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Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD - Vicerrectoría Académica y de Investigación - VIACI

Escuela: Escuela de Ciencias Básicas Tecnologías e Ingenierías Programa: Ingeniería Electrónica


Módulo Física de Semiconductores Código: 299002

MÓDULO
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

MANUEL JULIÁN ESCOBAR DÍAZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

BOGOTÁ

2008

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FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
UNIDAD CAPITULOS TEMAS
1. Física fundamental Dualidad onda partícula.
Fundamentos de la
Ecuación de Schrödinger
mecánica cuántica.
de semiconductores Principio de equivalencia
Pozos y barreras de Potencial infinito y
potencial. escalón.
Barrera de potencial.

Pozo infinito y finito


Aproximación al Fenomenología eléctrica de
comportamiento cuántico semiconductores
de semiconductores. Estructura atómica e iones
Teoría de bandas
Características térmicas y
electromagnéticas
Cinemática del electrón

en semiconductores
Cristalografía Solidos amorfos y
cristalinos
Redes de Bravais
Indices de Miller
Semiconductores Tipos de dopado
Análisis de materiales
y dopado
p yn
Unión p - n y
recombinación
Relación con el contexto Descripción general de un
semiconductor
Estado del arte
Análisis de un posible
diseño de semiconductor
Fenómenos y Fonones y vibraciones
formulaciones relevantes Efecto fotoeléctrico y
en teoría de cuantización de la energía
semiconductores Introducción a la
estadística de Fermi-Dirac
2. Semiconductores en Aproximación conceptual
ingeniería electrónica
Uniones
a las consecuencias
eléctricas de la región
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de agotamiento
Semiconductores

con varias uniones


Obtención de ecuaciones
Principales dispositivos Usos comunes
usados en electrónica
de semiconductores
Diodos rectificador y zener
Transistores BJT
Transistores MOSFET
Montaje en baquelita
Aplicaciones de potencia Triac, Tiristor, Schokty

y aplicaciones de señal

El curso de Física de Semiconductores es de carácter teórico y corresponde a un


segmento primordial de los fundamentos en Ciencias Básicas sobre los que se
construye la técnica electrónica. Es un curso a distancia y de dos (2) créditos
académicos. Durante este curso, se tratarán temas fundamentales de la Física y
la Ingeniería relacionadas. A continuación se resumen diversos aspectos.

Se aborda brevemente la enunciación de los métodos y objetivos de la Ingeniería


Electrónica, a fin de establecer el vínculo entre lo temas visto y la carrera propiamente
dicha.

El tratamiento del curso no tendrá formalidad matemática al 100%. Se espera que


el curso sirva sólo como un marco conceptual y operativo respecto a la física
fundamental de los semiconductores y las estrategias de investigación que la
vinculan con la Ingeniería Electrónica.

Será muy útil si el estudiante está previamente familiarizado en alguna medida con
una serie de conceptos provenientes de diversas áreas; algunos de ellos
realmente se espera que sean ya manejados rutinariamente por los estudiantes (sobre
todo los referentes a física), fruto de anteriores cursos. Se listan a continuación
algunos de ellos:

FÍSICA:
Vibración, Onda, Energía, Carga Eléctrica, Potencia, Campos, Campo Eléctrico y
Magnético, Potencial, Semiconductores.

INGENIERÍA:
Electrónica, Dopado, Materiales conductores y no conductores, transistores,
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Diseño, Componentes Eléctricos, Leyes de Ohm y Kirchoff, conductividad y


uniones.

Las dos unidades del curso son, explícitamente:

PRIMERA UNIDAD, Fundamentos Teóricos, se remite casi exclusivamente a


postulados, leyes o principios físicos y procedimientos o formulaciones
matemáticas aplicadas a física fundamental; se hace énfasis en que los capítulos
tendrán profundidad y extensión MUY VARIABLE, ya que se considera
que ciertos temas de la Física de Semiconductores, asociados fuertemente
a fenómenos eléctricos, son DE MUCHO MÁYOR INTERÉS PARA EL
INGENIERO ELECTRÓNICO que otros, importantes en Física de
Semiconductores, pero no siempre relevantes en Ing. Electrónica.

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SEGUNDA UNIDAD, Ingeniería y Tecnología de semiconductores, es una


introducción al campo tecnológico de los dispositivos usados en sistemas
electrónicos basados en semiconductores simples y las técnicas empleadas
para su empleo, análisis y diseño (aclarando que el curso no se remite a
configuraciones específicas para determinadas aplicaciones a partir de
componentes semiconductores, sino a un esbozo conceptual
contextualizado). Esto incluye un acercamiento al diseño y la investigación
en semiconductores.

Durante el curso las temáticas serán oportunamente desarrolladas, pero cabe la


posibilidad que desde ya el estudiante intente responder estas preguntas:

¿Qué es ―Semiconductor‖?
¿Cuál es la diferencia entre semiconductores, conductores y aislantes?
¿Qué principios físicos gobiernan el comportamiento de un semiconductor?
¿Por qué es importante saber Física de Semiconductores en Electrónica?
¿En qué consisten las investigaciones adelantadas en Semiconductores y las
aplicaciones más avanzadas que de esta tecnología se conocen?
¿De qué forma se definen qué estándares eléctricos se requiere que tenga un
semiconductor, y qué principios físicos se relacionan directamente?
¿Qué significa diseñar un Semiconductor?
¿Qué matemática puede usarse en el terreno de la Física de Semiconductores?

Dentro de las actividades planeadas para la aprehensión de conocimientos, se


encuentra la lectura de textos guías, el desarrollo de investigaciones cien por
ciento libres y la revisión de artículos. Se espera que el estudiante se sienta
motivado a realizar algunas experimentaciones basadas en el contenido teórico
del curso.

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PRIMERA UNIDAD DIDÁCTICA

FÍSICA FUNDAMENTAL DE SEMICONDUCTORES

A principios del siglo pasado (1895-1905) diversas revoluciones conceptuales en física


comenzaron a hacer carrera en la física mundial. Particularmente, el artículo del
Efecto Fotoeléctrico de Einstein (1905) fue abriendo la posibilidad para un desarrollo
justificado de la mecánica cuántica.

¿Por qué tan nombrada la Mecánica Cuántica? Porque su revolución conceptual


es tan fuerte que se vuelve una revolución de Paradigmas, y como tal tiene
repercusiones filosóficas inmediatas. Las contribuciones de Bohr, Schrödinger, De
Broglie, Dirac, Pauli y Heisenberg fueron realmente las que construyeron la
mecánica cuántica; aunque Einstein hubiese colaborado en su precursión, el
formalismo de la mecánica cuántica es debido realmente a los anteriores nombres
mencionados.

Particularmente, De Broglie propuso esta interesante hipótesis, que luego se


comprobó y fue convertida en teoría (la siguiente no es una cita textual, ni mucho
menos):

Así como la luz puede verse como una onda electromagnética, pero al
interactuar con la materia la entendemos mejor cuando suponemos que está
compuesta por partículas (llamadas “fotones”, los cuantos de la luz), una
partícula puede ser entendida como una onda: en otras palabras, se puede
asociar una onda a cada partícula, para entender ciertas de sus propiedades.

Y lo anterior es cierto SIEMPRE. Siempre puede asignarse una Ecuación de


Onda a una Partícula, como si no se propagara una trayectoria de esa partícula,

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sino unos FRENTES DE ONDA que corresponde a esa realidad física que
llamamos ―partícula‖.

Es importante hacer énfasis en que el TODO el universo sigue las leyes de la


mecánica cuántica (y la dualidad onda partícula). El asunto es que los objetos
macroscópicos, debido al orden de magnitud de sus variables físicas (de hecho,
una variable física en particular), no demuestran su carácter ondulatorio
fácilmente. Cabe entonces preguntar, ¿cómo reconocemos el carácter ondulatorio?

Figura 1. Barrera con orificios (negro) y pantalla (rojo)

Véase la figura 1. Una barrera se interpone entre el flujo de partículas que, viajando
de izquierda a derecha, se dirigen hacia la barrera en rojo. Para partículas lo
suficientemente pequeñas, se puede pensar que es extremadamente improbable que
colisionen entre sí, así que, si el grupo de partículas es suficientemente grande,
veremos dos posibilidades:

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A. Partículas en completa Línea Recta: si las partículas describen línea recta


entre la barrera y la pantalla, diremos que VENÍAN en línea recta, desde
antes de la barrera.

B. Partículas en todas direcciones: si las partículas aparecen por todos lados,


podremos decir que las partículas, de alguna forma, venían de todas
direcciones cuando pasaron por los orificios de la barrera.

En ambos casos visualizaremos lo que esperamos que quede marcado en la


pantalla de choque (la línea roja de los anteriores diagramas), como resultado de
las colisiones. En el caso A:

Figura 2. Por cada rendija ha atravesado un grupo grande de partículas en línea recta.

En el caso B, se esperaría que hubiese una distribución aproximadamente igual de


aleatoria a lo aleatorias que sean las direcciones antes de atravesar las ranuras.
Algo así:

Figura 3. Las partículas tenían direcciones ligeramente diferentes, por lo que se esparcen.

Donde es evidente que haya más concentración en el centro, debido a que las ranuras
están en el centro (las gráficas son aproximaciones ilustrativas, no simulaciones).

Ahora, escogeremos el caso B como el real, ya que en experimentos es imposible


hacer que todas las partículas viajen en línea recta (mejor dicho, alinear

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perfectamente las partículas), y el tamaño de las ranuras es muy grande


comparado con el de los electrones. Esto se resume en que si los electrones,
iones o cualquier otra entidad se comportan como partículas, en un experimento
de doble rendija debemos ver una distribución aleatoria centrada en el
medio de las dos rendijas, seguramente con una distribución aproximadamente
Normal. Para ser exactos, podemos esperar una distribución normal para cada
rendija y para la suma de las dos:

Figura 4. Distribución de los puntos según la distancia, centrada en la posición donde se encuentre
la rendija

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Figura 5. Dos normales superpuestas darían la distribución central mostrada en rojo más los
periféricos azules de cada distribución

Es decir, la aleatoriedad de todas formas presenta más casos sobre la región


donde está la rendija, y, al ser dos, vemos el patrón señalado en rojo en el espacio
entre las rendijas. ES ASÍ COMO SE COMPORTAN PARTÍCULAS.

Ahora, la realidad es que este experimento fue realizado y el verdadero


comportamiento visto en pantalla fue aproximadamente:

Figura 6. Verdadero comportamiento de electrones en experimento doble rendija.

Es decir, un PATRÓN DE INTERFERENCIA ONDULATORIA: LAS


PARTÍCULAS INTERFERÍAN COMO ONDAS, lo que ha sido posteriormente
constatado en innumerables experimentos y demostraciones.
Esto querrá decir que el estado de una partícula en un tiempo t y posición x se puede
describir definiendo su ecuación de onda en el tiempo t y posición x.

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La hipótesis de De Broglie se comprobó experimentalmente, en 1927 en los


laboratorios Bell, cuando Joseph Davisson y Lester Halbert Germer observaron la
difrección de electrones en una película metálica. Por este trabajo, Davisson y
Germer recibieron el premio Nobel de Física en 1937.

INTRODUCCIÓN

Erwin Schrödinger utilizó una formulación ya antigua en teoría de mecánica clásica


para definir una importante ecuación de la mecánica cuántica. En principio, es
definir el Hamiltoniano de un sistema como la suma de su energía cinética y potencial,
sean los potenciales que fuesen; lo siguiente es entender que tal definición de
Hamiltoniano obliga a que éste cumpla ciertas propiedades y relaciones. Siendo
este un tema de una carrera de Pregrado en Física, no se entrará en detalles
al respecto, pero sí se hará énfasis que la ecuación de Schrödinger no es compleja
de entender en el plano clásico (no cuántico ni relativista) y resulta análoga a la
que usaremos para conceptualizar la mecánica cuántica básica que abordaremos.

Entendiendo que las partículas pueden describirse como ondas (y que un


fenómeno ondulatorio puede entenderse como partícula), el planteamiento
fundamental se hace con una Función de Onda (la ecuación de Schrödinger es
una ecuación de onda), y requiere comprender el siguiente principio de la
mecánica cuántica, el PRINCIPIO DE INCERTIDUMBRE DE HEISENBERG:

Es imposible conocer al mismo tiempo la ubicación y el momento de una


partícula.

Lo anterior se debe a que se descubrió en la naturaleza una interesante propiedad


de impredictibilidad que parecía aplicarse a TODO. En otras palabras, se
encontró que las partículas están en continua oscilación respecto a casi cualquiera
de los parámetros físicos de interés. Una multitud de experimentos ha mostrado
que las partículas NO SIEMPRE HACEN LO MISMO. Cuando se repite un
experimento de escala cuántica (es decir, una prueba con átomos individuales o
partículas subatómicas, en la que pueda verificarse algún aspecto específico de
cada partícula), NO SE OBTIENEN LOS MISMOS RESULTADOS, por más que
se reproduzcan exacta y precisamente las mismas condiciones. Entonces,
¿cómo puede hablarse de Ciencia Física?

Sencillo. Al ver la imposibilidad de acertar predicciones, los Físicos intentaron


estudiar estadísticamente los experimentos, y finalmente notaron que había
comportamientos más probables que otros. A nivel de porcentajes de ocurrencia,

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SÍ SE PODÍAN PREDECIR RESULTADOS. Por esto, la ecuación de Schrödinger


funciona si se interpreta de manera estadística.

PLANTEAMIENTO

Así pues, la interpretación estadística es suponer que la partícula en cuestión se


está representando con una función de onda cuyo significado será, de alguna
forma, estadístico. Aquí el detalle sutil: LA PROBABILIDAD DE ENCONTRAR
UNA PARTÍCULA EN UN ESPACIO DADO ES IGUAL A LA NORMA DE LA
FUNCIÓN DE ONDA AL CUADRADO, INTEGRADA EN EL INTERVALO
ESPACIAL MENCIONADO. Esto no resulta claro a primera vista, pero quizá en
los siguientes párrafos se dilucide.

Ahora bien, la ecuación de Schrödinger se aplicará sobre una función de onda tipo
senos y cosenos…este tipo de funciones tienen su forma más general en:
.
. . .
¡ (r, t ) = A(r, t ) exp(i[k · r – wt ]) (1)

Donde el número ―i‖ es la base de los números imaginarios, la raíz cuadrada de -1,
y la función de onda (psi) depende del vector de posición r y el tiempo t, por lo
que, en caso general, suponemos que así mismo ocurre con su parte exponencial
y la amplitud A. Es importante que el estudiante recuerde que las exponenciales
complejas se pueden expandir mediante la Identidad de Euler1 (propiedad
matemática que se deduce a partir de la definición formal de exponencial,
senoidales y cosenoidales) de la siguiente forma:
. . .
. . .
exp(i[k · r – wt ]) = cos(k · r – wt ) + isen(k · r – wt ) (2)

Y entonces es evidente que la ecuación ondulatoria de Schrödinger tiene sentido


con este tipo de funciones. Ahora, si restringimos el conjunto de funciones de
onda a aquellas cuya amplitud no varíe, A = constante hace que la derivada
temporal y la derivada espacial cumplan, teniendo en cuenta un caso
unidimensional (por simplicidad):

6
ih (¡ ( x, t )) = –h 2 (¡ (
x, t ) )
6t 6x 2

Si se escoge correctamente k y w. ¿Es esta escogencia arbitraria? NO.


Realmente, teniendo en cuenta la forma (1) con A constante, y la identidad (2), resulta
que una función de ONDA ESTACIONARIA puede ser descrita
1
Respecto a esto se sugiere que se consulte un buen libro de matemáticas, que contenga, claro, series
infinitas. A partir de las definiciones en forma de serie infinita es sencillo entender la identidad de Euler
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especificando los números k y w, que para cualquier onda estacionaria están


relacionados de una manera bien definida, y que representan conceptos físicos.
Entonces:

k: Número de Onda
w: Frecuencia Angular

De manera que k y w guardarán una relación intrínseca. A partir de esta relación,


es que podemos decir:

6
ih (¡ ( x,t ) ) = –h 2 (¡ ( x, t ) )
6t 6x

Siempre y cuando la función de onda sea una onda estacionaria. El valor


constante que se representa como una h más una barra cruzada es llamado ―h
barra‖ y es igual a una constante h dividida entre dos veces el número pi.

h
h=
2n

Y, como el estudiante imaginará, esta h SÍ TIENE UN SIGNIFICADO FÍSICO bien


definido, particular y explícito: es la constante de proporción entre la energía mínima
que una onda de luz puede transmitir y la frecuencia de ésta luz.

Más tarde se entenderá mejor el significado de ―h‖ y se abordará con detalle el


fenómeno de la luz y su interacción con el medio.

Retomando el hecho de que, para ondas estacionarias:

6
ih (¡ ( x, t )) = –h 2 (¡ (
x, t ) )
6t 6x 2

Extenderemos este resultado a tres dimensiones:


ih (¡ ( x,t ) ) = –h 2 6(¡ ( x,t ) )
6t

6 ˆ 6 6
Donde el triángulo representa el Laplaciano 6 = A 2 = i+ ĵ + k̂ , y no es
6x 6y 6z

más un operador que sólo pretende significar que se hace la segunda derivada
con respecto a cada eje de coordenadas y luego se suman los resultados. Esta
ecuación no sólo es válida para ondas estacionarias, pero el nivel de un curso de

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pregrado en Ingeniería no permite ahondar más en su razón de ser, por lo que


simplemente se consignará la siguiente definición y ecuación:

Toda partícula, sin entrar en consideraciones de spín2, puede ser descrita por una
función de onda ψ(r,t) que cumple la ecuación de Schrödinger:

6 . .
(¡ (r, t )) = ih6(¡ (r, t ))
6t

Donde el cuadrado de la función de onda representa una función de densidad de


probabilidad.

Y la ecuación de Schr. (desde ahora utilizaremos esta sigla) se usará en el


siguiente capítulo al encontrar la solución más simple de mecánica cuántica, con fines
ilustrativos.

ACLARACIONES FUNDAMENTALES

Primero que nada, es necesario aclarar que en Relatividad General existe un


Principio de Equivalencia fundamental que NO ES EL QUE SE EXPLICARÁ A
CONTINUCACIÓN, YA QUE EL NOMBRE DE ESTA LECCIÓN ES SÓLO UNA
FORMA EFICIENTE Y RÁPIDA DE RESUMIR EL PROPÓSITO DE ELLA.

Teniendo en cuenta esto, enunciamos el propósito de la lección, que es responder


a esta pregunta:

¿Cómo puede ser coherente la mecánica cuántica con el mundo


macroscópico cotidiano?

Esta respuesta es análoga a una pregunta que suele hacerse en relatividad


especial:

¿Cómo puede ser coherente la relatividad especial con el mundo cotidiano?

La razón de esta última (como introducción a la pregunta en negrilla, que es la que


nos interesa), es que los efectos de la relatividad no son importantes si la

2
Para definición y manejo de Saín remitirse a un libro básico en conceptos de Mecánica Cuántica. Por ahora
se dirá que es una propiedad fundamental de toda partícula, que tiene que ver con cómo se comporta en
colisiones , órbitas y otros fenómenos.

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velocidad de los objetos y fenómenos es muy pequeña comparada con la de la


luz.

Por ejemplo, si se viaja a una velocidad igual al 80% de la velocidad de la luz, la


dilatación del tiempo experimentada al viajar equivale a que, por cada 10 minutos
transcurridos para observadores inmóviles, transcurren sólo 6 minutos para el
viajero. El problema es que el 80% de la velocidad de la luz ¡son 240.000 km/s!!!
Esta velocidad no ha sido siquiera remotamente alcanzada. Se recuerda que un
avión supersónico maneja velocidades sólo alrededor de Match3, que equivale
aproximadamente a 1km/s, 240.000 veces menos que el ejemplo.

¿CÓMO SE HACE COHERENTE LA MECÁNICA CUÁNTICA CON EL MUNDO


MACROSCÓPICO COTIDIANO?

La razón se encuentra en la dualidad onda-partícula de la materia, propuesta por Louis


De Broglie: el que a cada partícula se le asigna una onda, y las propiedades de
éstas definen su comportamiento cuántico.

Ahora bien, la relación entre comportamiento y números ondulatorios es bastante


sencilla: simplemente ha de considerarse la frecuencia de la onda asociada,
debido a la siguiente característica fenomenológica:

Cualquier onda de frecuencia suficientemente alta, puede tener una


oscilación tan rápida que sus interacciones con el universos no tengan
efectos ondulatorios observables: por ejemplo, una mano que golpea una
pared de manera ondulatoria, pero cuya frecuencia es más alta que la
velocidad de captura del ojo humano, no se verá como un objeto en
movimiento sino como un objeto estático (si la frecuencia es apropiada).

Y esto es válido para otros fenómenos físicos diferentes a la visión. Como otro
ejemplo, la propia luz que recibimos es una onda, pero resulta imposible que el ojo
la aprecie como un fenómenos en el que le ―llega o no le llega energía‖, sino como
un continuo de partículas. Aún más: piénsese que si un resorte es presionado por una
fuerza que oscila de forma sinusoidal pero de manera tremendamente rápida,
el resorte no tiene tiempo suficiente para volver a (o salir de) su posición de
equilibrio en los intervalos de fuerza negativa. Como último ejemplo, EL
PROPIO CONDENSADOR FUNCIONA ASÍ EN UN CIRCUITO CONVERTIDOR
DE VOLTAJE AC EN DC: SE ESCOGE EL VALOR DE LA CAPACITANCIA DE
MANERA QUE SU TAO SEA TAL QUE NO PUEDE SEGUIR SU PROCESO DE
DESCARGA, DEJANDO PASAR UN VOLTAJE CONSTANTE.

Si se entiende la validez de los anteriores ejemplos simples, es posible


comprender que una alta frecuencia de la Onda de De Broglie nos hace ver la
onda como un proceso continuo, como una partícula u objeto discreto con propiedades
definidas.

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Ahora, ¿cómo se halla la frecuencia de una onda asociada a tal objeto? De


Broglie encontró que la onda que describe el estado de un objeto tiene que estar
relacionada de esa forma:

Energía del objeto = h*frecuencia


Momento del objeto = h*k/2*3,141592…

Es decir, la energía es proporcional a la frecuencia por el factor h, que es llamado


CONSTANTE DE PLANCK, y que ya mencionamos anteriormente, mientras
que el momento del objeto es proporcional al vector de onda “k”, mediante la
constante de proporción h/(2π), el ―h barra‖ que también se mencionó.

A partir de las dos relaciones de energía y momento, entonces queda claro que:
h
(1.3.1)
Z= .
p

Lo que entrega la respuesta que necesitábamos, ya que Altas Frecuencias


corresponden a Longitudes de onda Cortas, y precisamente este es caso, si
tenemos en cuenta que

h = 6.62618 x 10-34 Joule · Segundo

De manera formal, podemos resumir todo lo anterior en un párrafo:

La constante de Planck tiene un valor tan bajo que en el mundo


microscópico de partículas la longitud de onda producida por los momentos
de dichas partículas (mediante ecuación 1.3.1) es lo suficientemente grande
(frecuencia suficientemente baja de la onda asociada) como para que sea
observable mediante efectos físicos. En cambio, en mundo macroscópico,
los valores de momento de objetos multimoleculares son demasiado
grandes (comparados con el caso anterior), y las longitudes asociadas a
estos fenómenos son demasiado cortas (frecuencias altas de las ondas
asociadas).

Como ejemplo, supóngase una pelota lenta, de masa 100gr y velocidad 0,1 metros
por segundos, comparada con un electrón a 0,5 veces la velocidad de la luz.

MOMENTO PELOTA: (0,1 Kg) * (0,1 m/s ) = 1 x 10-2 Kg·m/s


MOMENTO ELECTRÓN: (9,1x10-31 Kg) * (3x108 m/s) = 2,7 x 10-22 Kg·m/s

Donde se observa la diferencia de 20 órdenes de magnitud entre los dos


momentos analizados.

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INTRODUCCIÓN

EN esta sección se intentará esbozar los ejemplos ilustrativos iniciales de la mecánica


cuántica, para que el estudiante se vaya familiarizando con cierto tipo de gráficas y
funciones que serán utilizados posteriormente (de manera más sencilla) en el
tratamiento de la física de los Semiconductores.

Cuando se examina el movimiento de una partícula, es posible generalizar éste


como el resultado de la acción de diversas fuerzas. Como las fuerzas
conservativas son realmente las de importancia a escala microscópica y estas
fuerzas pueden asociarse a potenciales, tenemos que el movimiento de las
partículas puede ser determinado por la forma e intensidad de los potenciales que
experimenta.

