPROM
Una EPROM es una ROM que puede ser borrada. El mecanismo de borrado es
totalmente distinto al de programación e implica un proceso de exposición del
circuito a luz ultravioleta por varios minutos. La gran ventaja es que se puede
reutilizar las EPROM muchas veces borrando su contenido y grabando uno
nuevo. Para ello las EPROM disponen de una ventana transparente en el
encapsulado cerámico o plástico del circuito integrado. Su capacidad de desde
algunos kilobits hasta del orden de 8 Megabits. Muchas veces están organizadas
en palabras de 8 bits (byte). Este tipo de memoria es más cara que la memoria
PROM.

- EEPROM
Las EPROM si bien solucionan el problema de la re-usabilidad de este tipo de
memorias, todavía tienen el inconveniente que este proceso es sumamente
lento, complejo y requiere retirar la EPROM del sistema para realizar el borrado.
Es así que surgieron las EEPROM (Electrical EPROM), o sea una EPROM cuyo
proceso de borrado se hace eléctricamente y puede efectuarse sin retirar el
circuito integrado del sistema. Posee otra diferencia importante con la EPROM:
una EEPROM normalmente tiene la capacidad de borrar cada bit en forma
individual (también hay implementaciones que borran una palabra completa en
cada operación de borrado). Típicamente se utilizan para almacenar los datos
de configuración de un sistema. Tienen una capacidad de hasta del orden de
128 kbits. Es frecuente que estén organizadas en palabras de un solo bit.

B.- Otros Tipos de Memorias ROM:


Además de las memorias ROM mencionada anteriormente existen diferentes
memorias de tipo ROM que contienen datos esenciales para iniciar el ordenador,
entre ellas están:
- El BIOS, es un programa que permite controlar las principales interfaces de
entrada-salida, de ahí el nombre BIOS ROM que a veces se le da al chip de la
memoria de sólo lectura de la placa madre que lo aloja.
- El cargador de Bootstrap; programa para cargar memorias (de acceso
aleatorio) al sistema operativo y ejecutarlas; generalmente busca el sistema
operativo de la unidad de disquetes y luego el disco duro, lo que permite que el
sistema operativo se ejecute desde el sistema de disquetes en el caso de que
ocurra algún desperfecto en el sistema instalado en el disco duro.
- La Configuración CMOS, es la pantalla que se visualiza al iniciarse el
ordenador. Se utiliza para modificar los parámetros del sistema (a menudo
erróneamente llamada BIOS).

- La Auto-prueba de Encendido (POST), es un programa que se ejecuta


automáticamente cuando arranca el sistema, permitiendo de esta manera probar
dicho sistema “testear” (razón por la cual el sistema "cuenta" la RAM en el inicio).

1.2.- Memoria Caché:

La memoria SRAM caché opera por encima o a la velocidad de procesador y es


la memoria de donde el procesador normalmente escribe o lee directamente.
Esto permite que se comporte como un buffer entre la el procesador y la memoria
DRAM que es más lenta. El controlador del cache lo que se hace es prever las
necesidades de la memoria del procesador y realiza una pre-carga de la cache
de alta velocidad, con datos. Entonces cuando el procesador hace una llamada
para la dirección de una memoria, el dato se retira de la cache de alta velocidad
en vez de la memoria principal que es de tipo DRAM y más lenta.
La efectividad del caché se mide en “hit ratio”. Esto es la proporción de acceso
exitoso al caché comparado a la cantidad de accesos intentados. Un acceso
exitoso (“hit”) ocurre cuando el dato que necesita el procesador esta precargado
de la memoria principal al cache y el procesador puede leer ese dato directo del
cache. Un fallo en acceso (‘miss’) ocurre cuando el controlador del cache es
incapaz de prever lo que necesita el procesador y como resultado el dato no fue
precargado en el cache de alta velocidad. En este caso el procesador tiene que
retirar el dato de la memoria principal que será, en la mayoría de los caso más
lenta. Para minimizar los fallos de acceso (“miss”) los sistemas modernos
emplean dos o tres niveles de cache, L1, L2 y L3. Los tres niveles actúan como
apoyo para cada cual, es decir si el dato necesario para el procesador no está
en la cache L1 el procesador lo busca en el L2 y así sucesivamente.

