EEA Jonctiunea PN 2017

Elemente de Electronică
Analogică (EEA)
1. Dispozitive Electronice
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Dispozitive electronice:
• Procese electronice în dispozitive

semiconductoare de circuit;
• Joncţiunea P-N;
• Circuite elementare cu diode;
• Tranzistoare bipolare (TBIP);
• Principii de realizare a circuitelor integrate
liniare.
1
Joncţiunea P-N
1. Procese fizice
Joncţiunea P-N
Joncţiunea P-N este un semiconductor eterogen format din două regiuni
distincte
• una este dopată cu impurităţi acceptoare, iar
• cealaltă cu impurităţi donoare;
Cele două regiuni formează o singură reţea cristalină.
Material de tip P Material de tip N Joncţiunea P-N ideală

ALLPORT, Christopher, SINES, Paul, SCHREINER, Brandon & DAS, Biswajit
Department of Computer Science & Electrical Engineering, West Virginia University, USA
Doparea diferită se realizează prin procedee tehnologice adecvate.
2
Analiză
Presupunere
existenţa unei joncţiuni P-N în care în zona P s-a folosit
o concentraţie de impurităţi acceptoare, pp
p p  Na
iar in zona N, s-a folosit o concentraţie de impurităţi nn  N d

donoare, nn
practic sunt ionizate în întregime la temperatura

camerei,
Analiză (2)
3
Analiză (3)
© Analog Devices
Nivelul Fermi în semiconductor
Tip P (stânga) şi de tip N (dreapta)

4
Faptul că cele două regiuni de tip diferit sunt una lângă alta face ca în
dreptul joncţiunii golurile din zona P să difuzeze în zona N;
golurile pătrunse în zona N se recombină rapid cu electronii care sunt
majoritari;
acelaşi lucru se întâmplă cu electronii din zona N care difuzează în zona P;
rezultă că apare un curent de difuzie.
Prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a

joncţiunii apare o zonă cu sarcină negativă care este sarcina ionilor acceptori
pentru neutralizarea cărora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, în zona N;
această sarcină spaţială fixă crează un câmp electric, ρ(x), care duce la
aparitia unui curent de câmp ce se opune curentului de difuzie.
Deci, în dreptul joncţiunii apare o barieră de potenţial care duce, prin

curentul de câmp, la starea de echilibru; deci, prin joncţiune, la echilibru
termodinamic, nu există un transport net de purtători.
Nivelul Fermi în semiconductor (2)
Tip P Ge dopat cu Ga
Tip N Ge dopat cu As
wanda.fiu.edu
5
wanda.fiu.edu
wanda.fiu.edu
6
In regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar
conductibilităţile electrice vor fi:
- în regiunea p:  p  q p p p
- în regiunea n:  n  q n p n
unde :
μp mobilitatea purtătorilor de tip p
pp concentraţia purtătorilor de tip p
μn mobilitatea purtătorilor de tip n
pn concentraţia purtătorilor de tip n
valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună.

În primă aproximaţie, se presupune că rezistenţa electrică a acestor zone
este suficient de mică astfel încât pot fi neglijate căderile de tensiune
corespunzătoare. În aceste condiţii, limitarea curentului prin joncţiune va fi
determinată de regiunea de trecere în care numărul de purtători mobili de
sarcină este mai mic.
Joncţiunea P-N
2. Echilibru termodinamic
7
Se determină:
• lungimea regiunii de trecere, l=lp+ln
• înălţimea barierei de potenţial, U0
Aproximaţii:
ni2
p p  n p p p n p  ni2 p p  Na np 
Na
n2
nn  pn nn pn  ni2 nn  N d pn  i
Nd
Model unidimensional
Lungimea regiuni de trecere

Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:
 lp  x  0   q N a  p ( x)  n( x)  qN a