En Mecánica Cuántica la primera aproximación al tratamiento de partículas


sometidas a fuerza son los diagramas unidimensionales de potencial, por
simplicidad. El caso práctico más sencillo (y quizá más relevante en términos de
electrónica) podría ser el potencial que un electrón experimenta en presencia de
un núcleo atómico. Sin embargo, ocurre que la forma de este potencial es
matemáticamente compleja, debido a que la fuerza electromagnética en sí misma
depende de las distancias de separación y las velocidades, por un lado; y por el
otro la distribución de cargas dentro de un núcleo atómico realmente NO es
uniforme (el modelo representativo puntual es sólo una aproximación, bastante
burda pero a veces útil).

Por todo lo anterior, el primer tema a tratar en un estudio conceptual de funciones


de onda, potenciales, movimientos, átomos y mecánica cuántica, es
necesariamente una simplificación de potenciales realmente existente. Desde la
matemática, se encuentra indicado iniciar con unos niveles de potencial
constantes en un intervalo y cero fuera de él.

Esta sección será una de las más largas de toda la unidad, debido a que no sólo
se analiza el caso particular de los potenciales infinitos y escalones, sino que se
expone el sustento matemático de estos métodos; y de hecho la mayor parte del

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contenido que se tratará aquí será utilizado por las siguientes lecciones, de
manera que lo extenso de ésta redundará en una reducción de la longitud de
posteriores secciones.

INTRODUCCIÓN

Las barreras y los pozos de potencial simplemente representan la situación en que


una partícula libre (que no experimenta ningún potencial) se ve sometida a la
acción de una fuerza en un rango determinado. Un potencial positivo representa
una fuerza repulsiva, mientras que un potencial negativo representa una fuerza
atractiva.

El asunto de si es o no válido decir que una fuerza actúa SÓLO en un determinado


rango tiene que ver con la forma matemática de la SUMATORIA DE EFECTOS
DINÄMICOS: es decir, no basta con conocer la forma matemática de la fuerza,
sino si ésta es la única realmente presente, o si algún efecto referente a la historia
cinemática (qué estado de movimiento tenía la partícula antes de experimentar la
fuerza) podría alterar la manera como la partícula responde a la fuerza neta sobre ella.

Finalmente, aquí asumiremos que en algunos casos el modelo de barreras y


pozos es una aproximación suficientemente exacta.

Consideremos primero las gráficas que corresponden a cada caso:

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0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 7. Típica barrera de potencial positivo

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-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 8 Barrera de potencial negativo, equivalente aun pozo de potencial

Dejando esto totalmente claro, se puede ahora pasar a tratar de entender cómo
articula la ecuación de Schrödinger una solución para casos en los que existe un
potencial infinitamente grande o un escalón positivo.

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0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 9 Escalón de potencial. Corresponde a un caso en que la región de acción se extiende


infinitamente en una dirección.

En la figura 7 identificamos un potencial positivo, mientras que en la 8 es claro que


el potencial en mención es negativo (la magnitud del potencial se ha
estandarizado a 1 por simplicidad; la escala de longitud del eje X tampoco es relevante
para la explicación conceptual). Como resulta evidente, es más fácil hablar en
términos de ―barrera‖ y ―pozo‖, ya que con esto queda especificado el signo del
potencial y la forma de la gráfica.

En cuanto la figura 9, analizamos una barrera que cubre infinitos rangos de


longitud. Esta barrera es realmente correspondiente a la función matemática
―Escalón‖, así que es conveniente llamar a la situación ESCALÓN DE
POTENCIAL. Los escalones también puedes ser negativos o de forma inversa (y
siguen siendo escalones), como puede verse en estas figuras:

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-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 10. Escalón de potencial negativo

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-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 11. Escalón de potencial negativo en los valores negativos de x

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0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

Figura 12. Escalón de potencial positivo en los valores negativos de x

Donde vemos que en el caso de las figuras 11 y 12 es necesario especificar hacia qué
valores del eje espacial observamos la presencia del potencial. También se puede
decir ―Un escalón de potencial en el eje positivo/negativo de las x (o de la
coordenada espacial)‖, pero en este caso resultaría más práctico colocar el marco
de referencia en el punto de discontinuidad. Esto quiere decir que la forma usual
de escribir un escalón de potencial es así:

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-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1
-500 -400 .300 .200 -100 0 100 200 300 400 500

Figura 13. Escalón de potencial de la figura 9 después del ajuste de coordenadas que usualmente
se realiza para encarar mejor el problema

SOLUCIÓN DE LA ECUACIÓN DE SCHRÖDINGER PARA ESCALÓN DE


POTENCIAL

Como la función de onda que representa el movimiento de la partícula a estudiar debe


depender de su energía, podemos tratar de evadir la solución de la evolución temporal
separando la ecuación de SCH (se abreviará de ahora en adelante el nombre de esta
manera), ya que la Energía será para nosotros simplemente un parámetro conocido
que obtenemos respecto a una partícula que viene desplazándose desde el espacio
libre. Observemos una gráfica explicativa de la situación inicial del problema:

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Figura 14. Partícula libre en el medio descrito por el escalón de potencial.

La energía de la partícula puede tener diferentes valores (es un simple parámetro),


pero en todo caso está relacionada con su masa y su velocidad. La ecuación de
SCH en ausencia de potencial:

ih (¡ ( x,t ) ) = –h 2 6(¡ ( x,t ) )


6t

Conviene sea separada de manera que se encuentre una ecuación que involucre
a la función de onda pero NO dependa del tiempo, pues entonces desaparece una
derivada (la del lado izquierdo), y nos quedamos con una ecuación mucho más
fácil de solucionar. Específicamente, si la onda solución es estacionaria:

¡ (x, t) = ¡ (x) exp(–iEt / h)

Y, de hecho, la anterior condición permite separar la ecuación diferencial


respecto a sus dos variables, x y t. Recapitulemos el procedimiento:

1. Es más fácil resolver el problema si se pudiera separar la ecuación en parte


espacial y parte temporal, porque así es más fácil encontrar la función de
onda ¡ (x, t)

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2. Si la onda es estacionaria, la forma matemática de ¡ (x, t) es tal que la


teoría de Ecuaciones Diferenciales específica que la Ecuación SÍ ES
SEPARABLE.
3. Como conclusión, una función de onda estacionaria permite hallar con
facilidad la Función de Onda que nos permitirá conocer el estado
cinemático y dinámico de la partícula en presencia del escalón de potencial.

Es por eso que el siguiente principio físico, que no se demostrará o enunciará con
toda la formalidad matemático-física del caso pero que en la aproximación que se
dará es suficiente para brindar un marco conceptual para posteriores análisis, es
radicalmente importante:

“Una función de onda estacionaria está asociada a una partícula en un


estado estable”

Ahora, el concepto de estabilidad en Mecánica Cuántica requiere una enunciación


muy cuidadosa, que será examinada posteriormente. Por ahora nos
conformaremos con concluir que nuestro método de solución, basado en analizar sólo
el aspecto espacial de la ecuación de onda, NOS ENTREGARÁ COMO RESULTADO
LAS FUNCIONES DE ONDA ESTABLES DEL SISTEMA.

A partir de la teoría de Ecuaciones Diferenciales se llega a la ECUACIÓN DE SCH


INDEPENDIENTE DEL TIEMPO:

J{ – h 2 [ ]
E (¡ ( x) ) = || |6 + V ( x) |(¡ ( x) ) (1.2.1.1)
[[ 2m J ]

Donde m es la masa y E la energía, ambas cosas respecto a la partícula. V(x) es


el potencial presente en la región de análisis, y se incluye sin ningún problema,
simplemente añadiéndolo al Laplaciano, ya que hemos supuesto que el potencial
no depende del tiempo, sino sólo de x. Si el potencial fuera variable en el
tiempo, tendría que suponerse que éste potencial fuera separable en las variables
x y t.

Formalmente se escribe de una manera mucho más sintética de esta forma:


J{ – h 2 [ ]
E (¡ ( x) ) = || |6 + V ( x) | (¡ ( x) ) = Ĥ¡ = E¡ (1.2.1.2)
[[ 2m J ]

Y para resolverla, resolvemos la ecuación de SCH en dos diferentes subespacios:

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Figura 15. Las dos regiones a analizar

En la región 1 el potencial es cero, y entonces la ecuación 1.2.1.2 se reduce a


decir ―La segunda derivada de la Función es igual a La función multiplicada por
una constante‖. Este es uno de los casos más simples de ecuaciones
diferenciales, de manera que la solución será:

¡ 1 (x) = Aexp(ikx) + B exp(–ikx) (1.2.1.3)

Donde k es la raíz cuadrada de lo que acompaña a la función en el lado derecho


de la ecuación ya despejada (el resultado típico y simple de Ecuaciones
diferenciales que fue mencionado):

d2 2mE
¡ (x) = – ¡ (x) (1.2.1.4)
2 2
dx h

Es decir,

2mE (1.2.1.5)
k= h

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Las constantes A y B se encuentran mediante comprobación de condiciones en la


frontera entre regiones 1-2 que son necesarias para poder usar la función de onda
como representación de un estado físico.

Para la región 2, sí existe potencial. La ventaja es que, al ser un potencial


constante, la ecuación 2.1.1.4es prácticamente igual a la que se produce en este caso:

d 2m(E – V )
¡ (x) = – ¡ (x) (1.2.1.6)
dx 2 h2

Produciendo dos tipos de soluciones para cada uno de estos casos:

1. Energía de la partícula mayor que el potencial


2. Energía de la partícula menor que el potencial

Figura 16. La energía de la partícula se suele representar en los diagramas de potencial mediante
líneas rectas

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Por ejemplo, en la figura 16 se observa una línea roja que identifica una partícula
con energía mayor que el potencial de la fuerza repulsiva que experimenta,
mientras que la línea amarilla representa una partícula con energía menor.

Como el término E - V en la ecuación 1.2.1.6 cambia de signo según sea uno de estos
dos casos, entonces tenemos:

CASO 1. Energía Mayor

¡ 2 (x) = A exp(iax) + B exp(–iax) (1.2.1.3)

CASO 2. Energía Menor

¡ 2 (x) = C exp(ax) + D exp(–ax) (1.2.1.7)

Donde, para la ecuación 1.2.1.7, ―alfa‖ es también obtenida de la ecuación


fundamental, mientras que C y D tienen que ver con las condiciones de frontera a
cumplir. También es importante notar que estos A y B no tienen necesariamente
que ser iguales a los A y B de la zona 1 de análisis.

2m(V – E)
a= h

Las condiciones de frontera son:

1. La función de onda debe estar definida y ser continua en todo punto del
espacio. De otro modo, no podría identificarse como una función de
densidad de probabilidad
2. Su derivada espacial debe también estar definida y ser continua, ya que se
supone que la segunda derivada existe.
3. También debe existir la derivada temporal, en todo momento.

Sin embargo, aún existen otras condiciones que debes satisfacerse para tener una
función de densidad de probabilidad. Esto es, la función de densidad de
probabilidad no debe ser infinita en ningún punto, sino más bien tender a 0 en el
infinito, ya que cualquier función de densidad es tal que:
œ

ƒ
–œ
f (x)dx = convergente (1.2.1.8)

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A partir de esto, es posible resolver el sistema de ecuaciones que hemos


planteado, si tenemos en cuenta que el punto de inflexión de la función de onda es
donde debemos plantear y resolver el sistema de educaciones:

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

-0.6

-0.7

-0.8

-0.9

-1
-500 -400 .300 .200 -100 0 100 200 300 400 500

Figura 17. Escalón de potencial estandarizado.

Aplicando las condiciones en la frontera (se recomienda que el estudiante lo verifique),


se obtiene que los valores de las funciones de onda que conforman la solución son:
{ ik + a exp(–ikx) [
¡ (x) = exp(ikx) + (1.2.1.9)
[ ik – a J

{ 2ik [
¡ (x) = exp(–ax) (1.2.1.10)
[ ik – a J

Con A como una constante que respeta 1.2.1.8 y además la siguiente


normalización, que proviene también del concepto de función de densidad de
probabilidad (recuérdese que una probabilidad es un número entre 0 y 1, por
definición):

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ƒ ¡ * ( x)¡ ( x)dx = 1
–œ
(1.2.1.10)

Donde el asterisco quiere decir ―complejo conjugado‖, ya que la norma de una


función compleja es el resultado de multiplicar el complejo conjugado de la función
por ella misma y sacar raíz cuadrada a este término Real.

A partir de todo lo anterior, se conoce la probabilidad de que una partícula se


encuentre en el intervalo (por ejemplo) que va desde 0 hasta x:

x x
2

Pr ob(0 s x) = ƒ ¡ (x) dx = ƒ¡ * ( x)¡ ( x)dx = Número


0 0

Ya que la función de onda es bien conocida.

Como el objeto de este curso es entender la física de los semiconductores desde


una perspectiva de Ingeniería, no es necesario realizar más aclaraciones respecto
a los detalles de la derivación, que es sólo una muestra de cómo puede hacerse
un cálculo en Mecánica Cuántica (para este ejemplo se escogió, de hecho, el más
simple de los cálculos posibles con el más simple de los ejemplos de
utilidad, de modo que el estudiante pueda entender y extrapolar la idea a otros
contextos).

En el caso de “Potencial Infinito”, simplemente el número ―alfa‖ será un valor infinito,


de manera que la función de onda en la zona 2 cae a 0 desde el inicio. Cabe
anotar que los potenciales infinitos puede corresponderse a, por ejemplos, soluciones
de situaciones reales en las que una partícula (por ejemplo, un electrón) tiene
una energía miles o decenas de miles de veces menor que el potencial repulsivo
que experimenta.

Finalmente, en la figura 18 se observa la gráfica de norma de la función de onda (rojo)


superpuesta a la gráfica del escalón de potencial (azul), de una manera
aproximada y en el caso en que la Energía de la partícula es menor que el
potencial repulsivo que se le impone. En verde se señala el punto en el que, a
pesar de que el potencial de la fuerza es discontinuo, la función de onda sigue
siendo continua.

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Figura 18. Comportamiento de la norma de la Función de Onda ante el escalón de potencial. En


verde se resalta que la función de onda es continua.

Dos puntos es imperioso mencionar:

● Aunque la función de onda parece tener ―zonas prohibidas‖ donde la


probabilidad es cero o casi cero, la realidad es que una función de onda
realmente es una función del tiempo, por lo que los espacios posibles a la
izquierda del potencial no tienen probabilidad completamente constante de
ser ocupados por la partícula: su probabilidad cambia con el tiempo.
● En mecánica clásica, cualquier partícula que tenga energía menor que un
potencial repulsivo simplemente rebotará contra la barrera de potencial que
se le impone. La mecánica cuántica, en cambio, establece que una
partícula de energía menor que una barrera de potencial repulsivo que
la bloquea SÍ TIENE UNA PROBABILIDAD DE PENETRARLA, AUNQUE
PUEDA SER BAJA.

En esta sección se utilizan todos los resultados de la sección anterior. Para la


barrera de potencial, la función de onda tiene un comportamiento que puede
visualizarse aproximadamente de la siguiente forma:

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Figura 19. Comportamiento de la Barrera de potencial. Tomado de www.wikimedia.org

Básicamente la Figura 19 significa que existe una probabilidad de atravesar una


barrera de potencial más alta que la energía disponible (un resultado francamente
en contra del concepto Clásico). Este fenómeno es conocido como EFECTO
TÚNEL, y es la base de la operación de algunos dispositivos, tales como el
Microscopio que lleva su nombre.

La solución de la ecuación se basa simplemente en los pasos anteriormente


detallados. Para mayor claridad, se resumen de nuevo:

1. Incluir en el Hamiltoniano el potencial respectivo.

2. Para primeras aproximaciones, afrontar sólo la parte Espacial de la


Ecuación de SCH.

3. Encontrar la Ecuación Diferencial Equivalente.

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4. Resolverla; esto equivale a hallar los valores de las constantes que se


encuentran en las exponenciales, que SIEMPRE son función de la energía
incidente y la energía de la barrera.

5. Trasladar el origen del sistema de coordenadas (para poder realizar


rápidamente el paso 6).

6. Aplicar las condiciones de continuidad en los dos puntos de la barrera


donde el potencial de discontinuo: así se obtienen las condiciones de las
constantes.

7. Verificar las condiciones de Normalización de la Función de Onda.

Tanto para una barrera como para un pozo de potencial, se deben haber definido
tres zonas claramente:

Figura 20. Pozo de potencial y sus zonas relevantes

Lo que simplemente quiere decir que la partícula se encuentra ante un potencial


atractivo. A la luz de lo anterior, el resultado de solucionar la ecuación de SCH
correspondiente se resume en:

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Figura 21. Comportamiento de la función de onda en una caja de potencial.

Es decir, aunque una caja de potencial mayor que la energía de la partícula SÍ


CONFINA LA PARTÍCULA, no es posible restringir absolutamente su movimiento: sólo
limitarlo. Esta tipo de inseguridades son comunes en la mecánica cuántica, debido a
que la NATURALEZA MISMA de la Mecánica Cuántica está relacionada
intrínsecamente con la no certeza (Principio de Incertidumbre de Heisenberg). De
hecho, la definición de la diferencia de la Mecánica Cuántica con la Mecánica
Clásica es que “La mecánica cuántica incluye el principio de incertidumbre”,
y la clásica no3.

De nuevo, EN EL CASO DE UN POZO INFINITO, LA PARTÍCULA ESTÁ


PERFECTAMENTE CONFINADA Y LA SITUACIÓN ES LA PREDICHA
CLÁSICAMENTE. Qué tanto el potencial real en análisis sea realmente
infinito, define qué tanto es válida una aproximación clásica, que no maneje
funciones de onda ni tenga en cuenta efectos túnel.

La siguiente es una ilustración a cómo una situación real es modelada por la


Mecánica Cuántica.

3
Sin embargo, es conveniente anotar que existe una definición ampliada de Mecánica Clásica en la que se
complementa el anterior enunciado, así: “La mecánica Clásica es aquella que no tiene en cuenta ni el
principio de incertidumbre ni efectos relativistas (velocidades cercanas a la de la luz)”

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La molécula de Amoníaco es NH3, lo que significa que tiene tres átomos de hidrógeno
y un átomo de Nitrógeno. Los enlaces, como se ve en bachillerato, pueden ser
—en general— covalentes o iónicos, principalmente; en la molécula de Amoníaco lo
importante es la forma de esta molécula: una pirámide triangular.

La pirámide triangular es un poliedro cuyas caras son triángulos:

Figura 22. Pirámide triangular o tetraedro, en una vista superior. Tomado de


www.gaussianos.com

Figura 23. Posible lista lateral de la anterior. Tomado de la página de la Universidad Politécnica de
Cataluña

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De manera que un gráfico que incluya los átomos de la molécula de Amoníaco


puede ser este:

Figura 24. Esquematización de la ubicación de cada uno de los tres átomos de hidrógeno y el de
nitrógeno dentro de la estructura de la molécula de Amoníaco. Recordar que en el gráfico hay una
perspectiva presente.

La figura 24 es una representación bastante exacta: sólo con esta geometría el


Amoníaco podría ser una estructura estable, así que es realmente ésta la forma
que la naturaleza adopta. Notar que el hecho de que los triángulos sean
equiláteros obliga a que haya simetría en los ángulos existentes entre las líneas
que unen un átomo con otro (indicadores de trayectorias de enlace)

Ahora, para entender cómo la molécula de Amoníaco puede —conservando parte


de la simetría para permitir cierta estabilidad— oscilar de algún modo, sería de mucha
ayuda si fuésemos capaces de aplicar mecánica cuántica y encontrar una función de
onda asociada a este movimiento.

Analizar el comportamiento de la molécula puede corresponder a analizar el


movimiento de:

a.) Los tres átomos de hidrógeno, como si fueran una entidad rígida, ya que la
simetría entre ellos puede que se conserve y la figura que forman entre sí
(triángulo equilátero) nunca cambie.
b.) El átomo de Nitrógeno.

Realmente, si tenemos en cuenta que obviamente el movimiento absoluto no es


interesante (la molécula en realidad de todas maneras está fluctuando de muchas
formas y desplazándose constantemente), sino más bien el relativo, podemos

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plantear el problema en términos del Movimiento del Nitrógeno CON RESPECTO


al plano conformado por los tres hidrógenos, o viceversa. Entonces podemos
hablar de este sistema de coordenadas:

Figura 25. Eje de coordenadas seleccionado por conveniencia, a sabiendas de la estructura que
tendrá el planteamiento de la Ecuación de SCH

Entonces, el V(y) relacionado con las fuerzas interatómicas tiene una dependencia
con la distancia que se extrae de la naturaleza de las fuerzas interatómicas: las fuerzas
electromagnéticas entre un átomo y otro. Claramente, V(y) será mayor en tanto más
negativo sea y, para luego decrecer a medida que se aleje de los átomos de
Hidrógeno.

Por supuesto, también podemos pensar en que el sistema de coordenadas es otro


que funcione de la anterior manera para valores positivos de y:

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Figura 26. Otro sistema de coordenadas

Finalmente, suponemos que el átomo de Nitrógeno quizá pueda oscilar de la


siguiente forma:

38
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Figura 27. Posible oscilación del N, entre la posición en A y la posición B; ambas son vértice de un
tetraedro (pirámide triangular), así que ambas son estables.

Ya que las posiciones finales (en un vértice de la pirámide) son estables. Esta
suposición tiene ciertas prohibiciones clásicas que se ven cuando se examina la forma
del potencial. A la vista de esta posible oscilación, lo mejor es colocar el origen
del eje de coordenadas en la base del tetraedro:

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Figura 28. SISTEMA DE COORDENADAS FINAL ESCOGIDO PARA EL ANÁLISIS DE LA


POSIBLE OSCILACIÓN

Entonces el potencial electromagnético, ya que se sabe que normalmente el


Amoníaco haya estabilidad en la configuración de un tetraedro, tiene una
forma que se puede representar así:

Figura 29. Gráfica del potencial electromagnético entre los hidrógenos y el Nitrógeno, asociado a
las fuerzas interatómicas. Este comportamiento no es simplemente el de una fuerza atractiva o
repulsiva: la región en azul representa la barrera de potencial repulsiva, mientras que las zonas
amarillas son zonas estables.

En la figura 29, ¿cuáles son las zonas estables? Por supuesto, las que tengan el
mínimo de energía potencial. Corresponden a los puntos mínimos encerrados en
círculos rojos. Si a la altura de la pirámide le llamamos h, la gráfica completa es:

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Figura 30. Potencial de fuerzas interatómicas y puntos estables en la molécula de amoníaco.

Donde los puntos rojos son los puntos estables. Si necesidad de resolver el caso
particular exacto, se puede aproximar este potencial una suma de los casos
barrera de potencial y pozo de potencial:

Figura 31. Modelo de pozos y barreras de potencial superpuesto al real.

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Figura 32. Modelo esquemático de pozos y barreras de potencial

Así que es posible proceder de una manera aproximada con análisis análogos a
las anteriores secciones. De hecho, la conclusión de la posibilidad del
EFECTO TÚNEL, hace que se pueda decir que sí existe una oscilación.

Especificando las zonas de interés:

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Figura 33. Zonas de interés

Se ve que la solución de este problema es exactamente juntar las soluciones de


barreras y pozos de potencial. Las zonas 1 y 5 finalmente se pueden tratar como
de energía infinita, por tener una probabilidad de penetración muy baja a
distancias mensurables, pero la zona 3 es definitivamente lo suficientemente baja
como para que ciertos estados energéticos puedan tener una probabilidad de
atravesarla. Las ecuaciones son las mismas que fueron analizadas anteriormente.

Aunque el tratamiento matemático de la molécula de Amoníaco es un poco


complejo, con la exposición meramente conceptual pero cercana al proceso
matemático, el estudiante puede tener una idea del enfoque con que se puede afrontar
problemas de este tipo. De hecho, muchas de las conclusiones que se obtienen
a partir del modelo “rectangular” de pozos y barreras para la molécula
de Amoníaco son CIERTAS. Los experimentos lo han comprobado.

Una de las conclusiones más importantes del la resolución de la ecuación de


SCH modelada con un potencial rectangular es que existen dos niveles
principales de energía posible para la Energía, que en realidad corresponden
cada uno a dos niveles de energía muy cercanos, si se examina más
detenidamente el espectro.

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Como nota final, se enuncia que para poder hallar el valor esperado de una
variable observada a partir de la función de onda encontrada, se usa el siguiente
método operativo:

ValorEsperadodeunObservable ÷ (Observable) =
ƒ¡ * ( x)(Observable)¡ ( x)
int ervalo

Esto es, que el valor esperado de un observable es igual a la integral de el


conjugado de la función de onda por el observable por la función de onda,
evaluado sobre el intervalo que quiere tomarse para hallar el valor esperado (éste
puede ser el infinito, para hallar un valor esperado total).

