Noţiuni întroductive

Electronica este un domeniu tehnico-ştiinţific, care

are ca obiecte de studiu:
fenomenele fizice în dispozitivele semiconductoare
şi alte dispozitive electronice,
elaborarea unor dispozitive de performanţă sau cu
destinaţii speciale,
caracteristicile electrice şi parametrii
acestor dispozitive,
elaborarea circuitelor electronice cu diverse destinaţii
şi aplicaţii.
 Primele două obiecte constituie baza electronicii
fizice, iar altele două – a electronicii tehnice. Din electronica
tehnică fac parte:
radioelectronica stă la baza radiotelecomunicaţiilor,
televiziunii, radiolocaţiei, radioastronomiei, etc.;
electronica industrială asigură diverse ramuri ale
industriei cu aparate electronice, sisteme de măsură, sisteme
de comandă, convertoare de putere (electronica de putere),
echipament tehnologic etc.;
bioelectronica furnizează echipament electronic pentru
cercetări în domeniul biologiei şi, în deosebi, pentru medicină
(electronica medicinală).
există şi alte domenii ale electronicii tehnice cum ar fi
electronica pentru cercetări ştiinţifice etc.
 Diverse domenii ale electronicii tehnice au o bază
comună aplicarea dispozitivelor semiconductoare
pentru elaborarea circuitelor electronice (amplificatoare,
oscilatoare, generatoare, convertoare statice, circuite
digitale etc.).
Aceste circuite formează baza diferitelor sisteme
electronice sofisticate ca sisteme de comandă automată
sisteme de măsură şi achiziţii de date, sisteme cu
microprocesoare etc.
 În electronica industrială deosebim câteva direcţii
ca:
 electronica informaţională, care stă la baza
sistemelor informaţionale (dispozitive de transmitere,
recepţie, prelucrare şi păstrare a informaţiei, reţele de
calculatoare), sistemelor de măsură şi a celor de
automatizare (de exemplu automatizarea şi monitorizarea
proceselor tehnologice).
 electronica de putere are ca obiective convertoarele
statice de putere şi dispozitive semiconductoare pentru
aceste aplicaţii.
 electronica tehnologică, care cuprinde domeniile de
elaborare şi exploatare a aparatelor şi echipamentelor
electronice utilizate pentru diverse tehnologii de
prelucrare a materialelor (spre exemplu, cu fluxuri de
electroni sau ioni, lasere, ultrasunet etc.).
 1.1 Elemente de circuit (reale şi ideale)

Elementul de circuit ideal este un model care descrie

un sistem fizic ce schimbă energie şi informaţie cu restul lumii
(reprezentat de circuitul exterior lui) numai prin curenţii şi
tensiunile de la bornele sale. Legăturile între aceste
elemente de circuit se realizează prin conductoare ideale.

Firul conductor ce leagă două elemente de circuit este

modelat cu un conductor ideal, fără rezistenţă, şi desenat pe
scheme ca o linie continuă. /Corespondentul său fizic are, însă,
întodeauna o rezistenţă electrică diferită de zero, prezintă acumulări
de sarcini electrice care, prin cîmpul electrostatic creat,
interacţionează cu celelalte conductoare din apropiere, şi, în plus,
prin cîmpul magnetic creat, interacţionează cu ceilalţi curenţi electrici
din circuit/.
 Cînd mărimea acestor efecte contează, nu
renunţăm la modelul conductorului ideal ci adăugăm în
circuit modelele unor alte elemente de circuit, modele la
fel de ideale: de exemplu, interacţiunea unui conductor cu
un alt conductor învecinat, prin cîmp electrostatic, este
modelată prin adăugarea unui condensator ideal, al cărui
cîmp electric nu se extinde în afara armăturilor.
 Principii, reguli şi trucuri care vă ajută să
desenaţi corect o schemă electronică:

1. Schemele nu trebuie să conţină ambiguităţi;

simbolurile componentelor, valorile parametrilor lor
(inclusiv unităţile de măsură), polarităţile, etc, trebuie
să fie trecute cu claritate pentru evitarea confuziilor.
2. O schemă bună sugerează limpede funcţionarea
circuitului; din acest motiv desenaţi distinct regiunile
cu funcţionare diferită, fără să va temeţi că lăsaţi zone
libere. Pentru multe tipuri de circuite există moduri
convenţionale de a le desena, care permit
recunoaşterea lor imediată; le puteţi învăţa numai
desenîndu-le aşa cum le găsiţi în manuale.
 Principii, reguli şi trucuri care vă ajută să
desenaţi corect o schemă electronică:

3. Interconectarea conductoarelor
este bine să fie figurată prin
cercuri pline, ca în Fig. 1.1. a).
Uneori vom uita şi noi acest lucru
pentru că respectarea altor reguli
elimină pericolul confuziilor.
4. Deşi mulţi consideră aceasta
demodat, noi vă sfătuim să
desenaţi două conductoare care se
intersectează fără conexiune cu un
mic semicerc, ca în desenul b al
figurii; fiţi pregătiţi, totuşi, s găsiţi
în scheme această situaţie
reprezentată ca în desenul c).
 Principii, reguli şi trucuri care vă ajută să
desenaţi corect o schemă electronică:

5. Pentru a evita orice posibilitate de

confuzie nu desenaţi niciodată
patru conductoare conectate într-
un singur punct, ca în Fig. 1.1 d) ci
folosiţi reprezentarea din desenul
e) al figurii.
6. Încercaţi, pe cît posibil, să aliniaţi
orizontal şi vertical componentele,
astfel încît conductoarele de
legătură să fie şi ele orizontale sau
verticale.
 Principii, reguli şi trucuri care vă ajută să
desenaţi corect o schemă electronică:

7. Puneţi linia de alimentare cu tensiune pozitivă în

partea superioară a desenului şi cea negativă în
partea inferioară, astfel încît curenţii să curgă (pe
desen) de sus în jos.
8. Circuitele prelucrează semnale; în general, acestea
trebuie să "meargă" de la stînga la dreapta, intrarea
fiind în stînga iar ieşirea în partea dreaptă a schemei.
9. Dacă schema se complică, nu insistaţi să strîngeţi
toate firele care merg la masă într-un singur punct ci
utilizaţi local simbolul de masă; acelaşi lucru este
valabil şi pentru firele care merg la alimentare, pentru
care puteţi scrie, pur şi simplu, valoarea tensiunii de
alimentare (faţă de masă).
simbolul de masă
 1.2 Intensitatea curentului
Intensitatea curentului electric într-un punct al unui
conductor (mai corect ar fi într-o secţiune a sa, dar noi
vom neglija grosimea sa fizică) este, prin definiţie
"debitul" de sarcină electrică transportată prin acel punct
I(t)=dq/dt
Unitatea de măsură este amperul, care corespunde
trecerii unui coulomb (aproximativ 6x1018 sarcini
elementare) în timp de o secundă.
Cum transportul poate avea loc în oricare dintre
cele două sensuri, este obligatoriu să atribuim acestei
mărimi un sens.
A spune că prin punctul M al conductorului
intensitatea este de 3 A este o informaţie utilă, dar cu
siguranţă incompletă. Pentru a simplifica exprimarea,
vom spune adesea "un curent de 2 A" în loc de un "curent
cu intensitatea de 2 A“.
 Să presupunem, că
avem stabilit un regim de
curent continuu, adică toate
intensităţile şi potenţialele din
circuit au încetat să mai
depindă de timp. Aceasta
înseamnă şi că sarcina
electrică totală a
conductorului dintre punctele
M şi N de pe Fig. 1.2 a),
trebuie să rămînă constantă.
Cum ea nu poate fi
creată sau distrusă "debitul"
de sarcină care intră prin
punctul M trebuie să fie exact
egal cu debitul de sarcină
care iese prin punctuil N
IM=IN
 Electronica operează însă,
cel mai adesea, cu tensiuni şi
curenţi variabili în timp.
Revenind la situaţia simplă din
Fig. 1.2 a) putem spune acum
că la orice moment de timp
avem egalitatea IM(t)=IN(t) ?
Numai dacă o perturbaţie
în distribuţia de sarcină de pe
întregul circuit se deplasează
instantaneu. O asemenea
perturbaţie se deplasează, însă,
cu viteză finită, aproape egală cu
viteza luminii în mediul
respectiv. Ajungem, astfel, la
concluzia că putem considera
intensităţile egale
 Ajungem, astfel, la concluzia că putem considera
intensităţile egale

IM(t)=IN(t)

numai dacă privim fenomenele la o scară de timp mult mai

mare decît dMN/c, unde dMN este distanţa între punctele M şi
N iar c viteza luminii în mediul respetiv. Pentru semnale
sinusoidale, condiţia anterioară conduce la
dMN<<cT=λ 1.3

adică dimensiunile circuitului trebuie să fie mult mai mici

decît lungimea de undă.
Pentru circuite de dimensiuni obişnuite, aceasta
înseamnă frecvenţe pînă în domeniul sutelor de MHz (pînă
în domeniul undele radio ultrascurte şi a emiţătoarelor de
televiziune).
Peste aceste frecvenţe, modelarea circuitelor se face
complet diferit, cu parametri distribuiţi, ecuaţiile care le
descriu fiind cu derivate parţiale. Aşa este cazul cablului
pe care primiţi semnalul de televiziune CATV (CAble
TeleVision): lungimea de undă este de ordinul a cîtiva metri
şi, la un moment dat curenţii prin firul central arată ca în
Fig. 1.3. Noi nu vom aborda acest domeniu, aşa că relaţia
(1.3) va fi întodeauna respectată.
Dacă relaţiile (1.2-1.3) sunt
îndeplinite, aşa cum va fi
întodeauna cazul în circuitele cu
care vom lucra, la punctul de
conexiune a mai multor
conductoare, numit nod, suma
intensităţilor curenţilor care intră
este egală cu suma intensităţilor
curenţilor care ies din nodul
respectiv (Fig. 1.4).

De multe ori este comod să tratăm identic aceste

intensităţi, acordîndu-le semne algebrice, după o
anumită convenţie, de exemplu considerînd pozitivi
curenţii care intră şi negativi pe cei care ies. In acest
mod, proprietatea anterioară se scrie
1.5
sumarea efectuîndu-se peste toţi curenţii care ajung Ia
nodul respectiv.
Relaţia anterioară este esenţială în circuitele
electronice şi este cunoscută sub numele de legea (sau
teorema) I a lui Kirchhoff sau legea curenţilor. Deşi acum
intensitatea este reprezentată printr-un număr pozitiv sau
negativ, nu trebuie să uităm că, în spatele acestei
convenţii, curentul are un sens, intrând sau ieşind
din nodul respectiv.
Ori de cîte ori analizăm un circuit este mult mai bine
să figurăm printr-o săgeată sensul curentului decît
să spunem că "intensitatea este negativă", deoarece
caracterul negativ i-a fost acordat de convenţia noastră,
care putea, la fel de bine, sa fie aleasa exact pe dos.
 1.3 Tensiunea electrică

