Sunteți pe pagina 1din 5

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatica si Microelectronica

Raport
Lucrare de laborator nr.6
la Circuite și Dispozitive Electronice
Tema:
Studierea etajelor amplificatoare cu tranzistoare

Student:

Profesor:

Chişinău – 2017
Tema: Studierea etajelor amplificatoare cu tranzistoare.

Scopul lucrării: studierea funcționării etajelor amplificatoare de tensiune de bandă largă, în cuplaj RC,
echipate cu tranzistoare bipolare în conexiune EC, BC, și CC fără reacție și în conexiune EX cu reacție
negativă de curent. Ridicarea caracteristicilor de amplitudine și de frecvență pentru toate montajele și
cazurile studiate.

Schemele electrice principale ale etajelor de amplificare:

Figura 1. Schema EC.

Figura 2. Schema BC.


Figura 3. Schema CC.

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de transfera amplificatorului EC fără reacție.

Uint, mV 0 1 5 10 20 30 40 50 75 100

Uieș, V 0 0.058 0.27 0.56 0.9 1.23 1.5 1.78 2.2 2.46

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de transfer a amplificatorului EC cu reacție negativă.

Uint, 0 10 50 100 250 500 800 1000 1300 1500 1800 2000 2500
mV

Uieș, V 0 0.46 0.18 0.37 1.14 1.6 1.8 2.2 2.2 2.3 2.3 2.3 2.3

Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de transfer aleamplificatoarelor BC și EC.

Uint, mV 0 1 5 10 20 30 40 50 75 100

Uieș, BC 0 0.00053 0.0002 0.00044 0.00084 0.00096 0.001 0.0011 0.0012 0.00144

V CC 0 0.0009 0.0046 0.0094 0.018 0.028 0.036 0.045 0.069 0.094


E.C. reacție E.C. fără reacție

C.C.
B.C.
negativă

Ku =

Ku =
Calcule:

𝑈𝑖𝑒𝑠
𝑈𝑖𝑛𝑡
f, Hz

Ln(f)

Rg = 1 kΩ

0.01
Frecvența

Uint = 10mV
Ku
Ku
Ku
Ku
65

0.0025
Eg = 10,2 mV
Uies,V

Uies, V
Uies, V
2.30 0.1 0.0001 20 0.2 1.4 0.014 1.6 0.016 10

4.094 0.4 0.0004 64 0.64 1.5 0.015 8 0.08 60

4.605 0.6 0.0006 70 0.7 1.5 0.015 13 0.13 100

5.298 0.8 0.0008 74 0.74 1.5 0.015 12 0.12 200

5.99 0.9 0.0009 75 0.75 1.5 0.015 21 0.21 400

6.68 0.9 0.0009 76 0.76 1.5 0.015 35 0.35 800

6.90 0.9 0.0009 77 0.77 1.5 0.015 45 0.45 103

8.517 0.9 0.0009 78 0.78 1.5 0.015 47 0.47 5*103


Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de frecvență.

9.210 0.9 0.0009 78 0.78 1.5 0.015 53 0.53 104

10.819 0.9 0.0009 78 0.78 1.5 0.015 51 0.51 5*104

11.53 0.9 0.0009 72 0.72 1.5 0.015 50 0.5 105

12.206 0.9 0.0009 59 0.59 1.5 0.015 42 0.42 2*105

13.12 0.9 0.0009 33 0.33 1.3 0.013 24 0.24 5*105

13.81 0.9 0.0009 15 0.15 1.2 0.012 10 0.1 106

14.5 0.7 0.0007 5 0.05 1.1 0.011 14 0.014 2*106

15.42 0.6 0.0006 1 0.01 1.1 0.011 4 0.04 5*106


Iint=0.016*10-3=16*10-6

Uint = 10µV

EG=16.2mV

𝐸𝐺 −𝑈𝑖𝑛𝑡 16.2−10−6
Iint= 𝑅𝑔
= 103 = 0.016

EG=4.95mV

𝐸𝐺 −𝑈𝑖𝑛𝑡 4.95−10−6
Iint= 𝑅𝑔
= 103 = 0.00495

EG=5.82mV

𝐸𝐺 −𝑈𝑖𝑛𝑡 5.82−10−6
Iint= = = 0.00582
𝑅𝑔 103

EG=16.2mV

Caracteristica de transfer si caracteristicile de fregventa a amplificatoarelor

Anexa 1.

Concluzii:
In urma efectuarii lucrarii laborator nr. 6 am studiat etajele de aplificare cu tranzistoare de tensiune de
bandă largă, în cuplaj RC, echipate cu tranzistoare bipolare în conexiune EC, BC și CC fără reacție și în
conexiune EC cu reacție negativă de curent. La fel am ridicat caracteristicile de amplitudine și de frecvență
pentru toate montajele și cazurile studiate.