Como las fluctuaciones son aleatorias y gobernadas por el principio de


incertidumbre, sólo podemos hablar del valor esperado y del resultado concreto
obtenido en una medición, pero no podríamos predecir con exactitud qué resultado
tendremos, hacia futuro. En otras palabras, no se puede hacer qué valor
energético tendrá una molécula de NH3 que no conocemos, pero sí podemos decir
qué valores son posibles, y con qué probabilidad: esto quiere decir que, si
tenemos un grupo de un millón de moléculas de NH3, es muy posible que SÍ
podamos predecir en qué proporción se presentan los resultados de energía.
Una predicción estadística.

Un semiconductor tiene la posibilidad de comportarse como aislante o conductor,


en principio. Los límites de cuando se comporta en uno u otro caso están definido
por una multitud de factores.

En este capítulo se tratará de abordar la caracterización de semiconductores


desde diferentes puntos de vista; una de las definiciones más exactas, dada por J.
P. McKelvey, es (no se consigna textualmente):

―Un semiconductor es una sustancia cristalina cuyos electrones tienen un intervalo


de energía (Banda de Energía) prohibida, que no pueden ocupar, entre su región

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energética de valencia y la región energética de conducción, siendo posible que


sus electrones salten de una a otra región‖

En términos de teoría de bandas, se diría simplemente que existe una banda


angosta prohibida entre las bandas de valencia y conducción, pero esta
terminología aún no nos es familiar. Durante el desarrollo de este capítulo se hará
claridad sobre esto.

Un semiconductor presenta diferente comportamiento eléctrico (aislante o


conductor) dependiendo de:

1. Temperatura.

2. Nivel de voltaje al que se haya sometido.

3. Cantidad de impurezas que lo conforman.

4. Tipo de impurezas que lo conforman.

5. Estructura cristalina.

6. Estructura macroscópica, si es que está conformado por un arreglo de


materiales.

De lo anterior, un semiconductor podría dejar de comportarse como aislante para


paulatinamente conducir más y más corriente si un voltaje aplicado sobre él varía
de la manera correcta, suponiendo que sus impurezas y estructura general lo han
preparado para ello. Éste es una de las manipulaciones más comunes en
Ingeniería. Junto con ésta, también aparece el efecto de AUMENTO de la
conductividad al incrementarse la temperatura del material como un fenómeno útil
en multitud de sistemas usados en Ingeniería.

El por qué los semiconductores responden de las formas anteriormente descritas


está directamente relacionado con la Teoría de Bandas mencionada
anteriormente. En el caso de la respuesta a cambios de temperaturas, la relación
directa se debe a que la temperatura es simplemente el aumento de energía
cinética molecular y electrónica, por lo que una mayor temperatura trae como
consecuencia una mucha mayor probabilidad de salto de electrones desde la banda
de valencia a la de conducción.

Entender los mecanismos físicos que permiten los efectos semiconductores


requiere, como mínimo, comprender la estructura de la materia. La siguiente
lección se refiere a esto.

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INTRODUCCIÓN

Los átomos, constituyentes fundamentales de la materia, están formados por un


núcleo (compuesto de protones y neutrones) cubierto de un cúmulo de nubes de
electrones orbitando alrededor de él en trayectorias no completamente constantes
en el tiempo. Cada electrón no tiene una trayectoria definida, pero sí tiene una
REGIÓN de órbitas bien definida. Cada región identifica un Nivel Energético: la
única forma de que un electrón pase de una región de órbitas permitidas a otra es
que cambie su energía.

Adicionalmente a esto, en el modelo de la mecánica cuántica, sabemos que en


presencia de un potencial, todos los niveles Energéticos de una partícula
están cuantizados: esto quiere decir que los niveles posibles son múltiplos
enteros de una cantidad determinada. Esto es igualmente válido para
moléculas, átomos y cualquier situación microscópica en la que una o más
partículas experimentan una fuerza, asociada a un potencial, si esto tiene como efecto
estados ligados (estados donde la partícula no tiene completa libertad de movimiento).

De aquí que exista la llamada ―BANDA PROHIBIDA‖ (GAP). Los electrones en un


átomo tienen un último nivel de suma importancia para la teoría de enlaces
moleculares: los electrones ubicados en el último nivel energético son los
Electrones de Valencia, y son los que son transferidos de un átomo a otro o
compartidos entre los átomos, formando los enlaces que dan estructura a las
moléculas.

Existen dos tipos de enlaces principales:

- IÓNICOS: Los electrones de un átomo son totalmente atraídos y


prácticamente transferidos a otro átomo, víctima de la fuerza
electromagnética atractiva que ejerce sobre él ese núcleo.
- COVALENTES: Los electrones de un átomo son también atraídos por el
otro átomo, pero en este caso no es suficiente la fuerza de atracción y
se genera un estado estable orbital para ambos átomos con el mismo único
electrón. El electrón se dice entonces que es compartido.

Realmente, no son sólo las fuerzas electromagnéticas las que gobiernan los
enlaces y fenómenos atómicos. Como se vio en la breve conceptualización de
análisis del Amoníaco, ni siquiera el potencial interatómico tiene una forma simple.
Asimismo, se sabe que existe la llamada REGLA DEL OCTETO:

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―Los enlaces entre átomos tienden a darse de tal manera que cada átomo tienda a
completar 8 electrones en su nivel de valencia, o, si sólo tiene un nivel de energía,
2 electrones en su nivel de valencia‖.

Otro efecto bastante significativo es que un par de electrones en enlace covalente


siempre tienen su espín antiparalelo al otro. El espín es uno de los números
cuánticos relevantes. Esto nos lleva a la necesidad de entender ciertos aspectos sobre
la Mecánica Cuántica en Átomos y Moléculas.

MECÁNICA CUÁNTICA EN ÁTOMOS

Para la ilustración de lo anterior, conviene estudiar el átomo de Hidrógeno: éste


tiene sólo un electrón orbitando alrededor de un protón. Por tanto, no es muy
difícil describir una versión simplificada del potencial, donde éste siga a la ley de
Coulomb con toda exactitud y usemos como distancia R de separación entre
electrón y protón el radio de un supuesta órbita circular. Este modelo es sólo
aproximado debido a la existencia de ciertos efectos, de los cuales algunos son
pequeños y otros no tanto:

1. Como el electrón moviéndose corresponde a una corriente eléctrica, la


presencia de un campo magnético lo afecta y altera el potencial.
2. Si existiera un efecto de giro en el electrón, también habría un momento
magnético que interactuaría con la corriente eléctrica conformada por el
electrón girando (de hecho, esto se verá más adelante).
3. Una órbita estable puede ser elíptica: entonces R no sería constante.

La aproximación comentada es suficientemente buena. Entonces el potencial del


Hamiltoniano que usaremos es:

Ke
V (r) =
r

Donde ―e‖ es el valor absoluto de la carga del electrón (o del protón, ya que su
carga es igual: todo átomo natural es eléctricamente neutro) y K es una constante que
ajusta unidades. Usualmente en el Sistema Internacional de Unidades se toma
que K=1/(4πε0). Como este potencial no es constante, podemos intuir desde ya que
la solución de la Ecuación de SCH no será tan sencilla como la de pozos y barreras.

De hecho, para resolver la ecuación resultante (la letra griega Miú [μ] representa la
masa reducida: una transformación de las masas de protón y electrón que hace
que el término asociado represente la energía cinética total, incluyendo los
posibles movimientos del protón):

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ˆ J h e2]
H¡ = E¡ ÷ |– – |¡ 1.3.2.1

[ 2µ r ]

Es necesario separar de nuevo variables, pero ahora respecto a cada coordenada


de análisis (el mejor método a escoger es un sistema de coordenadas esféricas,
debido a que el potencial es puramente radial: depende de la distancia al centro
pero no de en qué dirección esté el electrón). Antes de proseguir es necesario
especificar en qué consisten los procedimientos descritos:

m1m2
µ=
m1 + m2

Es la masa reducida de la que se habló. La expresión de la energía cinética


usada en el Hamiltoniano es fruto de un análisis puramente matemático y usual.
Ahora, la energía potencial tiene la exacta definición que se conoce del
electromagnetismo clásico. Entonces se puede suponer una solución de variables
separables (ecuaciones diferenciales), identificada como Tn,l ,m (r, $ , 0 ) por ser
realmente una familia de soluciones (cada solución se diferencia de las otras por
los valores de su tríada n, l, m):

Tn,l ,m (r, $ , 0 ) = Rn,l (r)©l , m (0 )0 m ($ )

donde los tres factores multiplicativos corresponden a la solución partida en sus


tres componentes (cada una dependiente de una coordenada). Nótese que las
soluciones son infinitas: la primera es T1,0,0 (r, $ , 0 ) y corresponde a una forma
matemática diferente a la siguiente solución. Los números n, l y m son parámetros
dentro de la solución (de ahora en adelante ―bautizados‖ como Números
Cuánticos), y deben cumplir las siguientes restricciones:

1.) n es un número entero mayor que 0.


2.) l es mayor o igual a 0 pero, como máximo, igual a n-1.
3.) m es un entero cuyo valor absoluto es, como máximo, igual a l.

Los tres puntos anteriores se desprenden de que, si en las fórmulas que dictan
cómo se resuelve la ecuación del átomo de hidrógeno se introducen otros
números que no cumplan 1.), 2.) y 3.), el resultado es una función imposible
físicamente. Entonces, por ejemplo, NO podemos tener:

T1,3,2 (r, $ , 0 )

Pero SÍ podemos tener:

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T1000,800,–500 (r, $ , 0 )

Sin embargo, el hecho de que estos números cumplan las restricciones no es


suficiente para poder entender qué significan. Como la ecuación de Schrödinger
está basada en leyes físicas, cada Número Cuántico debe tener significado físico.
Analizando lo que estas funciones significaban, se entendió a qué se referían;
antes de pasar a este punto, primero debemos ver explícitamente las funciones
que son solución de la ecuación.

Uniendo los dos factores direccionales (los que no dependen del radio),
encontramos la siguiente solución general dependiente de la dirección
(representada con la letra Y en mayúscula:):

con

Por lo que la solución entonces debe escribirse ψ (r,θ,φ) = R ( r ) * Y (θ,φ). Por


supuesto, la forma de R y Y dependen de Números Cuánticos SIEMPRE. La parte
radial de la función de onda es:

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donde

son los polinomios de Laguerre, similares am los polinomios de Legendre

mencionados anteriormente, con su símbolo Pl . Ya conociendo las funciones


que conforman el conjunto de soluciones que satisfacen las leyes físicas que
representa la Ecuación de Schrödinger, se procede a interpretar estos parámetros
llamados Números Cuánticos. Finalmente se encuentra que:

n representa el número cuántico principal, que da la contribución principal, la


energía base que tiene un electrón girando alrededor del núcleo, y que por ello
está relacionado con el radio de la trayectoria orbital. Se entiende que la órbita
NO es estacionaria: ésta puede cambiar y existir una ―región orbital‖ y no una
órbita exacta definida.

l es el número cuántico de momento angular, que representa qué tanto se puede


hablar de un momento angular neto, y en qué dirección, ya que el concepto de
―región orbital‖ hace que sea posible que, si sacamos un promedio de cómo se
comporta el momento angular en un intervalo de tiempo, este sea cero. De hecho,
l = 0 corresponde a un momento angular cero porque la fluctuación de la órbita es
esféricamente simétrica: no hay una dirección o plano sobre el que orbite
preferentemente el electrón, sino que aleatoriamente su órbita cambia de plano
describiendo algo similar a lo que se ve en la figura 34.

Figura 34

m es el número cuántico de ORIENTACIÓN del momento angular con respecto al


eje z (escogido como se quiera), así que corresponde a qué tanto del momento
angular se concentra en una sola dirección. Pero, como la dirección de z es
arbitraria, puede decirse que la información de m es relevante cuando se

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comparan momentos angulares, pues para un solo electrón siempre puede decirse
que, SI EXISTE MOMENTO ANGULAR (l ≠ 0), la dirección del vector momento
angular se define como el eje Z. Por supuesto, si l = 0, entonces m = 0; no hay
componente en dirección z.

Lo anterior puede revelar su importancia cuando ya se sabe que la energía total


disponible en el átomo (en los electrones) depende del radio de la órbita Y DEL
MOMENTO ANGULAR, debido a que éste genera un campo magnético que interactúa
con el núcleo. Sin embargo, la contribución a la energía que tiene que ver con el
momento angular es mucho menor.

Así mismo, las partículas fundamentales presentan otra propiedad asociada con
un número cuántico: El spín (nombre en inglés que usaremos para ajustarnos a la
literatura al respecto, que es más abundante en este idioma). Esta propiedad se
refiere al hecho de que cualquier partícula cargada genera un pequeño campo
magnético aún en reposo. Esto quizá pueda pensarse que se debe a que la
partícula gira (si está cargada, esto genera campo magnético porque constituye un
equivalente a corriente), pero la realidad es que no se puede suponer esto:
cuando se calcula el momento angular intrínseco de un electrón y se tiene en
cuenta su carga y su masa (ya muy conocidas), encontramos que el giro que en
realidad tendría un electrón en realidad no generaría ese campo magnético. Por
esto es que se asegura que el espín no representa Momento Angular Intrínseco,
aunque se pueda usar la matemática de momento angular para trabajar con él.

Teniendo en cuenta lo explicado, a continuación profundizamos sobre la estructura


atómica y el concepto de ionización.

ESTRUCTURA ATÓMICA E IONES

Por lo anterior, podemos establecer un modelo de Capas del átomo. Cada capa
se identifica por sus números cuánticos n y l, de tal modo que electrones con diferentes
valores de número cuántico m se encuentran en la misma ―capa‖: si tienen el
mismo número n y número l, el sector donde orbitan será el mismo, visto como una
región del espacio semejante a un cascarón esférico de algún grosor bien definido
y mucho menor que el radio medido desde el centro del átomo hasta la órbita. Se
puede decir que las regiones identificadas por el número cuántico de momento
angular l ( ―L‖) tienen una forma específica para cada valor que toma este número,
por lo que se puede pensar en cada grupo de electrones que con un mismo l y n
como pertenecientes a una subcapa. Haciendo claridad sobre esto, vemos la figura
35.

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Figura 35. Orbitales atómicos según la información de la página de la Universidad de Huelva,


www.uhu.es

Donde los orbitales serán siempre: s los de l = 0, p los de l = 1, d los de l = 2, etc.


Se aprecia la aleatoriedad que exhibe el orbital s, siendo representado con un
cascarón esférico que abarca las posibles trayectorias de los electrones de tal
número cuántico. Para el orbital 2s (n=2, l=0), entendemos que el dibujo que lo
representa es simplemente un cascarón esférico de menor tamaño. La notación
px, py, pz tiene que ver con el número cuántico m, como se ve en la explicación
dada en el siguiente párrafo.

Adicional a lo anterior, el principio de exclusión de Pauli establece que ningún fermión


puede tener los mismos números cuánticos que otro fermión idéntico en
el mismo sistema. Como el electrón es un fermión, esto quiere decir que si dos
electrones tienen sus números cuánticos principales idénticos, entonces la
orientación del spín debe ser diferente. Para electrones, la orientación spin
es ½ o -½; como sólo existen dos posibilidades, se les llama spin arriba (up) o spin
abajo (down). Esta orientación se asocia con el número cuántico de orientación del
spín, ms. De esta forma, en cada orbital l = 0 sólo existen electrones con m=0,
por lo que sólo hay dos electrones en total (uno con spin up y otro con spin down).
Análogamente, si l=1, entonces m puede ser `-1, 0 o 1: tres diferentes valores de m
están contenidos en este único orbital. Como para cada valor de m puede haber
un par de electrones entonces el orbital don l = 1 puede tener 2x3 = 6 electrones.
Entendemos entonces el significado de px, py, pz y por qué hay como máximo dos
electrones en cada uno.

Una vez comprendido lo anterior, debemos hacer un breve resumen de lo visto


sobre la estructura, para poder dar una simple y corta definición de iones:

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1. La mecánica cuántica gobierna el comportamiento físico de cualquier


partícula, lo que incluye a los constituyentes del átomo.
2. Átomos y moléculas entonces siguen la ecuación de Schrödinger como ley
a cumplir, pero la compleja estructura e interacciones existentes entre los
constituyentes del átomo y entre los mismos átomos hacen frecuentemente
imposible la solución exacta de la ecuación, aunque sí permiten
aproximaciones suficientemente buenas como para entender la base de su
comportamiento.
3. Pozos y barreras de potencial son aproximaciones a los verdaderos
potenciales que la naturaleza presenta, adecuados porque pueden
resolverse de manera exacta y porque lo que se puede concluir de las
suposiciones ideales aplican bastante bien en la realidad.
4. El átomo de hidrógeno se resuelve de manera exacta y su familia de
soluciones nos permite entender que un mismo sistema puede hallarse
en sus estado base (n=1 y l=0) o estar en cualquier estado excitado de
números cuánticos superiores, de manera que se tienen otras
funciones solución.
5. El número n define el radio característico de la región de órbitas, su
distancia desde el núcleo, mientras que el l la FORMA de la órbita.
6. En cada subcapa hay un cantidad máxima diferente de electrones que
pueden existir, debido a que entre mayor sea l son más los posibles valores
que puede tomar m.
7. Para cada tríada n, l, m pueden haber dos electrones: uno con espín down
y otro con espín down.
8. Para cada uno de estos electrones hay una función de onda diferente
que describe completamente su movimiento y energía. Si acercamos
un átomo a otro, los potenciales experimentados por el electrón cambian y
hay que replantear la ecuación de Schrödinger para hallar la nueva función
de onda que cumple el electrón.
9. Lo mismo ocurre en átomos multielectrónicos: el potencial se deberá, por
un lado, a un núcleo mayor; y por el otro, a la existencia de otros
electrones que, al estar cargados, interactúan con los otros electrones,
trayendo como consecuencias que la función de onda hallada para el
electrón del hidrógeno no sea válida para estos átomos.

De todos los puntos anteriores queda completamente claro que una molécula en la
dos átomos están cercanos, fácilmente puede haber electrones cuyas órbitas
pasen por ambos núcleos. A esto llamamos un ENLACE COVALENTE. Por
ejemplo, veamos cómo pueden solaparse dos orbitales s:

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Figura 36. Extraída de www.textoscientificos.com

Existiendo el orbital p aún, éste puede no interferir con el s. Examinando el


proceso de manera más general:

Figura 37. Extraída de www.textoscientificos.com

Debido a que nuestro interés en la mecánica cuántica de los enlaces moleculares


es puramente molecular, se dejará la explicación hasta acá, con objetivo
meramente ilustrativo. Entendiendo la idea general de enlaces covalentes, resulta
sencillo entender la definición de enlaces iónicos:

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En un enlace iónico un electrón de un átomo es transferido completamente a


otro átomo, debido a que las fuerzas de atracción con éste último han sido
mayores. Una vez es transferido, el átomo receptor queda cargado
eléctricamente (con la carga eléctrica negativa que le proporciona el nuevo
electrón), al igual que el donador (que al perder el electrón queda con carga
positiva)…ambas cargas son siempre opuestas, por definición del proceso
anterior. Por esto, ambos átomos estarán probablemente adheridos (si el
enlace se rompe no estarán adheridos pero aún tendrán carga) por la fuerza
electrostática que sus cargas opuestas generan. Cada átomo es llamado
IÓN.

Queda claro cómo funciona el sistema, y cómo éste electrón tenderá a cumplir la
función de onda que le corresponde en orden en su nuevo átomo, aunque no
exactamente debido a que está presente el potencial del otro átomo. A efectos
prácticos, nos interesa el concepto general y el entendimiento que el proceso de
IONIZACIÓN no es más que la creación de Iones….no siempre esto termina en un
enlace iónico, ya que en un Gas Ionizado existen iones que se mantienen
separados debido a la baja densidad del conjunto.

Una vez entendida —aunque en una primera aproximación conceptual— la naturaleza


de la estructura molecular de la materia, se puede pasar a estudiar estadísticamente
los materiales de interés.

En un material cualquiera siempre existirán rutas de viaje de los electrones.


Podemos esperar que un electrón se mantenga en órbita relativamente aleatoria
alrededor de su núcleo o que se transfiera a otro átomo en razón a diferentes
causas:

1.) Mucha energía térmica: se mueve tan rápido la molécula que en algún
momento el electrón puede saltar a otro átomo.
2.) Campo eléctrico: una fuente de carga lo atrae o lo repele muy fuertemente
de un momento a otro (puede ser entendido como un voltaje)
3.) Campo Magnético: igual a lo anterior, pero por causa de un imán.
4.) Energía mecánica macroscópica: un golpe macroscópico de gran impacto
puede alterar la estructura interna de un sólido (por ejemplo, chocar dos
metales puede sacar chispas)

Entre otras. La teoría de bandas modela la manera como se distribuyen los


estados electrónicos según se alteran los parámetros relevantes del sistema. Así,
una banda no es más que un intervalo de energías asociadas —como es natural—

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a un intervalo de estados posibles. Para el análisis del comportamiento


electromagnético de los semiconductores lo más importante es entender lo
referente a las bandas de valencia y conducción:

Si analizamos el comportamiento de un electrón que se mueve a través de un


sólido saltando de átomo a átomo, entenderemos que el potencial que
experimenta (el potencial que ―ve‖) el electrón es tan periódico como la disposición
de los átomos lo sea. Si tenemos una sucesión de cien átomos, el electrón
experimenta un decrecimiento de fuerza eléctrica que le ejerce el átomo del que
se está alejando mientras se incrementa la fuerza eléctrica ejercida por el átomo al
que se está acercando. El potencial debido a cada átomo es de la misma forma
(el potencial electrostático decrece como 1/ r y cada átomo funciona como un ión visto
desde la perspectiva del electrón) y por esto tendríamos un potencial periódico
en el caso de un material compuesto por N átomos de algún elemento específico.

Gráficamente tendríamos:

Figura 38. Potencial experimentado por un electrón: la línea horizontal es donde se encuentran los
átomos de interés, que el eje vertical representa la energía potencial experimentada en cada punto.
Recuérdese que el máximo de energía potencial (en valor absoluto) se experimenta cuando se
encuentra justo en el punto donde está la fuente del campo eléctrico.

Ahora, éste electrón viajero (como hemos visto) no debe estar muy fuertemente
atado a ninguno de los átomos. Su energía cinética debe ser mayor que la
magnitud de energía potencial que lo atrae a cada átomo. Es por esto que el
modelo de energía potencial usado para cualquier estado en el que una partícula
se encuentra de alguna manera oscilando en una zona definida (órbitas,
vibraciones, etc.) es definido con SIGNO NEGATIVO. Así como la energía
potencial Gravitacional que la tierra tiene al girar alrededor del sol es un número
negativo, la energía potencial electromagnética del electrón alrededor de un centro
de carga positiva es siempre negativa, para usar este hecho en el cálculo de la energía
total y definir un criterio que especifique cuándo es posible que el

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electrón escape de la atracción y cuando no; en éste último caso hablamos


de un ESTADO LIGADO. Para entender lo anterior se consignan las ecuaciones:

E total = Ecinética + E potencial = E C – Q


4ns 0 R

Donde hablamos de la carga Q del núcleo, la distancia R y ―Épsilon sub cero‖, la


permitividad del espacio libre.

Y si recordamos que si la magnitud de energía potencial almacenada es mayor


que la energía cinética entonces tenemos un estado ligado, podemos decir que un
estado ligado tiene energía total menor que cero. Esto tiene sentido porque la
energía potencial siempre se define arbitrariamente con respecto a un nivel de
referencia, así que podemos entenderla como negativa y en ese caso la energía
total puede ser también así. Es la ENERGÍA CINÉTICA la que no puede ser
menor que cero. Con todo, es muy claro que si el valor absoluto (la magnitud) de
la energía potencial es mayor que la energía cinética del electrón (es decir, está
orbitando o en estado ligado), es cierto que la Energía total hallada como se
mencionó anteriormente es menor que cero.

Ahora, como el electrón ligado es muy diferente al electrón libre, se definen Bandas
para Electrones Ligados y Banda para Electrón Libre. Primero enunciamos
cuál es cada una e inmediatamente justificamos el porqué:

BANDA DE CONDUCCIÓN: Es el intervalo que corresponde a las energías de los


electrones que pueden ser los electrones libres. Estas energías deben
corresponder a la última banda de energías del sistema atómico que NO ESTÉ
LLENA; es decir, el intervalo de energías que no tiene electrones o no tiene el número
máximo de electrones posibles para esa banda. Con la definición de Banda de
Valencia se aclara la razón de esto.