0  x  ln   qN d  p ( x)  n( x)  qN d
în zona de trecere p(x) şi n(x) sunt neglijabile, regiune golită de purtători mobili de sarcină
sunt neglijabile, regiune golită de purtători mobili de sarcină
Concluzie:
• pentru semiconductorul P:  2  qN a  qp p
• pentru semiconductorul N: 1  qN d  qnn
8
Se determină variaţia lui u(x) în
regiunea de trecere:
u2(x) şi u1(x)
Se rezolvă ecuaţia lui Poisson în

cele două regiuni şi se pun
condiţiile de continuitate în origine:

u  

Unde ε = εrε0 este permitivitatea electrică a materialului semiconductor
Zona 2
d 2u2 ( x) qp p

dx 2 
du 2 ( x)
cu condiţiile la limită: u 2 ( x) x   l  0 0
p
dx x   l p
du2 ( x) qp p qp p l p
Integrând:  x  C1 C1 
dx  
x  l p  u2 ( x)  12  p x  l p 2  C2
du2 ( x) qp p qp

dx 
C2  0 u2 ( x) 
1 qp p
x  l p 2
2 
9
Zona 1
d 2u1 ( x) qpn

dx 2 
du1 ( x)
cu condiţiile la limită: u1 ( x) x ln  0 0
n
dx x ln
du1 ( x) qn qnn ln n
Integrând:   n x  C3 C3 
dx  
du1 ( x)
  n x  ln  u1 ( x)  
qn 1 qnn
x  ln 2  C4
dx  2 
C4  U 0 u1 ( x)  U 0 
1 qnn
x  ln 2
2 
Racordarea soluţiilor:
• Pentru: x= 0 u1 (0)  u2 (0)
U0 
1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
2 
lp 
2 
ln 
2
nnln2  p p l p2  
du1 ( x) du 2 ( x ) qp p qnn
 lp  ln
dx x 0 dx x 0  
lp nn
nnln  p p l p 
ln pp
10
Racordarea soluţiilor (2):
nn
Avem: l  ln  l p lp  l
p p  nn
1q l 2 p 2p l 2 nn2 
U0  nn 
2   nn  p p 2 nn  p p 2 
p p
Se deduce lungimea zonei de trecere:

2U 0 p p  nn
l
q p p nn
Observaţii:
• lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
• regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.
Înălţimea barierei de potenţial

Varianta 1:
dp
La echilibru termic: j p  qp p E  qD p 0
dx
dn
jn  qn n E  qDn 0
dx
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
Se deduc: E  E
 p p dx q p dx q n dx
du kT dp kT dn
Dar: E du   
dx q p q n
kT p ( x) kT n( x)
u ( x)   ln  ln
q pc q nc
pc, nc constante de integrare
11
Înălţimea barierei de potenţial (2)
Concentraţiile de purtători:
qu ( x ) qu ( x )

p ( x )  pc e kT
n( x)  nc e kT
Condiţii la limită:
x   u  0  p  pp ; n  np  pc  p p ; nc  n p
x   u  U0  p  pn ; n  nn
qU 0 qU 0

pn  p p e kT
nn  n p e kT
kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0  ln  ln  ln 2  ln
q np q pn q ni q ni2
Înălţimea barierei de potenţial (3)

Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi,
rezultă valori de ordinul zecimi de V:
N a  1015 / cm3 ;
N d  1018 / cm3 ; U 0  0,777 V
ni2  10 20 / cm 6
12
Varianta 2
Se foloseşte structura de benzi
energetice ale semiconductorului:
Se constată:
 2  1
 2  1  qU 0 ; U 0 
q
dar:
W  1 W   2
 
p (ln )  pn   p e kT ; p ( l p )  p p   p e kT
W  1 W   2   2  1  2  1 qU 0
   
pn   n e kT
  ne kT
 p pe kT
 p pe kT
2 1   2   1 1  2  1  2  1
    
n(l p )  n p   n e kT
  ne kT
  ne kT
e kT
 nn e kT
Se obţin imediat relaţii identice cu cele obţinute prin metoda

anterioară.
Joncţiunea P-N
3. Joncţiunea P‐N cu tensiune aplicată
13
Regim de echilibru termodinamic
• 4 componente ale curentului

• Numărul de purtători care difuzează
(purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de U0
iD  i pM  i pm  inM  inm  0
Regim de echilibru termodinamic (2)
14
Aplicare tensiune inversă:

Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în
imediata vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de
perechi de purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel,
curentul invers este un curent de generare.
iD  i pM  i pm  inM  inm  0
Aplicare tensiune directă:
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere,
în zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de şi nu
pătrund mai mult de . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obtine curentul direct
care este un curent de recombinare.
iD  i pM  i pm  inM  inm  0
Concluzii:
Curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele
joncţiunii.
i 
i pM  i pm  i pm  pM  1  i pm  f (u D )  1
 i pm 
Cu condiţia: f(0)=1
La fel şi pentru electroni. Rezultă curentul prin joncţiune de forma:
i D  i pm  f (u D )  1  inm  f (u D )  1  I 0  f (u D )  1
I 0  i pm  inm curent de saturaţie
15
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune
Aproximaţii pentru calcul:
• joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;

