Escuela Politécnica Superior de Elche

Ingeniería de Telecomunicación
COMPONENTES ELECTRÓNICOS

Introducción a los
semiconductores
Componentes Electrónicos : Introducción a los semiconductores

Tipos de sólidos en función de la ordenación atómica

Sólidos Ordenación atómica

Los átomos se encuentran

espacialmente ordenados de forma
Cristalinos periódica. La periodicidad se
mantiene, idealmente, en todo el
cristal.

Los átomos se encuentran ordenados

en dominios que llenan el cristal. La
Policristalinos
periodicidad se rompe de un dominio
a otro.

No existe ningún patrón de

Amorfos periodicidad en la distribución
espacial de los átomos.
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Tipos de sólidos en función del enlace interatómico: sólido iónico

El enlace se forma por la cesión del electrón de valencia de un átomo del grupo de los
alcalinos a un átomo del grupo de los halógenos:

Li: 1s2 2s1 F: 1s2 2s2 2p5

Alcalinos Na: 1s2 2s2 2p6 3s1 Halógenos Cl: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5
... ...

Li+: 1s2 F-: 1s2 2s2 2p6

Alcalinos Na+: 1s2 2s2 2p6 Halógenos Cl-: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6
... ...

No existen electrones
libres en el cristal.
Sólido aislante
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Tipos de sólidos en función del enlace interatómico: sólido metálico

Los átomos de los grupos de los metales ceden los electrones de valencia a un gas
común confinado en el cristal que forman.

Na: 1s2 2s2 2p6 3s1

Metales (alcalinos) K: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1
...

Existen electrones
libres en el cristal.
Sólido conductor
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Tipos de sólidos en función del enlace interatómico: sólido covalente

El enlace covalente consiste en el solapamiento de orbitales atómicos híbridos, entre
átomos de los grupos IV, III-V… que comparten electrones de valencia.

C: 1s2 2s2 2px1 2py1 2pz0 C: 1s2 2s1 2px1 2py1 2pz1
Grupo IV Si: 1s2 2s2 2p6 3s2 3px1 3py1 3pz0 Si: 1s2 2s2 2p6 3s1 3px1 3py1 3pz1
... ...
Hibridación sp3

+ + ···

A cada orbital le Los orbitales se

falta un electrón llenan por
solapamiento Solamente existirán electrones
para estar lleno
libres en el cristal si abandonan
el enlace covalente. Sólido
semiconductor
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Teoría de bandas
Los niveles energéticos se desdoblan en bandas al reunir un gran número de átomos
para formar un cristal

Niveles E E
vacios

Banda de
3s
conducción (vacía)
Gap
Banda de
2p2 valencia (llena)

Niveles 2s2 2N electrones

ocupados (2 en N estados
electrones de energía muy
por nivel) 1s2 próximos entre
si
Átomo de C Cristal de N átomos
aislado: 6 de C (diamante): 6N
electrones electrones
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Definiciones:
Banda de valencia (BC): Última banda energética completamente ocupada por
electrones. Los electrones de esta banda (electrones de valencia) constituyen los
enlaces entre átomos vecinos.
Banda de conducción (BV): Primera banda que contiene estados energéticos libres de
electrones. En un semiconductor se halla completamente vacía.
Banda prohibida (gap): Rango de energías comprendido entre el máximo de la banda de
valencia y el mínimo de la banda de conducción. Ningún electrón puede ocupar esta
banda.

Notación:
Ec: Energía del mínimo de la banda de conducción
Ev: Energía del máximo de la banda de valencia
Eg: Energía de la banda prohibida Eg = Ec - Ev
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Dependencia de Eg con la distancia interatómica

La energía de la banda prohibida (gap) aumenta al disminuir la distancia entre los
átomos del cristal.

Átomos

Electrones
a1 de valencia
a2

a (nm) Eg (eV)
EC2
EC1 C 0.356 7.0

Eg1 Eg2 Si 0.542 1.14

Ge 0.562 0.75
EV1
EV2 Sn 0.646 0.08
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Generación de pares electrón-hueco

Cualquier electrón que forme El electrón que ha abandonado el enlace es

parte de los enlaces covalentes de capaz de moverse libremente por el cristal
un cristal puede absorber energía y transportar carga, contribuyendo a la
térmica y abandonar su enlace, conductividad eléctrica.
dejando un hueco en éste.

El hueco que deja también puede

transportar carga al ser ocupado por
otros electrones de valencia. Al
hueco se le asocia una carga positiva
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El proceso de generación se indica en el

diagrama de bandas como el paso de un
electrón de la banda de conducción a la de La conductividad aumenta cuanto
valencia, dejando un hueco en esta última. mayor es la densidad de
portadores de carga, electrones
y huecos, en las respectivas
Electrón
bandas.
-
EC Ésta es mayor cuanto menor es
Eg y cuanto mayor es la
Eg temperatura.

