www.elsolucionario.

net

148 TRANSISTORES Los restantes se introducirán en los capítulos siguientes. Se hará referencia entonces a esta ho-
DE UNIÓN BIPOLAR ja de especificaciones para repasar la forma en que se presenta el parámetro.
La información proporcionada como figura 3.23 se tomó directamente de la publicación
Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un
transistor de propósito general con el encapsulado e identificación de las terminales que apa-
recen en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayoría de las hojas de especifi-
caciones se dividen en valores nominales máximos, características térmicas y características
eléctricas. Las características eléctricas se dividen a su vez en características de “encendido”,

VALORES NOMINALES MÁXIMOS

Valor nominal Símbolo 2N4123 Unidad
Voltaje de colector a emisor VCEO 30 Vcd
2N4123
CÁPSULA 29-04 ESTILO 1
Voltaje de colector a base VCBO 40 Vcd
TO-92 (TO-226AA)
Voltaje de colector a base VEBO 5.0 Vcd
3 Colector
Corriente del colector - Continua IC 200 mAcd
Disipación total del dispositivo @ TA = 25°C PD 625 mW
Se reduce a más de 25°C 5.0 mW˚C 2
Intervalo de temperatura en la unión de Tj,Tstg –55 a +150 ˚C Base
operación y almacenamiento
1
23 1 Emisor
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
Característica Símbolo Máx. Unidad TRANSISTOR

www.elsolucionario.net
Resistencia térmica, unión para cápsula RuJC 83.3 ˚C W DE PROPÓSITO GENERAL
Resistencia térmica, unión para medio ambiente RuJA 200 ˚C W NPN DE SILICIO

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (T = 25°C a menos que se especifique lo contrario)

Característica Símbolo Mín. Máx. Unidad
CARACTERÍSTICAS APAGADO
Voltaje de ruptura de colector a emisor (1) V(BR)CEO 30 Vcd
(IC = 1.0 mAcd, IE = 0)
Voltaje de ruptura de colector a base V(BR)CBO 40 Vcd
(IC = 10 µAcd, IE = 0)
Voltaje de ruptura de emisor a base V(BR)EBO 5.0 – Vcd
(IE = 10 µAcd, IC = 0)
Corriente de corte en el colector ICBO – 50 nAcd
(VCB = 20 Vcd, IE = 0)
Corriente de corte en el emisor IEBO – 50 nAcd
(VBE = 3.0 Vcd, IC = 0)
CARACTERÍSTICAS ENCENDIDO
Ganancia de corriente de CD(1)
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 1.0 Vcd) hFE 50 150 –
(IC = 50 mAcd, VCE = 1.0 Vcd) 25 –
Voltaje de saturación de colector a emisor (1) VCE(sat) – 0.3 Vcd
(IC = 50 mAcd, IB = 5.0 mAcd)
Voltaje de saturación de base a emisor (1) VBE(sat) – 0.95 Vcd
(IC = 50 mAcd, IB = 5.0 mAcd)
CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA
Ganancia de corriente-Producto de ancho de banda fT 250 MHz
(IC = 10 mAcd, VCE = 20 Vcd, f = 100 MHz)
Capacitancia de salida Cobo – 4.0 pF
(VCB = 5.0 Vcd, IE = 0, f = 100 MHz)
Capacitancia de entrada Cibo – 8.0 pF
(VBE = 0.5 Vcd, IC = 0, f = 100 kHz)
Capacitancia de colector a base Ccb – 4.0 pF
(IE = 0, VCB = 5.0 V, f = 100 kHz)
Ganancia de corriente de señal pequeña hfe 50 200 –
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 10 Vcd, f = 1.0 kHz)
Ganancia de corriente - Alta frecuencia
(IC = 10 mAcd, VCE = 20 Vcd, f = 100 MHz) hfe 2.5 – –
(IC = 2.0 mAcd, VCE = 10 V, f = 1.0 kHz) 50 200
Figura de ruido NF – 6.0 dB
(IC = 100 µAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k ohm, f = 1.0 kHz)
(1) Prueba de pulsos: ancho de pulso 300 ms. Ciclo de trabajo pesado = 2.0%