BANDA DE VALENCIA: Es la Banda asociada a los Electrones Ligados y es la


última banda que esté llena. ¿Por qué? Porque es claro que, los electrones libres
ocupan un nivel de energía en el que haya posibilidad de perder y ganar
electrones. Si el electrón pasa por un sistema cuya última capa está llena (según
lo que se discutió sobre el principio de exclusión de Pauli), se deduce que tomará
los valores energéticos de la siguiente banda. Por otro lado, si existe una banda
parcialmente llena, estos electrones pueden ser removidos fácilmente porque toda
la capa es susceptible de interactuar con los electrones de conducción. De hecho,
se puede decir —sin entrar en las razones exactas de esto— que las bandas
llenas están ―blindadas‖ contra la conducción. Esto tiene ciertas sutilezas que
pueden constituirse en una especie de excepción, pero tal efecto lo revisaremos
en el siguiente apartado, al hablar de Solapamiento de Bandas.

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Existe una dependencia de la temperatura y de la distancia en las gráficas de las


bandas energéticas que existen en los materiales. Como se mencionó cuando se
describieron inicialmente los semiconductores, las formas como existen y
evolucionan las bandas en cada material definen la clasificación de éstos. A la
luz de los conceptos anteriormente explicados, podemos comprender la siguiente
figura esquemática:

Figura 39. Bandas de conducción y de valencia, extraído de www.wikimedia.org

Como puede verse en la figura 39, existe el solapamiento de bandas. Es decir, los
estados energético pueden que estar solapados (superpuestos), de manera que,
aunque la banda de valencia está llena, parte de sus energías son también parte
de los intervalos de la banda de conducción, de manera que un mismo electrón en
cierta forma pertenece a cualquiera de las dos bandas. Esto proviene de la
resolución de las ecuaciones de Mecánica Cuántica pertinentes en cada caso,
como revisamos en anteriores apartados.

En la figura 39 también se aprecia que la superposición de estados del silicio


(gráfica a la izquierda) ocurrirá en un punto específico del diagrama. La flecha
que señala el orden A, B, C indica un proceso de compresión. La forma de la
gráfica de las bandas del carbono es casi exactamente igual al del silicio, como quiera
que ambos elementos tienen cuatro electrones en su última capa. Los subíndices S
y P diferencian las energías de los orbitales ―s‖ de la de los orbitales
―p‖, que son los asociados a cada banda. Para la correcta finalización de este
curso es suficiente entender las dependencias y significado de las bandas de

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energía correspondientes a electrones libres (conducción) y ligados (valencia), por


lo que no se ahondará sobre la forma matemática exacta. Sin embargo, sí es
necesario dar una definición adicional:

GAP: Banda que corresponde al intervalo de energía existente entre el nivel más
bajo de la banda de conducción y el nivel más alto de la banda de valencia. SU nombre
proviene del inglés. La figura 40 Ilustra lo anterior.

Figura 40. Tomado de www.kalipedia.org

Ahora tenemos una comprensión y terminología acordes con la temática de los


semiconductores. Examinando la figura 39 de nuevo, las gráficas de la derecha
dan la definición de semiconductores, metales y aislantes, desde el punto de vista
de teoría de bandas. El GAP del aislante de la figura es 6eV. Obsérvese la figura
41 como ejemplos.

Figura 41. Ejemplos de algunos GAP de energía.

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Por otro lado, las bandas de energía de un metal no siempre están superpuestas
(ver figura 39): también es posible que simplemente la última banda esté parcialmente
llena.

Debido a que en el cero absoluto no existe energía cinética que pueda producir el salto
del GAP, un semiconductor en el cero absoluto debe tener
conductividad cero. A medida que aumenta su temperatura, su
conductividad aumenta hasta que, en determinada temperatura
característica, se comporta como un conductor. Electromagnéticamente un
semiconductor es susceptible a los campos magnéticos o campos eléctricos de
una manera correspondiente a la ―Región de comportamiento‖ donde se
encuentra: si por densidad o por temperatura se comporta como conductor, será
influenciado por los campos electromagnéticos tal como le sucede a un conductor.
Lo mismo aplica en el caso que esté en su ―modo‖ aislante.

Si un semiconductor tuviera iones portadores de cargas o un flujo específico de


electrones en una u otra dirección, el cambio en las concentraciones de cargas
puede verse asociado a un posible voltaje efectivo. Esto será más claro cuando
se explique el comportamiento de semiconductores dopados, en la sección 1.5.

Para entender el movimiento del electrón hay que remitirnos a los casos más
fundamentales y modelos más simples, estudiados en cualquier curso de física
electromagnética. A partir de este sintético repaso se espera que sea más
entendible la explicación conceptual sobre su comportamiento en
semiconductores.

Si existe una corriente de electrones, es natural que microscópicamente esto


corresponda a un movimiento nada simple del conjunto de electrones: cada
electrón sigue su trayectoria con velocidad no constante y sujeto a choques con
otros electrones. También es posible incluso que algún factor externo o interno
relativamente aleatorio lo haga intercambiar energía al punto de saltar el GAP y
bajar a la banda de Valencia. Probablemente algún electrón de capa de Valencia hará
el mismo salto en sentido contrario y se convertirá en electrón de conducción.

Lo anterior lleva inmediatamente a la conclusión de que el movimiento electrónico


debe estudiarse estadísticamente. Como la carga del electrón es
macroscópicamente indetectable debido a que es muy pequeña, finalmente lo que nos
interesa es el movimiento del grupo de electrones del sólido…piénsese que cuando
se miden microamperios (una de las unidades más bajas de corriente

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macroscópica), se está midiendo el flujo de 1x10-6 Coulombs por segundo,


mientras que la carga del electrón es 1.602x10-19 Coulombs, más de diez millones
de millones de veces la carga que fluye en cuando se habla del microamperio. Es
por esto que fluctuaciones de un solo electrón e incluso de unos cientos de electrones,
suelen ser irrelevantes; es más, aunque estos cambios de carga tuviesen
importancia, suelen compensarse por su carácter aleatorio (unos suben,
otros bajan) y por la velocidad con que ocurren (mucho menor a un
microsegundo).

Definimos la VELOCIDAD DE DERIVA como la velocidad promedio de los


electrones en el material, el CAMINO LIBRE MEDIO como el promedio de la
distancia que puede recorrer un electrón antes de chocar y el TIEMPO DE
DERIVA como el tiempo promedio entre colisiones. La ley de Ohm se mantiene
para todo material con una resistencia bien caracterizada y constante: V = IR, pero
para semiconductores su carácter dinámico (a veces más conductor que otras
veces) esta ley debe verificarse con cuidado. Entonces, los conceptos de
Velocidad y Tiempo de Deriva, así como el Camino Libre Medio, son más
exactamente relacionables con las variables macroscópicas de voltaje y corriente
en CONDUCTORES.

Hemos hablado ya de sucesiones de átomos, sólidos, materiales y


comportamiento cuántico y electromagnético. También se ha comentado sobre la
estructura atómica y molecular general; ahora introduciremos algunas ideas
fundamentales sobre la forma como se dispone una multitud de átomos conformando
un objeto macroscópico.

Cuando los átomos se aglomeran para conformar una estructura mayor,


frecuentemente presentan alguna estructura regular. Para ser exactos, existen
patrones de configuración aún microscópicos que definen, caracterizan y de hecho
pueden identificar inequívocamente la estructura y propiedades del sólido
macroscópico que conforman en total.

Se define al sólido como una estructura no fluida: un material en estado fluido


(líquido, gaseoso) sólo reacciona como un todo en respuesta a fuerzas
hidrostáticas o hidrodinámicas…un ejemplo es el agua contenida en un recipiente,
sobre la que no podemos definir algo como ―esfuerzo cortante‖, a diferencia de un

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pedazo metal, sobre el cual es claro que podemos verle reaccionar ante un objeto que
ejerza presión sobre él: hablando formalmente, un sólido exhibe comportamiento
elástico y es rígido. En general, se sabe que un sólido presenta una
estructura u organización molecular bien definida, y en la mayoría de los
casos es de tipo red cristalina. Una Red Cristalina es una conglomeración de
moléculas o átomos que sigue una geometría determinada. Aquí el mejor ejemplo
es un tablero de ajedrez. Si los cuadros representan una molécula que se encuentra
en cada centro, entonces las moléculas negras y las moléculas blancas de este tablero
siempre se encuentran espaciadas de la misma forma y con los mismos ángulos.
Por supuesto, podemos pensar que esta estructura cristalina se puede complejizar
imaginando que cubre las tres dimensiones.

Un sólido amorfo hace parte de la minoría, y presentan un comportamiento


semifluido y semisólido, respondiendo de una forma intermedia ante excitaciones
varias. Las moléculas de un sólido amorfo pueden tener alguna periodicidad
(alguna geometría que se repita periódicamente), pero ésta será imperfecta y en la
mayor parte de los segmentos de sólido que se tomen no podrá prácticamente ser
diferenciada de un conglomerado aleatorio y sin forma. Para aclarar aspectos
sutiles sobre esta diferenciación, lo mejor es observar la figura 42.

Figura 42. Sólido amorfo y cristalino.

Como puede observarse, la figura 42 (izquierda) no parece tener un orden tan sólo
contemplando este pequeño número de átomos. Sin embargo, aún se puede
establecer algunas periodicidades parciales, y equidistancias entre algunos pares
de átomos. Esto, por supuesto, no lo convierte en cristalino: es un sólido amorfo
sin lugar a dudas.

Más interesante es notar que el sólido de la derecha es aproximadamente


cristalino si se quiere ser muy estricto en la definición, o simplemente Cristalino, si
se es amplio. Como los modelos perfectamente simétricos no tienen sentido, ya
que los átomos y moléculas están siempre en movimiento, las pequeñas
asimetrías que son visibles en la estructura cuadriculada que aquí suponemos es
la fotografía de la red cristalina que conforma algún sólido pueden deberse al
movimiento natural de cada partícula o a pequeños desperfectos de la red. En
general, durante el curso hemos de tener en cuenta que la perfección en las redes
cristalina es relativa, y que para efectos prácticos el análisis aproximado es muy fiable.

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Por último, se le recuerda al estudiante que 1.) los sólidos a estudiar son los
cristalinos, ya que los amorfos pueden modelarse prácticamente como fluidos en
condiciones especiales; y 2.) Los sólidos pueden estar formados por distintas
clases de átomos y moléculas, además de posibles impurezas.

Ahora estudiaremos las formas en que pueden existir los Cristales (por cristal
entendemos una agrupación de moléculas/átomos que conforman un sólido de
manera periódica).

Geométricamente sólo hay 14 posibles formas de acomodar periódicamente las


partículas que forman un sólido:

1. Cúbica simple,
2. Cúbica centrada en la cara,
3. Cúbica centrada en el cuerpo,
4. Tetragonal simple,
5. Tetragonal centrada en el cuerpo,
6. Ortorrómbica simple,
7. Ortorrómbica centrada en cara,
8. Ortorrómbica centrada en el cuerpo,
9. Ortorrómbica centrada en las bases,
10. Monoclínica simple,
11. Monoclínica centrada en las bases,
12. Triclínica,
13. Trigonal,
14. Hexagonal.

Cuya correspondencia podemos explicar mediante la gráfica y tabla empotrada del


Colegio de Bachilleres del Estado de Sinaloa, en México:

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Figura 43. Tomada de www.cobaes.edu.mx :

Donde podemos observar la mayor parte de las diferencias geométricas


visualmente. Por supuesto, varias de las redes parecen pertenecer a la misma
familia por sus condiciones angulares y de aristas. Más allá de esto, es
demostrable geométricamente que estas redes cumplen algunas simetrías que las
clasifican en subgrupos.

Las simetrías son propiedades definidas sobre cualquier objeto de estudio y que tienen
que ver con invariabilidad del algún resultado a pesar de cambiar alguno de los
aspectos de su operación: dicho de manera práctica: un objeto de estudio (un cuerpo
físico, una función matemática, un fenómeno de la naturaleza, una figura o una
partícula) se dice que cumple una simetría o TIENE una simetría bajo determinada
operación cuando, al hacer esta operación sobre él, ALGO permanece
igual. Previendo que el estudiante no esté familiarizado con el concepto, aquí
hay algunos ejemplos:

1.) La esfera es simétrica bajo rotaciones sobre su eje: si un globo


perfectamente esférico se gira, el resultado es una figura exactamente
igual.
2.) El cilindro es simétrico bajo rotaciones sobre su eje

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3.) La operación ―Elevar al cuadrado‖ es simétrica bajo cambios de signos de


la base: si cambiamos el signo de la base que se va a elevar al cuadrado,
de todas maneras es resultado es igual (y positivo, dicho sea de paso)
4.) La operación ―Elevar a la cuatro‖ es simétrica bajo cambios de signos de la
base.

Habiendo aclarado lo anterior, se resume que existen las 14 redes anteriores se


agrupan en SIETE SISTEMAS CRISTALINOS, debido a sus propiedades de
simetría:

Sistema Cristalino Ejes Ángulos entre ejes

Cúbico a=b=c α = β = γ = 90º;


Tetragonal a=b≠c α = β = γ = 90º
Ortorrómbico a≠b ≠c ≠a α = β = γ = 90º
Hexagonal a=b≠c α = β = 90º; γ = 120º
Trigonal (o Romboédrica) a=b=c α = β = γ ≠ 90º
Monoclínico a≠b ≠c ≠a α = γ = 90º; β ≠ 90º
Triclínico a≠b ≠c ≠a α ≠ β ≠ γ (Todos distintos de
90º)

Donde cada eje lo asimilamos a cada arista de la figura geométrica. Para mayor
claridad:

Figura 44. Ángulos y ejes, extraído de www.wikipedia.org

Las figuras geométricas que identifican cada red de Bravais se pueden pensar
como unidades básicas. De hecho, una Celda Unitaria está definida como una
región del cristal especificada por los tres vectores a, b y que corresponden a los
ejes mencionados anteriormente; para ser realmente una celda unitaria, esta
región debe producir cualquier otra región del cristal (aproximadamente) al trasladarse
espacialmente mediante la multiplicación por un número entero.

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Los vectores a, b, c deben ser linealmente independientes y son llamados


Vectores Base. Según las anteriores definiciones, es claro que pueden existir
diferentes Celdas Unitarias (el sólido periódico que es la sucesión de cuadrados
de un centímetro cuadrado de área también es la sucesión infinita de rombos de
un centímetro cuadrado de área, o cuadrados de cuatro centímetros cuadrados de
área). Por lo anterior, se define la Celda Unitaria Primitiva como la celda unitaria
de menor volumen que es posible definir. Así, los Vectores Base Primitivos son
los vectores linealmente independientes que la definen.

La ubicación de dada átomo existente en una red se puede representar entonces


de ésta forma:
. . . .
rátomo = ha + kb + lc

Por supuesto, una estructura que sigue esta forma tiene tal regularidad que puede
entenderse como una sucesión de planos compuestos por redes bidimensionales
de átomos. La orientación de estos planos bidimensionales tiene mucha
relevancia física debido a que debe estar intrínsecamente relacionada con la
manera como el sólido se cohesiona y las direcciones de conducción eléctrica
preferidas, entre otras muchas propiedades (la multitud de factores, sin embargo, hace
que la relación entre muchas de estas propiedades físicas y los planos no sea
muy directa). Se puede demostrar que la orientación de los planos queda definida
de una manera muy práctica realizando ciertas operaciones simples. Al resultado
se le llama Índices de Miller. Este es el procedimiento:

1.) Definir correctamente los Vectores Base


2.) Se calculan las intersecciones de éstos con un plano del sistema de
manera que estos puntos estén descritos en función de múltiplos enteros de
los vectores base.
3.) Se invierten estos números. La proporción entre ellos es la que debe
mantenerse, así que los índices de Miller son los enteros más pequeños
que guarden esa proporción.

Veamos la gráfica del departamento de Cristalografía del Consejo Superior de


Investigaciones Científicas de España:

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Figura 45. Plano abc que corta los vectores direccionales (el plano mayor, definido por las líneas
verdes, es paralelo al plano menor)

Como se aprecia, los vectores direccionales cortan infinitos planos paralelos si son
extendidos de manera infinita. Sin embargo, si se les da la longitud mínima d que
los hace constituir la celda unitaria primitiva, sólo cortarán un plano adecuando
correctamente la amplificación de esto (multiplicación por números enteros).
Como no es de todo relevante el entendimiento profundo de Cristalografía para un
curso de Física de Semiconductores dirigido a ingenieros, terminamos este
capítulo con un ejemplo:

1. Un plano específico está conformado por diversos átomos.


2. Los átomos que se encuentran en dirección a los vectores mencionados
anteriormente son sólo tres.
3. Si las distancias reticulares de la red son las longitudes de los vectores, es
decir, a, b y c, ubicamos los tres átomos de intersección por sus distancias
desde el origen que escogimos para el sistema de coordenadas.
Supongamos que estas distancias son 5a, 6b y 3c.
4. Entonces los inversos son 1/5, 1/6 y 1/3.
5. Utilizando el mínimo común múltiplo, obtenemos que debemos amplificar
estos números por 30 para obtener los menores enteros posibles sin perder
la proporción. Entonces los Índices de Miller correspondientes son 6, 5
y 10: hkl = 6,5,10

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Los semiconductores que hemos revisado brevemente son semiconductores


puros, aproximadamente. Con esto queremos decir que son semiconductores
naturales, sin impurezas o con una cantidad ínfima de ellas, si la comparamos con
el número total de átomos. Las características intermedias entre conductores y
aislantes exhibidas por ellos se refieren a su configuración de bandas general, y
es también la que produce su dependencia fuerte la temperatura y su resistencia
eléctrica típicamente intermedia entre la de los aislantes y la de los conductores,
en general. Estos semiconductores son llamados Intrínsecos.

Los semiconductores Extrínsecos son aquellos que presentan impurezas en su


estructura. En otras palabras, algunos átomos de un material externo se
encuentran en su estructura cristalina.

En los semiconductores intrínsecos cualquier fenómeno de conductividad se debe


siempre a los efectos térmicos. Por tanto, lo que hemos referido acerca de las
bandas electrónicas lleva a la ineludible consecuencia de que, por cada electrón
libre de conducción, hay necesariamente un hueco en bandas inferiores, y éste
salto ha sido producto de la energía cinética molecular (asociada directamente con
la temperatura). Este hueco es portador de carga positivo, e incrementa la
conductividad.

Obviamente, un semiconductor Intrínseco entonces tiene la misma cantidad de


huecos que de electrones libres. El semiconductor extrínseco, en cambio, no presenta
tal comportamiento porque LA IMPUREZA ALTERA LA ESTRUCTURA DE
BANDAS. De hecho, la valencia (electrones en el último nivel) de las impurezas
simula una partícula cargada, como se verá más adelante.

Los tipos de dopado son:

- TIPO N: El átomo de impureza tiene más electrones en la capa de


valencia que los átomos de material semiconductor que lo rodean. El
caso típico es el de las impurezas del grupo V de la tabla periódica que
se encuentran comúnmente en semiconductores de Silicio o Germanio.
Como los cuatro electrones de valencia de los semiconductores se
asocian con enlaces covalentes, el quinto electrón de la impureza queda
como ―sobrante‖ y no forma parte de enlace alguno. El resultado es
que, aunque el átomo de impureza es neutro incluyendo a este electrón,

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la fuerza con la que éste se liga al átomo es bajísima (banda de


conducción).
- TIPO P: Justo lo opuesto. Los átomos de impurezas son del grupo III,
haciendo que FALTE un electrón para completar la valencia, hablando
en términos de enlaces y estructura cristalina. Esto puede verse como
un hueco, y en el sentido anteriormente descrito éste contribuye a la
conducción eléctrica.

En ambos casos existe un aumento de conductividad. En la próxima sección


veremos cómo funcionan los semiconductores extrínsecos.

Los materiales p y n son los semiconductores utilizados comúnmente en


electrónica. Mediante ellos se pueden construir diodos, transistores y otros
dispositivos. La diferencia entre uno y otro en tanto la viabilidad de su
construcción tiene que ver con las características atómicas de los elementos del grupo
III y V, ya que son los que más fácilmente pueden ―inmiscuirse‖ en una red
semiconductora pura.

Los semiconductores en general siguen la estadística de Fermi Dirac en cuanto


sus portadores de carga. Esto quiere decir que, en cuanto a las concentraciones
de huecos y electrones, hay una herramienta estadística que permite entender el
comportamiento eléctrico total.

Los semiconductores tipo p y tipo n siempre tienen una mayor concentración de


huecos o electrones que un semiconductor intrínseco, por supuesto, hay que entender
que los semiconductores tipo n y tipo p simplemente AÑADEN electrones o huecos
a la configuración natural de los semiconductores. De esta forma, para diferenciar uno
de otro, se define:

Electrones o huecos térmicos: los generados naturalmente en cualquier


semiconductor por efecto de que su temperatura sea mayor a la del cero absoluto,
debido al salto de electrones a través del GAP.

Para aclarar ésta sección y la interior, se consignan las siguientes gráficas,


extraídas de www.pcaudio.com:

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Figura 46. Red de silicio, semiconductor Intrínseco

Figura 47. Red de silicio Dopado. Existe un hueco que corresponde a una ausencia de electrón.
El átomo de abajo podría ser Boro, por ejemplo.

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Figura 48. Red de silicio dopado. Existe un electrón por fuera de red, así que el átomo de abajo es
del grupo V, como el fósforo.

Como puede verse, las últimas dos figuras deben ser semiconductores
extrínsecos. También podemos identificar que la figura 47 corresponde a un
semiconductor tipo P y la figura 48 a un semiconductor tipo N.

La estadística de Fermi Dirac simplemente relaciona las posibles energías de los


electrones con la probabilidad de que un electrón tenga esas energías: en otras
palabras, aclara cuántos electrones (o qué intervalo de número de electrones)
podemos tener con ciertas características. Es claro que lo anterior se puede decir
de los huecos de igual forma. Las ecuaciones de corriente y voltaje que
estudiaremos más adelante sólo son posibles a través del uso de la información
estadística de los portadores de carga. Las figuras ilustran la estructura
electrónica de impurezas dentro de los cristales.

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Figura 49. Arsénico como impureza, de www.autocity.com

Figura 50. Boro como impureza, de www.autocity.com

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Cuando unimos un semiconductor n con uno p estamos creando una zona físicamente
diferente en la juntura. Entendamos la unión de los dos materiales como la unión
en una cadena tridimensional de dos diferentes estructuras.

De un lado tenemos una sucesión geométrica de enlaces covalentes donde


encontramos ocasionalmente impurezas con un electrón de menos sobre la red,
mientras que del otro la situación es análoga, a excepción del electrón
SOBRANTE en vez de FALTANTE, sobre la estructura de la red. Supondremos
que la red es de silicio.

Del lado izquierdo (p) imaginamos entonces concentraciones de huecos, mientras que
del lado derecho (n) imaginamos concentraciones de electrones. Si los huecos
y electrones fueran resultado de una simple ionización térmica (es decir, si no
existieran impurezas), el número de huecos sería igual al de electrones, en cada
uno de los sectores. Esta concentración intrínseca de portadores de carga (sean
electrones o huecos) es:
2
n = BT 3 exp(–E G / kT )

donde T es temperatura, EG la energía del GAP, k la constante de Boltzmann, B es


el parámetro del material (4.4x1031 en el caso del silicio) y ni el número de
portadores. Si sabemos el número de portadores disponibles, podemos intentar
calcular la corriente que éstos pueden producir.

El factor que hace falta es conocer cómo se presenta el fenómeno físico de


conducción en esta región. La corriente puede responder a dos procesos
diferentes:

- Corriente por Difusión: Es la ocasionada por simple ―dilución‖ de una


impureza en un material. Lo que esto quiere decir es que simplemente
los huecos se mueven hacia donde hay menor concentración de huecos
y los electrones a donde hay menor concentración de electrones. Se
debe a la agitación térmica y movimiento aleatorio natural del mundo
microscópico.
- Corriente por Drift (no se usa la traducción para ajustarse mejor a la
terminología internacional): Es la corriente tradicional esperada por la
aplicación de un campo eléctrico. Como huecos y electrones no son
completa y puramente libres, la simple ecuación de campo eléctrico no
es suficiente.

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De hecho, existe la difusión porque existe un gradiente de concentración. Sin este


requisito, no puede ocurrir. Cuando se da este movimiento de cargas, llega el
momento en que los huecos y los electrones puedan encontrarse, en la unión pn.
Este es el proceso de Recombinación, mediante el cuál se agotan los portadores
disponibles porque, a la luz de lo que se ha explicado, un encuentro de un electrón
y un hueco no es más que el llenado de ese hueco.

