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DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Ó
Y OPTOELECTRÓNICOS
Conceptos generales
V
Es el dispositivo más sencillo y básico.
I
Consiste en un semiconductor con dos
P N
zonas de distinta impurificación:
- Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P).
- El otro con impurezas donadoras (Tipo N).
Xp Xn
pp0 NA nn0 ND
np0 pn0
Xp Xn
Unión PN polarizada
P N
Difusión Equilibrio: difusión = arrastre I = 0
de huecos
Difusión de
electrones Directa: VPN > 0: disminuye el campo de equilibrio
Carga
neta difusión > arrastre I que crece con V
E
Arrastre
de huecos
Inversa: VPN < 0: aumenta el campo de equilibrio
Arrastre
de electrones
difusión < arrastre I independiente
p de V
x
En polarización Directa:
– El potencial externo aplicado se opone al campo I
eléctrico que limita la difusión Disminuye el efecto
del arrastre y favorece la difusión de portadores
portadores.
V>0
• Electrones del lado N al P P N
• Huecos del lado P al N
• El resultado es una corriente neta elevada
originada por el movimiento de los portadores
mayoritarios hacia donde son minoritarios, que
aumenta con la tensión aplicada
En polarización Inversa:
– El potencial externo refuerza el campo eléctrico de V<0
arrastre. Las componentes
p de difusión son P N
prácticamente nulas. Dominan las componentes de
arrastre (trasladan los minoritarios al otro lado): x
• Electrones del lado P al N I0
• Huecos
H d
dell llado
d N all P
• Son corrientes muy pequeñas, que pueden
considerarse despreciables e independientes de la
tensión aplicada
Característica I-V del diodo ideal
Se puede encontrar que la relación entre la corriente I que circula por la unión PN y
la tensión externa V que se aplica es del tipo:
k BT VT(300 K) = 25.85 mV
VT
e kB (cte de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1
V
eV
I I0 e VT
1 I 0 e KB T
1 VT : denominado potencial térmico
I0: Corriente inversa de saturación (pocos nA)
I0
– En polarización inversa: V<0 podemos
despreciar
d i lal exponencial
i l frente
f t all 1
V
Inversa Directa
I I0
Característica I-V del diodo ideal
Característica I-V del diodo real
V V
I I +
rd
rd VD
V
Tensión umbral y
Resistencia directa - resistencia directa
V V
Diodo Zener
Conceptos básicos
C E C
E P N P N P N
B B
E C E C
I > 0 si entra
I < 0 si sale
IE IC
I E IC I B 0 IB
B B
VBE VB VE
VCE VC VE
IB = 0 µA Figura extraída de
www.FFI-UPV.es
VCE (V)
I C (1 F ) I C 0
Región de saturación:
Uniones emisora y colectora en directa (VBE > 0, VCB < 0) VCE 0
Región de corte:
Uniones emisora y colectora en inversa (VBE < 0,
0 VCB > 0) IC 0
VCE la determina el circuito en que esté el transistor
Punto de operación estacionario del BJT en un circuito
10.0 IB=50A
RC=1K
IB=40A
R1=475K
7.5 IC
C
IB=30A
B
50
5.0
IB=20A
IB
E
2.5 IB=10A
VBE 0,5 V
0 5 10 15 20 VCE(V)
Recta de carga
VCC
VCC RC I C VCE VCE 0 I C 10 mA
Cortes con los ejes: RC
10V 1( K ) I C (mA) VCE (V ) I 0 V V 10 V
C CE CC
Corriente de base
10.0 IB=50A
IB=40A
7.5
IB=30A
0 5 10 15 20 VCE(V)
I B 20 A IC
F 170
I C 3.40mA
IB
VCE 6.6V
VBE 0.5V
Circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia
I C (t ) I C 0 ic (t ); I B (t ) I B 0 ib (t )
Operación típica del transistor:
VCE (t ) VCE 0 vce (t ); VBE (t ) VBE 0 vbe (t )
El circuito equivalente establece relaciones entre las corrientes y tensiones variables en el
tiempo (ic , ib , vce , vbe) superpuestas al punto de operación estacionario (IC0 , IB0 , VCE0 , VBE0)
B ib ic C
Pequeña señal: relaciones lineales
E
hfe ó F ganancia en corriente ~ 150-200
vbe hieib ; ic h feib Dependen del punto de operación estacionario
B ib ic C
vbe rib ; ic F ib
BJT en aplicaciones analógicas: Amplificador
VCC
I C (t ) Circuito equivalente de pequeña señal:
RC RB ib RC
B C
C +
vi (t ) vbe
ic
RB B
rπ F ib
vi (t ) I B (t ) VCE (t )
E vce
VBE (t ) E
VBB
Conceptos básicos
Unión metal-óxido-semiconductor (MOS)
IG 0 VG
Según la tensión VG:
Metal
Oxido (aislante) Acumulación: mismo tipo de portadores que el sc
Vaciamiento: sin portadores libres
Inversión: portadores del tipo contrario a los del sc
Semiconductor
La conductividad del semiconductor debajo del óxido es modulada por la tensión de puerta VG
Tipos de MOSFET
Metal
S G D S G D
Óxido
S i
Semiconductor
d t
n+ n+ p+ p+
p n
Metal
Canal N Canal P
(sustrato P) Figura extraída de www.FFI-UPV.es
(sustrato N)
Formado
F d por:
- Una placa de metal y un semiconductor separados por una zona de óxido del
semiconductor (por ejemplo SiO2), que actúa como aislante.
