Sunteți pe pagina 1din 13

1.

Oglinzi de curent

1. Oglinzi de curent
Problema 1. Fie oglinda de curent cascodă cu tranzistoare MOS din Figura 1.1.

a). Să se determine expresiile rezistenţelor de intrare şi de ieşire. Cât este valoarea aces-
tora dacă tranzistoarele din schemă au următoarele valori pentru parametrii de semnal
mic: rDS=100kΩ şi gm=1mS.
b). Să se dimensioneze M1, M2, M3 şi M4 astfel încât Iout=5Iin=100μA şi Vod1=Vod2=
250mV, iar Vod3=Vod4=220mV. Lăţimea minimă a canalului se consideră Lmin=0.5μm.
c). Să se redimensioneze tranzistoarele cascodă pentru Vod3=Vod4=180mV. Ce parametru
al oglinzii de curent se schimbă pentru noul punct static de funcţionare?

Figura 1.1

Rezolvare:

a). Rezistenţele văzute la intrarea, respectiv la ieşirea circuitului se calculează pe baza sche-
mei echivalente de semnal mic. Astfel, pentru a obţine Rin ca şi raportul dintre tensiunea Vin şi
curentul Iin de la intrare, începem prin a scrie expresia tensiunii de intrare:

Vin = VDS 1 + VDS 3 (1.1)

În continuare, se scrie tensiunea drenă-sursă ca şi căderea de tensiune pe rezistenţa drenă-sur-


să. Prin urmare, conform legii lui Ohm avem:

VDS 1 = rDS1 (I in − g m1VGS1 ) = rDS1 (I in − g m1VDS1 ) (1.2)

Deoarece tranzistorul M1 este în conexiune de diodă, cu grila şi drena conectate împreună,


avem identiatea VGS1=VDS1. Relaţia anterioară poate fi considerată o ecuaţie cu necunoscuta
VDS1. După rezolvarea acesteia, rezultă:

rDS 1 I in
VDS 1 = (1.3)
1 + g m1rDS1

Similar se obţine:

rDS 3 I in
VDS 3 = (1.4)
1 + g m 3rDS 3

1
1. Oglinzi de curent

Înlocuind VDS1 şi VDS3 în expresia lui Vin, iar apoi împărţind tensiunea la curentul de intrare,
vom obţine rezistenţa echivalentă de intrare a oglinzii cascodă:

rDS 1 rDS 3 1 1
Rin = + ≅ + (1.5)
1 + g m1rDS1 1 + g m3 rDS 3 g m1 g m3

Expresia rezistenţei de ieşire a oglinzii cascodă este identică cu cea dedusă la sursa de curent
cascodă:

Rout = rDS 2 + rDS 4 + g m 4 rDS 4 rDS 2 (1.6)

Expresiile aproximative ale Rin şi Rout s-au obţinut ţinând cont de ordinul de mărime al para-
metrilor de semnal mic. Pentru rDS=100kΩ şi gm=1mS, rezultă:

Rin = 2kΩ ; Rout = 10MΩ (1.7)

b). Dimensionarea tranzistoarelor începe cu găsirea setului conţinând parametrii de referinţă.


Astfel, în programul de simulare folosit (în cazul nostru Spice) se construieşte un proiect cu
un tranzistor NMOS (sau/şi PMOS dacă este nevoie) conectat în conexiunea de diodă, care
are în drenă o sursă ideală de curent. Atât geometria tranzistorului, cât şi valoarea curentului
injectat în drenă se aleg. Se rulează apoi o simulare a punctului static de funcţionare şi din
fişierul de ieşire se citeşte tensiunea Vod. Setul parametrilor de referinţă este acum complet, de
exemplu W/L = 5μ/1μ, I = 50μA şi Vod = 240mV.

Pentru dimensionarea tranzistoarelor din schemă se scrie ecuaţia curentului de drenă pentru
setul de referinţă şi apoi pentru noul punct static de funcţionare dorit, iar prin împărţirea aces-
tora (scalare) se găseşte raportul W*/L*. Operaţia se repetă pentru fiecare tranzistor.