La región en la que se da la recombinación es denominada Zona de Agotamiento


y este proceso está estrechamente relacionado con las concentraciones de portadores
que existan. En un semiconductor extrínseco estas concentraciones están
relacionadas con la razón de ionización térmica: cuántos electrones saltan por
intervalo de tiempo, originando el par electrón-hueco.

En semiconductores extrínsecos encontramos todo lo anterior de la misma


manera, entendiendo que los átomos de impureza pueden ser de dos clases:
donadores y receptores. La independencia de las dos regiones a lado y lado de la
unión PN puede llevar, entonces, a una manipulación de las razones de ionización
y de las concentraciones; esto alterará profundamente la respuesta eléctrica del
material al campo eléctrico.

La concentración de impurezas equivale a concentración de electrones o huecos,


y el producto de multiplicar las concentraciones de electrones por las de huecos
siempre es igual a una constante, siempre y cuando se esté en equilibrio térmico…aquí
el estudiante podrá notar entonces que los semiconductores dopados no tienen
igual cantidad de huecos que de electrones, en ningún caso: habrá portadores
mayoritarios y portadores minoritarios. Obviamente, los portadores mayoritarios
de materiales tipo n son electrones y los portadores mayoritarios de materiales tipo p
son huecos.

En las siguientes gráficas se aclara parte de lo explicado hasta el momento con


relación a la región semiconductora PN.

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Figura 51. Tomado del Departamento de Ingeniería de Harvey Mudd College. www.hmc.edu

Figura 52. Op. Cit. Muestra la carga eléctrica como función de la ubicación dentro del material pn
completo. Obsérvese en el centro la región de agotamiento.

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El contexto de nuestro estudio es puramente de ingeniería; toda la física revisada,


a los niveles que sea, debe enmarcarse en el objeto de la carrera que se cursa.
Por tanto, a continuación tratan de vincularse los aspectos teóricos con su utilidad
práctica.

Para describir un semiconductor pensamos en sus propiedades físicas. ¿Qué es


importante saber si se desea construir algún dispositivo para una posterior
aplicación electrónica?

1.) Conductividad a una temperatura dada.


Si se especifica la conductividad del semiconductor a una temperatura dada,
es posible hacer proyecciones de cuál será su resistencia eléctrica en otras
temperaturas. Siempre es posible realizar pruebas que especifiquen el
comportamiento térmico de un semiconductor mediante curva experimental.

2.) Concentración de impurezas


Actualmente, en el proceso de fabricación de un material semiconductor, es
posible conocer con gran precisión la proporción con que se encuentran impurezas
en un semiconductor.

3.) Defectos de red


En la fabricación de cualquier cristal se presentan diversas imperfecciones.
Estas son inevitables: también en la naturaleza se presentan estos fenómenos,
como se mencionó en parte de lo estudiado anteriormente. Entre estos
defectos están las dislocaciones: deformaciones en la estructura cristalina que
se ven con ángulos alterados y que afectan sólo a una fila de átomos.

4.) Comportamiento frente al campo eléctrico


Como un material semiconductor puede pertenecer a diferentes períodos de la
tabla periódica, es natural que sus propiedades físicas puedan variar según el
semiconductor sea de un material u otro. Particularmente, la respuesta a
campos eléctricos varía y es de crucial importancia, pudiendo definirse también
con el trazado de gráficas experimentales, y relacionada siempre con aspectos

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circuitales. Es decir, la resistencia eléctrica y otros fenómenos serán


cualidades que caracterizan el sistema semiconductor, recordando que en circuitos
aplicar campo eléctrico equivale a aplicar voltaje. Además es importante
recordar que el hecho de que el incremento de la corriente eléctrica genere
también un aumento en temperatura debe considerarse en el entendimiento
cualitativo y cuantitativo del comportamiento de la resistencia al paso de corriente
a través del semiconductor.

5.) Características mecánicas


La resistencia a la deformación y otros aspectos meramente mecánicos
pueden ser útiles en multitud de situaciones, ya que algunas aplicaciones de
ingeniería exigen ciertas características específicas. Cabe anotar que el uso de
semiconductores en aplicaciones que no tengan que ver con optoelectrónica o
transductores (como se verá en la segunda parte del curso) se remite
generalmente al diseño de semiconductores a escala microscópica, en
circuitos integrados, transistores o diodos.

Por primera vez hablaremos específicamente de los semiconductores. Estos son:

ELEMENTO GRUPO ELECTRONES ÚLTIMA


CAPA
Cd IIB 2
Al, Ga, B, In IIIA 3
Si, Ge IVA 4
P, As, Sb VA 5
Se, Te, S VIA 6

Ya hemos entendido que la clave para el comportamiento semiconductor son los


enlaces covalentes, por lo que entendemos que son necesarias combinaciones
que produzcan cuatro (4) electrones de valencia. Esto sabemos que ocurre
naturalmente con el Silicio y el Germanio, elementos ambos del grupo IV. Si
combinamos en una molécula un elemento del grupo II con otro del VI o del III con del
V, obtenemos también comportamiento semiconductor.

El azufre es de utilización más reciente y el Silicio es el más fácil de construir, por


lo que fue el primero en utilizarse, históricamente hablando. Veamos cómo se ve
una red donde la unidad principal no es un átomo sino una molécula, en éste caso
correspondiente al compuesto químico GaAs, Arseniuro de Galio:

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Figura 53. Segmento de Arseniuro de galio, donde se observa que un galio se enlaza con más de
un germanio. Tomado de la página de la universidad de Waterloo, www.uwaterloo.ca

En esta sección el estudiante debe investigar por su cuenta con miras al trabajo
colaborativo propuesto. A continuación se consignan algunos aspectos
referenciales acerca de cómo enfocar sus lecturas libres.

Debe entenderse que entre los aspectos importantes a definir, están los
siguientes:

- Elementos químicos a usar.


- Tipo de impureza a emplear.
- Concentración de impurezas.
- Pureza del semiconductor, respecto a imperfecciones de la red.
- Características Mecánicas externas como consecuencias de los
anteriores puntos.
- Características Eléctricas externas como consecuencias de los
anteriores puntos.

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Y los dos puntos anteriores deben responder a específicos requerimientos de diseño


que la aplicación electrónica final exija.

Es necesario tener en cuenta que el diseño de semiconductores se refiere


básicamente a crear elementos sólidos capaces de responder electromagnética y
térmicamente de un modo específico. El diseño de COMPONENTES electrónicos
es una etapa posterior y consiste en USAR los semiconductores ya disponibles
para construir una estructura que, debido a su arquitectura, funciona como uno u
otro dispositivo electrónico (diodos, transistores, etc.).

En general cualquier sólido puede verse afectado por una onda mecánica. La
incidencia de la onda mecánica sobre el medio se traduce microscópicamente en
algún tipo de colisión entre las moléculas del medio y las del sólido. Siendo más
específicos, las ondas mecánicas no son más que vibraciones que son
comunicadas de una molécula a otra: es natural que tales vibraciones puedan
pasar a un sólido.

Como se vio anteriormente, los sólidos cristalinos tienen una estructura tan
específica y geométrica, que puede esperarse que la reacción a las colisiones sea
similar en toda la red. Por esto, cuando existe una excitación vibratoria en algún
punto de la red, ésta puede fácilmente extenderse a los demás justo de la misma
forma como se provocan ondas de sonido en el aire; recuérdese que cuando un
tambor es golpeado es la vibración de su membrana la que produce la onda
sonora en el aire: su periódica (rítmica, podría decirse) oscilación en uno y otro sentido
comprime y descomprime el aire acompasadamente, de manera que estas diferencias
de presión afectarán las moléculas contiguas del aire, haciendo que éstas últimas
también presentes cambios similares de presión. Esto es el sonido.

A la luz del anterior párrafo, resulta comprensible que en una red cristalina, donde
los átomos están a distancias iguales de sus compañeros, cualquier cambio en el
movimiento de uno de sus componentes se traduzca en un radical cambio en la fuerza
que éste ejerce sobre sus compañeros, ya que las fuerzas dependen de la

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distancia entre partículas. Estas alteraciones de fuerzas son experimentadas por


los vecinos: finalmente, un proceso ondulatorio se presenta en todo el sólido.

Ahora bien, no necesariamente la onda podrá verse como un fenómeno


completamente simétrico. Según la organización de la red, es posible que existan
ciertas direcciones preferenciales a través de las cuales la vibración se comunica
óptimamente y otras en las que la vibración se atenúa con rapidez a través del
sólido. Esto se vería como dos tipos de ondas: una sin atenuación medible y otra cuya
amplitud va decreciendo rápidamente, exhibiendo un comportamiento que muchas
veces es rotulado como “Oscilación Amortiguada”.

Figura 54 Oscilador Amortiguado, gráfica de la amplitud de oscilación de cada elemento de la red


en función a la distancia a partir del punto de origen de la onda (en alguna unidad relacionada con
la constante de red). En este caso la atenuación de la vibración en verde es mucho mayor que la
azul.

La transmisión de la onda supone una transmisión de energía. Medir esta energía


puede ser objeto de estudios interesantes; de hecho, la energía que se transmite
puede verse como un ―paquete‖ debido a que la transmisión no se da de forma
continua sino discreta. En otras palabras: no se transmite cualquier cantidad de
energía cuando se hace vibrar la red, sino un múltiplo entero de una cantidad
mínima de energía definida por algunas condiciones físicas. Un fonón es el
cuanto de energía (la mínima cantidad posible de transmitir) en la red
cristalina. Entonces un fonón viajando representa la propagación de una
onda en la dirección de su trayectoria de viaje.

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El tratamiento de Cuantos en física es un poco más delicado que simplemente


entenderlos como representantes de ondas. El fonón es una especie de ―energía
viajera‖ que se comporta exactamente igual a una partícula cuando colisiona con
otra partícula (sean fermiones u otro fonón, por ejemplo), pero que sigue las
propiedades de las ondas en otras situaciones (recuérdese la dualidad onda- partícula
estudiada al inicio de la unidad).

A continuación se estudiará el problema de la dualidad de los cuantos con una


―partícula‖ mucho más usada en el contexto de la ingeniería Electrónica: El Fotón.

Ciertos materiales, al recibir cierto tipo de luz, alteran su respuesta eléctrica.


Microscópicamente hablando, la luz puede hacer que aumenten los electrones
disponibles para conducción. De hecho, puede establecerse una corriente
eléctrica espontánea si la trayectoria es cerrada (circuito cerrado).

Este fenómeno es conocido como Efecto Fotoeléctrico. Su definición exacta ha


variado con el transcurso de los años, los experimentos, la teorización al respecto
y las investigaciones formales. Aunque existe una manera de explicarlo
formalmente haciendo uso de la Mecánica Cuántica, nosotros haremos una
simplificación de ésta para poder abordar sus aspectos fundamentales
brevemente.

A continuación se consigna separadamente el aspecto microscópico de las


partículas involucradas y el aspecto macroscópico del cúmulo total que conforma
el sólido. Posteriormente se encuentra el concepto global que une ambos puntos
de vista.

Aspecto Microscópico

- Los electrones orbitan alrededor de los núcleos debido a la fuerza


electromagnética atractiva: cambios en su energía cinética pueden
desencadenar que los electrones salgan de sus órbitas.
- La luz es una onda electromagnética. Cualquier flujo lumínico a través
de un átomo o molécula es experimentado por los electrones como un
campo electromagnético que los excita.
- La excitación electromagnética para un electrón ligado es simplemente
una adición a su energía total equivalente justamente a la energía que
la onda electromagnética pierda: exactamente igual a como funciona un
colador, si un material (por ejemplo, un vidrio) parece ―bloquear‖ la luz,

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es posible que no sea porque ésta se refleje, sino porque haya sido
ABSORBIDA por él.
- La onda electromagnética transfiere energía en cuantos llamados
FOTONES. Los fotones son la mínima cantidad de energía transferible
al electrón y su valor numérico (es decir, su ―tamaño‖, usando una metáfora)
depende de la frecuencia de la onda.

Un cuanto de luz, un fotón, tiene una energía E = hf, donde h es la constante de planck
y f la frecuencia de la onda electromagnética incidente. De lo anterior, entonces:

E = hs

Aspecto Macroscópico

- Cuando se suministra luz a diversos materiales en cortocircuito, sólo


algunos establecen una corriente eléctrica.
- Al variar la frecuencia de la luz incidente, se observa mayor o menor
efecto fotoeléctrico. Particularmente, existe una frecuencia de corte a
partir de la cual se presenta el efecto Fotoeléctrico.
- La cantidad de electrones desprendidos por causa de la luz es
proporcional a la Intensidad Luminosa (relacionada con la amplitud de la
onda electromagnética), pero NO GUARDA RELACIÓN con la
frecuencia. LA FRECUENCIA DE LA LUZ SÓLO DETERMINA SI SE
PRESENTA O NO EL EFECTO.
- Con mayor detalle, se encuentra que, más allá de la frecuencia de corte
hay frecuencias específicas donde, para una misma intensidad, parece
haber una mejor respuesta del material.

Se modela el fenómeno comprendiendo que la luz suministra energía para dos


aspectos:
1.) Que el electrón del material se libere (electrón libre).
2.) Que ése electrón libre se acelere.

De donde ya podemos deducir que el efecto fotoeléctrico se presenta en


SEMICONDUCTORES con gran claridad; en otros materiales algunas veces no
pueden diferenciarse con tanta facilidad los electrones provenientes de este efecto
(llamados fotoelectrones en argot técnico) de los libres comunes que pueda tener
el material. Por supuesto, en metales este efecto se puede presentar y exhibirse
mediante un Ánodo que atraiga los electrones liberados. La energía del electrón
liberado es:

Eelectrón = hs – $

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Donde ―phi‖ (ø) es la energía necesaria para liberar el electrón, nombrada


comúnmente como ―Función Trabajo‖. Como puede verse, éste es un modelo
eminentemente cuántico: la energía electromagnética está cuantizada respecto a
su interacción con la materia, y en general colisiona como partícula.

En general un electrón absorbe energía electromagnética en múltiplos


enteros de la cantidad mínima posible Ef, es decir, absorbe fotones de
energía. Si la fuente de luz tiene varias frecuencias, entonces absorbe diferentes
fotones.

Para aclarar lo anterior se suele decir que un fotón tiene distinto color que otro:
así, el fotón de la onda electromagnética de mayor frecuencia tiende a ser ―más
violeta‖. Esto, por supuesto, no es más que notación y nemotecnia, ya que el
color es una construcción cerebral sin otra realidad física que la frecuencia de
oscilación de la onda; se puede decir que una onda tiene mayor o menor longitud
de onda o frecuencia de oscilación, pero hablar de color no es físicamente exacto,
ya que la percepción del color es relativa.

En un átomo, a primer orden de aproximación, las transiciones en estados electrónicos


sólo ocurren entre estados adyacentes de energía: el número cuántico ―n‖ del
nuevo estado al que evoluciona un electrón debe ser consecutivo al anterior, por
defecto o por exceso; por ejemplo, si el electrón está en una órbita correspondiente a
n=2, sólo puede pasar a una órbita n=1 o n=3 cuando mucho. Por esto, sólo fotones
del ―tamaño‖ (o ―color‖, ya que en todo caso estas son sólo metáforas) suficiente como
para proveer esta energía pueden provocar estos cambios. Si el fotón es
ABSORBIDO, salta a n=3; si el fotón es EMITIDO por el electrón, esto
corresponde a un salto a un nivel inferior n=2. Es importante recordar que un
electrón también puede emitir espontáneamente fotones, si su decaimiento a
niveles inferiores es también espontáneo.

ESTADOS ENERGÉTICOS Y ESTADÍSTICAS

En general sería ideal conocer todos los aspectos físicos de un sistema para
realmente poder construir un modelo de su comportamiento. Como hay miles y
miles de átomos en un material, y además cada átomo es tan pequeño que es
difícil medir variables sobre un único átomo, es natural que este proceso sea
complicado; quizá imposible. Teniendo en cuenta que la naturaleza misma de los
componentes del universo —los fermiones, bosones, átomos y moléculas— está
regida por una teoría probabilística (La Mecánica Cuántica), es comprensible que
el estudio de un sólido deba recurrir a herramientas estadísticas para poder vencer

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la ineludible aleatoriedad en el comportamiento individual de cada átomo,


molécula, electrón, etc.

La energía de un electrón está dada principalmente por el número cuántico ―n‖


debido a que las contribuciones a la energía provenientes de cambios en el
momento angular (como se vio anteriormente) —es decir, en el número cuántico
―l‖— son muy pequeñas: la cantidad más importante de energía que tendrá el electrón
responde a qué valor de n tiene su función de onda. La energía total también
está relacionada con otros aspectos del electrón (órbita, velocidad, etc.), de modo
que especificar la energía de un electrón en particular se hace decisivo a la hora de
entender su estado cuántico. De hecho, en la teoría estadística que expondremos a
continuación se entenderá que un estado cuántico está completamente determinado
al especificar a qué energía corresponde; dicho de otro modo, hablaremos de
estados cuánticos energéticos como los estados de interés para la
comprensión del comportamiento de los sólidos.

Específicamente, en la próxima unidad, abordaremos los temas de la física de


semiconductores que realmente son relevantes para la Ingeniería Electrónica.
Estos, por supuesto, son los referentes a la respuesta eléctrica, magnética y térmica
de los semiconductores.

ESTADÍSTICA DE FERMI-DIRAC

En este contexto las estadísticas son entonces modelos matemáticos de cuán


probable es que una partícula se encuentre en determinado estado energético.
Básicamente, esto corresponde a especificar, en un sólido, cuál es la proporción
de partículas en cada estado: usar la descripción matemática de la probabilidad
para calcular cuántas hay en cada estado energético se haría sencillo.

La estadística de Fermi-Dirac es una excelente aproximación al comportamiento


exacto de fermiones en general, desde un punto de vista cuántico….cabe recordar
que decir ―un punto de vista cuántico‖ es equivalente a decir ―desde el punto de
vista real y exacto de las partículas‖, pues el universo en general es cuántico. Sin
embargo, para muchísimos problemas son utilizados modelos clásicos. Por
ejemplo, la distribución de Maxwell-Boltzmann es aplicada para el estudio de
multitud de fenómenos macroscópicos compuestos por la interacción y evolución
de trillones de trillones de partículas, funcionando de una manera muy satisfactoria
¿Por qué? Porque muchos fenómenos físicos (como se discutió al inicio de esta
unidad) se comportan de manera clásica en multitud de circunstancias (sea
porque el número de partículas provoca este efecto, sea porque las temperaturas
lo posibilitan, o sea por la razón que sea), permitiendo un análisis que no requiere
utilizar principios de Mecánica Cuántica. La Estadística de Fermi-Dirac SÍ utiliza la
mecánica cuántica de electrones que hemos aprendido hasta ahora. Debido a su
complejidad y el poco uso que se hace en Ingeniería al proceso de estas

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demostraciones, se explicará muy brevemente y en la próxima unidad se utilizarán


directamente fórmulas finales y conceptos.

La distribución de Maxwell-Boltzman es, aproximada y básicamente, una


exponencial decreciente. Es decir, a medida que revisamos energías superiores,
encontramos que hay menos electrones con tal energía. Cualquier fermión
siempre tenderá a ocupar más bien los estados de menor energía que los de
mayor energía. Hablando de manera exacta, la distribución de Maxwell-Boltzman
es una exponencial decreciente alterada, de forma que su máximo valor no ocurre
para energía cero sino para alguna energía baja comparada con el resto de
energías mayores que ella que tengan alguna probabilidad significativa.

La distribución de Fermi-Dirac funciona un poco diferente: primero que nada, las


suposiciones de ambas estadísticas son diferentes. En la vida real, los electrones
son indistinguibles y cumplen el principio de exclusión de Pauli; estos dos
aspectos son completamente ignorados en la derivación de la distribución de Maxwell-
Boltzman.

Si tenemos un estado identificado por la energía Ñ, podemos tratar de deducir cuántos


electrones pueden ocupar ese estado, para construir una función de distribución de
probabilidad según la energía de cada estado. Como deben cumplir el principio
de exclusión de Pauli, lo que se hace es contar cuántos estados electrónicos
contiene cada nivel de energía. Esto quiere decir que cada estado electrónico
de energía de un mismo número ―n‖ tiene muchos subestados, como lo vimos al inicio
de esta unidad. Si existen 6 electrones en un nivel n1, sabemos que esos 6 electrones
están cada uno en un estado cuántico diferente del resto de electrones, por el
principio de exclusión de Pauli. Así, podemos revisar cuántas configuraciones
diferentes corresponden al mismo estado energético n1 de esos seis
electrones. Esquemáticamente podemos ver los conceptos que hemos explicado
hasta ahora en las siguientes figuras.

Figura 55. Electrones en distintos estados energéticos.

En la figura 55 se aprecian 6 niveles, de manera que el último está vacío. Esta


gráfica puede representar estados energéticos: de esta forma, los niveles
superiores tienen energía más alta, y por lo menos existen 2 estados cuánticos

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posibles para los dos primeros niveles: tienen que haber por lo menos dos estados
diferentes para que dos electrones estén en ese nivel energético. Es posible encontrar
una configuración diferente de los mismos 6 electrones:

Figura 56. De nuevo los 6 electrones de la figura anterior.

Acá es claro que éste es un estado energético de menor energía: ahora el electrón
naranja se encuentra con una energía inferior (de hecho, la más baja del
diagrama), y de paso esto obliga a que en realidad ése estado base debe tener mínimo
tres estados cuánticos posibles. Sin embargo, es posible también que distintas
configuraciones produzcan la misma energía total. Supongamos que los
5 niveles de los diagramas anteriores no son energéticos, sino de otro tipo. De
hecho, pensemos que n=2: entonces l=0,1 y m = -1,0,1, mientras que los espines
son ½ ó –½. Existen entonces muchas más posibilidades:

L=0 € m=0 € Un solo estado


L=1 € m=-1,0,1 € Tres estados

Así vistos, pueden haber 4 electrones en el nivel de energía 2 sin necesidad de acudir
al espín. Sin embargo, como la realidad es que el espín existe, contemos:

L=0 € m=0 €Pero dos espines posibles € Dos estados


L=1 € m=-1,0,1 €Pero dos espines posibles € Seis estados

Entonces grafiquemos los niveles que corresponden a Energía = E2:

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Figura 57. Estados para n=2. En amarillo los posibles estados para l=1 y en morado los posibles
estados para l=0.

Donde el concepto de ―subnivel‖ tiene un sentido independiente de la energía en


este contexto: nuestra aproximación especifica que la energía de todos los
subniveles (los amarillos y el morado) es la misma, la E2. En amarillo
encontramos los seis estados que corresponde a l=1, debido a los tres posibles valores
de m y el spin. El último subnivel está vacío.

El número de estados cuánticos correspondientes a una misma energía se llama


DEGENERAMIENTO DEL NIVEL. La distribución de Fermi-Dirac responde a la
siguiente descripción matemática:
g
ni = (s – µ ) i
i
K T
e +1
B

Donde ni es el número promedio de partículas en el estado de energía s , gi es la


degeneración del estado i-ésimo y μ es una constante que representa el estado
frontera a partir del cual no se espera tener partículas; es el llamado Nivel o
Energía de Fermi, Ef.

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SEGUNDA UNIDAD DIDÁCTICA

SEMICONDUCTORES EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Como se comentó en las últimas secciones de la unidad anterior, una unión PN


tiene una zona de recombinación de portadores en donde hay un tránsito de
cargas a través de la juntura misma. La región P, con portadores positivos, tiende
a atraer hacia sí los portadores negativos de la región N. De hecho, esta atracción
permite que muchos portadores crucen la juntura, dirigiéndose a la zona contraria
y permaneciendo ahí sin llegar a recombinarse (recuérdese que la recombinación
es un proceso parcial, que requiere cierta coincidencia aleatoria entre la ubicación
de los huecos y los electrones).

Figura 58. Región de agotamiento

En la figura 58 podemos observar que en la región P se acumulan portadores


negativos, mientras que en la N ocurre lo contrario. Esto se puede ver como una
barrera de potencial (o voltaje) ubicada cerca de la juntura, o como un campo eléctrico
atravesándola. Como es evidente, el campo eléctrico va en sentido

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contrario al existente naturalmente en las zonas PN, como vemos en la figura


número 59.