• fluxuri unidimensionale de purtători;
• regiunea de trecere complet golită de purtători;
• în regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
• lungimile de difuzie sunt mai mici decât lungimile zonelor neutre
(aproximaţia de diodă groasă);
• joncţiune abruptă;
• se neglijează rezistenţele zonelor neutre;
• se neglijează efectele de suprafaţă;
• se consideră temperaturi ambiante; impurităţile sunt ionizate
complet.
curent-tensiune (2)
Densitatea curentului
electric este aceeaşi în
orice secţiune:
L p  ln  x   purtătorii de sarcină sunt numai electroni; există

curent de câmp;
ln  x  L p  ln componenta de difuzie a golurilor

componenta de câmp a electronilor
 l p  x  l n se neglijează generarea -recombinarea de purtători;

densităţile de curent rămân constante;
Similar în zona P
16
curent-tensiune (3)
Condiţii la limită:
Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0  U 0  uD
2U 0' p p  nn u Polarizare directă: l < l0
l  l0 1  D
q p p nn U0 Polarizare inversă: l > l0
La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:
qU 0' qU 0 qu D qu D
 
p(l n )  p p e kT
 ppe kT
e kT
 pn e kT Condiţiile la limită de tip
Shockley;
qU 0' qU 0 qu D qu D
  uD>0 apare o injecţie de
n(l p )  nn e kT
 nn e kT
e kT
 npe kT
purtători
curent-tensiune (4)
Densitatea de curent: j D  jn  j p
j n  j n camp  j n dif j p  j p camp  j p dif
În semiconductorul de tip P: p>>n
dn dn
j D  qp p E p  qDn  qn n E p  qp p E p  qDn
dx dx
curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de câmp de goluri – neglijabil
Similar în semiconductorul de tip N: n>>p
dp
jD  qn  n En  qD p
dx
17
curent-tensiune (5)
Continuitate în regiunea de trecere (la limite):

dn dp
j D  qDn  qp p E p x   l j D   qD p  qn n E n x ln
dx x   l p p dx x  l n
dp dp dn
qp p E p   qD p j D  qD p  qDn
x  l p dx x l n dx x  ln dx x   l p
Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional de purtători:
p p  p0 1 dj p j p ( x)  qD p
dp
  0
t p q dx dx
p  p0 1 d  dp  d 2 p ( x) p ( x)  p n
Rezultă:     qD p   0 cu: p  p ( x) şi:  0
p q dx  dx  dx 2 L2p
x x

p ( x)  p n  Ae  Be
Lp Lp
Soluţia:
curent-tensiune (6)
;
x x

p( x)  pn  Ae  Be
Lp Lp
Soluţia:
cu condiţia la limită: x

x p ( x)  p n  B  0 p( x)  pn  Ae
Lp
Condiţia la limită Shockley:

qu D qu D ln
x  ln p (l n )  p n e kT
A  p n (e kT
 1)e
Lp
x ln
qu D 
p ( x )  p n  p n (e  1)e
Lp
kT
Pentru uD= 0 p(x)=p0 (echilibru termodinamic)
Pentru uD>0 apare concentraţia în exces care dispare după x>Lp
Se calculează curentul de goluri:

x  ln
1 
qu D qu D
dp qD p pn
j p (ln )   qD p   qD p pn (e kT  1)(  (e kT  1)
Lp
)e
dx x ln Lp Lp
x ln
18
curent-tensiune (7)
;
qDn n p qu D
Analog: jn ( l p )  (e kT
 1)
Ln
qD p p n qu D
qDn n p qu D
Rezultă: jD  (e kT
 1)  (e kT
 1)
Lp Ln
Considerând A aria transversală a joncţiunii: iD  Aj D
 qD p qD n  qu D
iD  A p n  n p (e kT  1)
 Lp Ln 
qu D
considerăm: i D  I 0 (e kT
 1)
 qD p qD n 
I 0  A p n  n p 
 Lp Ln 
I0 curentul de saturaţie
curent-tensiune (8)
;
kT kT
Pentru: u D  0 u D  (  26mV )
q q
qu D
la temperatura ambiantă, rezultă: iD  I 0 e kT
Pentru: uD  0 u D 
kT
q
iD   I 0
Semnificaţia curentului de saturaţie:
 qD p pn qDn n p   qD p ni2 qDn ni2   qD 
I 0  A   A    A p 1  qDn 1 ni2
 L Ln   L N 
Ln N a   Ln N a 
 p  p d  Lp N d
W W
 