Intre bornele elementelor de

circuit parcurse de curent electric
există tensiuni electrice, ele neavând
acelaşi potenţial.
Cum la efectuarea diferenţei
de potenţial ordinea este esenţială,
va trebui să spunem întodeauna ce
înţelegem prin tensiunea U între
punctele A şi B, diferenţa VA-VB sau
diferenţa VB-VA.
 Există mai multe variante de a
reprezenta pe desen convenţia pe
care am ales-o; nouă ni se pare că
cea mai simplă şi sigură este
trecerea semnelor + şi - la capetele
unui arc de cerc, desenat între
punctele respective, ca în Fig. 1.5.
Aceste semne ne spun modul
în care efectuăm diferenţa între
potenţiale şi nu faptul că potenţialele
respective sunt ele însele pozitive
sau negative.
 In electronică, regula generală
este măsurarea potenţialelor
nodurilor faţă de un nod anumit,
numit masă şi să se lucreze, pe cât
posibil numai cu potenţialele
nodurilor.
Raţiunea este simplă: este
mult mai uşor să vorbeşti despre
altitudinea faţă de nivelul mării a
fiecăruia dintre cinci oraşe decît
despre cele 10 diferenţe de nivel
dintre aceste oraşe; oricînd o
anumită diferenţă poate fi calculată
rapid din altitudinile celor două
oraşe.
Vom utiliza pentru nodul de
masă simbolul din Fig. 1.5 şi, uneori,
prescurtarea GND, ca în limba
engleză (de la ground).
 Astfel, ori de câte ori veţi
întâlni potenţiale (sau tensiuni) care
au un singur indice inferior (VA) este
vorba despre potenţialul nodului
respectiv (tensiunea sa măsurată
faţă de masă).
Când va trebui să vorbim
despre tensiunea între două puncte
oarecare, vom utiliza doi indici
inferiori, care să se referă la nodurile
respective (VAB), sau vom trece ca
indice inferior elementul de circuit la
bornele căruia măsurăm tensiunea
(UR1).
 Tensiunea electrică se măsoară în volţi;
prescurtarea acestei unităţi de măsură, V, poate să
producă confuzii, deoarece şi potenţialele se notează, de
regulă tot cu litera V.
Pentru evitarea confuziilor, este bine sa se respecte
regula încetăţenita in literatura ştiinţifica şi anume ca
variabilele corespunzătoare mărimilor fizice sa tie notate
cu utere italice (cursive). Astfel, 3V înseamnă trei volţi, pe
cînd 3V este produsul dintre constanta trei şi
potenţialul notat cu litera V.
 În fenomenele întâlnite în natură şi tehnică, atît
curentul cît şi tensiunea pot avea valori pe o gamă foarte
largă. Diagrama prezentată în Fig. 1.5 b) se referă la cîteva
fenomene mai cunoscute;
Faptul că pentru supraconductori tensiunile sunt mult mai
mici decât cele figurate iar pentru acceleratoarele de
particule ele sunt mult mai mari a fost reprezentat pe
diagramă prin săgeţi. Acelaşi lucru se întâmplă în cazul
"loviturilor" de trăznet, pentru care şi tensiunea şi
curentul pot fi mai mari decât valorile reprezentate pe
diagramă.
 Tensiunea electrică între două puncte se
defineşte prin lucrul mecanic efectuat de câmpul
electrostatic la deplasarea unei sarcini de valoare
unitară. Aceasta înseamnă că, fiind parcurs de un
curent electric, un element de circuit transferă
sarcinilor energie (este un generator electric) sau
primeşte de la acestea energie (este un
consumator electric).
Consumatoarele sunt numite elemente
pasive, pe cînd generatoarele sunt elemente
active.
 Când curentul electric intră în elementul de circuit
pe la borna de potenţial ridicat (la borna pozitivă vom
spune, adesea, prin abuz de limbaj), sarcinile electrice
sunt accelerate de cîmpul electrostatic şi "frînate" prin
interacţia cu structura internă a elementului de circuit. In
acest caz, elementul de circuit este un consumator de
energie electrică, aşa cum este cazul porţiunilor BC şi DE
din Fig. 1.6.
 Într-un consumator de energie electrică, curentul
curge de la borna cu potenţial ridicat la borna cu potenţial
coborît
Pe de altă parte, există elemente de circuit care
furnizează energie electrică, fie primind-o din exterior sub
o altă formă (lumină în cazul fotoelementelor, mecanică în
cazul generatoarelor hidrocentralelor, etc), fie având-o
stocată sub o formă diferită (chimică în cazul elementelor
galvanice). După cum se poate observa în Fig. 1.6,

Într-un generator de energie electrică, curentul

curge de la borna cu potenţial coborât la borna cu
potenţial ridicat.
Enunţurile anterioare,
sintetizare în Fig. 1.7, pot fi
memorate uşor prin analogie
cu mişcarea unor corpuri în
câmp gravitaţional:
generatorul le transportă de
la înălţime mică la înălţime
mare, iar ele coboară,
transferând energia, prin
frecare, corpurilor cu care
vin în contact.
După cum vă amintiţi, introducerea potenţialului
electrostatic a fost posibilă deoarece într-un astfel de
cîmp lucrul mecanic efectuat de cîmp nu depindea de
drum. Aceasta afirmaţie este echivalentă cu aceea că pe
orice contur închis lucrul mecanic este nul. In circuitele
electrice, orice contur închis înseamnă "orice ochi (buclă)
a circuitului"; cum lucrul mecanic este proporţional cu
tensiunea electrică

rezultă imediat că
pe orice ochi al circuitului, suma algebrică a variaţiilor de potenţial
este nulă

aşa cum se poate vedea în Fig. 1.8.

33
 Aceasta implică parcurgerea ochiului într-un sens
oarecare şi considerarea ca pozitive a variaţiilor care duc
la creşterea potenţialului şi negative a celor care coboară
potenţialul. Relaţia anterioară este cunoscută ca a doua
lege a lui Kirchhoff sau legea tensiunilor.
Astfel, pe circuitul din Fig.
1.6, parcurgînd circuitul în
sensul ABCDEFA avem

-2-3+5= 0

iar parcurgîndu-1 în sens

invers, AFEDCBA ajungem
la relaţia echivalentă
-5+3+2= 0
 1.4 Legea lui Ohm: rezistoare
Un element de circuit cu două
borne de acces se numeşte dipol.
Conform cu cele discutate anterior,
intensităţile la cele două borne
trebuie să fie egale (Fig.1.9). In plus,
mai avem pentru descrierea stării
sale electrice tensiunea la bornele
sale. Vom adopta o convenţie care
este naturală pentru dipolii
consumatori de energie: curentul
intră în dipol pe la borna cu
potenţial ridicat.
Cu acestea, comportarea
dipolului în regim de curent
continuu este complet descrisă de
relaţia funcţională I = f(U), numită
caracteristică statică a dipolului.
 Pentru conductoarele reale confecţionate din metale
sau multe alte tipuri de materiale, relaţia funcţională
este una de proporţionalitate

1.8

cunoscută ca legea lui Ohm. Constanta R caracterizează

conductorul respectiv şi poartă numele de rezistenţă
electrică.
Deşi multe materiale o respectă, relaţia de mai sus
nu este altceva decît o relaţie de material. Nu toţi dipolii
respectă, deci, legea lui Ohm, "dacă legea lui Ohm ar fi
general valabilă, electronica n-ar mai exista"1.
Elementele de circuit care respectă legea lui Ohm
cu destulă acurateţe sunt numite rezistoare şi sunt
utilizate pe scară largă în circuitele electronice.
 Rezistorul ideal respectă cu exactitate legea lui
Ohm. Simbolurile recomandate pentru el sunt cele din Fig.
1.10 a).
 Caracteristica sa statică
este o linie dreaptă (desenul b al
figurii) şi, din acest motiv, el este
un dispozitiv de circuit liniar.
Dacă în relaţia (1.8) schimbaţi
simultan semnele intensităţii şi
tensiunii, relaţia continuă să
rămînă valabilă.
Aceasta înseamnă că, de
fapt, puteţi inversa rezistorul la
borne fără ca restul circuitului să
sesizeze modificarea: rezistorul
este un dispozitiv simetric.
 In aplicarea legii lui Ohm
trebuie să acordaţi întodeauna
atenţie convenţiei de sensuri:
dacă aţi stabilit sensul
curentului, atunci relaţia trebuie
scrisă
aşa cum este exemplificat în desenele c) şi d) ale figurii
 Chiar atunci cînd sunt
fabricate în condiţii foarte bine
controlate, rezistoarele au valoarea
împrăştiată statistic; astfel
producătorii de dispozitive electronice
oferă rezistoare în mai multe game de
toleranţă.
Cele mai puţin precise au o
toleranţă de +/- 20 % în jurul valorii
nominale (valoarea marcată pe
rezistor). Cu această toleranţă,
valorile nominale standardizate pentru
o decadă de valori sunt cele din seria
E6, prezentată în Fig. 1.10 e).
Se observă că aceste valori
sunt aproximativ echidistante pe
scara logaritmică; cu linie subţire au
fot trasate intervalele de toleranţă
pentru fiecare din valori.
Pentru celelalte decade,
valorile nominale se înmulţesc cu
puteri ale lui 10, ca de exemplu 33 Ω,
330 Ω, 3.3 kΩ,...etc.
 10. AMPLIFICATOARE SELECTIVE

Amplificatoarele selective au banda de trecere

foarte îngustă şi sunt folosite pentru a evidenţia semnalul
util, prin suprimarea celorlalte armonici suplimentare,
(pentru amplificarea semnalelor de o anumită frecvenţă
f0) la recepţia radio şi TV, în echipamentele de măsurări
şi automatizări.
 Pentru îngustarea benzii
amplificatoarelor selective este
principii:
1.În calitate de sarcină
conectat un circuit oscilant (vezi
de trecere şi formarea
folosit unul din două
a amplificatorului este
fig. 10.1.).
2. În bucla de reacţie este folosit un filtru de bandă
(vezi fig.3.2.).
 Amplificatoarele selective de tipul I se mai numesc
amplificatoare de rezonanţă şi au conectate în circuitul
colectorului un circuit oscilant LC (vezi fig.10.3).
Caracteristica amplitudine - frecvenţă va avea
aceeaşi formă ca şi dependenţa impedanţei circuitului
oscilant de frecvenţă.
 Pentru a îmbunătăţi parametrii (factorul de calitate
Q) inductanţa L este conectată în circuitul colectorului
parţial (prin priză) (vezi fig.10.4).
Pentru a evita şuntarea circuitului oscilant prin
sarcina cu rezistenţă mică, semnalul este cules prin
condensatorul de cuplaj de pe o porţiune a inductanţei
vezi fig.10.4.a.) sau este cules prin intermediul unei
inductanţe mutuale (vezi fig.10.4.b.).
 Deoarece la joase frecvenţe (f<50 kHz) cresc
valorile necesare ale inductanţelor şi capacităţilor, cresc
gabaritele elementelor folosite. În acelaşi timp creşte şi
rezistenţa bobinei, deci scade factorul ei de calitate.
Din aceste considerente în amplificatoarele
selective de tipul II în bucla de reacţie sunt folosite filtre
RC de bandă: reţeaua Wien şi reţeaua dublu T (vezi
fig.8.11 şi 2.12).
 Mai frecvent este folosită reţeaua dublu T (vezi
fig.10.5), deoarece putem căpăta la frecvenţa de
cuazirezonanţă f0 un factor de transfer al buclei de reacţie
aproape de zero .
χ0 0
La această frecvenţă reacţia este nulă şi factorul de
amplificare al amplificatorului capătă valoarea maximală.
La frecvenţe deferite de f0 apare reacţia negativă, care
aduce la micşorarea factorului de amplificare.
 11. AMPLIFICATOARE DE PUTERE
11.1 Noţiuni generale

Amplificatoarele de putere sunt etaje de ieşire

(finale) ale amplificatoarelor cu multe etaje, care servesc
pentru dezvoltarea pe sarcină a puterii maximale.

Dificultăţile esenţiale legate de amplificatoare de

putere sunt:
1. sarcina are de regulă rezistenţă mică şi, prin
urmare, impedanţa de ieşire a amplificatorului de putere
trebuie să fie mică;
2.cuplajul sarcinii trebuie ales urmărind acelaş i
scop şi mai frecvent este efectuat prin transformator;
3.deoarece puterea necesară pe sarcină este mare,
este importantă alegerea tranzistorului după mărimea
puterii maxime a colectorului PCM.
 Parametrii principali, prin care sunt caracterizate
amplificatoarele de putere sunt:
 puterea de ieşire Pieş;
 factorul de amplificare a puterii Kp;
 randamentul η;
 factorul distorsiunilor neliniare v;
 factorul de utilizare a tranzistorului în
tensiune ξ.
 Parametrii amplificatoarelor de putere depind de
clasa de funcţionare a etajului de ieşire: A, B, C sau clasa
intermediară AB.
Cu toate că schemele amplificatoarelor de putere în
varianta clasică includ transformatoarele de cuplaj, în
schemele moderne, de regulă, sunt folosite
amplificatoarele cu tranzistoare complementare, în care
sunt evitate transformatoarele.
Deoarece tradiţional amplificatoarele de putere sunt
folosite pentru amplificarea semnalelor sonore, ele sunt
mai frecvent amplificatoare de joasă frecvenţă.
11.2 Amplificatoare de putere clasa A
În fig.11.1 este reprezentată schema
amplificatorului de putere clasa A.
Acordarea sarcinii este efectuată folosindu-se
transformatorul T.
Deoarece rezistenţa înfăşurării primare a
transformatorului de ieşire Rw1 este foarte mică, dreapta
de sarcină va fi aproape verticală. Sarcina în curent
alternativ este determinată de rezistenţa sarcinii raportată
la înfăşurarea primară:
Sarcina în curent alternativ este
determinată de rezistenţa sarcinii
raportată la înfăşurarea primară:

unde kT este factorul de transformare

al transformatorului de ieşire:

Dreapta de sarcină în c.a. (caracteristica dinamică de

ieşire) trece prin punctul de repaos şi intersectează axa
UCE în punctul:
 Destinaţia celorlalte elemente ale
schemei este identică cu cazul etajului
amplificator EC.