Figura 59. La flecha roja es el campo en la región de agotamiento y la derecha indica el sentido
natural de la corriente de difusión

De este modo, este campo eléctrico debe asociarse a una barrera de potencial
que entorpece la circulación de la corriente de difusión. Por supuesto, esto
significa que debemos modificar cualquier modelo simple para encontrar
numéricamente el valor de la corriente de difusión, incorporando el efecto de la
región de agotamiento. Si polarizamos de ciertas maneras, el ancho de la región
de agotamiento se ve afectado:

Figura 60. Polarización Inversa

En la figura 60 se aprecia la definición de Polarización Inversa: se coloca el


terminal N más positivo que el terminal P con una fuente de voltaje. Debido a
esto, la región de agotamiento se ensancha (los extremos de cada zona atraen los
portadores de la zona contraria), trayendo como consecuencia una reducción de la
corriente de difusión.

En realidad, una mejor manera de mostrar la consecuencia eléctrica es polarizar


mediante una fuente de Corriente en sentido INVERSO a la corriente de difusión
(en amarillo en la gráfica); en este caso aparecería espontáneamente un voltaje a
través del material PN, correspondiente exactamente a la barrera de potencial de

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la región de agotamiento (voltaje inverso). La fuente de corriente tendría un valor


también exactamente igual a IS - ID (recuérdese la notación y descripción usada en
la unidad anterior).

Entendiendo estos básicos efectos, es mucho más sencillo afrontar la tarea de deducir
el comportamiento de los materiales de los que están hechos los dispositivos
semiconductores. El anterior por ejemplo es un DIODO. Cualquier unión PN se
constituye en un Diodo, cuyo comportamiento eléctrico se puede resumir en,
básicamente, impedir el flujo de corriente en una dirección y permitirlo en la otra,
admitiendo todo tipo de valores de corriente mientras el voltaje a través de sus
terminales permanece aproximadamente fijo.

Antes de emprender la tarea de entender ecuaciones relacionadas con las uniones


PN, daremos un vistazo a los semiconductores en general.

Como se dijo anteriormente, una unión PN constituye un diodo. Estos diodos se


pueden construir con diferentes materiales y especificaciones físicas,
consiguiendo que sus funcionamientos varíen bastante. Así mismo, la
configuración y materiales de dispositivos de dos uniones o más hacen que su
funcionamiento tenga muchas más variantes que los de los diodos.

Ajustando las dimensiones del dispositivo semiconductor, en general se puede


manipular la corriente típica (o la máxima o mínima posible) que puede atravesar
el semiconductor. De hecho, es lógico pensar que a mayor ancho de sección
transversal (que sería también el ancho de las junturas PN), habrá más corriente
disponible, como quiera que la cantidad de portadores aumentará.

Con varias uniones pueden construirse transistores bipolares: estos pueden ser
NPN o PNP. Como puede suponerse, la polarización para lograr que estos transistores
funcionen de una u otra forma será exactamente inversa, ya que la región de
agotamiento de cada juntura tiene una barrera potencial de signo contrario.

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Figura 61. Semiconductor PNP

Otras características tendrán un análogo similar. De hecho, en la construcción de


cualquier dispositivo electrónico basado en semiconductores siempre intervienen
los mismos aspectos:

- Materiales P y N
- Uniones
- Diseño de las dimensiones para controlar las corrientes
- Diseño de dopado (semiconductores extrínsecos)
- Terminales metálicas a través de las cuales se conectan fuentes de
corriente o voltaje para poner a funcionar el dispositivo
- Derivación de ecuaciones de corriente y voltaje que dependen de la
corriente y el voltaje forzado a través de las terminales
- Posibilidad, para un mismo dispositivo electrónico, de diversas opciones
de funcionamiento.

Existe un tipo más complicado de transistor: el MOSFET, Metal-Oxide


Semiconductor Field Effect Transistor (luego se verá el significado de su sigla),
para cuya construcción se usan técnicas diferentes y cuya estructura es más
compleja. Si se cuentan las uniones, resultan ser muchas: en realidad parte de
sus zonas P o N no cumplen exactamente la función de proveer portadores sino
más bien de CATALIZAR procesos, hacer que ciertos fenómenos ocurran
fácilmente. Su operación es diferente a un transistor PNP o NPN (estos últimos
son llamados BJT, Bipolar Junction Transistor).

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Figura 62. Mosfet y sus partes

Un transistor puede para usarse de varias maneras:

1.) Amplificador: Es capaz de tomar una señal eléctrica y aumentar su


amplitud. Para que realice esta función existen siempre varias maneras de
conectar el transistor a fuentes de señal y polarización.
2.) Conmutador: Capaz de dejar o no pasar señal (esta es una definición muy
simple, pero da la idea general)
3.) Fuente de corriente o voltaje: Grupos de transistores configurados
correctamente pueden suministrar una corriente o voltaje estable, para
dispositivos ―a polarizar‖.

En las siguientes secciones se entenderá la operación básica de los dispositivos


electrónicos.

En esta sección se trata de explicar algunos aspectos acerca de las ecuaciones de


juntura, su derivación y compresión, no con el objeto de dejar demostraciones en
claro, sino con la intención de que el estudiante comprenda la mecánica general
de estudio que permite comprender el SIGNIFICADO de una ecuación y las principales
leyes que llevaron a su deducción o aceptación. Si el estudiante decidiera
profundizar, se recomiendas los libros de la bibliografía.

En una unión PN en circuito abierto no puede haber corriente. Esto es


eléctricamente evidente: sin cerrar el circuito, la corriente es cero. Debido a esto,
se plantea la primera y más sencilla ecuación: ID = IS, recordando que estas corrientes
van en sentido contrario.

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Algunas ecuaciones son más profundas en su demostración. Por ejemplo, la


existencia del voltaje de barrera en ausencia de polarización externa TIENE que
relacionarse con los portadores de carga…¿pero cómo? Esta ecuación implica
formar otros conceptos adicionales, que requieren física más profunda. Usando
las constantes definidas apropiadamente:

DP= Difusividad de Huecos (una N significaría de electrones)


μP= Mobilidad de Huecos (una N significaría de electrones)

Se puede definir VT = DP / μP, el llamado Voltaje Térmico (como ejercicio el


estudiante puede constatar exactamente que sus unidades son de voltaje). Este
voltaje es un parámetro fundamental y entrará en multitud de ecuaciones de
semiconductores. La idea de ―térmico‖ proviene del que la difusividad y movilidad
de los huecos cambia con la temperatura: si especificamos VT, habremos especificado
el comportamiento de la Barrera de Potencial de la juntura. De hecho, la
ecuación que se extrae (Ver el libro de Streetman) es

V {N N [
0
= ln| P N ||
VT [ ni

Donde V0 es la Barrera de Potencial en la juntura y las N representan las


concentraciones de dopado y ni fue definido en la unidad anterior. Esto se reduce
simplemente a decir que la relación entre las concentraciones varía de manera
exponencial con el voltaje de juntura. Para temperatura ambiente, el voltaje
térmico está alrededor de los 25 mV y la barrera de potencial entre los 0.6 y 0.8
Volts. Esta barrera de potencial hay que recordar que NO APARECE A TRAVÉS
DE LOS TERMINALES EXTERNOS, PUES ES UN EFECTO INTERNO que es
compensado por el dispositivo completo.

El ancho de la región de agotamiento es la suma del ancho en la región n y la


región p (representaremos el ancho por letras W). Si la carga es ―q‖ entonces:

qWp N p = qWn Nn

Ya que la región de agotamiento es eléctricamente simétrica respecto a la juntura.


Debido a esta ecuación se deduce inmediatamente que el producto entre ancho y
concentración es constante para ambos lados. De aquí se deduce que:

W = W +W = 2s s { 1 + 1 [|V
n p
q |N N | 0
[ p nJ

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Donde s s es la permitividad eléctrica del Silicio, produciendo como consecuencia


que W vaya de 0.1 a 1 micrómetro.

Análogamente se pueden encontrar relaciones exponenciales similares. La


concentración de portadores minoritarios (pn para la zona p y np para la zona n del
semiconductor) sigue la ecuación:

V / VVT
p (W ) = p e

Donde V es el voltaje conectado a través de los terminales de una región PN, en


polarización directa. Entonces la densidad de corriente de difusión de huecos asociada
(en unidades de corriente por unidad de área) es:

DP
J =q
LP
p (e V / VT
)
– 1 e–( x – w n ) / LP

Donde x es la distancia medida desde la juntura y LP es la constante que


determina el decrecimiento exponencial.

Es posible derivar una ecuación final de la IS mediante consideraciones similares a


las anteriores y relaciones de proporcionalidad basadas en principios físicos. La
ecuación de la densidad de corriente, por ejemplo, es fácilmente comprensible si
se expresan las ecuaciones en términos de proporcionalidad. Por ejemplo, la segunda
exponencial habla simplemente del decrecimiento exponencial de la densidad de
corriente a medida que la distancia a la región de agotamiento aumenta. La
primera exponencial se refiere a que la densidad es corriente aumenta si se le
suministra mayor voltaje de polarización externos: ambas exponenciales representan
efectos lógicos y comprensibles.

La ecuación para IS es:


2{
I = Aqn | DP D [
N |
S i | +L N
L N
[ P p N n J

Si algún estudiante quisiera profundizar en el tema, puede referirse a los libros de


la bibliografía consignada en el Protocolo Académico.

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Los semiconductores se utilizan en toda la electrónica moderna. Una lista


(incompleta) de dispositivos basados en semiconductores podría ser ésta:

- Diodos rectificadores
- Diodos Zener
- Diodos Varicap
- Diodos Gunn Impatt
- Diodos supresores de tensión
- Diodos de corriente constante
- Diodos túnel
- Diodos Shottky
- Diodos Led
- Diodos Pin
- Diodos sensibles a temperatura
- Fotodiodos
- Transistores NPN y PNP simples
- Transistores NPN y PNP con colector unido a cubierta
- Transistores UJT
- Transistores de avalancha
- Transistores Shottky
- Transistores JFET canal n y p
- Transistores multiemisores
- Transistores Darlington
- Tiristores simples
- Tiristores de conducción inversa
- Triac
- Diac

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- Transistores MOSFET tipo empobrecimiento o enriquecimiento


- Transistores MOSFET en general

Donde algunos de los listados anteriormente corresponden a aplicaciones de potencia,


donde el material semiconductor tendrá que soportar altas corrientes. Muchos de
estos dispositivos se usan para controlar el paso de corriente o voltaje a otras partes
del circuito. Por otro lado, los fotodiodos aprovechan el efecto fotoeléctrico que se
estudió anteriormente….así mismo pueden aprovecharse efectos normalmente no
deseados para construir aplicaciones específicas. De hecho, la sensibilidad en
temperatura normalmente indeseada es una característica que se busca reforzar en
diodos sensibles a temperatura, probablemente con el objetivo que lograr que el
diodo registre cambios anómalos en la operación de alguna máquina eléctrica que
corra riesgo de averiarse, bajar su rendimiento u ocasionar daños si opera a
temperaturas no permitidas por el fabricante.

A continuación se tratará de mostrar rápidamente algunas de las más simples


configuraciones de transistores, diodos y tiristores en Ingeniería Electrónica, con el
fin de que el estudiante encuentre motivación para su estudio del funcionamiento físico
de estos.

Los diodos y transistores se representan por la siguiente simbología:

Figura 63. Diodos y transistores

Donde D2 es un diodo rectificador normal, Q4 es un TRIAC, Q1 es npn, Q2 es


pnp, Q3 es un MOSFET de canal N y Q4 uno de canal P. Existen muchos otro
símbolos para otros dispositivos; de hecho, puede haber varios diferentes
símbolos que representan el mismo elemento, dependiendo del standard o convención
que se use para nombrarlos/dibujarlos.

Un diodo puede montarse en un circuito de esta forma:

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Figura 63. Diodo conduciendo

El triángulo marca la región p, mientras la raya indica la región n. De aquí se


deriva que está polarizado DIRECTAMENTE. Entonces habrá una corriente a
través de él apreciable y su caída de potencial será aproximadamente constante.
Si el voltaje B1 cambia de sentido, la polarización es inversa y NO HAY FLUJO DE
CORRIENTE HACIA la resistencia R1. Éste es uno de los usos del diodo:
bloquear voltajes inversos a los esperados.

Veamos otro caso muy sencillo, esta vez son transistores.

Figura 65. Transistor en modo amplificador.

La flecha hacia fuera indica que es npn: la terminal con la flecha y la opuesta a ella
son de regiones n, mientras que la tercera terminal es la conexión a la región p.

En la figura 65 observamos una polarización de transistor npn para modo amplificador.


En realidad esta configuración no es del todo funcional, ya que las resistencias R2,
R3 y R4 cumplen funciones diferentes, especialmente la R4 con respecto a las otras.
Si estos valores de resistencia realmente hubiesen sido correctamente calculados y
el valor de B1=10Volts fuese correcto, entonces

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cualquier pequeña señal de voltaje (es decir, una especie de onda perturbativa)
que fuera introducida al circuito por la base (la terminal p) saldría amplificad un
cierto valor al salir por el Colector (la terminal n superior, conectada a la R2).

Cuando a un diodo rectificador se le somete a un gran voltaje inverso, su función


bloqueadora de voltajes de este tipo no puede mantenerse. Inevitablemente
dejarán pasar una corriente después que se les ha polarizado más allá de su
límite, y de hecho resultarán averiados muy probablemente. En esta región el
diodo ZENER presenta a través de sus terminales un voltaje constante aún para
grandes polarizaciones, porque ha sido diseñado específicamente no para que
bloquee voltajes inversos sino para mantener un voltaje constante. Como
consecuencia, un Zener puede conectarse así:

Figura 66. Ejemplo de uso del zener

En este caso vemos que el diodo está conectado al revés de lo que esperaríamos,
y sin embargo la corriente fluirá a través de él, desde la parte superior del
diagrama hacia el nodo resaltado en verde (se colocan dos puntos para recordar
que eléctricamente la línea es un solo punto, un nodo eléctrico). La mayor parte
de la corriente que sale de la fuente va hacia el Zener porque su resistencia
interna es baja.

Más adelante se verán detalles respecto a la operación interna de estos


semiconductores.

Un diodo trabaja siguiendo el siguiente par de ecuaciones:


I D = I S eV / nV
D T

VDD – VD
I =
D
R

Donde ID es la corriente que atraviesa el diodo en un momento dado en el que el


voltaje a través de sus terminales es VD, R es una resistencia en serie con el diodo

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(normalmente se colocan resistencias en serie o paralelo con el diodo; a veces


son resistencias de carga inherentes a dispositivos conectados al diodo), VDD es el
voltaje de polarización general (ver figura 67) y n es un parámetro de construcción
del diodo (probando cómo cambia ID con VD en un laboratorio se puede trazar una
exponencial y calcular n, fácilmente).

Figura 67. Circuito típico, correspondiente a las ecuaciones mencionadas

En la figura 67 se ve que, suponiendo un voltaje de operación típico de 0.7Volts


para el diodo, todo el sistema tiene una corriente definida por la segunda de las
ecuaciones mencionadas. Esta segunda ecuación sólo es válida para este tipo de
circuito, ya que uno con, por ejemplo, un arreglo de resistencias corresponderá a
diferentes ecuaciones, aunque también sean estas consecuencias de aplicar las leyes
de Ohm y Kirchoff.

La juntura PN tiene un cúmulo de ecuaciones bastante grande. Sedra y Smith, en


su libro ―Microelectronics Circuits‖ consigna la siguiente tabla:

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Figura 68. Tabla de ecuaciones de la unión PN, extraído Sedra y Smith: Microelectronics Circuits

Es importante notar que cuando especificamos que el voltaje a través del diodo
está fijo en 0.7, estamos realizando una aproximación y descartando la

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primera de las ecuaciones, que incluye una exponencial. Es decir,


suponemos que la corriente y el voltaje tienen una relación mucho más simple que
la exponencial. El comportamiento real de la corriente en el diodo con relación al
voltaje que se presenta en él es una exponencial MUY inclinada, por lo que la
primera aproximación (la más cercana a la realidad) que podemos hacer es:

Figura 69. Aproximación de líneas rectas a la corriente en el diodo como función del voltaje.

La figura 69 es muy parecida a una exponencial creciente. Esta gráfica implica


que el modelo cambia para regirse por, en vez de la primera ecuación, por esta
otras:

1.) Si el voltaje en el diodo es menor a cierto voltaje umbral (la inflexión de la


gráfica, el punto donde la línea horizontal y la inclinada se unen),
simplemente la corriente es 0.
2.) De lo contrario, el diodo funciona como una resistencia muy pequeña, con
la salvedad de que sólo puede conducir corriente en un sentido
determinado (polarización directa).

Esto equivale a pensar en el DIODO REAL como un DIODO IDEAL y una


RESISTENCIA conectados en serie.

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Figura 70. Modelo de líneas rectas

Aún es posible modelar el diodo de una forma más simple. Si el hecho de tener
0.6Volts o 0.8Volts en el diodo no es importante (quizá porque el voltaje disponible
B1 es mucho mayor y esa pequeña pérdida es insignificante), podemos pensar
que simplemente se mantiene constante en 0,7Volts y la aproximación es
simplemente considerar que el diodo es IDEAL. La gráfica entonces es:

Figura 71. Modelo simple de diodo ideal

Ahora bien, si el voltaje aplicado es inverso el comportamiento en el lado negativo


del eje de las abcisas no es completamente simétrico con relación al eje y (es
decir, la forma que la gráfica para VD positivo es diferente a la forma de la gráfica
para VD negativo. Cuando se le aplica voltaje inverso pequeño el diodo real
bloquea el flujo de corriente bastante bien, pero si el voltaje se incrementa su

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comportamiento empieza a alejarse de lo ideal y en un momento dado entra a la


Región de Ruptura, definida como la región de la gráfica corriente-voltaje en la que
el diodo ya no se comporta en absoluto de forma ideal. En la siguiente figura de la
Universidad de la Frontera de Chile puede verse la explicación detallada:

Figura 72. Gráfica real de diodo

De esta gráfica podemos mencionar varios puntos:

1.) Corresponde al modelo de líneas rectas, como resulta obvio.


2.) La conducción se logra antes del voltaje de operación (sea 0.6 o 0.8), pero
como no alcanza un alto nivel hasta que pasa este intervalo, se considera
que la baja corriente es aproximadamente cero.
3.) Cuando se le somete a un voltaje negativo (polarización inversa) SÍ existe
una corriente inversa, también aproximadamente igual a cero hasta que
pasa un umbral de voltaje inverso más allá del cual el diodo conduce en
sentido inverso.

La región de Ruptura por Avalancha corresponde entonces al ―lugar eléctrico‖ en


el que ocurre el efecto avalancha, que se traduce en avería si estamos hablando
de Diodos Semiconductores normales. El diodo Zener está construido
específicamente para operar la región de ruptura por avalancha. Como puede
verse en la gráfica, el Zener puede manejar muy altas corrientes sin alterar en un nivel
apreciable su voltaje.

Un mecanismo de ruptura usual, a nivel físico, es la simple liberación de


electrones libres adicionales debido al choque de electrones libres con los enlaces
de la red. Este choque es capaz de liberar un electrón enlazado sólo una vez su
energía cinética —proveniente del campo eléctrico— es lo suficientemente grande
como para ―soltar‖ el enlace.

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Ya hemos comentado varios aspectos directamente relacionados con los


transistores de unión bipolar. Como se vio anteriormente, los npn y pnp son
simplemente dos versiones de un mismo principio de construcción
semiconductora.

Como existen dos uniones, podemos definir más modos de operación. Haremos
la descripción y el análisis de un transistor npn para luego establecer el paralelo
con los pnp.

En un transistor npn decimos que la región p es la BASE. Las dos regiones n se


llamarán EMISOR y COLECTOR. Entonces disponemos de dos unones: La de
Colector-base (CBJ) y la de Emisor-Base (EBJ). Los modos de operación siguen
entonces la indicación de esta tabla, según la manera como se polarizan cada una
de las uniones:

Modo EBJ CBJ


Corte Inversa Inversa
Activo Directa Inversa
Saturación Inversa Directa

ACTIVO

La corriente ID es despreciada en este modo de operación. La EBJ directa trae


consigo un flujo de corriente desde la Base hacia el Emisor. El flujo de corriente,
por supuesto, se compone de un flujo de electrones en una dirección y un flujo de
huecos en dirección contraria: esto finalmente se refiere a un flujo de carga, un cambio
de estructura del campo eléctrico. De esta manera ésa es la corriente que se espera
―salga‖ de la terminal del Emisor, Ie. Es deseable que la corriente se deba a flujo
de electrones más que a flujo de huecos, por lo que se espera que el dopado n sea
mucho mayor que el p.

Como la corriente es Base-Emisor, entonces los electrones del emisor se dirigen hacia
la base (su carga es negativa): estos portadores minoritarios siguen como distribución
una línea recta decreciente (aproximadamente), siempre y cuando la base sea de un
ancho suficientemente pequeño. La concentración np(0) de estos electrones en la EBJ
sigue:
np (0) = np 0ev / V
BE T

Donde np0 es la concentración en la EBJ, todo suponiendo equilibrio térmico. La


caída completa de la concentración (línea recta decreciente) responde a la

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polarización suministrada a CBJ. Las siguientes son gráficas del libro de Sedra-
Smith mencionado anteriormente:

Figura 73. Concentración de portadores en función de la distancia, gráfica extraida de SEDRA-


SMITH, Microelectronics Circuits.

Figura 74. Flujo de corriente en el npn. Op. Cit.

La corriente de difusión desde la base al colector TIENE que depender de alguna


forma de la concentración de electrones. La ecuación exacta es:

dnp (x) { – n p (0) [


in = AE qDN = AE qDN | |
dx [ W J

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Donde AE es el área de la sección transversal de la EBJ y las otras variables


fueron especificadas anteriormente.
La corriente de colector sigue
{ AE qDn n p 0 [ v / V BE T
Ic = | |e
[ W J

Donde la cantidad entre paréntesis corresponde a IS, pero np0 = n 2/N , así que
estas corrientes pueden ponerse en términos equivalentes.

La corriente de base sigue:

{ A qD n 2 |[ v / VT
I =| E n i e
BE

B1 |
|
[ N p Lp
{ 2
[
A qWn |e v / VT
I B 2 = || E i
|
BE

[ 2N ı
n b

Donde la primera es la corriente debida a los huecos que fluyen de la base al


emisor, mientras que la segunda se refiere a los huecos suministrados por el
circuito exterior de polarización (pero recuérdese que todos los puntos se
conectan formando un sistema completo, por lo que huecos y electrones del
circuito exterior se relacionan con la recombinación y abundancia de portadores en
el interior del semiconductor). ı b es el tiempo promedio que le toma en la base a
un hueco mayoritario combinarse con un electrón minoritario.

Finalmente encontramos que la suma de las corrientes de base difiere de la


corriente de colector en un producto y cociente de parámetros; es decir, difieren en
un largo término constante. Entonces la ecuación simplificada es:
IC = þ I B
1[ 2
þ = { D p Nn W |W |

| |+ { [
[ Dn N p Lp J [ 2Dnı b J
I E = IC + I B

Donde la última es una ecuación eléctrica que se extrae únicamente de la Ley de


Conservación de Corriente de Kirchoff, en el nodo de confluencia de las
conexiones.

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Los transistores de Efecto de Campo de Metal-Óxido Semiconductor funcionan


diferente a los BJT, pero los materiales que lo componen y su efecto sobre los circuitos
final una vez se emplean suele ser igual.

El diseño estructural es el siguiente:

Figura 75. Estructura de un MOSFET canal n, basado en el libro de SEDRA.

Otro nombre con el que es conocido el Mosfet canal N es IGFET (Isolated Gate
FET), debido a que la compuerta (Gate) se encuentra aislada del sustrato P por
una capa de Óxido de Silicio.

VOLTAJE VGS Y CANAL N.

El MOSFET de canal n requiere para operación diferente a modo de corte, es


decir, modos en los que exista corriente circulante aprovechable, que la
polarización sea directa entre compuerta (Gate) y fuente (Source), y esta
diferencia de potencial VGS sea mayor que un voltaje de umbral igual a una
constante de voltaje, Vt. Este límite está relacionado con el concepto mismo del voltaje
térmico, ya que la idea de operación (lo que en el BJT llamábamos activo, saturación)
está asociada a la existencia de una región con exceso de electrones

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entre las dos regiones n y muy cerca de la capa de dióxido de silicio. Esta región
es llamada canal n, ya que intercomunica las regiones n justo como un canal.

