Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Mecánica

Licenciatura en Ingeniería Naval

Informe de Laboratorio Nº 5:

Transistor Bipolar

Materia:

Electrónica Industrial

Instructora:

Aixa Lasso

Integrantes

Acosta, Cristian 9-746-264

Almengor, Miguel 8-906-1701

Boyd, Alejandro 8-902-947

García, Elvis 8-904-241

Pérez, Neftalí 8-891-1440

Ramírez, Janice 8-885-887

Grupo:

1NI-241

Fecha:

22 de junio de 2017
 Electrónica Industrial

Introducción
En la actualidad existen diferentes tipos de circuitos integrados son
controlados por transistores bipolares, que permiten manejar grandes
potencias a partir de una pequeña. El siguiente informe tiene como objetivo,
presentar el estudio de dicho transistor, haciendo énfasis en sus regiones de
trabajo y sus curvas características, a partir de los resultados obtenidos en
la experiencia de laboratorio. Sin embargo, antes de mostrar los resultados,
es necesario tener claro algunos aspectos teóricos referente al
funcionamiento de las partes que conforman el transistor bipolar, por lo que
se muestra un marco teórico para abarcar estos aspectos importantes en el
estudio de este dispositivo.

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 Electrónica Industrial

Marco Teórico
El transistor bipolar es un dispositivo de
tres terminales: emisor, colector y base, que,
atendiendo a su fabricación, puede ser de
dos tipos: NPN y PNP. La forma de
distinguir el tipo transistor es observando la
flecha del terminal del emisor. En un NPN
esta flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta
hacia dentro, como se muestra en la figura.

Es un dispositivo formado por tres

regiones semiconductoras, entre las cuales
se forman uniones PN. Siempre se ha de
cumplir que el dopaje de las regiones sea
alterno, es decir, si el emisor es tipo P,
entonces la base será tipo N y el colector
tipo P, dando lugar a un transistor bipolar
tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces
la base será P y el colector N, dando lugar
a un transistor bipolar tipo NPN. Se
fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de
forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas.

El transistor bipolar es un dispositivo gracias al cual es posible controlar

una gran potencia a partir de una pequeña. Con pequeñas variaciones de
corriente a través del terminal base, se consiguen grandes variaciones a
través de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se
puede convertir esta variación de corriente en variaciones de tensión según
sea necesario. Basa su funcionamiento en el control de la corriente que
circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de
base. En esencia se puede considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente,
pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente
que circula por emisor-base.

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 Electrónica Industrial

Regiones de funcionamiento

Corte

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus

terminales. Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta
con que VBE = 0 .

Activa

La región activa es la normal de funcionamiento del transistor.

Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión
base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en
inversa.

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝛾

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

𝑉𝛾 Es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0,6

voltios).

Saturación

En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor

como la base-colector se encuentran en directa.

𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 𝑠𝑎𝑡

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación

suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

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 Electrónica Industrial

Resultados

a) Para cada valor de V1 , con V2 = 7v fijo, se muestran las caídas de

potencial en las resistencias R1 y R 2 .

𝐕𝟏 (voltios) 𝐕𝐑𝟏 (voltios) 𝐕𝐑𝟐 (voltios)

0,3 0,0013 0,0002
0,6 0,1122 0,0069
0,9 0,344 0,0282
1,2 0,653 0,052
1,5 0,927 0,078
2 1,38 0,122
2,5 1,905 0,176
3 2,38 0,21
3,5 2,84 0,26
4 3,37 0,32
4,5 3,85 0,37
5 4,36 0,42
Tabla 1. Caídas de potencial en las resistencias 𝐑 𝟏 y 𝐑 𝟐

b) A partir de las lecturas se calculan las corrientes de base y colector,

así como el voltaje VCE para cada punto. Se traza una gráfica IB vs IC y
se sitúan las zonas de trabajo del transistor.