(a)

FIG. 3.23
Hoja de especificaciones del transistor.
 www.elsolucionario.net

Figura 1 - Capacitancia Figura 2 - Tiempo de conmutación

10 200
ts
7.0
100
5.0 70
Capacitancia (pF)

C ibo

Tiempo (ns)
50
td
3.0 30
tr
20 tf
Cobo
2.0
VCC = 3 V
10.0 IC / IB = 10
7.0 VEB (apagado) = 0.5 V
1.0 5.0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 40 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200
Voltaje de polarización en inversa (V) IC, Corriente del colector (mA)

(b) (c)

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA DE AUDIO

FIGURA DE RUIDO
(VCE = 5 Vcd, TA = 25°C)
Ancho de banda = 1.0 Hz

www.elsolucionario.net
Figura 3 - Variaciones de la frecuencia Figura 4 - Resistencia de fuente
12 14
f = 1 kHz
10 Resistencia de fuente = 200 Ω 12
IC = 1 mA
IC = 1 mA
MF, Figura de ruido (dB)

MF, Figura de ruido (dB)

Resistencia de fuente= 200 Ω 10

8
IC = 0.5 mA
IC = 0.5 mA
8
Resistencia de fuente = 1 k Ω
6
IC = 50 µ A IC = 50 µA
6
4
4
IC = 100 µA
2 2
Resistencia de fuente = 500 Ω
IC = 100 µA
0 0
0.1 0.2 0.4 1 2 4 10 20 40 100 0.1 0.2 0.4 1.0 2.0 4.0 10 20 40 100
f, Frecuencia (kHz) RS , Resistencia de la fuente (kΩ)

(d) (e)

PARÁMETROS h
VCE = 10 V, f = 1 kHz, TA = 25°C
Figura 5 - Ganancia de corriente Figura 6 - Admitancia de salida
300 100
hoe Admitancia de salida (μ mhos)
hfe Ganancia de corriente

200 50

20
100
10

70
5.0
50
2.0
30 1.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
I C , Corriente del colector (mA) I C , Corriente del colector (mA)
(f) (g)

FIG. 3.23
Continuación 149
 www.elsolucionario.net

Figura 7 – Impedancia de entrada Figura 8 – Relación de alimentación de voltaje

20 10

hie Impedancia de entrada (k Ω)

10 7.0

h re Relación de alimentación
5.0 5.0

de voltaje (× 10−4 )
3.0
2.0
2.0
1.0

0.5 1.0
0.7
0.2 0.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
I C , Corriente del colector (mA) I C , corriente del colector (mA)
(h) (i)
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Figura 9 – Ganancia de corriente CD
h FE Ganancia de corriente CD (normalizada)

2.0
TJ = +125° C VCE = 1 V

1.0 +25° C

0.7

www.elsolucionario.net
0.5 –55° C

0.3

0.2

0.1
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200
I C, Corriente del colector (mA)
(j)
FIG. 3.23
Continuación

“apagado” y de señal pequeña. Las características “encendido” y “apagado” se refieren a lí-