Si no existe voltaje VDS entre las terminales del diodo, por supuesto no hay razón
para tener una IDS, pero el canal n sí puede presentarse, tan solo asegurando que
el potencial aplicado en la compuerta repele lo suficiente los huecos el sustrato p como
para que se cree la región n inducida por este voltaje de compuerta. Para esto
se debe superar el hecho de que naturalmente los electrones colisionan
aleatoriamente entre ellos cuando se les atrae con una fuente de voltaje: estas
colisiones también se pueden representar por el Voltaje Térmico Vt (diferente al
Voltaje Térmico de los BJT’s). Para no confundir los dos Voltajes térmicos, el del
BJT es el único que es llamado de esta forma (―Voltaje Térmico‖), mientras que el
Voltaje Térmico del Mosfet (ya que tiene un significado eléctrico adicional como
nivel mínimo de voltaje necesario para la creación de canal n) es llamado Voltaje
de umbral.

FLUJO DE CORRIENTE

Una vez creado el canal n, los huecos que son desplazados hacia el fondo del sustrato
constituyen una concentración de carga positiva aparente, o campo eléctrico
positivo (como se quiera expresar). Este campo eléctrico hará que las regiones n
pierdan electrones hacia la región p: estos electrones fluyentes crean la región de
agotamiento característica, como se observa en la figura 76.

Figura 76. Región de agotamiento y Canal N.

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El canal n, por su parte, es un camino de electrones que provee un camino circuital


que se puede cerrar externamente. De esta manera, cualquier diferencia de
potencial VDS creará un flujo de corriente de Drain a Source (Drenaje a Fuente)
siempre y cuando exista el canal n, como efecto de un VGS aplicado (recuérdese
que decir que hay corriente positiva de drenaje a fuente es decir que los
electrones van desde la fuente al drenaje).

OPERACIÓN DEL MOSFET

Como puede verse, el procedimiento de conducción es muy diferente al presente


en el BJT. Como primera medida, observamos que no hay corriente de
Compuerta, rompiendo la analogía con la Base de los transistores BJT. El
hecho de no tener esta corriente de compuerta implica que la corriente de Drenaje
es también la corriente de Compuerta: no hay pérdidas de potencia en la base.
Esto supone una gran ventaja respecto al BJT; el único reside en la alta susceptibilidad
de los Mosfet a daños por descargas electrostáticas (el comportamiento del canal n
es muy sensible a cambios en las características electrostáticas del medio).

Debido a que las curvas corriente-voltaje del Mosfet son muy diferentes, el nombre
de las regiones también lo es:

Saturación
V DS Š VGS – Vt .
Tríodo
VDS < VGS – Vt

Apagado
VGS < Vt

Se puede construir un circuito de muchas formas. También existen varias


categorías bajo las cuales se pueden clasificas estos métodos. Todo lo que viene
a continuación se referirá a diseño, construcción y montaje de, o bien
semiconductores, o bien aplicaciones electrónicas basadas en componentes discretos
que pueden incluso adquirirse en el mercado. Veamos los tipos de clasificaciones del
proceso de uso de un semiconductor en una aplicación electrónica:

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SEGÚN EL NIVEL DE AUTOMATIZACIÓN:


- Artesanal: Diseñado y construido completamente por una o más
personas, sin uso de dispositivos o equipos automáticos.
- Artesanal asistido: Construido por una o más personas, pero con la
asistencia de hardware o software de ayuda en alguna de las tareas,
aunque no todas. Por ejemplo, el uso de CAD para electrónica o de
equipos automáticos perforadores.
- Semiautomático: El proceso fundamental es automático, aunque haya
aspectos que se dejen a la mano de obra humana.
- Automático: No interviene mano de obra humana excepto en la fase de
diseño, y probablemente parte del diseño lo hace un software
encargado de calcular secciones transversales, valores de resistencias
y otros.

SEGÚN EL OBJETIVO:
- Industrial única: Cuando se configuran y usan las máquinas de
construcción para la elaboración de un único prototipo.
- Industrial en serie: Cuando se configuran y usan las máquinas de
construcción para la elaboración en serie de muchos dispositivos, que debió
ya haber sido probado.
- No industrial de investigación o desarrollo: Cuando un investigador
construye un circuito o dispositivo de prueba en su formato no final, sólo
para constatar el funcionamiento eléctrico.
- No industrial en serie: Cuando un Ingeniero o Técnico construye, una
por una, el número de piezas que necesita de un dispositivo que ya
probó, sin usar máquinas industriales sofisticadas.

SEGÚN LA TÉCNICA:
Son muchas, y se distingue ampliamente la técnica para desarrollar circuitos
integrados de la técnica para investigar en semiconductores, al tiempo que estas
dos resultan muy diferentes de los métodos usuales (industrial y artesanalmente)
de construcción de circuitos y aplicaciones electrónicas basadas en componentes
discretos (los ya construidos).

A continuación expondremos, sólo como ejemplo orientativo, el Montaje en


Baquelita en sus rutas más usadas.

Se pueden montar componentes tales como transistores, diodos, condensadores y


resistencias para armar un circuito electrónico para una aplicación específica. La
superficie sobre la que se monta debe tener cierta resistencia térmica y eléctrica,
excepto en las rutas de conexión entre los puntos que deben estar conectados (según
el diseño previo). El montaje en general se puede hacer de tres maneras básicas:

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- Baquelitas. Material fenoplástico que puede fabricarse en diferentes


formas geométricas, pero que no es modificable por segunda vez.
En electrónica, Baquelita se le llama al la estructura formada por
verdadera baquelita y una capa de metal (cobre) que, bajo la acción
del ácido férrico, se vuelve dieléctrico. Si se imprimen los caminos
de conducción eléctrica sobre la baquelita con una substancia que la
proteja de la acción del ácido férrico (cloruro férrico), al final se tiene una
tarjeta sobre la que se pueden soldar los dispositivos. Hay diversas
técnicas para lograr la ―im presión‖ mencionada, y otros sustratos de
composición similar que sustituyen la baquelita en aplicaciones
industriales (producción en fábricas)

- Tarjeta universal: es una especie de baquelita llena de huecos,


similar a una protoboard, donde se pueden colocar los elementos a
soldar, sin necesidad de tener que hacer la operación de taladro y
construcción de pistas que sí hace falta en el método anterior.

- Elementos Modulares ―Al aire‖. Si el circuito tiene suficientemente


pocos elementos, es posible fijar cada uno a las superficies
disponibles dentro de la carcaza, de manera que los cables (―al aire‖)
se fijarán con silicona, ganchos o tornillos, para que el circuito
guarde un orden comprensible. Si hay más de cinco o seis
elementos en el circuito, es mejor no utilizar esta alternativa. Incluso
en algunos contextos resulta del todo desaconsejable, aunque el circuito
sea solo un integrado y su polarización.

Las técnicas que permiten la construcción sobre la baquelita (o, en el caso de


producción en masa, de la construcción sobre el sustrato) son, en cuanto a
principios físicos, básicamente iguales para construcción automatizada en gran escala
y manufactura de prototipos. La técnica, sin embargo, difiere mucho.

Un estudiante o técnico independiente usará seguramente un perforador si desea


hacer los agujeros del circuito donde irán los componentes; una empresa utilizará
una máquina que automatice el proceso, cuya entrada en computador son
matrices de puntos sobre los que se ordena taladrar (la alineación de la máquina
es fundamental).

Así mismo, los métodos de impresión del circuito (transferencia térmica,


serigráfico, fílmico y cualquier otro similar) se hacen diferentes sólo en tanto la
tecnología de aplicación es diferente: mientras un estudiante aplicará el método de
transferencia fílmica mediante una Impresora Láser que impregna de polvo negro
una lámina de Press N-Peel (tipo de hoja de papel que reacciona
convenientemente a la temperatura), este proceso en una fábrica corresponderá a
la labor de una máquina especializada en impresión para circuitos integrados. Es
posible que esta máquina haga las otras funciones de impresión también.

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TIPOS DE MONTAJE EN TARJETA

El montaje en tarjeta puede ser superficial o through hole. El primero es tal que en
realidad no es necesario hacer huecos, ya que se suelda SOBRE la tarjeta. Este
montaje es característico de circuitos integrados modernos y trae complicaciones
en el proceso de soldado, aunque tiene múltiples ventajas relacionadas con peso,
tamaño, automatización del proceso, etc.

El segundo, el through hole, es del que hemos hablado hasta ahora: se atraviesa
la tarjeta para luego soldar por detrás de ella.

También es posible definir una clasificación del montaje según el número de capas
utilizadas. Una capa es exactamente eso: una capa de cobre. En una misma
baquelita se puede incluir varias capas intermedias, de modo que se multiplican
las posibilidades de conexión.

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Una aplicación de Señal es aquella en la que se busca algún tipo de procesado


(amplificación, filtrado en frecuencia, etc.) sobre la señal de entrada, pero que no
se espera que la señal de salida sea requerida por la carga. ¿A qué se refiere
―ser requerida‖ por la carga? Esto es ―no será conectada una carga‖; es decir, el
procesado tiene como resultado que las dos terminales de salida exhiben un
voltaje exactamente igual al que se esperaba (por ejemplo, una onda seno igual a
la de la entrada pero cuya amplitud es el doble), pero que se mantiene solamente
en circuito abierto.

Cuando se conecta una carga existe un consumo de corriente, ya que se cierra


el circuito, y eléctricamente lo normal es que el nivel de voltaje de salida caiga.
Una aplicación de potencia es capaz de compensar de alguna forma este efecto,
al punto de poder sostener la forma de onda de salida y su amplitud, sin una
disminución apreciable del nivel de voltaje, para un determinado rango de
resistencias de carga equivalentes.

En cuanto a diseño electrónico cualquier etapa de potencia puede ser bastante similar
a una de señal. Sólo en sistemas que añadan elementos de seguridad no
semiconductores (por ejemplo fusibles o acoplamiento por transformadores)
pueden verse grandes diferencias morfológicas en los circuitos, ya que la
diferencia fundamental suele caer en qué semiconductores son usados. Un
transistor 2n2222, por ejemplo, no puede siquiera soportar una corriente de
colector más alta que 0.8 A, típicamente. En cambio, un transistor MOSFET
IRFP450 puede soportar hasta 14 A y un TIP41D (npn) puede soportar hasta 6 A
de corriente continua en el colector, o 10 A de amplitud pico. La diferencia en la
corriente máxima que puede soportar un dispositivo se define desde su
construcción.

Examinemos como ejemplo tres dispositivos semiconductores utilizados en


rectificación y control de señales AC (Corriente Alterna):

TIRISTOR

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Formado por cuatro regiones semiconductoras intercaladas: pnpn. Cuenta con


tres terminales (ánodo, cátodo y compuerta) y equivale aproximadamente a
conectar dos transistores npn y pnp por las dos regiones comunes. La compuerta
controla el paso de corriente, de manera que se hace posible modular cuanta
corriente pase según sea la señal de voltaje/corriente en compuerta. Una señal
aplicada a la compuerta (ver figura 77), como un pulso de corriente, posibilita el
paso de corriente a través del tiristor, para voltajes ánodo-cátodo bajos. Para
voltajes ánodo-cátodo muy altos, se da un fenómeno de ruptura espontáneo en el
tiristor. También puede darse conducción como efecto de incrementos de
temperatura, efecto fotoeléctrico sobre el silicio o gradiente de voltaje demasiado
alto.

En realidad el dispositivo que se acaba de describir en el párrafo anterior no


siempre se conoce como la definición de Tiristor, debido a que algunos autores
consideran que el Triac y otros dispositivos (como el Diac) no son más que
diferentes versiones de lo que debe llamarse Tiristor. De esta forma, dentro de los
Tiristores ubican a estos dos y al que se acaba de explicar, que es llamado SCR
(Silicon-Controlled Rectifier).

Figura 77. Tiristor.

TRIAC

Toma su nombre de Triode for Altern Current. Como se mencionó, algunas veces
es catalogado también como Tiristor. La razón es que su comportamiento es casi

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exactamente igual, a excepción del hecho de poder operar en ambas direcciones;


es evidente, entonces, que su estructura física es mucho más compleja, como
puede verse en la figura 78 (Universidad de la Frontera, Chile).

Figura 78. Estructura física de un Triac, de http://www.inele.ufro.cl/

El TRIAC puede entenderse como dos tiristores (SCR) conectados en paralelo, en


sentido contrario, y con sus compuertas cortocircuitadas. Si se analiza el
funcionamiento del SCR, se entiende inmediatamente que esto permitiría el paso
de corriente en ambos sentidos.

SCHOKTTY

Es un diodo que en vez de tener una capa de material semiconductor p, posee


una capa de metal. De hecho, la capa más bien constituye un electrodo; la
inexistencia de la capa p trae como consecuencia un caída de voltaje (en la región
de conducción) mucho menor a la que se tiene con diodos pn convencionales. De esta
manera, un Metal-Semiconductor Diode (el Schokkty) ofrece menores

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pérdidas de potencia y alta velocidad de conmutación, pero no es capaz de


soportar uso en aplicaciones de potencia (sino más bien de señal).

Hay, sin embargo, ciertos Diodos Schoktty de potencia disponibles en el mercado,


que sin embargo no resultan ser los indicados para una variedad de aplicaciones:
la capacidad para manejo de potencia depende en gran medida del tamaño del
dispositivo, así como indirectamente del número de capas que este tiene, como puede
verse.

Eléctricamente se puede representar cualquier dispositivo electrónico en términos


de resistencias internas, condensadores, inductancias y amplificadores. La razón
de esto es que las transformaciones que puede sufrir una señal constituyen un
grupo de categorías (es decir, están divididas en clases) que no son infinitas.
Dicho de otra forma, a cualquier transformación de señal producto de la acción de
un dispositivo electrónico se le puede tipificar en una categoría, y estas categorías
no son infinitas. Por ejemplo, un BJT funciona de muchas maneras y puede
trabajar en infinitas configuraciones, ya que siempre puede inventarse una nueva
configuración añadiendo otro BJT o cambiando valores de las resistencias de
configuración; pero podemos agrupar su modo de operación en Corte, Activo y
Saturación. Así mismo, las configuraciones posibles (la estructura del circuito al
que está conectado el BJT para que trabaje) pueden agruparse en clases; de
hecho, éstas existen y son bien conocidas: Emisor Común, Colector Común, Base
Común.

Por todo lo anterior, resulta conveniente usar como modelo eléctrico del transistor
un grupo de ecuaciones sencillo, en parte extraído de las ecuaciones
eléctricamente relevantes de la sección 2.2.3. Estas ecuaciones son
eléctricamente relevantes dependiendo de la aplicación en la que se usa: el
modelo eléctrico para aplicaciones DC diferirá del modelo para aplicaciones AC.

En particular, las ecuaciones fundamentales para DC en el caso del BJT npn


(tomémoslo como ejemplo), activo o en saturación, serían:
I C = þI B
VBE > 0.7
þ
I C = aI E , a =
þ +1
I E = IC + I B

Mientras que las ecuaciones AC deben responder a un modelo que representa


qué efecto tiene el transistor sobre la señal de entrada. Suponiendo que

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hayamos asegurado la polarización correspondiente a modo activo en el transistor,


tendremos un modo de amplificación; es decir, la señal sufrirá una transformación
en su amplitud según la constante β y la configuración específica seleccionada.
Para modelar cómo se comporta el transistor, podemos usar la siguiente
representación del funcionamiento interno de éste:

Figura 79. Modelo Híbrido π para pequeña señal

Donde la fuente dependiente debe representar la ganancia: es natural que su valor


sea βIB y que las resistencias representen el comportamiento no ideal de un transistor:
que existen pérdidas inevitables. Se puede usar también otro modelo, como el modelo
T, pero el estudio específico de cada uno suele realizarse en un curso de electrónica
análoga, por lo que (para nuestros intereses) es suficiente con comprender dos
aspectos sobre el estudio del comportamiento eléctrico de los transistores:

1.) La forma como se polariza el transistor en DC determina su operación: es decir,


es necesario colocar los niveles de voltaje requeridos para estar seguros
que el transistor se operará en la zona de funcionamiento deseada,
durante todo el tiempo que se espera que eso ocurra (la señal a amplificar, por
ejemplo, puede verse como un voltaje que varía, pero debe existir un nivel de
DC en todo momento que asegure que la polarización de las uniones es la
correcta).
2.) Cuando se desea diseñar un circuito basado en transistor, es necesario
asegurar lo anterior con un modelo simplificado al que le suministramos
parámetros como β, corriente máxima permitida, VBE mínimo, etc.; y luego
diseñar el resto de condiciones requeridas con un modelo de AC
(pequeña señal) sobre el que representamos con más detalle la estructura
interna del semiconductor, aunque de una manera simple y práctica, de
manera que aseguremos el resultado que se exige al diseñar.

Otro efecto interno de los transistores en general es el comportamiento capacitivo


de las junturas. Siguiendo un esquema similar al presentado anteriormente, esto
puede representarse en el siguiente modelo π (en este caso para un MOSFET):

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Figura 80. Modelo π complementado con la incorporación de los efectos capacitivos de juntura en
transistor MOSFET (Sedra)

Como se estudia en cualquier curso de circuitos AC, los capacitares presentan


una respuesta a las señales que varía con la frecuencia (como consecuencia de la
natural imposibilidad para cargarse instantáneamente). El resultado de introducir
una capacitancia en un circuito amplificador es que éste tendrá una banda de
frecuencias en las que responde mejor (la amplificación es posible), mientras que
otras tenderá a rechazarlas. Ajustando las conexiones externas y la configuración
y valores de dispositivos como resistencias, se puede manipular la respuesta en
frecuencia, al menos dentro de ciertos límites.

La resistencia R0 representa el carácter no ideal del transistor: las pérdida entre


drenaje y fuente.

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En general los transductores optoelectrónicos funcionan a partir del efecto


fotoeléctrico o el de Emisión Espontánea. Éste último se refiere a la emisión de
energía electromagnética debido a un cambio estructural interno de un material.
Para ser exactos, cada fotón es emitido por un electrón que cambia su estado cuántico
a uno de menor energía. Como vimos en la primera parte del curso, esto sólo ocurre
en intervalos de energía bien determinados (cuantización de los saltos energéticos).

Por tanto, la INTENSIDAD (no confundir con la frecuencia o energía por fotón) de
la radiación electromagnética siempre está directamente relacionada con el
número de electrones causantes de la emisión espontánea. Por otro lado, la
FRECUENCIA de la onda emitida está relacionada con el cambio de energía que
sufren los electrones. Esto obedece a la ecuación:

E = hs

Teniendo en cuenta lo anterior, podemos entender la Emisión Espontánea como el


proceso aproximadamente inverso al efecto fotoeléctrico. Esto será básico para
asociar los tres elementos mencionados bajo una misma categoría: la optoelectrónica.

CÉLULAS SOLARES

Cuando el silicio recibe radiación, el efecto fotoeléctrico obliga a que cada electrón
aumente su energía; sin embargo, esta energía puede no ser aprovechada en
forma de corriente eléctrica sino como simple energía térmica.

Si en vez de tomar silicio se usa una unión PN, el exceso de energía por electrón
trabaja a favor del efecto la aparición de huecos y electrones de conducción que
ya hemos revisado en secciones anteriores. De hecho, cuando luz de las
longitudes de onda correctas incide sobre la región de agotamiento, los electrones

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atraviesan la barrera de potencial característica y se produce corriente; la


suficiente para asegurar un flujo permanente (salvando las pérdidas resistivas
naturales de todo circuito). Para el silicio monocristalino la eficiencia teórica
máxima en cuanto a la conversión de energía lumínica en energía eléctrica es del
26%, frente a la máxima alcanzada en laboratorio de un 25%. Otros materiales
manejan eficiencias superiores: el Arseniuro de Galio, por ejemplo, ya en 1996
producía una eficiencia del 35% usado con concentradores (véase próximo
párrafo) y en 2006 del 40.7%, usando multicapas de arseniuro de galio sobre
obleas de Germanio.

Es necesario diferenciar el concepto de ―unión pn‖ a lo que comúnmente se


denomina ―Celda Solar‖. Una Celda Solar normalmente se compone, además del
material semiconductor básico, de dispositivos que optimizan el desempeño. Por
ejemplo, se recubre el semiconductor de un material antireflectivo para mejorar la
absorción de luz; otra solución que ya es exterior a la celda solar misma es el uso
de estructuras transparentes que funcionen como lentes, concentrando los rayos
solares hacia la celda, aprovechando en fenómeno de refracción.

Eléctricamente la celda solar se identificará por su corriente de corto circuito,


voltaje a circuito abierto, el factor de forma del diagrama de Voltaje-Corriente y un
punto de éste. La eficiencia (obviamente) disminuye con la temperatura, ya que la
agitación térmica estorbará el normal desarrollo del efecto fotoeléctrico en la celda
solar. Esta eficiencia SIEMPRE está relacionada con el hecho de que la absorción
de fotones se hace para ciertos intervalos de frecuencia de luz, que son los
correspondientes a las transiciones atómicas posibles en el material.

CENTELLADORES

Aprovechan tanto el efecto fotoeléctrico como la emisión espontánea. Un


Centellador está hecho de materiales que puedan ser excitados por el paso de
particulas cargadas o radiación gamma (radiación electromagnética, o fotones,
como quiera pensarse), o en otras palabras, que experimenten colisiones desde el
punto de vista cuántico (recuérdese que a nivel cuántico no se espera un choque entre
partículas sino una interacción entre ellas). Como consecuencia de esto, las partículas
que se radian sobre el centellador pierden algo de velocidad y la radiación
gamma es absorbida: los estados atómicos del centellador serán estados
excitados (en cierta proporción), en razón a las colisiones partícula- partícula o
partícula-fotón (ésta última es una absorción). Los estados excitados presentan
emisión espontánea, produciendo finalmente fotones (radiación gamma) que puede
ser usada para identificar qué tipo de radiación fue la que provocó la excitación
inicialmente.

La respuesta del centellador a rayos gamma puede no deberse únicamente al


efecto fotoeléctrico, sino también al efecto Compton, que es la dispersión de un
fotón al cruzarse con un electrón, perdiendo energía en el proceso (cambiando su

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frecuencia y alterando el estado del electrón). El funcionamiento del centellador


como detector se complementa con algún material fotoeléctrico que presente una
intensidad de corriente directamente proporcional a la intensidad de luz incidente.
Puede verse la representación de la detección de fotones centellados en la figura
81.

Figura 81. Cuentas de fotones centellados contra una variable indicadora de su frecuencia o
energía asociada (llamada aquí ―canal‖). La imagen proviene de http://bibliotecadigital.ilce.edu.mx

Los centelladores pueden ser de diversos materiales, como compuestos de sodio


o GeLi; éste último corresponde a la figura 81.

TUBOS FOTOMULTIPLICADORES

Los tubos fotomultiplicadores básicamente funcionan mediante la amplificación de


efecto fotoeléctrico inicial. La forma como esto se consigue se puede entender
fácilmente si se separa la acción de sus componentes:

- Fotocátodo: Es el material (con baja función trabajo) que recibe la luz


para generar electrones libres a su superficie

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- Fuente de voltaje: se encarga de suministrar la diferencia de


potencial base a través de la cual se aceleran, a lo largo del tubo, los
electrones emitidos.
- Dínodo: es un material que sirve a la vez como ánodo y cátodo, ya
que los electrones que incidan sobre él producirán a su vez emisión
de una mayor cantidad de electrones. Entre más dínodos haya,
mayor es la amplificación de señal que realiza el fotomultiplicador.
- Ánodo: es la terminal final que sirve como electrodo o contacto de
salida, desde donde se registra la corriente medida.

La disposición de los dínodos puede seguir diferentes geometrías que se intenta


adecuar a un óptimo desempeño del tubo fotomultiplicador, mientras que los
materiales escogidos para el fotocátodo presentan respuesta fotoeléctrica siempra
a bandas de frecuencia específicas. Con diez dínodos se puede obtener una
amplificación hasta de 105 veces lo detectado, pudiéndose lograr sensibilidades
extremas.

LÁSER

Quiere decir Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, Amplificación


de Luz por Emisión Estimulada de Radiación. Como su nombre lo indica, difiere
de la Emisión Espontánea en que el efecto de emisión no se debe a la relajación
simple de un estado excitado, sino a alguna manipulación externa.

El efecto Láser se produce únicamente cuando la alguna pre-estimulación crea el


estado de excitación artificial mencionado anteriormente y posteriormente se da un
efecto de amplificación como consecuencia de la Emisión Estimulada y la reflexión
de esta dentro de una cavidad preparada para ello (espejos). Examinemos punto
a punto el proceso del láser:

1.) Se excitan los átomos mediante luz (mayores o iguales frecuencias a la


del láser) o campos eléctricos adecuados (son posibles las colisiones) con
objeto de incrementar su energía. Este proceso es llamado Inversión de la
Población, debido a que los estados excitados se convierten
prácticamente, por su abundancia estadística, en los nuevos estados
base.
2.) Se bombardea con luz de la frecuencia del Láser. Einstein demostró que
cuando un fotón golpea el estado excitado, se desprenden dos fotones
idénticos (es decir, de la misma frecuencia) en la misma dirección: uno es
el incidente y otro es el liberado.