Deoarece puterea disipată pe RE poate fi trecută în

pierderi, pentru a majora randamentul va fi necesar de
micşora valoarea RE.
Prin urmare, capacitatea CE va trebui să aibă valori
foarte mari. Atunci, când aceste valori sunt exagerat de
mari ne refuzăm de condensatorul CE în schemă.
Rezistenţa RE va fi aleasă de o valoare foarte mică pentru
a asigura stabilitatea funcţionării amplificatorului şi
reducerea zgomotului, formând reacţie negativă.
 Pentru amplificatoarele de putere clasa A pot fi
menţionate următoarele avantaje:
 simplitatea modificării fazei tensiunii de ieşire;
 posibilitatea folosirii sursei de alimentare cu
tensiune joasă, deoarece în înfăşurarea primară a
transformatorului de ieşire în curent continuu
căderea de tensiune va fi foarte mică (datorită
rezistenţei mici) şi

U CE0 E C
 Dezavantajele principale sunt:
deoarece este folosită clasa A randamentul maxim
posibil va fi 50%;
datorită curentului colectorului de repaos, care
curge prin înfăşurarea primară a transformatorului
de ieşire, regimul transformatorului este apropiat de
saturaţie şi acest fapt aduce la distorsiuni neliniare
esenţiale;
folosirea transformatorului este însoţită de:
 creşterea gabaritelor şi masei,
 dependenţa parametrilor de frecvenţa ,
 sensibilitatea echipamentului la câmpuri
magnetice.
11.3 Amplificatoare de putere în contratimp
cu cuplaj prin transformator
În fig.4.2. este reprezentată schema amplificatorului
de putere în contratimp clasa B cu cuplaj prin
transformator.
Schema este formată din două etaje cu punct
neutru comun şi transformator de ieşire comun cu priză
mediană în primar.
 Pentru ca tensiunile de intrare pentru fiecare etaj să
fie în antifază poate fi folosit etajul cu sarcină divizată
schema cărui a fost prezentată în cap.8 (vezi fig.8.14). De
asemenea poate fi folosit un transformator de intrare cu
priza mediană în secundar (vezi în fig.11.2).
 Tranzistoarele VT1 şi VT2 funcţionează pe rând în
antif ază, amplificând câte o alternanţă a semnalului. În
timpul alternanţei pozitive VT1 va fi blocat şi curentul iC1
va fi egal cu zero, iar VT2 va fi în regim activ direct şi
curentul iC2 va parcurge semiînfăşurarea primară de jos a
transformatorului de ieşire T2, şi în înfăşurarea secundară
va fi indusă tensiunea de ieşire. În timpul alt ernanţei
negative tranzistoarele îşi schimbă rolul. Curentul
înfăşurării primare a transformatorului de ieşire va fi suma
algebrică a curenţilor colectoarelor:

i1T2 = iC1 - iC2.

 În fig.11 .3 sunt reprezentate formele de undă ale
tensiunilor de intrare uBE1, uBE2, curenţilor de ieşire ale
tranzistoarelor iC1, iC2 şi al transformatorului de ieşire i2T2
în circuitul amplificatorului clasa B pentru semnal de
intrare sinusoidal.
 În amplificatoarele clasa B, adică fără polarizarea
tranzistoarelor, apar distorsiuni neliniare datorită
neliniarităţii caracteristicilor de intrare ale tranzistoarelor
VT1 şi VT2 la tensiuni mici (vezi fig.11.4). În aşa mod la
nivelul zero se formează o treaptă în semnalul de ieşire.
 Pentru a exclude aceste distorsiuni este folosită
clasa AB . Prin divizorul de tensiune R1-R2 baza este slab
polarizată. Schema amplificatorului de putere în
contratimp clasa AB este reprezentată în fig.11.5.
Dezavantajul principal este necesitatea unei
perechi de tranzistoare cu parametrii identici, la care se
adaugă dezavantajele, legate de folosirea
transformatoarelor (vezi 11.2.).
11. 4 Amplificatoare de putere în contratimp fără
transformator
Aceste amplificatoare pot fi (vezi fig.11.6.) cu două
intrări separate cu semnale în antifază (vezi fig.11.6.a) sau
cu o intrare comună (vezi fig.4.6.b. şi fig.11.6.c.), cu două
surse de alimentare (vezi fig.4.6.a. şi fig.11.6.b.) sau cu
una comună (vezi fig.11.6.c.).
 Schema reprezentată în fig.11.6.a. este formată din
două tranzistoare de acelaşi tip VT1 şi VT2, care
funcţionează în contratimp, polarizate de două surse
individuale de alimentare (E1 şi E2), şi are două întrări, la
care semnalele de intrare se aplica în antifază. Schemele
din fig.11.6.b. şi fig.11.6.c. au o singură intrare deoarece
sunt dotate cu tranzistoare complementare (cu parametri
identici): VT1 de tip p-n-p şi VT2 de tip n-p-n.
 În schema din fig.11 .6.b fiecare tranzistor este
polarizat separat, iar în schema din fig.11.6.c ca sursă de
polarizare pentru tranzistorul VT2 este folosit
condensatorul C: când este aplicată alternanţa negativă a
semnalului de intrare, VT1 este în regim activ direct şi
curentul emitorului iE1 încarcă condensatorul C până la
E/2. În acest timp VT2 este blocat, adică curentul său este
egal cu zero.
 În timpul alternanţei pozitive VT1 este blocat, iar
tensiunea de pe armăturile condensatorului C polarizează
VT2. Tranzistorul VT2 este în conducţie şi prin
condensatorul C curge iE2. Deoarece VT1 şi VT2 au
parametri identici şi curenţii prin sarcină ai tranzistoarelor
iE1 şi iE2 de asemenea sunt egali. În curent continuu
tranzistoarele sunt conectate în serie, iar în curent
alternativ, atât la intrare, cât şi la ieşire, sunt conectate în
paralel. Capacitatea C este aleasă din condiţia, ca la joase
frecvenţe XC«RS. Tensiunea sursei de alimentare este
limitată de străpungerea tranzistorului VT1:
Dezavantajul principal al amplificatoarelor de putere în
contratimp fără transformator este necesitatea
tranzistoarelor complementare identice.
11.5 Amplificatoare de putere cu intrare paralelă a
tranzistoarelor de ieşire
În ultimul timp sunt folosite pe larg amplificatoare
de putere fără transformator cu intrare paralelă şi
sinfazică a tranzistoarelor de ieşire. Schema unui
amplificator de acest tip este reprezentată în fig.4.7.a. În
baza tranzistorului VT1 este format etajul de intrare, care
funcţionează în clasa A.
 Sarcina de colector a tranzistorului VT1 este
rezistorul RC. În calitate de etaj de ieşire este folosit un
amplificator de putere în contratimp cu tranzistoare
complementare VT2 şi VT3. Datorită rezistorului R bazele
tranzistoarelor VT2 şi VT3 sunt slab polarizate şi, prin
urmare, etajul de ieşire funcţionează în clasa AB. În acest
mod sunt micşorate distorsiunile neliniare. În locul
rezistorului R poate fi inclus în schemă o diodă polarizată
direct. Folosirea unei diode semiconductoare sau a unui
termorezistor în locul rezistorului R asigură o stabilizare
termică suficientă a amplificatorului.
 În timpul alternanţei pozitive a semnalului de intrare
este formată alternanţa negativă a tensiunii pe colectorul
tranzistorului VT1 şi curentul curge prin VT2 şi sarcină. În
timpul alternanţei negative a semnalului de intrare
tranzistorul VT3 trece în conducţie şi curentul curge prin
VT3 şi sarcină. În aşa mod, pe parcursul unei perioade a
semnalului de intrare sunt formate alternanţele pozitivă şi
negativă ale curentului şi tensiunii pe sarcină.
 Dezavantajul principal al acestor amplificatoare
constă în problema alegerii tranzistoarelor de putere VT2
şi VT3 de tip p-n-p şi n-p-n cu aceeaşi parametri. Deoarece
tranzistoare complementare (cu parametri identici) de
putere mică pot fi alese mai uşor, mai frecvent este
folosită schema cu tranzistoare de putere (de ieşire) de
acelaşi tip (vezi fig.4.7.b).
 12. AMPLIFICATOARE DE CURENT CONTINUU
12.1 Noţiuni generale
Pentru amplificarea semnalelor foarte lente vor
fi necesare amplificatoare, frecvenţa limită de jos a
căror tinde spre zero. Ele se numesc amplificatoare
de curent continuu (A.C.C.).
Caracteristicile amplitudine - frecvenţa şi fază-
frecvenţa a A.C.C. sunt reprezentate în fig. 12.1.(a şi b).
 Deoarece semnalele electrice la intrarea A.C.C. au
valori foarte mici (tensiuni circa 10-7 V şi curenţii de
ordinul 10-12 10-16 A), este necesar un factor de
amplificare foarte mare, din care cauză A.C.C. sunt
amplificatoare cu multe etaje.

În amplificatoarele de c.a. cuplajul între etaje,

cuplajul semnalului de intrare şi sarcinii este realizat prin
grup RC sau prin transformator.
În aşa mod se amplifică numai semnalul variabil
(util). Odată cu micşorarea frecvenţei cresc distorsiunile,
provocate de condensatoare sau transformatoare.
Prin urmare, pentru liniarizarea caracteristicii
amplitudine - fr ecve nţă la joase fr ecven ţe este necesar ă
evitarea elementelor reactive în schema
amplificatorului. Atunci, când semnalul este foarte lent
sau trebuie amplificat curent continuu, este folosit
cuplajul direct.
 Toate, cele menţionate mai sus, provoacă
următoarele dificultăţi:
 Necesitatea acordării potenţialelor de la ieşirea
etajului precedent şi intrarea etajului următor.
 Este dificilă stabilizarea funcţionării amplificatorului
la variaţiile tensiunii de alimentare şi a
parametrilor elementelor schemei cu
temperatura şi timpul (este exclus
condensatorul din circuitul emitorului ).
 Este complicat cuplajul sursei de semnal şi
sarcinii, deoarece variaţiil e tensiunilor în schem ă
vor avea acelaşi caracter şi valoare cu semnalul
util.
 Variaţia parametrilor provoacă variaţii ale tensiunii
şi curentului de ieşire, adică decalajului .
Decalajul este variaţia maximală a semnalului de
ieşire într-un anumit interval de timp în condiţiile de
scurcircuit la intrare.
De aici rezultă noţiunea de tensiune de drift sau
tensiune de offset:
 În acest fenomen rolul principal revine etajului de
intrare. Amplificatorul poate amplifica sigur semnale cu
Uint. » Uoff..
Pentru micşorarea decalajului pot fi întreprinse
următoarele măsuri:
 folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu
siliciu, în care dependenţa curentului colectorului de
temperatură este mai mică,
 folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu
efect de câmp,
 stabilizarea tensiunii surselor de alimentare,
 termostatarea amplificatoarelor,
 folosirea în circuitul amplificatorului a compensării
termice,
 folosirea reacţiei negative locale sau globale,
 folosirea amplificatoarelor simetrice.
 În majoritatea ACC este necesar ca la schimbarea
polarităţii semnalului de intrare să-şi sensul şi semnalul
de ieşire.
Prin urmare, caracteristica de amplitudine a A.C.C.
are forma reprezentată în fig. 12.1.c.
 A.C.C. sunt utilizate în stabilizatoare de tensiune
sau curent, în metrologie, automatică, în metrologie etc.
A.C.C. pot fi parte componentă a amplificatoarelor
de curent alternativ deoarece nu conţin condensatoare
(de dimensiuni mari) şi datorită posibilităţii realizării
sale în formă integrală..
A.C.C. pot fi:
 cu cuplaj direct, care au schemă mai
simplă,
 amplificatoare cu modulare - demodulare.
 12.2 A.C.C. cu cuplaj direct

Schema unui A.C.C. cu

două etaje cu
tranzistoare bipolare p-
n-p cu cuplaj direct este
reprezentată în fig.12.2.

Fig.12.2. A.C.C. cu cuplaj direct

 Regimul de repaos al
etajului de intrare este calculat în
mod obişnuit.
Rezistenţa în circuitul
emitorului etajului următor RE2
este aleasă în aşa mod, ca să se
respecte condiţia:
UCE1+UE1=UBE2+UE2, (12.2)

de unde rezultă, că:

UE2 =UCE1+UE1-UBE2. (12.3)
 UE2 =UCE1+UE1-UBE2.

Deoarece, de regulă: UCE1>>UE1, (12.4)

din (12.3) rezultă: U E2 > U E1. (12.5)

Pentru regimuri identice ale tranzistoarelor VT1 şi VT2

(adică IE1 =IE2 şi UCE1 =UCE2) din ultima inegalitate (12.5)
rezultă:
RE2 >RE1 şi RC2 < RC1. (12.6)
 Deoarece prin rezistenţa în circuitul emitorului se
realizează reacţie negativă, în etajul următor avem
nevoie de o rezistenţă mai mare în circuitul emitorului şi
una mai mică în circuitul colectorului, iar acest lucru
duce la adâncirea reacţiei negative în etajul următor şi,
prin urmare, în fiecare etaj următor factorul de
amplificare va fi mai mic ca în cel precedent.
 Adică majorarea numărului
de etaje în aşa un A.C.C. ne va
aduce la o situaţie, când factorul
de amplificare din ultimul etaj va fi
mai mic ca unitatea şi acest etaj
va fi inutil. Din această cauză nu
putem majora valoarea factorului
de amplificare numai prin
creşterea numărului de etaje.
 O ieşire din situaţie este schimbarea tipului
tranzistoarelor de la etaj la etaj (vezi fig.5.3.). Acest
A.C.C. a căpătat denumirea de amplificator cu
simetrie suplimentară.