mites de cd, en tanto que las de señal pequeña incluyen los parámetros de importancia para la
operación de ca.
Observe que en la lista de valores nominales máximos VCEmáx = VCEO = 30 V con ICmáx = 200
mA. La disipación máxima del colector PCmáx = PD = 625 mW. El factor de reducción de capa-
cidad bajo la capacidad nominal máxima especifica que la capacidad nominal máxima debe re-
ducirse 5 mW por cada 1° de aumento de la temperatura arriba de 25°. En las características
“apagado” ICBO se especifica como 50 nA y en las características “encendido” VCEsat = 0.3
V. El nivel de hFE tiene un intervalo de 50 a 150 en IC  2 mA y VCE  1 V y un
valor mínimo de 25 a con una corriente alta de 50 mA al mismo voltaje.
Los límites de operación ya se definieron para el dispositivo y se repiten a continuación en
el formato de la ecuación (3.17) con hFE  150 (el límite superior) e ICEO  bICBO = (150)
(50 nA) = 7.5 mA. Por cierto, en muchas aplicaciones el valor de 75 mA  0.0075 mA se pue-
de considerar que aproximadamente de 0 mA.
Límites de operación
7.5 mA F IC F 200 mA
0.3 V F VCE F 30 V
VCE IC F 650 mW
En las características de señal pequeña el nivel de hfe (bca) aparece junto con una gráfica de
cómo varía con la corriente del colector en la figura 3.23f. En la figura 3.23j se muestra el efec-
to de la temperatura y de la corriente del colector en el nivel hFE (bca). A temperatura ambiente
(25°C) observe que hFE(bcd) es un valor máximo de 1 cercano al valor de 8 mA. A medida que
IC se incrementa más allá de este nivel, hFE se reduce a la mitad del valor con IC igual a 50 mA.
150
 www.elsolucionario.net

382 TRANSISTORES DE Para definir la cantidad que se va a graficar, seleccione el marcador de posición a la mitad del
EFECTO DE CAMPO eje vertical y escriba ID(VGS). El intervalo también se define como se muestra en la figura 6.21.
Haga clic en cualquier lugar afuera de la gráfica y aparecerá la gráfica de la figura 6.21.
Como la ecuación de Shockley se grafica a menudo en el análisis de redes de JFET, es muy
útil contar con un método rápido para obtener la gráfica. Simplemente cambie el valor de IDSS
o VP, y aparecerá la nueva gráfica con un solo clic del ratón.

6.4 HOJAS DE ESPECIFICACIONES (JFET)

●
Aun cuando el contenido general de las hojas de especificaciones puede variar desde del míni-
mo absoluto hasta una extensa exhibición de gráficas y tablas, existen algunos parámetros fun-
damentales que proporcionarán los fabricantes. Algunos de los más importantes se describen en
los párrafos siguientes. La hoja de especificaciones del JFET 2N5457 de canal n provista por
Motorola aparece como la figura 6.22.

CÁPSULA 29-04, ESTILO 5

VALORES NOMINALES MÁXIMOS Drenaje

VALOR NOMINAL Símbolo Valor Unidad

Voltaje del drenaje a fuente

www.elsolucionario.net
Compuerta
Voltaje del drenaje a compuerta
Voltaje de la compuerta a fuente en inversa Fuente
Corriente de compuerta
Disipación total del dispositivo @ TA = 25°C JFET
Reducción de valor nominal a más de 25°C PARA PROPÓSITO GENERAL
Intervalo de temperatura de unión CANAL N-EMPOBRECIMIENTO
Intervalo de temperatura de canal de a
almacenamiento Remitirse a la 2N4220 para las gráficas

CARÁCTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C a menos que se especifique lo contrario)

Características Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad

CARACTERÍSTICAS APAGADO
Voltaje de ruptura de la compuerta a la fuente

Corriente de compuerta inversa

Voltaje de corte de la compuerta a la fuente

Voltaje de la compuerta a la fuente

CARACTERÍSTICAS DE ENCENDIDO
Corriente de drenaje con voltaje cero en la compuerta*

CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA

Fuente común de admitancia de transferencia en directa*

Fuente común de admitancia de salida*

Capacitancia de entrada

Capacitancia de transferencia en inversa

*Prueba de pulsos: ancho de pulso 630 ms; ciclo de trabajo 10%

FIG. 6.22
JFET Motorola 2N5457 de canal n.

Valores nominales máximos

La lista de valores nominales máximos aparece al principio de la hoja de especificaciones, con
los voltajes máximos entre terminales específicas, los niveles de corriente máximos y el nivel de
disipación de potencia máximo del dispositivo. Los niveles máximos especificados para VDS y