+ EV
A temperatura ambiente:

Hueco C (diamante) → aislante

Si → semiconductor

La energía mínima necesaria para que Ge → semiconductor

este proceso ocurra es la que separa la Sn → conductor
banda de conducción de la de valencia.
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Recombinación

El proceso de recombinación es el inverso al de generación: un electrón libre (de

la banda de conducción) ocupa un hueco en un enlace covalente (de la banda de
valencia) liberando una energía igual a la del gap:

Eg

+
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Masa efectiva E

Cristal
semiconductor
+
-

Si se aplica un campo eléctrico E a un electrón en el vacío, éste experimentará un

aceleración: a = F/m = Eq/me.
Haciendo esto mismo en un semiconductor la aceleración será diferente debido a las
interacciones con la red cristalina. El electrón se comportará como si tuviera una masa
efectiva me*: a* = Eq/me*.
Los huecos también se comportan como si tuvieran una masa mh*.
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Densidad de estados electrónicos

El número de estados energéticos que pueden ocupar los portadores de carga en
cada banda es función de la energía:

Densidad de estados para los electrones

en la banda de conducción: E

32
gC(E)
⎛ 2m *
⎞
gc (E) = 4π⎜⎜ e
⎟⎟ E − Ec
⎝ h
2
⎠
Densidad de estados para los huecos en
la banda de valencia.

32 EC
⎛ 2mh* ⎞
gv (E) = 4π⎜⎜ 2 ⎟⎟ Ev − E
⎝ h ⎠
EV

gV(E)
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Función de Fermi. Nivel de Fermi

La función de Fermi da la probabilidad de que un electrón/hueco ocupe un estado

con energía E.
El nivel de Fermi EF es el nivel energético que tiene una probabilidad 0.5 de ser
ocupado por un electrón. En el cero absoluto de temperaturas, el nivel de Fermi
separa los estados vacíos de los ocupados.
A medida que aumenta la temperatura, la probabilidad de encontrar electrones por
encima del nivel de Fermi, o huecos por debajo, aumenta.

1 1
fn (E) = para electrones fp (E) = para huecos
1 + e (E-EF ) kT 1 + e (EF -E) kT
1 1

0,75
T1 > T2 > T3 0,75

0,5 0,5

0,25 0,25
T1 > T2 > T3
0 0
EF EF
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Densidad de portadores de carga en equilibrio térmico

La densidad de electrones, n0, en la banda E

de conducción, y de huecos, p0, en la de
valencia se calcula como la integral del
producto de las respectivas densidades de
fh(E)
estados por las funciones de Fermi
correspondientes. Si por cada electrón se gC(E)·fe(E)
gC(E)
genera un hueco, ambas densidades deben
ser iguales. Dicha integral se corresponde
con el área rallada bajo la curva.
EC

∞ EF
n0 = ∫ gc (E)fe (E)dE =
Ec
32 EV
⎛ 2π k ⎞ −E 2kT
2⎜ 2 ⎟ (me*mh* )3 4 T 3 2e g =
⎝ h ⎠
gV(E)
⎛ me* ⎞
34
⎛ mh* ⎞
34 32 fe(E)
⎛ T ⎞ −Eg 2kT gV(E)·fh(E)
2.5 ⋅ 10 cm ⎜⎜
19 −3
⎟⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ e
⎝ me ⎠
⎜ m ⎟ ⎝ 300 ⎠
⎝ e ⎠
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Semiconductores intrínsecos
No contienen átomos de impurezas.
Las cargas libres proceden de la generación de pares electrón-hueco.
En equilibrio térmico, la concentración de electrones, n0, es igual a la de huecos, p0,
y depende fuertemente de la temperatura. Es la calculada anteriormente:
32
⎛ 2π k ⎞ −E 2kT
n0 = p0 = ni = 2⎜ 2 ⎟ (me*mh* )3 4 T 3 2e g =
⎝ h ⎠
34 34 32
−3 ⎛ me ⎞
*
⎛ mh* ⎞ ⎛ T ⎞ −Eg 2kT
2.5094 ⋅ 10 cm ⎜⎜
19
⎟⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ e
⎝ me ⎠
⎜ m ⎟ ⎝ 300 ⎠
⎝ e ⎠
La conductividad aumenta con la temperatura al contrario de lo que ocurre en el caso
de los metales.