A. Caché Interna L1:


La cache de L1 es también conocida como cache interna porque siempre está
integrada en el procesador. Por esta razón opera a la misma velocidad del
procesador y es la cache más rápida de los 3 niveles. Esto significa que el
procesador puede acceder a la cache sin ningún estado de espera (“wait”). Sin
una cache interna el procesador que es evidentemente más rápida que la
memoria principal de los sistemas, será forzado más frecuente, a esperar a las
memorias tipo DRAM, las más lentas del sistema. Los sistemas modernos que
llevan este tipo de cache son los de procesador 486 hacia arriba.

B.- Caché L2:


La caché L2 es muy similar a la L1, en el sentido que operan a la misma velocidad
del procesador. La cache L2 elimina cualquier demora adicional cuando hay un
fallo en la cache L1. Tiene el mismo funcionamiento que la caché L1 y viene con
la mayoría de los sistemas modernos.

C.- Caché L3:


La cache L3 solo aparece en los sistemas de alto rendimiento, por ejemplo en
los servidores. El funcionamiento no cambia en esta cache, es como apoyo
adicional a los otros dos niveles de cache que pueden tener fallos aunque sea la
probabilidad muy pequeña. No era muy popular en los procesadores anteriores
pero hoy en día se está haciendo más popular en los sistemas más rápidos como
son los procesadores Intel Core i7 y el AMD Phenom II.

2.- Dispositivos secundarios:

Los dispositivos secundarios no son Volátiles. La computadora y otros


dispositivos de computación normalmente acceden a estos tipos de dispositivos
por canales de input/output donde se pueden transferir los datos deseados
utilizando áreas intermedias de almacenamiento primario. Entre los dispositivos
secundarios utilizados en la actualidad están las memorias magnéticas, los
ópticos, y las memorias que son de tecnología FLASH que está basada en las
memorias EEPROM de los dispositivos semiconductoras.

2.1.- Memoria Flash:


Son más baratas que las memorias EEPROM. Este tipo de memoria es
una variante de las EEPROM que se desarrolló con el objetivo de mejorar el
tiempo de borrado, de forma de habilitar su uso para aplicaciones de
almacenamiento masivo, son más pequeñas y por lo tanto fáciles de transportar.
Además la velocidad es mucho mayor con respecto a las otras memorias
existentes debido a su capacidad de borrar y escribir en una misma operación.
Si bien el nombre está asociado al concepto de velocidad (lo que se corresponde
con lo antedicho), el nombre se origina en la similitud que uno de sus creadores
veía entre el proceso de borrado y el destello del Flash de una cámara de fotos.
Su aplicación más difundida es la de almacenamiento masivo (reemplazo de
discos duros o disquetes), ya que su tiempo de acceso es en varias órdenes de
magnitud menor que la de dichos dispositivos. Las capacidades de los chips llega
en la actualidad al orden de 256 Gbits, y están organizados en palabras de 8 o,
más habitualmente, 16 bits.

A.-Principios de Funcionamiento:
Las memorias Flash están fabricadas con compuertas lógicas NOR y NAND para
almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes.

Tabla de verdad de las compuertas NOR y NAND (Castañeda Centeno, 2010)

Contienen una matriz de filas y columnas con celdas que tienen dos transistores
en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información,
pero las más actuales memorias Flash, pueden almacenar más de un bit por
celda variando el número de electrones que almacenan. Los dos transistores
están separados por una fina capa de óxido. Uno de los transistores recibe el
nombre de floating gate. El otro es el control gate.
Las compuertas de tipo NOR permiten una lectura y escritura más lenta que
NAND, pero archiva muy rápido las rutas de acceso aleatorias. Esto hace que
NOR sea más adecuado para la ejecución y almacenamiento de comandos,
mientras que NAND es más indicado para el almacenamiento masivo de datos.
En cuanto a la arquitectura, NAND puede almacenar más datos en un espacio
de silicio más pequeño, lo que ahorra el costo por bit (Castañeda Centeno, 2010).
En el pasado, cuando el almacenamiento de datos era más bajo, NOR tuvo
mayor influencia en el mercado. Hoy, debido al gran incremento de la necesidad
de guardar más datos, el consumo de la electrónica y el negocio de los
dispositivos, NAND ha superado a los NOR.

B.- Tipos de memoria Flash:


Hay dos formas de clasificar las memorias Flash, según su funcionamiento
interno (NAND y NOR) y según su formato físico y su utilización (tarjetas de
memoria y pen drives).