Deoarece: ni  ct.T e
2 3 kT
I 0  ct.T 3 e kT
Concluzie: I0 se dublează la fiecare 100C pentru Ge şi la 60C pentru Si

I0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime)
19
Joncţiunea P-N
5. Caracteristica diodei reale
Caracteristica diodei
Caracteristica ideală a diodei:
 qu D 
iD  I 0  e kT  1
 
 
20
Caracteristica unei diode reale
Caracteristica unei diode reale:
zona I – zona caracteristicii ideale;
zona III – zona curenţilor mari - contează rezisţentele zonelor
neutre – apare o tendinţă de liniarizare a caracteristicii;
zona II – zona curenţilor direcţi de valoare mică – nu se mai pot
neglija fenomenele de generare-recombinare din regiunea de
trecere (care creşte); se obţine o caracteristică de tipul :
qu D
kT Cu valori pentru η de circa 1,2 (pentru Ge) şi, respectiv
e de 1- 1.5 (pentru Si)
zona IV – zona tensiunilor inverse mici (normale);

curentul invers are mai multe componente:
• curentul de saturaţie al joncţiunii (constant);
• curentul de generare din regiunea de trecere (creşte odată cu creşterea valorii inverse a
tensiunii aplicate);
• curentul de pierderi la suprafaţă (dependent de tensiunea aplicată)
Ponderile acestor componente sunt diferite în funcţie de material.
zona V – zona tensiunilor inverse mari, în care curentul invers creşte nelimitat (poate fi limitat
numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene:
• fenomen Zener – smulgerea de purtători din reţea prin câmp electric;
• fenomen de multiplicare în avalanşă – producere de purtători prin generare sau prin câmp
electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reţeaua şi smulgerea altor purtători.
Caracteristica unei diode reale (2)
Curentul invers prin dioadă (negativ): iinvers  MI 0
1
Coeficient de multiplicare în avalanşă: M m
u 
1   D 
 U str 
U str tensiune de străpungere – dependentă de

concentraţiile de impurităţi;
m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7

pentru Ge tip PN+, Si.
21
Caracteristica unei diode reale (3)
Aproximarea caracteristicilor:
dioda ideala;
dioda idealizată, cu tensiune de prag, UD cu valori de 0,2-0,3V pentru Ge

şi 0,6V pentru Si (la curenţi relativ mici);
dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie.
Curentul invers se neglijează, practic, întotdeauna; eventual se ţine

seama de rezistenţa de pierderi, de valoare foarte mare.
Joncţiunea P-N
6. Regimul dinamic al joncţiunii PN
22
Circuit de polarizare
Determinarea PSF
PSF (Punctul Static de Funcţionare)
UD , ID
Ecuaţii: E  RiD  uD
M  I D ,U D 
iD  iD uD 
PSF
dreapta de funcţionare statică
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de

funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient
de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
23
Determinarea PSF (2)
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de
funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient
de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
Este necesar un model (o schema echivalentă) valabil pentru regimul

dinamic şi anume pentru determinarea curentului prin circuit şi a tensiunii
la bornele diodei.
Model la frecvenţe joase

Se pot neglija fenomenele reactive şi modelul va fi
caracterizat printr-o rezistenţă dinamică.
u D  U D  ud
Fie: 
iD  I D  id
componente PSF şi componente variabile
 qu D   q U D ud    qU D qud 
iD  I 0  e kT  1  I 0  e kT  1  I 0  e kT e kT  1 
     
 qU D
 qu    qU D
 qu
qU D
 I 0  e kT 1  d   1  I 0  e kT  1  I 0 d e kT
  kT     kT
qU D
qud
Rezultă: id  I 0 e kT
kT
24
Rezistenţa dinamică
ud kT 1 kT
rd   
id q qU D
kT
q( I D  I 0 )
I 0e
La polarizare directă: kT
U D  0, U D   0,026 V
q
rd 
kT

kT vT
 rd 
vT 26
 ;   mV 
q( I D  I 0 ) qI D I D ID ID mA
kT
La polarizare inversă: U D  0, U D 
q
kT
rd  foarte mare
qI 0
Model la frecvenţe înalte