IV IV IV IV EC

IV IV IV IV

IV IV
EV
IV IV
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Semiconductores extrínsecos: Tipo n

IV IV IV IV
Contienen átomos de impurezas (o dopante)
con algunos electrones débilmente ligados que
pueden pasar fácilmente a la banda de
IV V IV IV conducción (impureza donadora). Ejemplo:
átomos del grupo V (As, P...) en Si. El nivel
IV IV IV IV
energético de los electrones débilmente
ligados (ED) se sitúa dentro del gap, a escasa
energía de la banda de conducción.
La ionización de la impureza donadora no
produce huecos.
EC
ED A temperatura ambiente, prácticamente todos
los átomos de impureza se encuentran
ionizados, y el número de electrones en la
banda de conducción procedentes de la
EV ionización del dopante es mucho mayor que el
de los procedentes de la banda de valencia.
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Semiconductores extrínsecos: Tipo p.

Contienen átomos de impurezas que no IV IV IV IV

proporcionan todos los electrones necesarios
para llenar los enlaces interatómicos (impureza
aceptadora). Pueden producir huecos fácilmente IV III IV IV

al ser llenados por electrones de valencia de

átomos vecinos. Ejemplo: átomos del grupo 3 (Al, IV IV IV IV
Ga...) en Si.
El nivel energético de los huecos de la impureza
aceptadora (EA ) se sitúa dentro del gap, a
escasa energía de la banda de valencia.
La ionización de la impureza aceptadora no EC
produce electrones.
A temperatura ambiente prácticamente todos los
átomos de impureza han capturado electrones y EA
el número de huecos en la banda de valencia
EV
procedentes de la ionización del dopante es
mucho mayor que el de los que se producen por
generación de pares electrón-hueco.
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Posición del nivel de Fermi en función del tipo de semiconductor

En los semiconductores intrínsecos el nivel de Fermi se encuentra en el centro del

gap dado que la banda de valencia y la de conducción tienen la misma densidad de
portadores de carga.
En los semiconductores tipo n el nivel de Fermi se encuentra próximo a la banda de
conducción al estar ésta más poblada de electrones que la banda de valencia de
huecos.
Al contrario ocurre en los semiconductores tipo p.

Semiconductores Semiconductores Semiconductores

intrínsecos tipo n tipo p
EC EC EC
EF
ED
EF
EA
EF
EV EV EV
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Densidad de portadores de carga en equilibrio térmico a temperatura

ambiente

n0 + Na- = p0 + Nd+ Ecuación de neutralidad.

Notación:
n0 ⋅ p0 = ni2 Ley de acción de masas. Na: Concentración de impureza
aceptadora
Na− ≈ Na Nd+ ≈ Nd La totalidad de las impurezas Nd: Concentración de impureza
se encuentra ionizada a donadora
temperatura ambiente.
Na+: Concentración de impureza
aceptadora ionizada
Semiconductores Nd+: Concentración de impureza
intrínsecos donadora ionizada
n0 = p0 = ni ni: concentración de portadores
del semiconductor intrínseco
Semiconductores Semiconductores
n0 ,p0: densidad de portadores
tipo n tipo p
en equilibrio térmico
ni2 ni2
n0 ≈ N p0 ≈ +
+
d p0 ≈ N n0 ≈ −
−
a n, p: densidad de portadores
Nd Na
fuera del equilibrio
n0 >> p0 p0 >> n0
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Concentración de portadores en función de la temperatura para

semiconductores extrínsecos
Región de ionización
A bajas temperaturas el dopante se encuentra parcialmente ionizado. La densidad de
portadores mayoritarios aumenta con la temperatura a medida que los átomos de
impureza se ionizan. La densidad de portadores minoritarios, procedentes de la
generación de pares electrón-hueco es despreciable frente a la de mayoritarios.
Región extrínseca
Se alcanza cuando la totalidad de las impurezas se encuentra ionizada. En este rango,
un incremento de temperatura no se traduce en incrementos de la densidad de
portadores mayoritarios dado que los portadores procedentes de la ionización
exceden en mucho a los procedentes de la generación de pares electrón-hueco. La
densidad de minoritarios sigue siendo despreciable.
Región intrínseca
Se alcanza para temperaturas tales que la densidad de portadores procedentes de la
generación electrón-hueco es comparable a la de los que proceden de la ionización de
las impurezas. La densidad de minoritarios se hace comparable a la de mayoritarios.
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Mayoritarios

Densidad de portadores (u.a)

Región de
ionización
Minoritarios
Región
extrínseca

Región
intrínseca

Temperatura (u.a.)
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Procesos de transporte de carga.