Fig.5.3. A.C.C. cu simetrie suplimentară

Altă soluţie folosirea în A.C.C. cu cuplaj direct a
cuplajului potenţiometric între etaje (vezi fig.5.4).

Fig.5.4. A.C.C. cu cuplaj potenţiometric

În acest caz pot fi folosite
rezistoare cu aceleaşi valori de
la etaj la etaj şi, prin urmare,
pot fi asigurate regimuri de
repaos identice şi valori
identice ale factorilor de
amplificare în diferite etaje.
 Sarcina este conectată în diagonala unei punţii
braţele căreia sunt:
•RC2;
•R1 plus o parte din R0;
•R2 plus cealaltă parte din R0;
•RE2 plus tranzistorul VT2.
În cealaltă diagonală este conectată sursa de alimentare
E1. Puntea este în echilibru, dacă (fig.12.5):
 curentul prin sarcină lipseşte,
 potenţialele nodurilor a şi b sunt egale,
 tensiunea pe sarcină este nulă.

Fig.12.5. Puntea în echilibru

 Condiţia de echilibru a punţi
este:

R1 R 2 (5.10)

R3 R4

După acest principiu în circuitul de ieşire este stabilit

echilibrul variind alunecătorul R0 în condiţia, când
semnalul de intrare lipseşte.
12.3 Amplificatoare simetrice
Structura schemotehnică a amplificatoarelor simetrice
este formată pe principiul punţii (vezi 12.2).

Fig.5.6. Amplificatoare simetrice

a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de câmp
 Sarcina este conectată în diagonala
punţii braţele căreia sunt:
• R1,
• R2,
• VT2 plus o parte din R0,
• VT1 plus cealaltă parte din R0.

În cealaltă diagonală este

conectată sursa de alimentare E.
 Rezistenţele RB11, RB12, RB21, RB22 – formează
divizoare de tensiune pentru polarizarea bazelor VT1
şi VT2 (în fig. 12.6.b – RG1, RG2).
De regulă, este obligatorie
condiţia că tranzistoarele trebuie
se aibă parametrii identici.
Rezistenţa R3 este
comună pentru tranzistoare şi
serveşte pentru stabilirea
curenţilor de emitor (sursă).
Semnalul de intrare este aplicat
între bazele (grilele)
tranzistoarelor, iar semnalul de
ieşire este cules între colectoare
(drene). În aşa mod,
amplificatoarele simetrice au
intrare şi ieşire simetrice.
 Deplasând alunecătorul
rezist enţei R0 puntea este stabilită
în echilibru, adică în absenţa
semnalului (scurtcircuit) la intrare
se stabileşte Uieş = 0. Schimbarea
tensiunii sursei de alimentare,
temperaturii mediului şi a altor
factori aduce la schimbări identice
în curenţii colectoarelor (drenelor).

Prin urmare, tensiunile pe colectoare (drene) se

schimbă analogic şi Uieş rămâne nulă. În aşa mod aceste
fluctuaţii se compensează reciproc pe sarcină,
micşorându-se esenţial decalajul.
 Dacă, de exemplu, creşte
temperatura, ea va creşte pentru
ambele tranzistoare cu aceeaşi
valoare. Prin urmare, va creşte
căder ea de tensiune pe R1 şi R2 cu
aceeaşi valoare. Se vor micşora
tensiunile pe colectoare cu ac eeaşi
valoare şi diferenţa de potenţial
între colectoarele (drenele)
tranzistoarelor, adică tensiunea de
ieşire, rămâne neschimbată.
Pe când semnalul de intrare fiind aplicat cu
polarităţi diferite provoac ă sc himbări egale ca valoare şi
cu sensuri opuse pe cele două tranzistoare. Prin urmare,
tensiunea de ieşir e se va dubla. Schimbarea polarit ăţii
tensiunii de intrare aduce la schimbarea polarităţii
tensiunii de ieşir e, adică caracteristica de amplitudine
are forma reprezentată în fig.5.1.c.
 Sub acţiunea semnalului de
intrare schimbările tensiunilor
bazelor (grilelor) sunt egale ca
valoare şi au sens opus: Uint/2 şi
–Uint/2 . Aceste tensiuni provoacă
aşa schimbări ale curenţilor i1 şi
i2, că ∆i1= - ∆ i2. Tensiunea pe R3
nu se va schimba, deoarece:

∆ u3=(∆ i1+ ∆ i2)R3=0.

Prin urmare, pentru semnal R3 nu formează reacţie

negativă, iar VT1 şi VT2 formează etaje cu R1 şi R2 ,
respectiv, în circuitul colectorului (drenei) şi fără reacţie
negativă.
5.4 Amplificatoare diferenţiale
Amplificatorul diferenţial (vezi fig.5.8.) reprezintă o
variantă a amplificatorului simetric, în care la bazele
tranzistoarelor se aplică semnale diferite Uint1 şi Uunt2,
iar semnalul de ieşire este cules de pe unul din
colectoare sau între ele.

Fig.5.8. Amplificatoare diferenţiale

a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de
câmp
Atunci, când la intrările
amplificatorului diferenţial
se vor aplica semnale în
antifază: Uint1=Uint/2 şi Uint2=-
Uint/2 (semnal diferenţial),
funcţionarea schemei nu
diferă de cea a
amplificatorului simetric.
Atunci, când semnalele sunt sinfazice (semnal de mod
comun): Uint.1= Uint.2= Uint., modificările curenţilor i1 şi i2
sunt identice ca valoare şi sens, iar variaţia tensiunii pe
R3:
 Prin urmare, pentru semnal de mod comun
rezistenţa R3 formează reacţie negativă, iar fiecare din
cele două părţi (braţe) simetrice ale poate fi
reprezentat ca în fig.13.9.

Fig.13.9. Circuit echivalent al amplificatorului diferenţial

 Factorul de amplificare se va determina prin expresia:

(13.17)
unde
 ku=SR – este factorul de amplificare al fiecărui braţ fără
a ţine cont de reacţia negativă,
 λ=uR/uieş. – factorul de transfer al buclei de reacţie
negativă,
 R – rezistenţa echivalentă a circuitului de ieşire a
amplificatorului.
 Înlocuind în (13.17), vom căpăta pentru factorul de
amplificare al unui braţ al A.D. următoarea expresie:

(13.18)

De regulă Zieş.>>R1 şi Zieş.>>R2 şi, prin urmare, putem

considera R=R1=R2=RC. Atunci expresia (13.18) capătă
forma:
(13.19)
unde RC şi RE sunt rezistenţele din circuitele colectorului
şi emitorului, respectiv.
Pentru semnal de mod comun potenţialele
colectoarelor variază identic ca valoare şi sens şi uieş.=0.
Deoarece semnalul de mod comun în realitate nu
este altceva de cât zgomot sau perturbaţii, este dorit
kuc=0. Reducerea factorului kuc se efectuează prin
majorarea rezistenţei RE (R3).
În majoritatea cazurilor reale semnalele de intrare
reprezintă o combinaţie de semnal de mod comun (uint.c)
şi semnal diferenţial (uint.dif=uint.1- uint.2 ), cum este
reprezentat în fig.13.10.
 Fig.15.10.
Descompunerea
semnalului de intrare
în componente

Atunci, putem scrie:

(13. 20)

(13.21)
În fiecare braţ al A.D. componenta de mod comun se
amplifică cu factorul kuc (vezi expresia (13.19)), iar
componenta diferenţială cu factorul ku (vezi expresia
(13.14)). Prin urmare, la ieşire vom avea:

(13.22)

(13.23)

(13.24)

Expresiile (13.22), (13.23) şi (13.24) demonstrează, că în

amplificatorul diferenţial cu braţele simetrice (identice)
semnalul de mod comun este suprimată complet, iar
tensiunea semnalului de ieşire este proporţională
deferenţei tensiunilor de intrare ( de unde şi provine
denumirea amplificator diferenţial).
Semnalul de ieşire va repeta faza semnalului de
intrare uint.2, de aceea a doua intrare este numită
neinversoare, şi semnalul de ieşire va fi în antifază cu
semnalul de intrare uint.1 , de aceea dprima intrare
este numită inversoare

În scheme reale la ieşire va fi prezentă şi o componentă

(nedorită) mică de semnal de mod comun. Caracterizarea
abaterii unui amplificator diferenţial de la comportarea
ideală se indică prin parametrul rejecţia semnalului de
mod comun:

(13.25)
 (13.25)

Expresia (13.25) demonstrează, că pentru

îmbunătăţirea performanţelor amplificatorului diferenţial
(majorarea G ) este necesară majorarea rezistenţei RE.
Însă majorarea rezistenţei RE este însoţită de
creşterea căderii de tensiune pe ea şi cere o tensiune de
alimentare mai mare. Acest fapt cauzează înlocuirea RE
cu un generator de curent stabil, care are rezistenţe
dinamică mare iar statică mică.
Amplificatoarele diferenţiale sunt pe larg
folosite în practică nu numai în A.C.C. Ele sunt
un element obligatoriu în amplificatoare
operaţionale, deoarece intrarea diferenţială a
amplificatorului operaţional este formată
folosindu-se ca etaj de intrare un etaj
diferenţial. Pentru o amplificare mai mare sunt
folosite câteva etaje cuplajul între ele fiind
direct.
 5.5 Generator de curent stabil
Schema unui amplificator diferenţial cu generator de curent stabil
(G.C.S.) cu tranzistoare bipolare este reprezentată în fig.5.11.

Fig.12.11. Amplificator diferenţial cu generator de curent stabil

 Aşa schemă de principiu are
circuitul integrat К118УД1. G.C.S. este
realizat pe tranzistorul bipolar VT3.

Regimul de funcţionare al
tranzistorului VT3, deci şi curentul
colectorului de repaos IC0, este
determinat de divizorul de tensiune R4
R5, VT4 (în montaj diodă) şi rezistenţa
R3 în circuitul emitorului.

G.C.S. (VT3) are rezistenţă dinamică

mare şi rezistenţă statică mică datorită
caracterului neliniar al caracteristicilor
statice de ieşire ale tranzistorului VT3
(vezi fig.5.12.).
Fig.12.12. Caracteristicile statice ale VT3
În regimul de repaos cu curentul colectorului IC0 şi tensiunea UCE0
rezistenţa statică (integrală) este:

(5.27)
Prin urmare, rC>>RC.
În amplificatoarele diferenţiale şi alte amplificatoare integrate în
calitate de G.C.S. este folosit pe larg circuitul numit oglindă de
curent. Schema de principiu a unui aşa circuit într-o variantă simplă
este reprezentată în fig.12.13. Circuitul conţine două tranzistoare
bipolare cu emitoarele cuplate direct

Fig.12.13. Oglindă de curent

 Deoarece joncţiunile emitoarelor au arii egale, curenţii
emitoarelor IE1 şi IE2 de asemenea sunt egale, iar de aici rezultă şi
egalitatea curenţilor I1 şi I2.

Dacă primul etaj va fi considerat de intrare, iar etajul doi – de

ieşire, atunci din egalitatea I1 = I2 rezultă, că curentul de ieşire
repetă curentul de intrare. De aici provine noţiunea de oglindă de
curent.
Circuitul mai este numit repetitor de curent. El este caracterizat,
spre deosebire de repetitorul de tensiune, prin impedanţă de intrare
mică şi impedanţă de ieşire mare.
Curenţii emitoarelor IE1 şi IE2 vor avea valori diferite, dacă
joncţiunile emitoarelor tranzistoarelor VT1 şi VT2 se vor afla sub
tensiuni cu valori diferite, sau, dacă vor avea arii diferite. Prin
urmare, schimbând geometria tranzistoarelor sau modificând
valorile tensiunilor UBE1 şi UBE2, aplicate pe joncţiunile emitoarelor
poate fi variat factorul de redare al curentului.

Majorarea ariei joncţiunii emitorului tranzistorului VT2 poate fi

efectuată atât direct prin majorarea ariei joncţiunii, cât şi folosind un
tranzistor cu multe emitoare (vezi fig.12.14.a). În aşa mod pentru
tranzistoarele p-n-p poate fi variat factorul de redare între valorile
1,0 şi 10.
Pentru a forma diferite valori ale tensiunilor pe joncţiunile
emitoarelor în circuitele emitoarelor sunt incluse rezistenţele
R1 şi R2 (vezi fig.5.14.b). Prin alegerea respectivă a valorilor
rezistenţelor factorul de redare poate fi variat în domeniul de
valori 0,1 la 0,9.

Fig.12.14. Variaţia factorului de redare

12.6 Amplificatoare cu modulare-
demodulare
Cu toate, că amplificatoarele moderne cu cuplaj direct sunt
caracterizate printr-un decalaj foarte mic (circa câţiva microvolţi pe
grad), aceste amplificatoare sunt inutile pentru amplificarea
semnalelor foarte slabe de ordinul 10-7 V.
Cu acest scop sunt folosite amplificatoarele cu modulare-
demodulare (A.M.D.). Schema bloc a A.M.D. este reprezentată în
fig.5.15, iar formele de undă ale tensiunilor în amplificator  în
fig.5.16.