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3.) Son usados espejos ubicados en línea recta y en la dirección de enfoque


del láser. Como consecuencia de esto, los fotones que permanecen
encerrados son solamente los fotones que van en esa dirección, de
manera que llega el momento en que sólo estos fotones inciden sobre los
electrones excitados, produciéndose solamente luz en la dirección
escogida.

Como consecuencia de su método de elaboración, el láser tiene las siguientes


características:

1. Coherencia.
La Luz emitida tendrá una única fase a nivel dirección. Esto puede verse por el
hecho de que la emisión de los fotones se hace en la exacta misma dirección para
cada electrón emisor, ya que la dualidad onda-partícula implicaría que la onda
asociada a cada fotón es de igual fase.

2. Monocromatismo
Se puede alcanzar una emisión de luz potente y bastante restringida en cuanto
a intervalo de frecuencias posibles (casi de una sola frecuencia), según se
haya escogido una fuente inicial de luz con espectro de frecuencias lo más acotado
posible.

3. Concentración de haz
Los espejos permiten escoger el ancho del haz, ya que la cantidad de fotones
por unidad de área en el proceso de rebote será la que produzca el haz final
proyectado a través del espejo semitransparente.

Los láseres no sólo se hacen con semiconductores. Por ejemplo, el láser de Helio-
Neón es excitado mediante la aplicación de voltajes de alrededor de 100 volts y trabaja
a una longitud de onda de 632.8 nm.

TRANSDUCTORES TERMOELÉCTRICOS

Como se ha visto en diferentes momentos del curso, la energía cinética de un electrón


individual (partícula) puede afectar diversas variables macroscópicas de un
material específico (red): específicamente la temperatura y la corriente
eléctrica. La razón de lo anterior viene de las propias definiciones de temperatura,
corriente y energía cinética por átomo o electrón.

En un transductor termoeléctrico la cantidad de electrones libres está directamente


relacionada con la temperatura del material: esto se deduce inmediatamente si
tenemos en cuenta que un semiconductor (ejemplo de posible transductor de este tipo)
la resistencia disminuye con la temperatura. Por otro lado, no sólo el incremento
de una corriente dada puede ser indicadora de cambios en la

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temperatura: la termocupla en general es construida uniendo metales diferentes, o


aleaciones de estos, lo que quiere decir que el efecto térmico de los
semiconductores no es realmente el usualmente escogido.

La termocupla o termopar en realidad aprovecha el efecto Seebeck: si un extremo


de un metal se encuentra a diferente temperatura que el otro extremo, éste exhibe
un cambio en el potencial eléctrico que aparece en el extremo de referencia
térmico; ese cambio en el potencial es diferente según cada material, así que si se
establece una misma diferencia de temperaturas ΔT entre los extremos de cada
uno de los dos metales, se puede leer una diferencia de potencial entre un
extremo de referencia de un material y el del otro material (los que están a la
misma temperatura de referencia, que puede ser la ambiente o 0 grados Celsius,
dependiendo de la aplicación).

Como los materiales de las termocuplas con el Platino, Rodio, Cobre, Hierro y
otros metales, no es objeto de nuestro estudio profundizar en esto.

TRANSDUCTORES PIEZOELÉCTRICOS

Presentan un efecto similar al fotoeléctrico en cuanto a resultados, pero


relacionado con la presión ejercida por el material, en vez de la luz.

Los transductores piezoeléctricos pueden estar hechos de materiales diferentes, como


el Titanato de Bario o el Dióxido de Silicio; en estos casos no se debe confundir
estos compuestos con un semiconductor, ya que los oxígenos presentes cambian
mucho las propiedades eléctricas del material en la red cristalina (lo convierte en un
dieléctrico muy eficiente). El efecto piezoeléctrico es, fundamentalmente, la aparición
de una diferencia de potencial como resultado de la creación de dipolos eléctricos
bien definidos en la estructura cristalina, como efecto de la presión ejercida.

Los transductores en general son usados en una gran cantidad de aplicaciones.


Además de las celdas solares usadas en los equipos espaciales (satélites,
exploradores, etc), se pueden contar numerosas aplicaciones sofisticadas de
semiconductores, en sistemas en los que típicamente la electrónica es mucho más
compleja que la usual.

Entre las aplicaciones fundamentales están los láseres de alta precisión, potencia,
monocromatismo o coherencia y los centelladores y tubos fotomultiplicadores de

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los detectores o aceleradores de partículas. A continuación se consigna el papel


de los semiconductores en cada uno, así como su propósito.

DETECTORES

Son centros creados para medir o identificar radiación cósmica: luz, positrones,
muones, neutrinos y otros. Los neutrinos, por ejemplo, son partículas de casi nula
masa y sin carga, por lo que no interaccionan mucho con la materia. Como
consecuencia de esto su detección es indirecta, y toda detección indirecta trae
lugar a mayores posibles errores; sin el uso de tubos fotomultiplicadores, las
señales lumínicas detectadas (absorbidas por un transductor fotoeléctrico menos
elaborado) serían demasiado débiles y confusas para ser consideradas fiables.

El detector de neutrinos Super Kamiokande de Japón funciona detectando la radiación


que emiten 50.000 toneladas de agua pura al interactuar con neutrinos del espacio.
Para ello se ubica una capa exterior de más de 1800 fotomultiplicadores
encima de una capa interior de más de 9000 fotomultiplicadores, con el objeto
de discriminar mejor la señal (direcciones de incidencia, etc.).

La comprensión de cómo la información de recepción de los multiplicadores puede dar


información acerca del neutrino (estos tienen diferentes energías cinéticas y son
de diversos tipos) requiere un nivel de conocimientos físicos mayor al de un ingeniero
no especializado en ello, por lo que no se abordará. En la figura 82 se muestra cómo
se observa el registro de detección en una visualización gráfica de la superficie
interna del tanque de agua, tomada de la página oficial del detector. En particular,
representa un Muón atravesando la masa de agua, entrando por la parte inferior del
tanque y saliendo por el costado. Cada partícula deja una ―huella dactilar‖ lumínica
cuando atraviesa la masa de agua, produciendo la detección de radiación en los tubos
fotomultiplicadores a diversas frecuencias. Los colores representan el tiempo, siendo
el azul anterior al verde.

Un neutrino muónico puede descomponerse al atravesar la masa de agua: ésta es


la única forma de detectarlo efectivamente: por las partículas en las que se ha
descompuesto. Particularmente, en la figura 83 observamos cómo el muón que
un neutrino a producido emite cierta huella luminosa. Después que el muón a su
vez decae en electrón, éste también puede ser detectado.

ACELERADORES DE PARTÍCULAS

El objeto de los aceleradores de partículas es realmente colisionarlas. Cuando se


colisionan un par de antipartículas, por ejemplo, éstas se aniquilan y se
transforman en energía pura. Sin embargo, la energía en que se transforman es

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demasiado alta (la suma de sus energías cinéticas más la energía de sus masas,
por la relación E=mc2), así que tienen a formarse espontáneamente partículas que
pueden entenderse como la ―decantación‖ o ―solidificación‖ de la energía liberada.
Normalmente las partículas que se espera de estas colisiones son de muchos
tipos, entre neutrinos, muones, electrones, positrones y otros, por lo que es
necesario una física de detectores muy avanzada y precisa.

Figura 82. Huella de un muón, tomada de la página oficial del Superkamiokande

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Figura 83. Huella de un muón, tomada de la página del SuperKamiokande

El LHC (Large Hadron Collider) es un colisionador de cierto tipo de partículas (los


hadrones) de 27 Km de largo dispuesto en forma de circunferencia para acelerar
las partículas hasta colisionalas en el detector ATLAS (A Toroidal LHC
ApparatuS), donde se encuentra la electrónica de detección requerida.

El detector ATLAS se componte de varios subdetectores; cada uno con múltiples


capas, como se ve en la figuras 84.

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Figura 84. Detector Atlas, LHC, CERN:

El papel de los semiconductores en este detector es muy importante: por ejemplo,


el detector de pixels (Pixel Detector) usa silicio de 250 micrómetros.

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Actualmente los circuitos integrados se fabrican por medio de procesos de crecimiento


de películas delgadas basados en semiconductores como el silicio (Si), el
germanio (Ge) y el arseniuro de galio (GaAs). El material más usado para la
fabricación de los circuitos integrados es el silicio porque se puede encontrar
fácilmente en la naturaleza, ya que es el elemento principal que compone la arena.
El proceso de fabricación tradicional (estandarizado) comienza con el crecimiento
de un cristal de silicio de alta pureza en forma de cilindro de 10 a 30 cm de
diámetro y un metro de longitud. Este cilindro es luego cortado en láminas de 400
a 600 micrómetros de espesor; estas láminas se pulen hasta tener un acabado de
espejo, mediante técnicas químicas y mecánicas de pulido (este CMP, por sus
siglas en inglés, es un proceso que utiliza un compuesto acuoso abrasivo
conjuntamente con una almohadilla de pulido). Las láminas se presionan contra la
almohadilla y se rotan de tal manera que se eliminan todas las impurezas, dejando
la lámina completamente plana y limpia.

Una vez que las láminas estén preparadas, se recubren algunas zonas con
dióxido de silicio ( SiO2 ), esto se lleva a cabo calentando las láminas a 1000 –
1200 ºC hasta que se genera una capa de óxido en la superficie del material. Las
partes de la lámina que no están recubiertas se someten a un proceso de difusión que
dopa el silicio (tipo p) con impurezas que contengan electrones creando una capa de
silicio tipo n (Figura…a.). Las impurezas usadas más comunes son dopantes
como el fósforo, el boro y el arsénico.

El siguiente paso es definir la región activa, o la región donde los transistores


serán ubicados, esto se hace usando una técnica llamada de oxidación local, en la
que una capa de nitruro de silicio ( Si3 N 4 ) es depositada sobre la superficie de la
lámina en patrones, de tal forma que protege las regiones con el nitruro de la oxidación
(Figura…b.). Este proceso de oxidación se lleva a cabo mediante un proceso llamado
oxidación húmeda que consiste en un proceso químico de oxidación con vapor
de agua. Después de este proceso aparecen regiones con dióxido de silicio entre los
transistores (Figura…c.). Luego se procede con la formación de una compuerta de
polisilicio, esto se hace cuando una delgada capa de óxido es removida de la región
activa seguida por el crecimiento de una compuerta de óxido de alta calidad
(Figura…d.). La geometría de la superficie se define mediante un proceso llamado
fotolitografía, que consiste en usar la luz para

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transferir un patrón geométrico a un material sensible a la luz en el sustrato, este


material es llamado fotoresistivo (Figura…e.). Cuando el material se expone a la
luz a través de una placa fotográfica que contiene el patrón, las zonas
fotoresistivas se ablandan imprimiendo el patrón o la máscara en la superficie del
material. Una vez que se haya depositado el material fotoresistivo, se pone otra
capa de polisilicio, usualmente dopado con arsénico (tipo n). El proceso re repite
una vez más pero esta vez se dopa el material son boro (tipo p) (Figura…f.). Antes
de que los contactos sean hechos, se deposita una delgada capa de dióxido de
silicio mediante el proceso (CVD) o deposición química de vapor, que es un
proceso en el cual gases reaccionan químicamente permitiendo la formación de un
sólido sobre un sustrato (Figura…g.). El óxido CVD se deposita usando una
máscara fotosensible, de tal manera queden hechos los orificios para los
contactos metálicos. Por último, estos contactos se hacen mediante el proceso de
metalización que consiste en evaporar por medio de calor una capa de aluminio
que luego se deposita sobre la superficie del sustrato (Figura 85, siguiente
página).

Desde la época del inicio de la construcción de circuitos y dispositivos electrónicos


a escalas nanométricas, se empezaron a desarrollar técnicas para el crecimiento
de películas delgadas (láminas de varios micrómetros de espesor) de diferentes
materiales, ya fueran metales, aislantes o semiconductores. Los procesos de
crecimiento de materiales generalmente son de origen químico o físico, y
consisten en controlar la manera como las redes cristalinas se enlazan entre sí.
Estos procesos son llamados deposiciones, lo que textualmente significaría depositar
una lámina delgada de algún material sobre un sustrato (material con forma no
laminar). Los procesos que son de origen químico generalmente son utilizados para
el crecimiento de películas metálicas, debido a que se llevan a cabo de esta
forma, como —por ejemplo— los baños de plata y oro.

En el caso de los materiales semiconductores se utilizan procesos físicos para el


crecimiento de las películas delgadas; estos son:

- Evaporador de haz de electrones.


- Sputtering.
- Deposición por pulsos láser.
- Haz molecular epitaxial.

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Los procesos se diferencian en la forma como los átomos son desprendidos del
material que se desea crecer; el resto del proceso suele ser muy similar, como
veremos a continuación.

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Figura 85. Proceso típico de fabricación de un Mosfet Complementario (CMOS), tomado de


SEDRA.
EVAPORADOR DE HAZ DE ELECTRONES

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Es una forma de deposición por vapor en el cual un objetivo es bombardeado por


un haz de electrones generado a partir un filamento de tungsteno previamente
calentado en una cámara de alto vacío. El haz de electrones evapora el objetivo
(que contiene el material deseado), que luego se precipita sobre el sustrato,
cubriéndolo en forma de película delgada.

SPUTTERING

Este sistema de crecimiento de películas semiconductoras consiste en que los


átomos del material que se desea crecer se disparan hacia un sustrato para que
sean depositados en éste y formen la lámina delgada. Esto es logrado por las cámaras
evaporadoras: emiten un gas inerte ionizado (como el argón) hacia un objetivo que
contiene el material que se desea crecer, haciendo que los átomos del objetivo
sean expulsados al colisionar con el gas inerte, para después depositarse sobre
el sustrato. Para que esto funcione bien, es necesario que los iones sean de un
tamaño comparable a los átomos del material a crecer; por lo tanto, también se
utilizan otros gases inertes como el neón, el kriptón y el xenón.

DEPOSICIÓN POR PULSOS LÁSER

Este sistema consiste en un pulso de luz localizado que evapora la superficie del
material deseado para luego depositarse en el sustrato. Generalmente este
proceso es llevado a cabo en una cámara de alto vacío.

HAZ DE MOLÉCULAS EPITAXIAL

Este método consiste en un sistema que calienta materiales cono el galio o el arsénico
hasta el punto de sublimación, para luego condensarse sobre el sustrato. Una de las
características principales de este método es la baja tasa de deposición
(aproximadamente 1000 nm/h), lo que permite que la lámina crezca epitaxialmente,
es decir, se hace crecer una capa monocristalina sobre un sustrato también
monocristalino, pero de otro material. Por este motivo, el proceso debe llevarse a cabo
en una cámara de alto vacío donde no haya impurezas de ninguna naturaleza. De
esta forma se pueden crecer películas delgadas de arseniuro de galio (GaAs) para
este caso.

La física de la materia condensada estudia básicamente los problemas que se refieren


a estados coloides, estados sólidos (amorfos o cristalinos), fluidos y cualquier
otro estado intermedio de la materia que en el que las partículas puedan estudiarse
como un conjunto estadístico. A continuación se brinda una breve

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explicación de un tópico de investigación de frontera en Materia Condensada: los


puntos cuánticos.

PUNTOS CUÁNTICOS

En la primera mitad de los años 80, un físico-químico de los laboratorios Bell


(Louis E. Brus) descubrió que cuando existe contacto directo entre dos
semiconductores crecidos epitaxialmente, se crea un confinamiento cuántico para
los excitones (pares electrón - hueco) en las tres dimensiones espaciales. Este
confinamiento da como resultado un espectro discreto de energías posibles que
da lugar a estados ligados similares a los de los átomos; es por esto que los
puntos cuánticos también son conocidos como átomos artificiales.

El confinamiento cuántico de los puntos se crea cuando dos semiconductores que


tienen diferentes GAP’s de energía se acoplan. Estas diferencias de energías
crean pozos de potencial que confinan los electrones y los huecos espacialmente,
dando como resultado el espectro discreto de energías.

Los puntos cuánticos se han estudiado con gran interés desde su descubrimiento
hasta la actualidad debido a sus propiedades ópticas no lineales y sus
aplicaciones en el desarrollo de dispositivos tecnológicos de nanoescala, ya que el
tamaño de los puntos cuánticos varía generalmente entre 10 y 50 nm. Una de las
propiedades ópticas más destacadas es que puntos cuánticos del mismo material
pero con diferente tamaño emiten luz de diferente color. Por esta razón, las
aplicaciones más importantes son los dispositivos emisores de luz, como los
láseres.

En la figura 86 podemos ver cómo se registra la apariencia de estos puntos cuánticos.

La investigación en semiconductores es una rama de la física aplicada cuyas


consecuencias en el diseño y construcción de circuitos integrados pueden ser
inmediatas. El diseño de circuitos integrados, por su parte, puede darse a nivel de
semiconductores o a nivel de circuito: el primero se refiere a la elaboración de
nuevos materiales idóneos para aplicaciones de electrónica y el segundo se
refiere al ajuste de los parámetros geométricos y eléctricos del circuito integrado (como
puede ser, por ejemplo, el ancho del canal de un Mosfet).

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Figura 86. Puntos cuánticos nanocristalinos de CdSe. Emiten luz de diferente color dependiendo el
tamaño de los puntos cuando se irradian con luz ultravioleta. V. I. Klimov. Nanocrystal quantum
dots: From fundamental photophysics to multicolor lasing. Los Alamos Science 28 214 (2003).

Dentro del nivel más fundamental encontramos numerosos estudios tenientes a


mejorar la manera como se estiman las características cuánticas de redes
semiconductoras que son creadas para determinada aplicación. La importancia
de conocer esta información mecano-cuántica (conocer el hamiltoniano y la
función de onda del sistema de partículas) radica en que los procedimientos de
construcción de circuitos integrados VLSI (Very Large Scale Integration) requieren
la manipulación de una cantidad cada vez menor de átomos (nanotecnología), de
manera que aproximaciones no muy exactas acerca de cómo se comportan los
materiales que desprecien los aspectos cuánticos resultan inadecuadas: las
predicciones de lo que debería pasar con un determinado material al aplicar
determinada técnica de manipulación fallan.

Es por esto que el estudio de la física de semiconductores de la forma más exacta


posible hoy adquiere más importancia que en el pasado (años 50’s, por ejemplo),
cuando la tecnología no podía siquiera detectar muchos de los efectos cuánticos
más sorprendentes, como la condensación de Bose-Einstein (un cuarto estado de
la materia que sólo se consiguió en 1996 y era predecido por cálculos combinados
de Albert Einstein y Satyendra Nath Bose). Además del proceso de fabricación de
circuitos integrados, una correcta estimación de las propiedades cuánticas de
semiconductores (y otros compuestos inorgánicos y orgánicos) puede finalizar en
el desarrollo de dispositivos de alta tecnología (de hecho, ya ha ocurrido en
diferentes momentos de la historia como, por ejemplo, la invención del
microscopio de efecto túnel) en campos tan disímiles como la medicina, la exploración
espacial, la industria de electrónica de consumo y la informática de alto nivel.

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Una de las aproximaciones al cálculo exacto de una función de onda de muchas


partículas es la Hartree-Fock.

El problema del caso de muchas partículas es que la forma usual de encontrar la


función de onda (usar el hamiltoniano conocido, aplicar condiciones de frontera y
ver qué funciones cumplen las leyes físicas que se sabe son inherentes al
sistema) se vuelve extremadamente compleja, al punto de hacerse irrealizable.
Esto se debe principalmente a la interacción entre partículas: si el conjunto que se
examina es, por ejemplo, diez electrones girando alrededor del núcleo, la solución
completamente exacta tendría que tener un hamiltoniano que depende de todas la
coordenadas relativas, ya que la energía potencial electromagnética del sistema
depende de las distancias de separación entre los electrones y su posición
respecto al núcleo. Ahora, si queremos escribir el hamiltoniano de un sistema de
1023 átomos (lo que es apenas unos pocos gramos), la tarea es prácticamente
imposible.

Aunque las aplicaciones de nanotecnología manejan unos órdenes de magnitud


en la cantidad de partículas mucho menores que 1023, aún así la tarea es
completamente impráctica, sobretodo si se consideran TODAS las interacciones
posibles, debido a cualquiera de las cuatro fuerzas fundamentales (la gravedad,
sin embargo, siempre se puede despreciar, al igual que efectos relativistas que a estas
velocidades no suelen ser importantes).

En el caso de materiales cristalinos, la aproximación de Hartree-Fock usa términos


aproximados en el hamiltoniano y —aquí la contribución del método— la
suposición que la función de onda total del sistema es igual a la combinación lineal
de productos de funciones de onda orbitales. Dicho más claramente, se asume
que la función de onda real del sistema es una suma de productos de funciones de
ondas más simples, que a efectos prácticos terminan siendo las funciones de onda
correspondientes a los orbitales atómicos, explicados en la unidad 1. La razón de
que cada sumando sea un producto de varios funciones es que cada función
representa el estado de cada partícula, de manera que el producto de ellas es el
estado total del sistema cuando cada partícula está en el orbital atómico
correspondiente.

La teoría del Funcional de Densidad puede usar resultados de aproximaciones de


Hartree Fock: esta teoría intenta usar un Funcional de Densidad (una especie de
función de funciones) en vez de la función de onda previamente dicha. Siendo
explícitos:

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Representa la ecuación de Schrödinger independiente del tiempo para un


sistemas de N partículas (en la aproximación Bohn-Oppenheimer), donde U es la
energía de interacción entre esas partículas. Aún en el caso de que sean todos
electrones, esta interacción electromagnética es difícil de determinar, porque la
energía electromagnética depende en realidad de las posiciones de cada par de
partículas que se está analizando (y, he hecho, de su velocidad, si se quiere tener
toda la energía de manera muy exacta). Inclusive esta complicada ecuación es
sólo una estimación, ya que en realidad:
. . . . . . . .
ÛT = U (r , r , r .....r , v , v , v ....v )T
1 2 3 N 1 2 3 N

Y la sumatoria de V(ri) también debiera depender de las velocidades, si el cálculo


fuera exacto. A pesar de todo, la ecuación que asume las energías totales como
sumatorias de energías parciales es una aproximación casi exacta, debido a que
las energías que se calculan considerando las velocidades son las magnéticas, y
normalmente estas son de una magnitud mucho menor, así que pueden ser
despreciadas sin que los cálculos de energía o las funciones de onda halladas difieran
mucho.

La ecuación de Schrödinger independiente del tiempo que hemos llamado ―de la


aproximación Bohn Oppenheimer‖ (en realidad esta aproximación se refiere a
considerar el núcleo como estático y las aproximaciones de energía sin
dependencia de velocidad son más bien usuales a todos los métodos) podría
utilizarse para, sabiendo cómo debe ser las funciones de energía —y esto se
conoce en gran proporción, debido a que las leyes físicas están bien
establecidas— hallar cuál es la función de onda que identifica el sistema de
partículas que analizamos (por ejemplo, este sistema podrían ser un millón de
átomos de silicio, sólo 106 átomos, comparados con los 1023 de los que hablamos
anteriormente).

El problema reside en que 106 átomos de silicio, por ejemplo, a pesar de constituir
menos de una millonésima de nanogramo (una cantidad que sólo se puede
manipular en laboratorio), convierten la ecuación de Schrödinger asociada en una
ecuación imposible de resolver. Por esto se usa la teoría del Funcional de
Densidad, que expresa la física de la Ecuación de Schrödinger en otra ecuación,
que además actúa sobre una función diferente a la función de onda: la densidad
de partículas, definida como sigue:

Y el valor esperado de un observable O (recordando la unidad 1) se escribe, para toda


teoría de mecánica cuántica, en la notación de Dirac, que es ésta:

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Donde O[n0] es el observado para una densidad de partículas n0, es decir, del
estado base. Entiéndase entonces que ni será otra densidad, de un estado i que
básicamente se refiere a otra configuración, muy probablemente con observables
con valores esperados completamente diferentes, incluyendo a la energía (si tiene
dudas respecto al concepto de observables y cómo se calculan, refiérase a los
párrafos finales de la sección 1.2.2.3). El estado base entonces tiene energía:

Y la contribución de energía que hace el potencial externo V se calculará de


manera análoga, en el caso de que se trabaje la densidad de partículas en vez de
la función de onda, así:

La de energía de intercambio entre los electrones se halla de manera idéntica:

Como las expresiones son más simples, se puede tratar el sistema como un todo,
aunque no se pueden evitar las complicaciones matemáticas del todo.

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