Movilidad de los portadores de carga (electrones: µn, huecos: µp): es la relación
entre la velocidad promedio que adquieren los portadores de carga por efecto de
un campo eléctrico aplicado y dicho campo eléctrico.
" ! " !
vn = −µn ⋅ E vp = µp ⋅ E

Propiedades de la movilidad:
Es directamente proporcional al tiempo medio de colisiones de los portadores de
carga, por lo que aumenta con la pureza del material y disminuye al aumentar la
temperatura.
Es inversamente proporcional a la masa efectiva de los portadores de carga, por lo
que aumenta al disminuir la masa efectiva de electrones y huecos.

La conductividad de un semiconductor se define como:

σ = σn + σ p = q ⋅ n ⋅ µn + q ⋅ p ⋅ µp
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Intensidad de corriente (I): es la carga eléctrica que pasa por unidad de tiempo a
través de una sección S.
Densidad de corriente (J): es la corriente por unidad de área.

I = J ⋅S

Corriente de arrastre o deriva (Ja): es la que se produce por el movimiento de

cargas debido a la presencia de un campo eléctrico.

Ja = σ ⋅ E = qnµnE + qpµpE

La intensidad de corriente de arrastre se relaciona con el potencial eléctrico a

través de la ley de Ohm:
J ⎛ d ⎞
V = E⋅d = d = ⎜ ρ ⋅ ⎟ ⋅ I = R ⋅ I
σ ⎝ S ⎠
Donde R es la resistencia de un elemento de longitud d, sección S y resistividad
ρ = 1/σ.
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Corriente de difusión (Jd): es la que se produce como consecuencia de

desequilibrios en la concentración de portadores de carga. Cuando existe una
inhomogeneidad en la densidad de electrones o huecos, estos se desplazan de zonas
de mayor a menor densidad de tal forma que tienden a homogeneizar su
concentración a lo largo del espacio en que les está permitido moverse.

dn(x) dp(x)
Jd = qDn − qDp
dx dx

Donde Dn y Dp son los coeficientes de difusión de electrones y huecos

respectivamente.

Relación de Einstein: existe una relación entre movilidades y coeficientes de difusión:

Dn Dp kT
= =
µn µp q
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Ecuaciones de continuidad:

Bajo las siguientes hipótesis:

•  Neutralidad: Δn ≈ Δp
•  Inyección débil: Δn ≈ Δp << Max{n0,p0}
•  Dopado uniforme: Na(x), Nd(x) constantes
•  Dopado fuerte: n0 >> p0 o bien p0 >> n0
Se cumplen las siguientes ecuaciones para los portadores de carga minoritarios:

dΔn Δn ∂Δn ∂ 2Δn

= g− + µnEext + Dn si p0 >> n0
dt τ ∂x ∂x 2

dΔp Δp ∂Δp ∂ 2Δp

= g− − µpEext + Dp si n0 >> p0
dt τ ∂x ∂x 2

Donde Δn y Δp es la concentración de portadores en exceso, g es la tasa de

generación no térmica de portadores y τ el tiempo medio de vida de los portadores.
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Dispositivos: termistor NTC

El único parámetro externo del que depende la densidad intrínseca de portadores
en un semiconductor es la temperatura. El resto son constantes físicas o
constantes propias del material:
32
⎛ 2π k ⎞ −E 2kT
ni (T) = 2⎜ 2 ⎟ (me*mh* )3 4 T 3 2e g
⎝ h ⎠
Un aumento de temperatura se traduce en un incremento de la densidad de
portadores en la ecuación anterior. Por tanto aumenta la conductividad y disminuye
la resistividad.
Un termistor NTC es un componente cuya resistencia disminuye con la
temperatura, debido a este efecto, por lo que puede ser utilizado para convertir
cambios de temperatura en variaciones de corriente:

I Símbolo NTC

V -tº T2 > T1 ⇒ R(T2 ) < R(T1 ) ⇒ I(T2 ) > I(T1 ) (V = cte.)

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Dispositivos: fotorresistencia (LDR)

Al iluminar algunos semiconductores, los electrones de la banda de valencia pueden
pasar de la banda de valencia a la de conducción. Como consecuencia la
conductividad aumenta y la resistividad disminuye.
Una fotorresistencia o LDR es un dispositivo cuya resistencia disminuye al ser
iluminada, debido a este efecto.

I
Símbolo LDR

V R(en oscuridad) > R(con iluminación)

I(en oscuridad) < I(con iluminación)
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Dispositivos: sonda de efecto Hall

v d
B F VH

I V

Si a una lámina de semiconductor por la que circula una corriente I se le aplica un

campo magnético B perpendicular a la dirección de propagación de las cargas, éstas
experimentan una fuerza perpendicular a ambos:
! ! !
F = q(v × B )
Esta fuerza genera una diferencia de potencial en bornes del voltímetro:
r pµp − nµn
2 2
IB
VH = RH con RH =
d q (pµp + nµn )2