Fig.5.15. Schema bloc a amplificatorului cu modulare-demodulare

 (5.25)

Fig. 12.16. Formele de undă în A.M.D

• În A.M.D. este folosit principiul modulaţiei în amplitudine şi
procesul de amplificare are loc în trei etape:
- cu modulare-demodulare
- amplificarea semnalului alternativ,
- demodulare.

Destinaţia elementelor principale ale amplificatorului cu modulare-

demodulare urmează:

• Filtrul trece-jos FTJ1 limitează semnalul de intrare (lent variabil)

Uint. la domeniu precizat al frecvenţelor joase, pentru a elimina
efectul semnalelor perturbatoare din exteriorul benzii semnalului
util.
• Modulatorul M transformă semnalul lent variabil Uint. într-un
semnal alternativ de frecvenţă pilot (purtătoare) a cărui amplitudine
respectă legea variaţiei în timp a semnalului de intrare (modulaţia în
amplitudine) UMA 1.
• Filtrul trece-sus FTS1 suprimă componenta de curent
continuu şi este realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator sau
transformator.
 -- Generatorul G furnizează oscilaţii de
frecvenţa pilot Up.. Frecvenţa pilot este aleasă
mult mai mare ca frecvenţa de sus a semnalului
de intrare (de circă 10 - 20 de ori). Generatorul
acţionează sincron asupra modulatorului şi
demodulatorului.

-- Amplificatorul de curent alternativ A.C.A.

realizează funcţia principală – de amplificare şi
este realizat conform tuturor principiilor, care le
cunoaştem pentru amplificatoare de semnal
variabil (curent alternativ).

-- Filtrul trece-sus FTS2 de asemenea

suprimă componenta de curent continuu şi este
realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator
sau transformator.
 Demodulatorul DM este realizat pe
principiul detecţiei sensibile. Semnalul la
ieşirea demodulatorului este proporţional
cu amplitudinea semnalului de la intrarea
sa.

- Filtrul trece jos FTJ2 suprimă

componentele spectrale suplimentare de
frecvenţe înalte, apărute în componenţa
spectrală a semnalului în circuitul
amplificatorului cu modulare-demodulare.
 Avantajele amplificatorului A.M.D. sunt următoarele:

- posibilitatea obţinerii unui decalaj minim;

- posibilitatea separării galvanice între ieşire şi intrare;

- amplificarea poate fi de orice nivel cât de înalt este dorit;

- deoarece amplificatorul este curent alternativ, este simplă

folosirea reacţiei negative şi deci putem căpăta o funcţionare stabilă.
 Ca dezavantaje pot fi menţionate:

- Nivelul înalt de sofisticare a schemei,

- Banda de trecere este limitată (îngustă), deoarece trebuie
respectată condiţia, expusă mai sus referitor la relaţia între frecvenţa
pilot şi banda semnalului de intrare.
Cap. 2. Rezistoare, condensatoare şi
inductoare: aplicaţii în circuite electronice
2.1 Prezentare generală: utilizarea în regim de comutaţie
2.1.1 Rezistoare
Rezistoarele sunt elemente de circuite cu doua borne (dipoli), care
respectă legea lui Ohm.
Pentru regimul de curent continuu expresia ce descrie funcţionarea
rezistorului este:

(0.1)

Fig. 2.1 Rezistorul (a), caracteristica sa statică (b) şi caracteristica

statică în cazurile extreme R=0 şi R=
Convenţia pentru potenţiale şi curent este (Fig. 9.1 a): curentul intră la
nodul de potenţial ridicat. Această convenţie este numită convenţie de
consumator. (va fi utilizată şi la condensatoare şi inductoare)
Mărimea R – rezistenţa electrică – din 0.1 este constantă şi pozitivă,
astfel, intensitatea curentului este proporţională cu tensiunea la bornele
rezistorului.
Reprezentarea grafică I = f(U) este caracteristica statică curent –
tensiune.
În cazul extrem în care R=0 (scurtcircuit), caracteristica se confundă
cu axa verticală.
În cazul extrem în care R=∞ (circuit întrerupt), caracteristica se
confundă cu axa orizontală.

Dacă potenţialele şi curenţii au o dependenţă de timp:

(2.2)
Curentul la un anumit moment depinde numai de tensiunea la
momentul respectiv – rezistorul este un element de circuit fără
memorie.
 Dependenţa 2.2 este de gradul întîi - rezidtorul este un
dispozitiv linear.
Rezistenţa R fiind o constantă pozitivă, tensiunea şi curentul au
în orice moment acelaş semn, curentul întrînd pe la nodul de potenţial
ridicat.
Rezistorul este în orice moment un consumator de energie.
2.1.2 Condensatoare
Două armături metalice separate printr-un dielectric formează
un condensator.
La încărcarea lor cu Q şi –Q, cîmpul electric produce între
acestea o diferenţă de potenţial, armătura încărcată pozitiv avînd un
potenţial mai ridicat (fig. 2.2).

Fig. 2.2 Condensatorul (a) şi caracteristica lui statică (b)

Tensiunea între armături este proporţională cu sarcin a:.

(2.3)
constanta C pozitivă fiind capacitatea electrică

În cazul regimului de curent continuu, cînd

potenţialele sunt constante, şi sarcina de pe
condensator este constantă, deci intesitatea
curentului este nulă. Astfel caracteristica statică este
cea din 2.2.c, curentul este nul, iar tensiunea poate
lua orice valoare “curentul continuu nu trece prin
condensator”.
În analiza de curent continuu al unui circuit electric condensatoarele
trebuie ignorate.
Dacă potenţialele nu sunt constatte în timp, atunci:

(2.4)
Prin derivarea acesteia şi utilizarea definiţiei intensităţii curentului
prin cantitatea de sarcină transportată în unitate de timp I(t)=dQ(t)/dt
obţinem:
 (2.5)

Deci curentul nu mai este nul: curentul care întră în

armătura 1 , părăseşte armătura 2. (fig.2.2.a)
“curentul variabil trece prin condensator”

Deci, viteza de variaţie a tensiunii pe cindensator este în orice moment

proporţională cu intensitatea curentului

Dependenţa între derivata tensiunii şi intesitatea curentului

este de gradul întîi, deci condensatorul este un element liniar în
circuit.
 Privită la
osciloscop, panta
formei de undă a
tensiunii este
proporţională cu
intesitatea din acel
moment.
De exemplu,
dacă tensiune pe un
condensator de 1000
μF are evoluţia ca în
fig.2.3.a, calculăm
pantele în cîteva
puncte cheie şi (0.5)
obţinem forma de
undă a curentului din
desenul b) al figurii:

Fig. 2.3 Formele de undă a tensiunii şi curentului: curentul la un

moment dat este capacitatea înmulţită cu panta dependenţei tensiunii
 Relaţia de funcţionare a condensatorului sub
formă de integrală

(2.6)

arată, că tensiunea la un moment dat nu depinde numai de intesitatea

curentului la acel moment ci de întreaga evoluţie în timp a I(t), astfel
condensatorul este un dispozitibv de circuit cu memorie.

Din 2.5 mai putem afirma: deoarece viteza de variaţie este

proporţională cu intensitatea instantanee a curentului, care este
întotdeauna finită, tensiunea pe un condensator nu poate avea variaţii
instantanee.

În consecinţă, dacă potenţialul unei armături este forţat să efectuieze o

variaţie instantanee ∆V, potenţialul celeilalte armături suferă exact
aceeaşi variaţie instantanee ∆V.
De exemplu, în fig.24, comutatorul a fost trecut în poziţia A de foarte
mult timp, astfel încît a fost atins regimul de curent continuu,
potenţialul punctului M fiind Ualim/2=3V, iar tensiune de pe
condensator fiind egală tot cu 3 V. La t=0 comutatorul trece brusc în
poziţia B. Care sun valorile potenţiaului punctului M imediat după
comutare?

Deoarece tensiunea de pe condensator nu suferă variaţii instantanee,

în primul moment după comutare armătura din dreapta contuniă să se
gasească tot cu 3 V, deasupra armăturii din stînga, ajungînd astfel la
valoarea de 9V, deasupra tensiunii de alimentare.
 Din aceeaşi ecuaţie dU(t)/dt=I(t)/C reiese: mărimile I(t) şi U(t) nu sunt
obligate să aibă mereu semne identice (ca la rezistor).

Deci condensatorul poate fi în anumite momente consumator de

energie, iar in altele – generator de energie.

Din 2.5 expresia energiei primite de condensator:

(0.7)

Deci energia nu este disipată, ci înmagazinată la creşterea lui |U(t)| şi

apoi redată circuitului la scăderea modulului tensiunii.
1.1.3 Circuite lineare cu rezistoare şi
condensatoare.
Integratorul RC
Circuite cu rezistoare şi condensatoare pot efectua operaţii ce
ţin de analiza matematică: integrarea şi derivarea în timp.
Un astfel de circuit e prezentaqt în fig.0.5 cunoscut sub nume
de integrator RC.

Fig. 0.5 Integratorul RC

 La întrarea lui se aplică un semnal de tensiune Vin(t) variabil în timp.
Să presupunem că pe parcursul procesului:

(0.8)

condensatorul neavînd timp să se încarce semnificativ.

În consecinţă, curentul de încărcare este dictat practic numai de

tensiunea de întrare:

(0.9)

Tensiunea de pe condensator (identică cu cea de ieşire) se obţine prin

integrala curentului (relaţia 0.6), şi considerînd condensatorul inţial
descărcat, obţinem:

(0.10)
Deci, tensiunea de ieşire este aproximativ proporţională cu integrala
tensiunii de întrare – circuitul este numit integrator, iar constanta Ti=RC
este timpul de integrare.
De exemplu, răspunsul integratorului la un semnal
de tensiune dreptungiular cu perioada T, care este
(0.11)
mult mai mică decît timpul de integrare (fig. 0.6):

fig. 0.6
Astfel condensatorul nu are timp să se
încarce semnificativ, intervalele de
încărcare-descărcare alternîndu-se
succesiv. Condiţia

Este îndeplinită, circuitul

funcţionează ca integrator.

Deoarece prin integrarea unei constante se obţine o dependenţă

lineară de timp, forma tensiunii de ieşire este una triungiulară (fig. b))
Integratorul transformă o formă de undă dreptungiulară într-una
triungiulară
Dacă timpul de integrare T>>Ti condensatorul se încarcă practic
complet la fiecare palier al tensiunii de întrare şi forma de undă de la
ieşire este aproape identică cu cea de la întrare (fig. 0.6 c) )
În regiunea intermediară, în care perioada este comparabilă cu timpul
de integrare, condensatorul nu are timp să se încarce complet, dar
evoluţia semnalului de ieşire nu este după segmente de dreaptă, ci
compusă din arce de exponenţială (fig. 0.6 d) ).
Derivatorul RC
Dacă scimbăm cu locurile rezistorul şi condensatorul, obţinem
circuitul din fig. 0.7.

Fig. 0.7 Integratorul RC

Vom presupune din nou

Cu această aproximare

Conducînd la expresia tensiunii de ieşiere

Unde constanta de timp RC este numită timp de derivare

Tensiunea de ieşire este aproximativ proporţională cu derivata
tensiunii la întrare.
Dacă derivatorul este excitat de un
semnal dreptunghiular (fig. 0.7 b)
acesta impune condiţia

în momentul salturilor, deoarece

acolo derivata sa este infinită.
Armătura din stînga suferă salturi
instantanee care se regăsesc în
semnalul de ieşire (fig. 0.7 c) .

În restul timpului potenţialul ieşirii tinde exponenţial spre valoarea

regimului de curent continuu, care este nulă. Dacă perioada
semnalului este mult mai mică decît timpul de integrare, condesatorul
se descarcă foarte puţin şi forma tensiunii de ieşire este semănătoare
cu cea a tensiunii de întrare – cu excepţia că palierele nu mai sunt
orizontale ci nişte arce de exponenţială.
 Un semenea circuit se formează
la întrarea unui osciloscop, atunci cînd
aceasta este cuplată “în alternativ”:
rezistenţa R este rezistenţa de întrare
de 1 MOhm a amplificatorului
osciloscopului şi condensatorul C este
întrodus pentru a bloca componenta
continuă a semnalului.
Constanta de timp a circuitului
este de cîteva secunde, ceea ce face ca
pentru semnalele care au perioada mult
nai mică de 1 secundă forma de undă
afişată pe ecran să nu difere practic de
forma reală.