⎧ k ⋅ 5μ
⎪50μA = 2 ⋅1μ ⋅ (240mV )
2

⎪ W1 0.9μ
⎨ ⇒ = (1.8)
⎪20μA = k ⋅W1 ⋅ (250mV )2 L1 0.5μ
⎪⎩ 2 ⋅ L1

Deoarece prin ramura de ieşire a oglinzii trece un curent de cinci ori mai mare decât cel din
ramura de intrare, iar tensiunile de overdrive pentru M1 şi M2 sunt egale, rezultă că geometria
tranzistorului M2 este:

W2 0.9μ 4.5μ
= 5⋅ = (1.9)
L2 0.5μ 0.5μ

Se repetă procedura de scalare şi pentru M3:

⎧ k ⋅ 5μ
⎪50μA = 2 ⋅1μ ⋅ (240mV )
2

⎪ W3 1.2μ W4 6μ
⎨ ⇒ = ; = (1.10)
⎪20μA = k ⋅ W3 ⋅ (220mV )2 L3 0.5μ L4 0.5μ
⎪⎩ 2 ⋅ L3

2
1. Oglinzi de curent

c). Dacă se modifică tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascodă, atunci este necesară o
nouă scalare pentru a le dimensiona:

⎧ k ⋅ 5μ
⎪50μA = 2 ⋅1μ ⋅ (240mV )
2

⎪ W3* 1.8μ W4* 9μ


⎨ ⇒ = ; * = (1.11)
⎪20μA = k ⋅W3 ⋅ (180mV )2
* *
L3 0.5μ L4 0.5μ
⎪⎩ 2 ⋅ L*3

Din formula transcoductanţei de semnal mic a unui tranzistor MOS se ştie că gm este invers
proporţională cu Vod. Prin urmare, păstrând curentul constant, odată cu scăderea tensiunii de
overdrive transconductanţa va creşte. Astfel, micşorând Vod3 şi Vod4 de la 220mV la 180mV,
vom obţine o creştere a gm3 şi gm4 de aproximativ 1.22 ori faţă de cazul iniţial. Astfel, Rout a
oglinzii se va mări cu acelaşi raport.

Problema 2. Fie oglinda de curent cascodă de joasă tensiune implementată cu tranzistoare


MOS din Figura 1.2.

a). Să se determine expresiile rezistenţelor de intrare şi de ieşire. Cât este valoarea aces-
tora, dacă rDS=100kΩ şi gm=1mS?
b). Să se dimensioneze M1, M2, M3 şi M4 astfel încât Iout=2Iin=40μA şi Vod1=Vod2=Vod3=
Vod4=240mV. Lăţimea minimă se consideră Lmin=0.25μm.
c). Să se dimensioneze rezistenţa pasivă R pentru VS3=350mV şi Iref =Iin, unde VS3 este po-
tenţialul din sursa tranzistorului M3.

Figura 1.2

Rezolvare:

a). Pentru calculul rezistenţelor Rin şi Rout folosim schema echivalentă de semnal mic de la
problema anterioară, dar ţinem cont de conexiunile diferite din grilele tranzistoarelor atunci
când scriem expresiile tensiunilor grilă-sursă.

Vin = VDS 1 + VDS 3 (1.12)

Tensiunea drenă-sursă VDS1 se poate scrie:

VDS 1 = rDS1 (I in − g m1VGS1 ) = rDS1 (I in − g m1Vin ) (1.13)

Similar, tensiunea VDS3 se scrie:

3
1. Oglinzi de curent

VDS 3 = rDS 3 (I in − g m 3VGS 3 ) (1.14)

Tensiunea VGS3 se poate scrie în funcţie de Vin şi Iin:

VGS 3 = VG 3 − VS 3 = 0 − VDS1 = − rDS1 (I in − g m1Vin ) (1.15)

Înlocuind VGS3 în expresia tensiunii VDS3, obţinem:

VDS 3 = rDS 3 I in + g m3 rDS 3rDS 1 (I in − g m1Vin ) (1.16)

În continuare se înlocuiesc VDS1 şi VDS3 în expresia tensiunii de intrare şi se împarte Vin la cu-
rentul de intrare Iin. Rezultă expresia rezistenţei de intrare:

rDS 1 + rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS1 1


Rin = ≅ = 1kΩ (1.17)
1 + g m1rDS 1 + g m 3rDS 3 g m1rDS1 g m1

Rezistenţa de ieşire este identică cu cea a oglinzii de curent cascodă clasică, iar pentru valorile
gm şi rDS specificate are valoarea de 10MΩ.