Apar elemente capacitive:
• datorită sarcinilor fixe din regiunea de trecere
• datorită sarcinilor mobile din zonele în care are loc difuzia de
purtători de sarcină
Capacitatea de barieră
Sarcina acumulată în regiunea de trecere
(sarcină electron ●concentraţie● volum):
nn
Qb  qN a AL p  qN a A l
nn  p p
nn u
Qb  qN a A l0 1  D uD  Qb  Cb
nn  p p U0
25
Model la frecvenţe înalte (2)
dQb nn  1 1  1 Cb 0
Cb   qN a A l0    Cb  ;
du D nn  p p  2 U0  1 U D U
M
1 D
U0 U0
nn
qN a A l0
nn  p p
Cb 0  Cb0 este proporţional cu aria joncţiunii;
2U 0
Cb 0
În funcţie de profilul de impurităţi Cb  m Cu m având valori
 uD 
se obţin relaţii de forma: 1   cuprinse între 0,3 si 0,5.
 U0 
De regulă, are efect negativ (întârzie răspunsul la frecvenţe înalte).
Aplicaţie: Se foloseşte sub forma de diodă Varicap.

Capacitatea de difuzie
Este determinată de surplusul de sarcină obţinut prin difuzie:
x ln
 qu D  
Qdp  qAl pexces dx  qAl pn  e kT  1e
 
dx 
Lp
 
 
n n
x ln 
 qu D    qu D 
 qApn  e kT  1 L p e  qApn L p  e kT  1
Lp
   
  ln
 
uD  Qd  Cd p
qU D
dQdp q
C dp   qApn L p e kT
duD kT componenta determinată de goluri;
M
Similar pentru electroni.
26
Capacitatea totală de difuzie:
Aq 2  pn L p  n p Ln  qU D
Cd  e kT
 ct.I D (din PSF).
kT
 N a  N d ; p p 2  nn ;

Pentru o jonctiune P-N:  ni2 ni2
n
 p p   pn
 p n n
qU D qU
Aq 2 pn L p 2
q qApn D p L p kTD
Cd  C  d
p
e kT
 e ;
kT kT L p D p
q
Cd   pID
kT

Concluzii:
• Capacitatea de difuzie este proportională cu curentul direct prin
diodă.
• Capacitatea de difuzie este mai importantă decât capacitatea de
barieră în conducţie directă şi este neglijabilă la polarizarea
inversă a diodei.
Circuitul echivalent la semnale mici al diodei va fi:
27
Joncţiunea P-N
7. Variante constructive ale diodelor
Variante constructive ale diodelor

Diode Schottky, cu funcţii asemănătoare
diodelor realizate cu joncţiuni PN.
Se realizează prin contact metal-
semiconductor de tip redresor, de obicei Al cu
SiN slab dopat cu impurităţi (< 1017 /cm3)
la contact se formează o barieră de potenţial şi o regiune de sarcină spaţială

extinsă numai în semiconductor. Rezultă că dioda Schottky funcţionează
numai cu purtători majoritari.
la echilibru termodinamic curentul prin diodă este nul prin compensarea
celor două componente de electroni ce depăşesc cele două bariere de
potential, ΦB şi U0
la polarizare directă (uD > 0) bariera semiconductor-
metal se micşorează şi creşte numărul de electroni ce
 qu D 
iD  I 0  e kT  1, cu   1
trec din semiconductor în metal; apare curent direct care  
ascultă de relaţia:  
la polarizare inversă (uD < 0) bariera de potenţial creşte şi

fluxul de electroni de la semiconductor spre metal scade
foarte mult.
28
Variante constructive ale diodelor (2)
Diode Schottky - Proprietăţi
Căderea de tensiune directă este mai mică (circa la jumătate) decât la o

diodă bazată pe joncţiune PN (regiunea de trecere se extinde numai în
semiconductor);
în regim dinamic contează numai rezistenţa diamică şi capacitatea de

barieră (capacitatea de difuzie nu există deoarece nu sunt purtători
minoritari de sarcină) →funcţionare foarte bună la frecvenţe mari şi în
comutaţie (timpi de comutaţie mai mici de 100 ps).