Cînd sa urmăreşte un palier pe o durată de timp care se apropie de 1

secundă, în locul unei linii drepte orizontale, osciloscopul va arăta un
arc de exponenţială.
 În situaţia opusă, cînd perioada
semnalului este mult mai mare decît
timpul de derivare, condensatorul se
descarcă rapid şi practic complet pe
fiecare semialternanţă (fig. 0.7 d)

Semnalul de ieşire constă din nişte pulsuri, care apar în momentele

în care semnalul de întrare are variaţii bruşte, au semnul acestor
variaţii şi amplituda egală cu amplituda variaţiilor. Circuitul utilizat
este numit detector de fronturi – edge detector
1.1.4 Inductoare.
Prin bobinarea unui conductor de
rezistenţă negligabilă, de multe ori pe un miez cu
permeabilitatea magnetică mare, se obţine un
inductor.
Considerînd pentru tensiune şi curent
aceeaşi convenţie de sensuri utilizată la rezistor
şi condensator, relaţia ce descrie funcţionarea
inductorului ca element de circuit este:
Fig. 0.8
Inductorul

Unde constanta poyitivă L este este inductanţa sa, masurată

în Henry. Aceasta are valori de la 10 H (cîteva spire bobinate în aer)
pînă la zeci şi sute de H în cazul bobitelor cu mulze spire şi miez cu
permeabilitate mare.

Tensiunea la bobinele unui inductor este proporţională cu

viteza de variaţie a curentulu.i
În regim de curent constant, derivata dI I dt este nulă, şi deci
tensiunea la bornele inductorului este nulă , indiferent de valoarea
curentului.

Inductorul se comportă în regim de curent continuu ca un

scurtcircuit.

Dacă la bornele unui inductor

se leagă o sursă ideală de
tensiune, care are la început
tensiunea constantă, conform
relaţiei

Curentul va creşte cu viteza

E/L constantă, adică linear
în timp (desenul b): atîta
timp, cît sursa de tensiune şi
inductorul pot fi considerate Fig. 0.9 Conectarea
ideale. Relaţia de mai sus ne unei surse ideale la un
mai spune următoarele: inductor

Curentul prin inductor nu poate avea variaţii instantanee

 De exemplu, în fig. 0.10
curentul prin inductor este iniţial nul,
iar la t=0 întrerupătorul este adus în
conducţie. Curentul prin rezistor
sare brusc de la zero la valoarea
constantă E/R, cerută de legea lui
Ohm, iar curentul prin inductor
începe să crească cu viteza E/L
constantă.
La momentul t=t1, cînd
contactul K se întrerupe, separînd
sursa de tensiune, curentul prin
inductor îşi păstrează în primul
moment valoarea Et1/L, curgînd prin
rezistor – des. b.
Pentru aceasta, inductorul
produce în primul moment
tensiunea Et1/L. Apoi ecuaţia 0.21
împreună cu legea lui Ohm
determină, aşa cum se vede în des.
c o stingere exponenţială a
curentului după legea:
Fig. 0.10
Unde I0=Et1/L, τ=L/R este constanta de timp a circuitului, iar timpul t
se măsoară începînd cu întreruperea contectului.

Relaţia
care descrie funcţionarea inductorului ideal poate fi pusă sub formă
de integrală:

arătînd că inductorul este un element de circuit liniar, cu memorie.

Relaţia U(t)=LdI(t)/dt arată, că există o legătură directă între semnele

lui U(t) şi I(t), inductorul comportîndu-se în unele momente ca un
consumator de energie electrică iar în altele ca un generator. Din
relaţie rezultă, că energia electrică primită de el se poate scrie ca

Ea nu este disipată, ci înmaganizată de inductor şi inapoiată

circuitului atunci cînd |I(t)| scade.
0.2 Regimul sinusoidal: Filtre
0.2.1 Circuite lineare
Am afirmat despre R, L şi C că sunt elemente liniare de circuit,
deoarece relaţiile care descriu comportarealor în timp (fig. 0.11) conţin
numai termeni de gardul întîi în variabilele intesitate, potenţiale, precum
şi derivatele acestora..

Fig. 0.11 Relaţiile de funcţionare pentru R, C şi L:

 Dacă în vre-o ecuaţie ar fi apărut, de exemplu, I(t)∙V(t), I2(t), sau
V(t)∙dI/dt dispozitivele nu ar mai fi fost lineare.
În regimul de curent continuu caracteristica statică intensitatea
curentului-tensiune este o dreaptă ce trece prin origine. Această
comportare se numeşte liniaritate statică.
Pentru dispozitivele cu memorie , linearitatea statică nu este
suficientă pentru ca acestea să fie liniare. De exemplu, în regim de
curent continuu, la polarizare inversă, o diodă varicap are
caracteristica statică lineară I ≡ 0 dar, dacă încercăm să scriem relaţia
de funcţionare în timp, I(t)=C(U)∙dU/dt observăm, că valoarea
capacităţii nu este constantă ci depinde de tensiune; expresia C(U)
∙dU/dt nu este una de gradul întîi.

Relaţiile de dispozitiv nu sunt singurele care guvernează comportarea

circuitului: ele trebuie completate cu primele două legi ale lui
Kirgchhoff. Dar ele nu conţin decît sume algebrice de intensităţi şi
potenţiale.: ele sunt deci, relaţii liniare. În consecinţă:

Un circuit care conţiine numai elemente liniare este un circuit liniar.

Este suficient ca un singur element de circuit săn aibă o relaţie de

funcţionare nelineară şi circuitul nu mai este liniar.
În afara linearităţii, circuitele cu R,L şi C mai au două caracteristici
esenţiale:
-- coeficienţii care apar în relaţiile lineare sunt constanţi în timp (cum
ar fi rezistenţa, capacitatea, inductanţa),
-- în absenţa vreunei surse de tensiune sau curent, circuitul are o
stare de echilibru în care toţi curenţii şi toate potenţialele sunt nule
stare care se numeşte stare relaxată.

Existenţa stării relaxate este obligatorie pentru două proprietăţi

fundamentale:

1. Creşterea de un număr de ori a amplitudinii semnalului de întrare

determină creşterea de acelaşi număr de ori a amplitudinii
semnalului de ieşire, fiecare semnal păstrîndu-ţi forma.
x(t) prduce y(t) → K ∙x(t) produce K ∙y(t)

În ambele situaţii starea iniţială a circuitului este cea relaxată (fig. 0.12
)
Fig. 0.12

Proprietatea este valabilă pentru orice formă a semnalului de întrare.

În general, semnalul de ieşire are altă formă decît a celui de întrare,
esenţial este că amplitudinile ambelor semnale cresc de acelaşi
număr de ori.
Această proprietate este numită omogenitate, care este
utilizată frecvent pentru testarea liniarităţii unui circuit sau a unui alt
sistem fizic. Dacă nu este îndeplinită, atunci sistemul nu este linear.

2. Dacă la întrare se aplică suma a două semnale, semnalul de ieşire

este suma ieşirilor care s-ar fi obţăinut dacă fiecare semnal de
întrare ar fi fost aplicat separat.
x1(t) produce y1(t) şi x2(t) produce y2(t)
→ x1(t) + x2(t) produce y1(t) + y2(t)
Aceasta este proprietatea de superpoziţie sau aditivitate (fig. 0.13).

Fig. 0.13

Această proprietate este valabilă doar pentru sisteme liniare şi

numai dacă starea iniţială este cea relaxată.
În practică omogenitatea este considerată suficientă pentru a
declara un sistem ca fiind linear.
Liniaritatea pentru variaţii mici
Putem încerca să profităm de comportarea simplă a circuitelor
liniare chiar şi în cazul circuitelor nelineare.
De exemplu, un circuit cu un tranzistor alimentat de la o sursă
de tensiune continuă (fig. 0.14).

Fig. 0.14

În circuit se stabileşte un regim de curent continuu, în care

potenţialele şi curenţii nu se schimbă în timp. Spunem că am
polarizat etajul şi am obţinut regim de repaus.
Să notăm VBQ,VCQ şi ICQ potenţialul bazei, colectorului şi
curentul de colector, toate măsurate în regum de repaos.
 Modificăm apoi
cuasistatic, cu o cantitae
mică, potenţialul bazei
VB=VBQ+∆VB. Deşi
caracteristica statică a
tranzistorului este puternic
nelineară,

dacă variaţiile sunt suficient de mici, ele sunt aproximativ

proporţionale, ∆IC=gm∆VB cu gm constant. (gm – transconductanţa
tranzistorului)

Proprietăţile de omogenitate şI aditivitate se referă numai la

abaterile de la regimul de repaus; (fig. c), numai ∆IC creşte de acelaşi
număr de ori cu cît a crescut ∆VB.
Răspunsul la semnale periodice
Să luăm un circuit liniar, în stare relaxată (avînd toţi curenţii şi toate
tensiunile egale cu zero). Apoi, la t=0 îl excităm (cu o sursă de
tensiune sau curent) cu o formă de undă periodică. Cum vor evolua în
timp potenţialele şi curenţii?

Dacă circuitul conţine numai elemente fără memorie, (de ex. R), la
fiecare moment de timp orice dintre potenţiale şi curenţi vor depinde
numai de starea semnalului de excitaţie din acel moment. Cum
ecuaţiile sunt liniare, formele de undă ale acestor potenţiale şi curenţi
vor fi proporţionale (identice pînă la o constantă multiplicativă) cu
forma de undă a excitaţiei.

Un circuit liniar fără memorie nu distorsionează forma semnalului de

excitaţie.

Divizorul rezistiv este un astfel de circuit şi pe proprietatea anterioară

se bazează utilizarea sa la controlul volumului untr-un lanţ audio,
unde semnalul este nici măcar periodic.
Ce se întîmplă dacă circuitul are
memorie?
De exemplu, integratorul RC excitat cu
un semnal dreptunghiular: care va fi
evoluţia tensiunii chiar de la momentul
aplicării excitaţiei?

Distingem două regiuni diferite:

După trecerea unui anumit timp,
semnalul de ieşire se repetă identic
la fiecare perioadă – avem regimul
permanent..
Înainte de acest regim semnalul are o formă mai complicată, care
trece treptat la regimul permanent – ceea ce se numeşte regiumul
tranzitoriu.
De ce apare regimul tranzitoriu?
Se poate arăta, că răspunsul unui circuit linear este o sumă de
termeni: o parte din ei au forme care depind de circuit şi nu de
semnalul de excitaţie. Grupul lor formează răspunsul liber al
circuitului.
La circuitele stabile răspunsul liber se stinge în timp, formele
termenilor fiind în general exponenţiale sau sinusoide a căror
anvelope se stinge exponenţial.
A doua grupă din răspunsul în timp al circuitului conţine termeni a
căror formă este determinată atît de semnalul de excitaţie, cît şi de
circuit: este răspunsul forţat. Dacă excitaţia este periodică,
răspunsul forţat va fi tot periodic, cu aceeaşi perioadă.

Răspunsul circuitului liniar este suma dintre răspunsul liber şi

răspunsul forţat; la circuitele stabile, răspunsul liber se stinge în timp.

Figura 0.15 exemplifică acest lucru, pentru RC excitat cu un semnal

dreptunghiular.

Fig.15
Deci, regimul tranzitoriu este cazul, cînd răspunsul liber nu s-a stins
încă, şi prezenţa lui afectează forma răspunsului total. După stingerea
răspunsului liber, răspunsul permanent este, de fapt, răspunsul forţat.

În general, răspunsul permanent al unui circuit liniar nu are aceeaşi

formă cu semnalul de excitaţie; răspunsul său păstrează însă
caracterul periodic şi mărimea perioadei.

Filtrul trece jos

Să calculăm amplificarea
complexă a integratorului
analogic.
Avem un divizor alcătuit din două
impedanţe, una rezistivă, şi una
capacitativă. Raportul tensiunilor se
obţine cu regula de trei simplă:

Dacă întroducem constanta (frecvenţa

circulară):

Atunci:

Expresiile modulului şi fazei fiind:

Dependenţa de frecvenţă a acestor mărimi este în fig. 0.16a.

 Fig.16

Sinusoidele cu frecvenţele ω<<ωc terc pratic nealterate (amplificarea

unitară, defazajul nul), în timp ce cele de frcvenţa mai mari sunt
puternic atenuate. Şi defazate în urmă cu 90o. Exact la ω=ωc
amplificarea este de 1/√2 = 0.707, iar defazajui e de -45o. Circuitul
funcţionează ca un filtru trece jos, ωc=1/(RC) fiind numită frecvenţa
(circulară) de tăiere.
 Separarea grafică în coordonate lineare este utilă doar atunci,
cînd se urmăreşte separarea unor semnale de frecvenţe apropriate.
În majoritatea cazurilor:
Reprezentarea răspunsului în frecvenţă se face cu o scară de
frecvenţe logaritmice.

Şi pentru modulul amplificării se

utilizează o scară logaritmică –
diagrame Bode.
Se observă, că modulul
amplificării (ca şi diagrama fazei) poate
fi bine aproximată cu două segmente
de linie dreaptă – obţinem diagramele
Bode aproximative.
La fercvenţe ω<<ωc modulul
amplificării este practic constant, iar
defazajul este neglijabil – aceasta este
banda de trecere.
La ω>>ωc modulul poate fi bine
aproximat cu ωc/ω – banda de oprire.
Demarcaţia între cele două
benzi nu este netă, putem vorbi de o
bandă de tranziţie, situată în jurul
frecvenţei ωc, bandă în care
amplificarea are valori intermediare.
Cele două drepte se întâlnesc la ωc ,
unde modulul amplificării este 1/√2

Frecvenţa de tăiere este definită prin

condiţia că modulul amplicicării să fie
1/√2=0.707 din valoarea sa din banda
de trecere.