b). Pentru dimensionarea tranzistoarelor folosim aceiaşi parametri de referinţă ca şi la proble-


ma anterioară: Wref/Lref = 5μ/1μ, Iref = 50μA şi Vodref = 240mV. Se observă că tensiunea de
overdrive de referinţă este egală cu cea dorită pentru M1, M2, M3 şi M4. Drept urmare, W/L al
acestor tranzistoare se obţine din geometria tranzistorului de referinţă prin scalarea cu raportul
dintre curenţii de drenă.

⎧W1 W3 Wref I1 0.5μ


⎪ = = ⋅ =
⎪ L1 L3 Lref I ref 0.25μ
⎨ (1.18)
⎪W2 = W4 = 2 ⋅ 0.5μ = 1μ
⎪⎩ L2 L4 0.25μ 0.25μ

c). Valoarea rezistenţei R se calculează astfel:

VS 3 350mV
R= = = 17.5kΩ (1.19)
I ref 20μA

Problema 3. Să se determine rezistenţele de intrare şi de ieşire ale oglinzii Wilson simple cu


tranzistoare MOS din Figura 1.3.

Figura 1.3

4
1. Oglinzi de curent

Rezolvare:

Pentru calculul rezistenţelor Rin şi Rout folosim schema echivalentă de semnal mic. Deoarece
oglinda Wilson utilizează o reacţie negativă de tip paralel-serie, rezistenţa de intrare Rin se
obţine pasivizând ieşirea (Vout = 0 conform modelului Norton), iar pentru Rout se pasivizează
intrarea (Iin = 0 conform modelului Thevenin).

• Rezistenţa de ieşire

Vout = VDS 2 + VDS 3 (1.20)

În primul pas exprimăm tensiunea VDS2 în funcţie de parametrii de semnal mic şi curentul Iout.
Se va ţine cont de conexiunea de diodă a tranzistorului M2.

VDS 2 = rDS 2 (I out − g m 2VGS 2 ) = rDS 2 (I out − g m 2VDS 2 ) ⇒ VDS 2 =


rDS 2 I out
(1.21)
1 + g m 2 rDS 2

În pasul al doilea determinăm expresia tensiunii VDS3:

VDS 3 = rDS 3 (I out − g m 3VGS 3 ) (1.22)

unde tensiunea grilă-sursă a tranzistorului M3 este:

rDS 2 I out
VGS 3 = VG 3 − VS 3 = VDS1 − VDS 2 = VDS1 − (1.23)
1 + g m 2 rDS 2

În pasul următor trebuie să exprimăm tensiunea VDS1 în funcţie de parametrii de semnal mic şi
Iout. Pentru aceasta ţinem cont de faptul că VGS1=VGS2=VDS2 şi Iin=0.

VDS 1 = rDS1 (I in − g m1VGS1 ) = − g m1rDS 1VDS 2 = − g m1rDS 1


rDS 2 I out
(1.24)
1 + g m 2 rDS 2

În continuare înlocuim expresia tensiunii VDS1 în VGS3, iar apoi VGS3 în VDS3 pentru a obţine:

⎛ 1 + g m1rDS1 ⎞
VDS 3 = rDS 3 I out ⎜⎜1 + g m 3rDS 2 ⋅ ⎟ (1.25)
⎝ 1 + g m 2 rDS 2 ⎟⎠

În final se înlocuiesc expresiile tensiunilor VDS2 şi VDS3 în Vout şi se obţine rezistenţa de ieşire
împărţind Vout la Iout:

Vout rDS 2 1 + g m1rDS 1


Rout = = + rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2 ⋅ (1.26)
I out 1 + g m 2 rDS 2 1 + g m 2 rDS 2

Expresia simplificată a rezistenţei Rout rezultă ţinând seama de aproximarea gm >>1/rDS.

g m1 g m3 rDS1rDS 3
Rout ≅ (1.27)
gm2

5
1. Oglinzi de curent

• Rezistenţa de intrare

Pentru deducerea rezistenţei Rin vom ţine seama de următoarea egalitate:

VGS1 = VGS 2 = VDS 2 (1.28)

Demonstraţia începe cu egalarea tensiunii de ieşire Vout cu zero conform modelului echivalent
Norton, condiţie necesară pentru calculul rezistenţei echivalente de intrare la circuitele cu
reacţie negativă de tip paralel-serie.