- Dos
D regiones
i muy d
dopadas
d dde titipo contrario
t i all semiconductor
i d t que fforma ell substrato.
b t t
- Electrodos:
- Puerta (G, Gate), que se conecta a la placa metálica. La corriente en la puerta es nula
- Fuente (S,
(S Source) y drenador (D,(D Drain),
Drain) ambos simétricos
simétricos, conectados a las zonas muy dopadas
- A veces existe un cuarto electrodo de sustrato (B, suBstrate) en el metal inferior
SiO2
N +
N+ I G 0 VBS 0
Fuente Drenador
E VDS 0
Sustrato ID 0
Si tipo P
SiO2
P +
P+ IG 0 VBS 0
Fuente Drenador
E VDS 0
Sustrato ID 0
Si tipo N
B
Características de salida
ID(mA)
25 No S
Saturación
ió
Saturación VGS=1V
20
VGS=0.5V
15
VGS=0.25V
10 VGS=0V
5 VGS=-0.25V
VGS=-0.5V
0 2 4 6 8 VDS(V)
En saturación:
I D cte, dependiente de VGS
Tensión umbral
VT: tensión de puerta a partir de la cual hay capa de inversión (el transistor conduce)
Ejemplo: canal N
Característica de transferencia
Existe un potencial de puerta mínimo que
debe superarse para que la corriente de
drenador sea distinta de cero:
ID +
D D ID
Canal N
Enriquecimiento VG S
Norm. OFF
G B G
V GS VT 0
Realce S S
V DS + - VT +
V GS V T
Canal N ID + ID
D D
Empobrecimiento V G S =0
Norm. ON G B G
V GS
VT 0
Vaciamiento S S
V DS + - +
Canal P
D
- VD S
- VT ID +
Enriquecimiento D
Norm. OFF VG S V GS
G B G VT 0
R l
Realce
S ID
S
-
V GS V T VDS
Canal P
Empobrecimiento
D D - - ID +
Norm. ON B V G S =0 V GS
Vaciamiento
G G
VT 0
S S ID
-
Comparación características de salida BJT / MOSFET
En la forma las características de los MOSFETs son análogas a las de los BJTs.