Simplitatea formei obţinute este un

avantaj esenţial al reprezentării în scară
dublu logaritmică pentru orice funcţie de
putere, de tipul ωm: graficul este o linie
dreaptă cu pante de m decade pe
decadă.

Reprezentarea dependenţei |A(ω)| în coordonate log-log face ca

graficul să poată fi bine aproximat prin segmente de dreaptă.
 De multe ori, în locul modulului amplificării se utilizează
cîştigul (sau amplificarea în decibeli), definită ca:

În tabelul 0.1 avem cîteva corespondeţe utile între amplificare şi

cîştig:

Putem acum să definim frecvenţa de tăiere prin valoarea cîştigului:

La frecvenţa de tăiere, cîştigul este cu 3 dB mai mic decît valoarea sa

din banda de trecere.
Cap.2 SEMICONDUCTOARE
ŞI DISPOZITIVE
SEMICONDUCTOARE
2.1 Diagrama energetică a
cristalului
 Structura unui atom separat este formată din nucleu şi
electroni, care sunt situaţi pe anumite orbite strict
determinate pentru elementul chimic.
Fiecărei orbite îi corespunde un nivel energetic, o
valoare a energiei electronului. În cazul formării unui corp
solid din atomi prin legături (mai des covalente) nivelurile
energetice din atomii separaţi se suprapun formând benzi
energetice. O bandă energetică presupune un continuu de
valori a energiei pe care le poate căpăta electronul în
acest cristal. Benzile de valori admise sunt separate între
ele prin benzi interzise.
 Structura şi dimensiunile benzilor energetice într-
un cristal sunt reprezentate în diagrama energetică a
cristalului.
Din punct de vedere a proprietăţilor electrice este
importantă partea superioară a diagramei energetice, care
cuprinde trei benzi:
 banda de valenţă, cu valoarea maximă Ev, în care
sunt situate nivelurile energetice ale electronilor de
valenţă, care formează legăturile covalente;
 banda de conducţie, cu valoarea minimă Ec, în care
sunt situate nivelurile energetice ale electronilor, care au
fost rupţi din legăturile covalente, se pot mişca liber prin
cristal şi se numesc purtători de sarcină. Ei realizează
conductivitatea electrică a cristalului.
 Aceste benzi sunt separate de banda interzisă cu
lăţimea Eg.
 Fig.1.1. Diagrama energetică a cristalului:
a conductor, b izolator, c semiconductor
 Diagrama energetică a cristalului
permite explicaţia clasificării
materialelor din punct de vedere a
proprietăţilor electrice în 3 categorii
(vezi fig.2.1):

 izolatoare – materiale care au

banda interzisă foarte largă, prin
urmare probabilitatea apariţiei
purtătorilor de sarcini este foarte mică,
concentraţia lor este foarte mică şi
conductivitatea electrică a cristalelor
este foarte mică;
 conductoare – materiale care au
banda interzisă foarte îngustă, sau
lipseşte, sau banda de conducţie şi
banda de valenţă sunt parţial
suprapuse. Prin urmare, pentru apariţia
purtătorilor de sarcină nu sunt
necesare eforturi energetice deosebite
şi în condiţii normale conductivitatea
acestor materiale este foarte înaltă;
 semiconductoare – au banda
interzisă de o valoare intermediară. Din
acest motiv în condiţii normale (fără
excitanţi externi) proprietăţile
semiconductoarelor sunt foarte aproape
de izolatoare, având conductivitate mică.
Odată cu apariţia unor excitanţi energetici
externi (căldura, câmpuri magnetice,
electrice, electromagnetice, stresuri
mecanice etc.), datorită energiei
comunicate electronilor în cristal, creşte
brusc concentraţia purtătorilor de sarcină
şi conductivitatea electrică.
 Proprietăţile electrice ale
semiconductoarelor pot fi comandate
prin intermediul factorilor externi şi din
acest motiv materialele semiconductoare
sunt folosite la confecţionarea
dispozitivelor electronice. Sunt
considerate (convenţional)
semiconductoare materialele cu lăţimea
benzii interzise 0,5≤ Eg ≤ 3,5 eV.
YouTube - Conductors
Insulators and Semi
Conductors
 2.2 Conductivitatea
semiconductorului intrinsec
În acest paragraf vom analiza conductivitatea
semiconductorului intrinsec. Prin semiconductor
intrinsec înţelegem un cristal ideal, fără impurităţi şi fără
defecte în reţeaua cristalină.
În acest caz purtătorii de sarcină apar numai
datorită transferului din banda de valenţă în banda de
conducţie. Sub acţiunea factorilor externi electronilor de
valenţă li se comunică destulă energie pentru a distruge
legătura covalentă şi, prin urmare, aceşti electroni sunt
transferaţi în banda de conducţie. În aşa mod aceşti
electroni devin purtători de sarcină. Acest proces poartă
un caracter de probabilitate. Conform mecanicii cuantice
probabilitatea aflării electronului pe nivelul energetic E la
temperatura T (vezi fig.1.2) este:
1
f  E,T   ,
E E f  (2.1)
exp  1
 
 kT 







• YouTube - Semiconductors_ 3D
Animation
 conduction electron

•
liil

••
A , •• B ·•• •• c
intrinsic with negligible Impurities 11mtype with donor (phosphorus) j:rlype with accep1or (boron)
© 2004 E noyolop<>:dia Britannic.a, lno.
 Fig.1.2.Probabilitatea aflării electronului în
diagrama energetică a cristalului pentru: a T=0 K, b 
T=T1, c T=T2>T1
Fermi-Dirac distribution. States with energy ε below the Fermi energy, here µ, have
higher probability n to be occupied, and those above are less likely to be occupied. Smearing
of the distribution increases with temperature.
f{E,1)
. EF
1 .... I
Boltzmann
L-
T2 > T1
" W{ I'
approximation

T1
I I
0 .• E
•
....
•
2 kT
 f  E,T  
1 ,
E  E f  (2.1)
exp 1
 

 kT 


unde: k este constanta Boltzmann, iar Ef este nivelul

Fermi – reprezintă nivelul energetic pentru care această
probabilitate este ½ .
Concentraţia electronilor liberi în cristal creşte
exponenţial cu temperatura:

 E g 
ni  A exp 
 , (2.2)
 2kT
 

unde: A este o constantă valoarea cărei depinde de

proprietăţile materialului semiconductor.
 Când electronului din
legătura covalentă i se comunică
un cuantum de energie ca el să
treacă în banda de conducţie şi
devine purtător de sarcină, rămâne
un loc vacant, care de asemenea
poate să se deplaseze prin cristal
ca un purtător de sarcină pozitivă
şi se numeşte gol. Acest proces se Fig.1.3. Procesele de
numeşte generarea cuplurilor generare (a) şi
electron-gol. recombinare (b) a
purtătorilor de sarcină
 În cristal este posibil şi
procesul invers, când electronul
ocupă un loc vacant; un cuplu de
purtători de sarcină (electron şi
gol) este anihilat şi este eliberat un
cuantum de energie. Acest proces
se numeşte recombinare (vezi Fig.1.3. Procesele de
fig.2.2). generare (a) şi
recombinare (b) a
purtătorilor de sarcină
 În condiţii de echilibru dinamic
aceste procese se echilibrează
reciproc, vitezele acestor procese
sunt egale:

(3.3)

unde: ni şi pi sunt concentraţia

electronilor şi concentraţia Fig.1.3. Procesele de
golurilor, respectiv, iar B este o generare (a) şi
constantă valoarea cărei depinde recombinare (b) a
de proprietăţile materialului purtătorilor de sarcină
semiconductor.
 În semiconductorul intrinsec
concentraţia electronilor şi concentraţia
golurilor sunt egale ni=pi, şi, prin urmare,
expresia (1.3) se va modifica:
Vg =Vr=Вni2. (1.3a)

Expresia (1.3a)
reprezintă condiţia de
echilibru pentru purtătorii
de sarcină în
semiconductorul
intrinsec.
 

În lipsa câmpului electric     a

purtătorii de sarcină se mişcă prin 
haotic cristal. Să analizăm situaţia
când în cristal este format un câmp     b

electric cu intensitatea  (vezi 

fig.1.4).     c
Dacă electronul părăseşte 
atomul din stânga şi se deplasează
contrar sensului câmpului electric, 

   d

aşa se formează un gol. Sub

acţiunea câmpului electric     e
electronul atomului vecin ocupă
locul golului, iar pe acest atom se Fig.3.4.
formează un gol. Conductivitatea
semiconductorului
intrinsec
 

Acest proces se dezvoltă în     a

continuare în mod analogic. Prin 
urmare, în cristal are loc deplasarea
electronilor contrar câmpului şi     b

deplasarea golurilor în sensul 

câmpului. Deci curentul electric în    
semiconductor este format din două 
c

componente:
    d

• mişcarea orientată a electronilor     e
contra câmpului electric ş
• mişcarea orientată a golurilor în Fig.3.4.
Conductivitatea
sensul câmpului electric. semiconductorului
intrinsec
Densitatea curentului electric este formată analogic din
componenta electronică jn şi componenta golurilor jp:

j=jn+jp, (1.4)
 Densitatea curentului electric depinde de viteza
medie a purtătorilor de sarcină, care este proporţională
intensităţii câmpului electric:

n=n, (3.5)

unde n este mobilitatea electronilor. Mobilitatea egală

cu valoarea vitezei electronilor într-un câmp electric cu
intensitatea de 1 V/m:
n =n /. (3.6)

În mod analogic se poate scrie pentru componenta

golurilor. Viteza medie a golurilor:

p=p, (3.7)
 iar mobilitatea:
p =p /. (3.8)

Densitatea curentului electric este egală cu valoarea

sarcinii electrice care trece prin secţiunea transversală
cu o arie unitară într-o unitate de timp. Prin urmare,
densitatea curentului electric prin electroni:

jn=enn=enn, (3.9) p=p, (3.7)

densitatea curentului electric prin goluri:

jp=epp=epp, (3.10) n=n, (3.5)

 iar densitatea curentului global este:
j=jn+jp=enn+epp. (3.11)

Pornind de la legea lui Ohm în formă diferenţială:

j=. (3.12)

Din expresia pentru curent:

j=e(nn+pp); (3.13)
şi deoarece n=p=ni, găsim conductivitatea:

=eni(n+p); (3.14)
  Eg 
iar ţinând cont de expresia (3.2) căpătăm: p 
ni  A ex   ,

 2kT 
 E g 
 e  p A exp 
  . (3.12)
n


 2kT 
Expresia (1.15) reprezintă dependenţa conductivităţii
semiconductorului intrinsec de lăţimea benzii interzise
Eg, mobilitatea purtătorilor de sarcină n şi p şi de
temperatură.
Fig (a) - Resistivity rT of copper as a function of temperature T

http://www.hscphysics.edu.au/resource/SemiHeat.flv
Fig (c) - Temperature dependence of resistivity for a typical
semiconductor
 2.3 Conductivitatea semiconductoarelor
cu impurităţi
Introducerea intenţionată sau neintenţionată a
impurităţilor în cristalul semiconductor afectează cardinal
proprietăţile cristalului. În funcţie de tipul atomilor de
impurităţi introduse în cristal predomină un tip de
purtători de sarcină.

Si Si Si
Si Si Si

Si In Si
Si As Si

Si Si Si
Si Si Si

Fig.3.5. Semiconductor Fig.3.6. Semiconductor

de tip n de tip p
 conduction electron

•
liil

••
A , •• B ·•• •• c
intrinsic with negligible Impurities 11mtype with donor (phosphorus) j:rlype with accep1or (boron)
© 2004 E noyolop<>:dia Britannic.a, lno.
 Dacă în locul unui atom de Si, în
reţeaua cristalină va fi implantat un atom
cu cinci electroni de valenţă (spre
exemplu As), patru din cinci electroni
completează legăturile covalente, iar un
electron rămâne neimplicat. Nivelul
energetic al acestui electron este situat în
banda interzisă la distanţa ΔEd de la
banda de conducţie (vezi fig.1.7a).