Vout = 0 ⇒ VDS 3 + VGS 1 = 0 (1.29)

Tensiunea drenă-sursă a tranzistorului M3 se scrie:

VDS 3 = rDS 3 (I out − g m 3VGS 3 ) (1.30)

În următorul pas trebuie găsită expresia curentului Iout. Examinând schema echivalentă de
semnal mic, curentul de ieşire se scrie după cum urmează:

VDS 2 ⎛ 1 ⎞
I out = g m 2VGS 2 + = VGS 1 ⎜⎜ g m 2 + ⎟ (1.31)
rDS 2 ⎝ rDS 2 ⎟⎠

În acest moment se poate înlocui expresia curentului Iout în expresia tensiunii VDS3. Noua
expresie VDS3 se introduce în relaţia (1.29). În final, după efectuarea calculelelor se obţine ten-
siunea VGS1 ca şi o funcţie de VGS3:

g m 3VGS 3
VGS1 = (1.32)
1 1
gm2 + +
rDS 2 rDS 3

Tensiunea Vin se scrie ca şi căderea de tensiune pe rezistenţa drenă-sursă a tranzistorului M1:

Vin = rDS 1 (I in − g m1VGS 1 ) = rDS1 I in − g m1rDS 1 ⋅


g m3VGS 3
(1.33)
1 1
gm2 + +
rDS 2 rDS 3

În următorul pas ne propunem să exprimăm VGS3 ca şi o funcţie dependentă de Vin. Din analiza
circuitului cu tranzistoare se vede că tensiunea grilă-sursă a tranzistorului M3 poate fi scrisă
astfel:

g m3VGS 3
VGS 3 = Vin − VGS1 = Vin − (1.34)
1 1
gm2 + +
rDS 2 rDS 3

Din relaţia de mai sus se obţine VGS3 în funcţie de Vin:

6
1. Oglinzi de curent

1 1
gm2 + +
rDS 2 rDS 3
VGS 3 = Vin ⋅ (1.35)
1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

Ne reîntoarcem la expresia lui Vin în care înlocuim VGS3 din ecuaţia (1.35). Rezultă:

g m1 g m 3 rDS1
VGS 3 = rDS1 I in − Vin ⋅ (1.36)
1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

După separarea tensiunii Vin şi a curentului Iin în cei doi membrii ai ecuaţiei se obţine:

Vin rDS 1
Rin = = (1.37)
I in 1 + g m1 g m3 rDS1
1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

Dacă facem aproximarea gm >> 1/rDS, obţinem expresia simplificată a rezistenţei de intrare.

g m 2 + g m3
Rin ≅ (1.38)
g m1 g m3

Problema 4. Să se determine rezistenţele de intrare şi de ieşire ale oglinzii Wilson echilibrate


cu tranzistoare MOS din Figura 1.4.

Figura 1.4

Rezolvare:

• Rezistenţa de intrare

Pentru deducerea rezistenţelor Rin şi Rout vom ţine seama de egalităţile tensiunilor: VGS1=VGS2=
VDS2 şi VGS4=VDS4. Rezistenţa de intrare se calculează pentru Vout=0 iar rezistenţa de ieşire
pentru Iin=0.

În urma analizei circuitului cu tranzistoare se poate scrie următoarea egalitate:

Vin = VDS 1 + VDS 4 (1.39)

7
1. Oglinzi de curent

Tensiunea VDS4 poate fi scrisă după cum urmează:

VDS 4 = rDS 4 (I in − g m 4VGS 4 ) = rDS 4 (I in − g m 4VDS 4 ) ⇒ VDS 4 =


rDS 4 I in
(1.40)
1 + g m 4 rDS 4

Tensiunea VDS1 este:

VDS 1 = rDS1 (I in − g m1VGS1 ) (1.41)

În expresia tensiunii VDS1 trebuie să înlocuim VGS1, considerată necunoscută. Calculele se în-
cep de la condiţia Vout = 0. Tensiunea de ieşire se poate exprima conform structurii de circuit
astfel:

Vout = VDS 2 + VDS 3 = 0 ⇒ VGS1 + VDS 3 = 0 (1.42)

unde tensiunea VDS3 este:

VDS 3 = rDS 3 (I out − g m 3VGS 3 ) (1.43)

Mai avem nevoie de expresia curentului Iout. Pentru aceasta, conform schemei echivalente de
semnal mic, putem scrie următoarea egalitate:

VDS 2 ⎛ 1 ⎞
I out = g m 2VGS 2 + = VGS 1 ⎜⎜ g m 2 + ⎟ (1.44)
rDS 2 ⎝ rDS 2 ⎟⎠

Acum suntem în măsură să înlocuim expresia curentului Iout în cea a tensiunii VDS3, apoi noua
expresie a tensiunii VDS3 în ecuaţia (1.42). Astfel, vom obţine o relaţie între VGS3 şi VGS1.

1 1
gm2 + +
rDS 2 rDS 3
VGS 3 = VGS1 ⋅ (1.45)
g m3

Totodată, tensiunea grilă-sursă a tranzistorului M3 se mai poate scrie:

VGS 3 = VG 3 − VS 3 = Vin − VGS 2 = Vin − VGS1 (1.46)

Egalând ultimele două relaţii, se obţine tensiunea VGS1 ca şi o funcţie de tensiunea de intrare:

g m3Vin
VGS1 = (1.47)
1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

Introducând expresia VGS1 în expresia tensiunii VDS1 dată de ecuaţia (1.41) rezultă.

⎛ ⎞
⎜ ⎟
VDS 1 = rDS1 ⎜ I in − ⎟
g m1 g m3Vin
(1.48)
⎜ 1 1 ⎟
⎜ g m 2 + g m3 + + ⎟
⎝ rDS 2 rDS 3 ⎠

8
1. Oglinzi de curent

In final, se introduce expresia tensiunii VDS1 în ecuaţia (1.39). Rezultă o relaţie care conţine,
pe lângă parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor, doar Vin şi Iin.

rDS 4 I in g m1 g m 3rDS1Vin
Vin = + rDS1 I in − (1.49)
1 + g m 4 rDS 4 1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

Dacă rearanjăm termenii în această ecuaţie astfel încât să putem calcula raportul dintre Vin şi
Iin, vom obţine rezistenţa de intrare de forma:

rDS 4
rDS 1 +
V 1 + g m 4 rDS 4
Rin = in = (1.50)
I in 1 + g m1 g m3 rDS1
1 1
g m 2 + g m3 + +
rDS 2 rDS 3

Se pot face aproximări şi în acest caz, similar ca şi la oglinda de curent Wilson simplă, rezul-
tând expresia simplificată a rezistenţei Rin.

g m 2 + g m3
Rin ≅ (1.51)
g m1 g m3

• Rezistenţa de ieşire

Se scrie tensiunea de ieşire în funcţie de tensiunile drenă-sursă ale tranzistoarelor M2 şi M3:

Vout = VDS 3 + VDS 2 (1.52)

Tensiunea VDS2 se scrie:

VDS 2 = rDS 2 (I out − g m 2VGS 2 ) = rDS 2 (I out − g m 2VDS 2 ) ⇒ VDS 2 =


rDS 2 I out
(1.53)
1 + g m 2 rDS 2

Tensiunea VDS3 este:

VDS 3 = rDS 3 (I out − g m 3VGS 3 ) (1.54)

Ne propunem să exprimam VGS3 în funcţie de parametrii de semnal mic ai tranzistoarelor şi


Iout. Pentru aceasta scriem următoarea relaţie dintre tensiuni:

rDS 2 I out
Vin = VGS 3 + VDS 2 ⇒ VGS 3 = Vin − (1.55)
1 + g m 2 rDS 2

În acest punct al demonstraţiei trebuie să determinăm tensiunea Vin. Analizând circuitul cu


tranzistoare se poate scrie tensiunea de intrare după cum urmează:

Vin = VDS 4 + VDS1 = rDS 4 (I in − g m 4VGS 4 ) + rDS1 (I in − g m1VGS1 ) (1.56)