𝐈𝐁 (μA) 𝐈𝐂 (μA) 𝐕𝐂𝐄

0,02281 0,6061 5,3
1,968 20,91 5,293
6,035 85,45 5,272
11,46 157,6 5,248
16,26 236,4 5,222
24,21 369,7 5,178
33,42 533,3 5,124
41,75 636,4 5,09
49,82 787,9 5,04
59,12 969,7 4,98
67,54 1121 4,93
76,49 1273 4,88

Tabla 2. Corrientes de base y colector, así como el voltaje 𝐕𝐂𝐄

para cada punto.

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 Electrónica Industrial

Ecuaciones utilizadas:
VR1
IB = ⁄R
1
VR2
IC = ⁄R
2
VCE = V2 − VLED − VR2

Gráfica 𝐈𝐁 vs 𝐈𝐂

Regiones de funcionamiento

La región delimitada por la línea naranja ( ) es la región de

saturación.
La región delimitada por la línea azul ( ) es la región de corte.
La región delimitada por la línea naranja y azul es la región activa.

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c) Se calcula el valor de la ganancia de corriente β (también denominado

hFE ).
Para esto, tomamos un par de valores de la tabla 2:
𝐈𝐂 = 𝟓𝟑𝟑, 𝟑 𝛍𝐀
𝐈𝐁 = 𝟑𝟑, 𝟒𝟐 𝛍𝐀
Reemplazamos estos valores en la siguiente ecuación:
I
β = C⁄I
B
𝛃 = 𝟏𝟓, 𝟗𝟔

d) Para cada valor de V2 , con V1 = 5v fijo, se muestran las caídas de

voltaje en R1 y R 2 . Se traza la característica IC vs VCE para dicha
corriente de base.
𝐕𝟐 (voltios) 𝐕𝐑𝟏 (voltios) 𝐕𝐑𝟐 (voltios)
1 4,04 0
2 4,09 0,217
3 4,13 0,26
4 4,15 0,27
5 4,16 0,28
6 4,02 0,3
7 4,01 0,36
8 3,99 0,56
9 3,98 1,15
10 3,98 2,08
Tabla 3. Caídas de voltaje en 𝐑 𝟏 y 𝐑 𝟐

𝐈𝐁 (μA) 𝐈𝐂 (μA) 𝐕𝐂𝐄

70,88 0 -0,7
71,75 657,6 0,083
72,46 787,9 1,04
72,81 818,2 2,03
72,98 848,5 3,02
70,53 909,1 4
70,35 1091 4,94
70 1697 5,74
69,82 3485 6,15
69,82 6303 6,22
Tabla 4. Corrientes base, colector y voltaje colector-emisor

Gráfica 𝐈𝐂 vs 𝐕𝐂𝐄

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e) Se repite el punto anterior para una tensión V1 diferente (no

excesivamente grande). Se representan las características en una
misma gráfica.

𝐕𝟐 (voltios) 𝐕𝐑𝟏 (voltios) 𝐕𝐑𝟐 (voltios)

1 6,38 0
2 6,44 0,222
3 6,45 0,43
4 6,44 0,46
5 6,43 0,48
6 6,47 0,52
7 6,45 0,6
8 6,62 0,84
9 6,62 1,41
10 6,61 2,25
Tabla 5. Caídas de voltaje en 𝐑 𝟏 y 𝐑 𝟐

𝐈𝐁 (μA) 𝐈𝐂 (μA) 𝐕𝐂𝐄 (voltios)

111,9 0 -0,7
113 672,7 0,078
113,2 1303 0,87
113 1394 1,84
112,8 1455 2,82
113,5 1576 3,78
113,2 1818 4,7
116,1 2545 5,46
116,1 4273 5,89
116 6818 6,05
Tabla 6. Corrientes base, colector y voltaje colector-emisor

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 Electrónica Industrial

Gráficas de las características superpuestas

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Electrónica Industrial

Conclusión

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Bibliografía
Guía de clases, Departamento de Tecnología:
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

Guía de clases, Electrónica Industrial, UTP.

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