– Eje x – Eje y
• BJT: tensión entre emisor y colector (V
( CE) • BJT: corriente de colector ((IC)
• MOSFET: tensión entre fuente y drenador (VDS) • MOSFET: corriente de drenador (ID)
BJT MOSFET
IB = 80 µA
mA)
IC ( m
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 0 µA
VCE (V)
Figura extraída de www.FFI-UPV.es
Punto de operación estacionario del MOSFET en un circuito
Igual que ocurre con el BJT, debemos polarizar el MOSFET para tener entre sus terminales
unas diferencias de potencial y unas corrientes determinadas
Para determinar el punto de operación (ID, VGS, VDS), se deben cumplir:
– Las características de salida
– Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre
VDD 8V
ID(mA)
25 No Saturación
Saturación VGS=1V
RD=400
20
R2= ID VGS=0.5V
0 5V
62K 15
D VGS=0.25V
10 VGS=0V
G
S 5 VGS=-0.25V
R1= VGS=-0.5V
2K
0 2 4 6 8 VDS(V)
8V
VG VGS R1 0.25V tensión de puerta (divisor de tensión)
R1 R2
V
VDS 0 I D DD 20 mA
8V RD I D VDS 0.4( K ) I D (mA) VDS (V ) recta de carga Cortes con los ejes: RD
I 0 V V 8 V
VDS 3.4V D DS DD
I D 11.5mA
Circuito equivalente de pequeña señal y baja frecuencia
I D (t ) I D 0 id (t )
Operación típica del transistor:
VDS (t ) VDS 0 vds (t ); VGS (t ) VGS 0 v gs (t )
El circuito equivalente establece relaciones entre las corrientes y tensiones variables en el
tiempo (id , vds , vgs) superpuestas al punto de operación estacionario (ID0 , VDS0 , VGS0)
ig id
G D
id g m v gs ig 0
gm transconductancia
Depende del punto de operación estacionario
MOSFET en aplicaciones analógicas: Amplificador
v gs g v v ds
G m gs
vi (t ) V DS (t )
S
VGS (t ) S
VGG
Figura extraída de
http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/opto1.htm
Luego un LED es un dispositivo que consume
energía eléctrica y nos devuelve radiación
electromagnética
El LED se asemeja a un diodo normal, pero
con importantes diferencias:
- Un empaquetado transparente que permite
que la energía (luz en el espectro del visible
o el IR) pase a su través
- Área de la unión PN muy grande
E
Espectro
t electromagnético
l t éti Figura extraída de www.stefanofenzo.com
Color de la luz de un LED
visible comunicaciones
- Paneles
P l iinformativos
f ti ((ell mayor d
dell mundo,
d d dell NASDAQ
NASDAQ,
36,6 metros de altura y está en Times Square, Manhattan).
Imagen extraída de
www.wikipedia.org
La luz se genera en una “cavidad” con gran densidad de fotones que estimulan nuevos
procesos de
d recombinación
bi ió que emiten
i más
á ffotones ((en ffase con llos anteriores)
i )
Aplicaciones (ligadas a comunicaciones/informática)
Un haz láser altamente coherente puede ser enfocado en unos pocos nanómetros.
Esta propiedad permite al láser ser utilizado en aplicaciones que requieran gran
resolución espacial:
- Comunicaciones de datos por fibra óptica
- Lectores y grabadores de CDs, DVDs, Blu-rays
- Interconexiones ópticas
p entre circuitos integrados
g
- Impresoras láser
- Escáneres o digitalizadores
- Sensores
I A L E A 0 E AE I 0 I
fotodetector (básico)
Fotodispositivos
Dispositivos
p q
que aprovechan
p los cambios qque tienen lugar
g en sus características
corriente-tensión en presencia de la radiación para detectar su intensidad
Existen: - Fotodiodos
- Fototransistores bipolares
- Fototransistores MOSFET
Fotodiodos
Un fotodiodo pn es una unión pn en la que la corriente en inversa aumenta con el flujo de
fotones incidente
• Los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura (fotoconductores)
• En las proximidades de la unión pn existe un campo eléctrico intenso
• Este campo es capaz de separar los pares de portadores generados rápidamente, disminuyendo así la
probabilidad de que se produzcan recombinaciones que impidan la contribución a la fotocorriente.
Interesa entonces que el flujo de fotones incida en la zona próxima a la unión (o zona de
transición) para conseguir la mayor eficiencia. Pero esa zona típicamente es muy
estrecha.
-
+
http://www.wikiciencia.org/electronica/semi/optoelectronica/index.php
Características de los fotodiodos
Son pequeños,
S ñ sensibles
ibl y requieren
i poca potencia.
t i
Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un fotodiodo
es el material semiconductor que se emplea en su construcción.
– Silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1,1 µm)
– Germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aproximadamente 1,7 µm)
– De otros materiales semiconductores.
Silicio: 190–1100 nm
Imagen extraída de
Germanio: 800–1700 nm
www wikipedia org
www.wikipedia.org
http://agaudi.wordpress.com
Células solares (dispositivos fotovoltaicos)
Dispositivos que convierten radiación óptica en energía eléctrica
Principio de funcionamiento similar a los fotodiodos (unión PN sometida a
radiación), pero trabajando en el 4º cuadrante de las características I-V.
Corriente + diferencia de potencial potencia
I Vmp VOC
V
Imp
IL
http://www.wikiciencia.org/electronica/semi/optoelectronica/index.php
Potencia de salida
negativa
g en el 4º cuadrante
proporciona potencia