9
1. Oglinzi de curent

Ştiind că pentru calculul rezistenţei de ieşire se pasivizează intrarea, adică în cazul acestei
configuraţii de circuit avem Iin = 0, ecuaţia de mai sus devine:

Vin = − g m 4 rDS 4VGS 4 − g m1rDS1VGS1 (1.57)

Mai ştim că VGS1=VGS2=VDS2, iar expresia tensiunii drenă-sursă a tranzisorului M2 a fost dată
în ecuaţia (1.53). Prin urmare, tensiunea Vin se poate rescrie:

rDS 2 I out
Vin = − g m 4 rDS 4VGS 4 − g m1rDS1VDS 2 = − g m 4 rDS 4VGS 4 − g m1rDS1 ⋅ (1.58)
1 + g m 2 rDS 2

unde tensiunea grilă-sursă a tranzistorului M4 poate fi determinată astfel:

VGS 4 = VG 4 − VS 4 = Vin − VDS1 (1.59)

Totodată, tensiunea VDS1 are următoarea formă:

VDS 1 = rDS1 (I in − g m1VGS1 ) = − g m1rDS 1 ⋅


rDS 2 I out
(1.60)
1 + g m 2 rDS 2

În următorul pas înlocuim VDS1 în expresia tensiunii VGS4 şi apoi recalculăm VGS4 din expresia
tensiunii Vin. Astfel, obţinem relaţia dintre tensiunea de intrare şi curentul de ieşire:

⎛ g r r I ⎞ g m1rDS 1rDS 2 I out


Vin = − g m 4 rDS 4 ⎜⎜Vin + m1 DS1 DS 2 out ⎟⎟ − (1.61)
⎝ 1 + g m 2 rDS 2 ⎠ 1 + g m 2 rDS 2

După rearanjarea termenilor şi efectuarea calculelor, ecuaţia (1.61) duce la următoarea expre-
sie a tensiunii Vin:

g m1rDS 1rDS 2 I out


Vin = − (1.62)
1 + g m 2 rDS 2

Având Vin, putem să o înlocuim în expresia tensiunii VGS3 din ecuaţia (1.55). Rezultă:

rDS 2 (1 + g m1rDS1 )
VGS 3 = − I out ⋅ (1.63)
1 + g m 2 rDS 2

Dacă înlocuim VGS3 în expresia tensiunii VDS3 din ecuaţia (1.54), obţinem:

⎛ 1 + g m1rDS 1 ⎞
VDS 3 = − I out rDS 3 ⎜⎜1 + g m3 rDs 2 ⋅ ⎟⎟ (1.64)
⎝ 1 + g m 2 DS 2 ⎠
r

Înlocuind expresiile VDS3 şi VDS2 în ecuaţia (1.52), rezultă:

⎛ 1 + g m1rDS 1 rDS 2 ⎞
Vout = I out ⎜⎜ rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2 ⋅ + ⎟⎟ (1.65)
⎝ 1 + g r
m 2 DS 2 1 + g m 2 DS 2 ⎠
r

Rezistenţa de ieşire a oglinzii se scrie:

10
1. Oglinzi de curent

Vout 1 + g m1rDS 1 rDS 2


Rout = = rDS 3 + g m 3rDS 3 rDS 2 ⋅ + (1.66)
I out 1 + g m 2 rDS 2 1 + g m 2 rDS 2

Forma aproximativă este:

g m1 g m3 rDS1rDS 3
Rout ≅ (1.67)
gm2

Problema 5. Se dă circuitul din Figura 1.5.

a). Să se identifice toate oglinzile de curent şi să se specifice tipul acestora;


b). Să se determine curenţii pe fiecare ramură de circuit.

Figura 1.5

Rezolvare:

Circuitul este format din mai multe structuri de oglinzi de curent:

• M1-M2 oglindă simplă de curent PMOS, având câştigul în curent n=1 → I2=Iref;
• M1-M3 şi M1-M4 oglinzi simple de curent PMOS, n=0.5 → I3=I4=Iref/2 şi I7=I8=I3+I4=
Iref;
• M5-M6-M7-M8-M9-M10 oglindă de curent cascodă NMOS de joasă tensiune (M6 în re-
gim liniar), n=2 → I9=I10=2Iref;
• M11-M12-M13-M14 oglindă de curent cascodă PMOS, n=4 → I11=I12=2Iref, I13=I14=8Iref;
• Q1-Q2a-Q2b oglindă de curent NPN bipolară cu degenerare rezistivă, n=2 → IQ2=16Iref;
• M15-M16-M17-M18 oglindă de curent PMOS Wilson echilibrată, n=3 → I16=I18=48Iref;
• Q3-Q4-Q6-Q7 oglindă de curent cascodă NPN bipolară, n=1 → IQ4=IQ7=48Iref;
• Q3-Q55-Q6-M8 oglindă de curent cascodă NPN bipolară, n=1 → IQ5=IQ8=48Iref;
• M19-M20-M21-M23-M24-M25 oglindă de curent cascod PMOS de joasă tensiune (M19 în
regim liniar), n=1 → I21=I25=48Iref;
• M19-M20-M22-M23-M24-M26 oglindă de curent cascodă PMOS de joasă tensiune (M19
în regim liniar), n=1 → I22=I26=48Iref;
• M27-M28-M29-M30-M31-R oglindă de curent cascodă NMOS de joasă tensiune, n=1/3
→ I29=I31=16Iref;
• M32-M33 şi M32-M34 oglinzi simple de curent PMOS, n=1 → I33=I34=16Iref şi Iout=I33+
I34=32Iref=640μA.

11
1. Oglinzi de curent

Problema 6. Fie oglinda de curent cascodă cu ieşiri multiple din Figura 1.6.

a). Calculaţi curentul prin ramura de intrare, astfel încât Rin a oglinzii de curent să fie de
3kΩ. Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor cascodă se doreşte să fie 205mV, iar
pentru restul tranzistoarelor de 265mV.
b). Să se dimensioneze tranzistoarele Mcas şi Mbias, pentru a avea curenţii I1=6Iin, I2=3Iin şi
I3=2Iin.

Figura 1.6

Pentru scalări se foloseşte setul de referinţă: Iref=50μA, Vodref =240mV şi (W/L)ref =5μm/1μm.
Se recomandă ca lăţimea canalului la tranzistoarele cascodă să fie 0.5μm, iar pentru restul
1μm.

Rezolvare:

a). Expresia rezistenţei de intrare a oglinzii de curent cascodă este:

1 1 Vodcas Vodbias
Rin ≅ + = + (1.68)
g mcas g mbias 2 I in 2 I in

Ştiind valorile numerice ale rezistenţei Rin şi ale tensiunilor de overdrive, rezultă curentul prin
ramura de intrare, Iin=75μA.

b). Folosind setul parametrilor de referinţă, se pot face scalări pentru a dimensiona tranzistoa-
rele. Astfel, pentru tranzistorul cascodă Mcas putem scrie:

⎧ k ⋅ 5μ
⋅ (240mV )
2
⎪50μA = 2 ⋅1μ
⎪ Wcas 5.1μ
⎨ ⇒ = (1.69)
k ⋅Wcas Lcas 0.5μ
⎪75μA = ⋅ (205mV )
2

⎪⎩ 2 ⋅ Lcas

Pentru tranzistorul Mbias din ramura de intrare a oglinzii facem următoarea scalare:

⎧ k ⋅ 5μ
⋅ (240mV )
2
⎪50μA = 2 ⋅1μ
⎪ Wbias 6.2μ
⎨ ⇒ = (1.70)
k ⋅Wbias 1μ
⋅ (265mV )
⎪75μA = 2 Lbias
⎪⎩ 2 ⋅ Lbias

12
1. Oglinzi de curent

b). Se observă că valorile curenţilor din ramurile de ieşire ale oglinzii sunt multiplii întregi ai
curentului de intrare. Astfel, dimensiunile tranzistoarelor de ieşire vor fi:

⎧W1b 6.2μ W2b 6.2μ W3b 6.2μ


⎪ L = 6 ⋅ 1μ ; L = 3 ⋅ 1μ ; L = 2 ⋅ 1μ
⎪ 1b 2b 3b
⎨ (1.71)
⎪W1c = 6 ⋅ 5.1μ ; W2c = 3 ⋅ 5.1μ ; W3c = 2 ⋅ 5.1μ
⎪⎩ L1c 0.5μ L2 c 0.5μ L3c 0.5μ

13