- Tarjetas de memoria. Debido a su tamaño de aproximadamente 24 a


37mm en largo, 36 a 50mm en ancho y altura de aproximadamente 1mm
o menos, son dispositivos pensados para estar dentro de otro dispositivo
electrónico (cámara, PDAS, móvil) Ejemplos: Memory Stick, Tarjetas
SD (Secure Digital), Flash Compacto (Compact Flash)

- USB Flash Drive: Es un tipo de memoria que lleva una memoria Flash
en su interior y un conector USB que nos permite conectarlos
directamente al ordenador. Son dispositivos removible y pueden ser
reescrito. Cuando se conecta una memoria USB Flash el dispositivo le
reconociese como un dispositivo de almacenamiento masivo y le asigna
una letra (drive letter). Las memorias Flash son pensados para ser
usados como discos duros portátiles pero de tamaño reducido que
permite llevarlos "encima" sin problemas. Se pueden usar de llaveros ya
que son bastante resistentes a caídas y golpes. La ventaja de estos
dispositivos es que se conectan directamente al ordenador y no requieren
instalación de software adicional.

C.- Memorias Flash en la actualidad:


En la actualidad el desarrollo de las memorias Flash es mucho más rápido en
comparación con otras memorias. Esto es posible gracias al uso personal que
se le dan a estas memorias tanto en los reproductores portátiles de MP3 y DVDs
como en los teléfonos móviles, que permite seguir invirtiendo en el desarrollo de
tecnología para las memorias Flash. Presentado en el año 2008, está en pleno
auge la transición de dispositivos USB 2.0 a USB 3.0. La principal novedad
técnica del puerto USB 3.0 es que eleva a 4,8 Gbit/s (600 MB/s) la capacidad de
transferencia que en la actualidad es de 480 Mbit/s. Se mantendrá el cableado
interno de cobre para asegurarse la compatibilidad con las tecnologías USB 1.0
y 2.0. Si en USB 2.0 el cable dispone de cuatro líneas, un par para datos, una de
corriente y una de toma de tierra, en el USB 3.0 se añaden cinco líneas. Dos de
ellas se usarán para el envío de información y otras dos para la recepción, de
forma que se permite el tráfico bidireccional, en ambos sentidos al mismo tiempo.
El aumento del número de líneas permite incrementar la velocidad de transmisión
desde los 480 Mbit/s hasta los 4,8 Gbit/s.

2.2.- Memoria óptica:

Los discos ópticos emplean una luz láser en lugar de un imán para leer y escribir
bits de datos en una capa reflectante. Esta capa está protegida por una superficie
de plástico transparente que permite que la luz pase. La capacidad de los discos
ópticos varía en función de su tipo y del número de capas de datos que
contengan. La velocidad de lectura y de escritura depende del dispositivo
lector/grabador.
Los primeros medios ópticos empleados fueron los CD-ROM (Compact
Disc-Read Only Memory). Son discos de sólo lectura, que sólo se pueden escribir
una vez. Emplean la misma tecnología que los CD de audio. El CD es un
estándar creado en 1985 por Sony y Philips para almacenar audio digital, si bien
su uso se ha extendido como soporte de almacenamiento de datos, al ser un
método económico y de capacidad similar a los discos duros de la misma época.
Además como medio de distribución de contenidos por parte de la industria
(discográfica en el caso del CD), también se empezaron a emplear rápidamente
(y todavía se sigue haciendo) como medio de distribución de software o incluso
como medio para realizar copias de seguridad (Osvaldo Torres, 2012). Hoy en
día, esta última ha quedado en desuso por la gran diferencia entre la capacidad
de almacenamiento de medios magnéticos y ópticos en general.

3.- Referencias Bibliográficas:

- Navarro Cadavid, A.Rengifo Gómez J. , Orozco Velez, J.L. , Solis, R.,


Arbelaez, Buenaventura A., N & Cagueñas Rozo, D. (2013). ¿De que
hablamos cuando hablamos de memoria?. Santiago de Cali: Universidad
Icesi.
- PARDO COLLANTES, D. B. V., LUIS A 2006. Fundamentos de Electrónica Digital
Salamanca Universidad de Salamanca

- PASI, M. 2006. Memorias de semiconductores

- - BATISTA, Y. G. M., PRIETO, S. R., SAQUIPOVA, D. Y. T. & FERNANDEZ, S. G. 2010.


Curso Optativo Semi-Presencial Arquitectura de Maquinas Computadoras para la
Universidad de las ciencias Informáticas.
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