Diode de semnal mic
Diverse utilizări
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil – 50 - 100 mA
• tensiunea invers maxim admisibilă – 20 – 100 V
• putere disipată maxim admisibilă – 150 mW
29
Diode redresoare
Utilizare în conversia ca – cc pentru frecvenţe de până la 400 Hz
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil –10 mA – 100 A
• tensiunea invers maxim admisibilă – 10 – 1000 V
• putere disipată maxim admisibilă – 0,1 – 100 W
(se pot utiliza şi sub forma de punţi redresoare)

Diode de detecţie
Demodularea semnalelor, funcţionează la frecvenţe mari şi
foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu joncţiuni sau
diode Schottky
Diode varicap
cu utilizare în circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care
se foloseşte dependenţa capacităţii de barieră a diodei de
tensiunea inversă aplicată; capacitatea de barieră este
proporţională cu aria joncţiunii:
Cb 0
Cb  m
 UD 
1  
 U0 
30
Diode de comutaţie
Utilizate în circuite de comutaţie; parametrii principali îi
reprezintă timpii de comutaţie directă şi inversă; de obicei,
parametrii referitori la mărimile maxim admisibile nu sunt
limitativi.
Diode Zener
se bazează pe fenomenul de multiplicare în avalanşă.
tensiunea stabilizată este cuprinsă între 3V şi 100V iar
curentul prin diodă este de ordinul a 10 - 100 mA, în funcţie
de puterea diodei.
Diode Tunel (Esaki)

Sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purtători trece peste
bariera de purtători prin efect tunel; are caracteristica cu
rezistenţă negativă şi se foloseşte în circuite care funcţionează
la frecvenţe mari sau în circuite de comutaţie.
Diode generatoare şi amplificatoare de microunde

IMPATT, TRAPATT, BARIT – funcţionează după alte principii
fizice.
31
Fotodiode (fotoelemente)
Sunt diode cu joncţiuni sau de tip
Schottky la care radiaţiile luminoase
pot pătrunde prin capsulă şi sunt
absorbite de materialul semiconductor
– ca urmare se intensifică procesul de
generare de perechi electron-gol şi se
modifică curentul de saturaţie al
diodei. Se foloseşte numai cu
polarizare inversă.
Sunt realizate din joncţiuni de tipul GaAs,

semiconductor cu banda interzisă de circa 1,6 -
1,7 eV. În urma recombinărilor directe, se emit
cuante de lumină în spectrul vizibil, cu diferite
culori. Functionează numai la polarizare directă.

Diode electroluminiscente (LED)
32
Diode electroluminiscente (LED)
33

EEA Jonctiunea PN 2017

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

EEA Jonctiunea PN 2017

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Procese electronice în dispozitive

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Material de tip P Material de tip N Joncţiunea P-N ideală

Doparea diferită se realizează prin procedee tehnologice adecvate.

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

iar in zona N, s-a folosit o concentraţie de impurităţi nn  N d

practic sunt ionizate în întregime la temperatura

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Nivelul Fermi în semiconductor

Tip P (stânga) şi de tip N (dreapta)

Prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a

Deci, în dreptul joncţiunii apare o barieră de potenţial care duce, prin

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Nivelul Fermi în semiconductor (2)

Nivelul Fermi în semiconductor (2)

valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună.

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Lungimea regiuni de trecere

 lp  x  0   q N a  p ( x)  n( x)  qN a

Se rezolvă ecuaţia lui Poisson în

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Se deduce lungimea zonei de trecere:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Înălţimea barierei de potenţial

Înălţimea barierei de potenţial (3)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Se obţin imediat relaţii identice cu cele obţinute prin metoda

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• 4 componente ale curentului

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Regim de echilibru termodinamic (2)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Aplicare tensiune inversă:

Regim de echilibru termodinamic (4)

La fel şi pentru electroni. Rezultă curentul prin joncţiune de forma:

I 0  i pm  inm curent de saturaţie

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Aproximaţii pentru calcul:

• joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

L p  ln  x   purtătorii de sarcină sunt numai electroni; există

ln  x  L p  ln componenta de difuzie a golurilor

 l p  x  l n se neglijează generarea -recombinarea de purtători;

La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Similar în semiconductorul de tip N: n>>p

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Continuitate în regiunea de trecere (la limite):

Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional de purtători:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Condiţia la limită Shockley:

Pentru uD>0 apare concentraţia în exces care dispare după x>Lp

Se calculează curentul de goluri:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

la temperatura ambiantă, rezultă: iD  I 0 e kT