Fig.1.7. Diagrama energetică a semiconductorului de tip n (a) şi de tip

p (b)
 Dacă acestui electron i se
comunică un cuantum de energie
ΔEd, acest electron se rupe de la
atom şi va deveni purtător de sarcină.
Din acest motiv în cristale de acest
tip, concentraţia electronilor la
temperaturi normale va fi mult mai
mare ca concentraţia golurilor. Deci
conductivitatea va fi electronică
(de tip n). Impurităţile de acest tip se
numesc donoare. Conductivitatea
cristalului caracterizată de impurităţi
este:
 E d  
 e n  e B exp  
 (1.16)
n n n
n n 
  kT 
unde nn este concentraţia electronilor în cristalul de
tip n, iar Bn – coeficient caracteristic materialului
semiconductor
 Când atomul de impuritate are trei
electroni de valenţă, o legătură covalentă
rămâne incompletă (vezi fig.1.6). Această
stare este caracterizată printr-un nivel
energetic din banda interzisă la distanţa
ΔEa de la banda de valenţă. Cu un
cuantum de energie ΔEa în cristal se va
forma un gol, prin acapararea unui
electron de la un atom vecin. În condiţii
normale concentraţia golurilor în cristal
va fi mult mai mare ca concentraţia
electronilor. Impurităţile de acest tip se
numesc acceptoare.
Cristalul are conductivitate prin goluri
iar semiconductor este de tip p:
 Ea 
 e p  e B exp  
p p p p p   (1.17)
 KT 

unde pp este concentraţia golurilor în cristalul de

tip p, iar Bp – coeficient caracteristic materialului
semiconductor.
 Ponderea conductivităţii extrinseci
(cauzată de impurităţi) va fi sesizabilă
numai când concentraţia atomilor de
impurităţi (Nd şi/sau Na) va fi mult mai
mare ca concentraţia purtătorilor
intrinseci:

Ndni sau Nani. (1.18)

Deoarece practic toţi atomii de impurităţi vor fi

ionizaţi în cazurile real existente, putem presupune că
concentraţia purtătorilor extrinseci coincide cu
concentraţia atomilor de impurităţi:

nn = Nd sau pp =Na. (1.19)

 Atunci pentru conductivitatea
extrinsecă poate fi exprimată:

n=eNdn şi p=eNap . (1.20)

 În caz general conductivitatea globală a
semiconductorului este formată atât de purtători
generaţi de pe atomii de impurităţi, adică în procese de
tipul (1) şi (2) (vezi fig.3.18), cât şi de conductivitatea
intrinsecă, adică de purtători de sarcină generaţi prin
procesul bandă-bandă de tipul (3) din fig.3.18.

E 1
EC

ΔEd

Eg 3

EV
ΔEa
3 2 1 1
2
T
Fig.3.18. Procese de generare Fig.3.19. Dependenţa
a purtătorilor de sarcină conductivităţii
semiconductorului
de temperatură
 Prin urmare, dependenţa
conductivităţii semiconductorului
de temperatură reprezentată în
fig.1.19 poate fi explicată în modul
următor. La joase temperaturi
(domeniul 1) se manifestă
conductivitatea extrinsecă cu panta
dependenţei (1/T) de ΔEa.
În domeniul 2 se atinge saturaţia
acestui proces, adică toţi atomii de
impurităţi au fost ionizaţi şi au
format purtători de sarcină.
La temperaturi înalte (în domeniul 3)
predomină conductivitatea
intrinsecă şi panta caracteristicii
este Ec.
Dependenţa conductivităţii semiconductorului
de temperatură
 Atunci când este proiectat un
dispozitiv semiconductor care
trebuie să aibă parametrii stabili la
variaţia temperaturii, se alege
materialul semiconductor din
condiţia ca domeniul (2) al
dependenţei (1/T) să acopere
intervalul temperaturilor de lucru al
dispozitivului proiectat
 2.4 Curenţii de drift şi de difuzie
Curentul electric în semiconductor poate fi cauzat
de câmp electric sau de un proces de difuzie a purtătorilor
de sarcină:
J J dr J dif . (2.21)

Curentul de drift este mişcarea orientată a

putătorilor de sarcină cauzată de câmpul electric.
Curentului de drift poate fi format de electroni
(componenta electronică) sau de goluri (componenta
lacunară):
jdr. = jdr. n + jdr. p. (1.22)
 Densitatea curentului de drift prin electroni este
proporţională vitezei de deplasare a electronilor printr-o
secţiune unitară enn, şi proporţională intensităţii
câmpului electric:

jdr. n= enn. (2.23)

Densitatea curentului de drift prin goluri este

proporţională vitezei de deplasare a golurilor printr-o
secţiune unitară epp, şi proporţională intensităţii
câmpului electric:

jdr. p= epp.(1.23a)
 Curentul de difuzie este mişcarea orientată a
putătorilor de sarcină într-un proces de difuzie, cauzat de
existenţa unui gradient al concentraţiei putătorilor de
sarcină în cristal. Curentului de difuzie poate fi format de
electroni (componenta electronică) sau de goluri
(componenta lacunară):
J dif J difn  J difp . (1.25)

Densitatea curentului de
difuzie este proporţională
gradientului concentraţiei
putătorilor de sarcină (vezi fig.1.8):

dn
jdifn eDn , (1.26)
dx
dp
j difp eD p , (1.26a) Fig.1.20. Curentul de
dx
difuzie: a electronic
 unde Dn este coeficientul de difuzie
al electronilor, iar Dp este coeficientul
de difuzie al golurilor, care depind de
proprietăţile materialului. Semnul
minus în expresia (1.26a) pentru
densitatea curentului de goluri de
difuziune se explică prin faptul că
fluxul de difuzie a golurilor este
orientat în sens opus gradientului
concentraţiei golurilor (vezi fig.1.20b).
În caz general curentul global în
semiconductor poate fi format din
toate componentele: Fig.1.20. Curentul de
difuzie: b de goluri

j en n   epp   eDn dn eD p dp .

(1.27)
dx dx
 2.5 DIODE SEMICONDUCTOARE
Dioda este un element al circuitului electric cu două
terminale, care manifestă conductivitatea unilaterală
(proprietate de redresare). În dioda semiconductoare
pentru a asigura proprietatea de conductibilitate
unilaterală în cristalul semiconductor este formată
joncţiunea p-n. Joncţiunea p-n reprezintă un cristal
semiconductor în care un domeniu are conductivitate de
tip p, iar altul – conductivitate de tip n. Structura
simplificată a joncţiunii p-n, simbolul grafic al diodei
semiconductoare şi caracteristica statică a diodei ideale
sunt reprezentate în figura 2.1.

Fig.2.1. Structura simplificată a joncţiunii p-n (a),

simbolul grafic al diodei semiconductoare (b) şi caracteristica statică a diodei
ideale (c)
 2.5.1 Procesele fizice în joncţiunea p-n în
absenţa tensiunii

Joncţiunea p-n nu poate fi formată printr-un proces

simplu de aducere în contact a două cristale
semiconductoare,deoarece inevitabil între ele vor rămâne
impurităţi: oxizi, decapant rezidual aer etc. Joncţiunea p-n
poate fi formată prin diverse procese tehnologice: difuzie,
creştere epitaxială, implantare ionică etc.
 Dacă în cristalul semiconductor este formată
joncţiunea p-n prin doparea unui domeniu cu impurităţi
acceptoare, iar alt domeniu cu impurităţi donore, atunci în
condiţii normale atomii de impurităţi sunt complet ionizaţi.
Prin urmare, atomii de impurităţi donore au cedat
câte un electron, care au devenit purtători de sarcină, iar
atomii de impurităţi acceptoare au acaparat câte un
electron formând goluri.
Aceşti purtători de sarcină sunt majoritari: în
domeniul n – electronii, iar în domeniul p – golurile.
Menţionăm că în cristal există şi purtători minoritari
(intrinseci): : în domeniul n – goluri, iar în domeniul p –
electroni.
 În domeniul p concentraţia golurilor este mult mai
mare ca concentraţia electronilor, din acest motiv golurile
se numesc purtători majoritari, iar electronii – purtători
minoritari. În domeniul n concentraţia electronilor este
mult mai mare ca concentraţia golurilor, din acest motiv
electronii sunt purtători majoritari, iar golurile – purtători
minoritari.
 În practică mai răspândite sunt structurile p-n în
care concentraţia impurităţilor în domeniile n (Nd) şi p (Na)
se deosebesc cardinal. Mai frecvent Na >>Nd. Dacă ţinem
cont că Napp, iar Ndnn, atunci în aceste structuri pp>>nn.
 La suprafaţa de separaţie sub acţiunea gradientului
concentraţiei purtătorilor de sarcină apare mişcare de
difuzie a purtătorilor majoritari: golurile din domeniul p
spre domeniul n, iar electronii din domeniul n se mişcă
spre domeniul p. Golurile ajungând în domeniul n
recombină cu electronii, iar electronii ajungând în
domeniul p recombină cu golurile.
 În urma a două procese:
• purtătorii de sarcină majoritari părăsesc domeniile
adiacente suprafeţei de separaţie,
• recombinarea purtătorilor de sarcină;
 în domeniul adiacent suprafeţei de separaţie
concentraţia purtătorilor de sarcină se micşorează
cardinal. Golurile părăsind domeniul p lasă la suprafaţa
de separaţie ionii atomilor de impurităţi cu sarcină
negativă, iar în domeniul n rămân ioni pozitivi. Aceste
sarcini sunt fixate rigid în reţeaua cristalină şi formează
domeniul de sarcină spaţială (D.S.S.) Grosimea D.S.S.
este în structurile reale de fracţiuni de micron.
 Deoarece din domeniul de sarcină spaţială au
plecat purtătorii de sarcină, el are proprietăţi de izolator.
Datorită acestor sarcini în joncţiunea p-n apare un câmp
electric intern Eint., care reprezintă împreună cu D.S.S.
caracteristica principală a joncţiunii p-n.
 Câmpul electric
intern frânează purtătorii
majoritari şi în acest mod
pentru purtătorii majoritari
în joncţiunea p-n apare o
barieră de potenţial cu
înălţimea φc. Deci curentul
de difuzie al purtătorilor
majoritari va fi format
numai din acei purtători de
sarcină care posedă
energie destulă pentru
depăşirea barierei de
potenţial

Fig.2.2. Joncţiunea p-n în absenţa

tensiunii: a structura,
b profilul concentraţiei
purtătorilor de sarcină,
c profilul sarcinii electrice,
d profilul potenţialului
 În acelaşi timp
câmpul electric intern
accelerează purtătorii de
sarcină minoritari formând
un curent de drift al
purtătorilor minoritari,
orientat de la catod spre
anod (cu sens negativ).

Fig.2.2. Joncţiunea p-n în absenţa

tensiunii: a structura,
b profilul concentraţiei
purtătorilor de sarcină,
c profilul sarcinii electrice,
d profilul potenţialului
 În lipsa surselor
externe de energie în
joncţiunea p-n se
stabileşte un echilibru
dinamic şi, prin urmare,
• se stabileşte valoarea
câmpului electric intern,
• se stabileşte grosimea
domeniului de sarcină
spaţială,
• se stabileşte sarcina în
domeniul de sarcină
spaţială,
• se stabileşte valoarea Fig.2.2. Joncţiunea p-n în absenţa
tensiunii: a structura,
barierei de potenţial. b profilul concentraţiei
În aceste condiţii purtătorilor de sarcină,
c ,
curentul global prin  profilul sarcinii electrice
joncţiunea p-n este nul: d profilul potenţialului
j= jdif. jdr = jdif. p jdr. p + jdif. n jdr. n= 0.
(2.1)
 2.5.2 Procesele fizice în joncţiunea p-n la
polarizare
La aplicarea tensiunii
(polarizarea) pe bornele joncţiunii
p-n se modifică condiţiile de Eext.

transport a purtătorilor de sarcină Eint.

prin joncţiune şi este foarte A

p
 + +
 + + n
K

important sensul polarizării.  + +

La polarizare directă, când + U 



pe anod se aplică +, iar pe catod –  
x
; câmpul electric extern Eext. este =cU
opus câmpului electric intern Eint
şi câmpul electric global în
joncţiune se micşorează (vezi Fig.2.3. Polarizare
directă a joncţiunii
fig.2.3):
• se micşorează sarcina electrică
în domeniul de sarcină spaţială,
• se micşorează bariera de
potenţial:

=cU. (2.2)

Fig.2.3. Polarizare directă a joncţiunii

 Purtătorii de sarcină majoritari au posibilitate să
se apropie de suprafaţa de separaţie a joncţiunii p-n şi
compensează o parte din ionii de impurităţi. Acest fapt
duce, atât la micşorarea sarcinii în D.S.S., cât şi la
micşorarea grosimii D.S.S. Prin urmare, vor exista mai
mulţi purtători de sarcină majoritari, care pot depăşi
bariera de potenţial, în aşa mod creşte curentul de
difuzie al purtătorilor majoritari. Acest fenomen se
numeşte injecţie.
Injecţie este procesul de trecere a purtătorilor de
sarcină din domeniul unde ei sunt majoritari în
domeniul unde ei sunt minoritari, datorită micşorării
barierei de potenţial.
 .
..)
,...

I © 1 1 00 @ © I
88 0 01
p - p 1 0 €JI n
I I
- P 11 80 @ (!) I Il
10 © I 1 00 0 © I

ioni de impurita

a) b)
 Deoarece câmpul electric în joncţiunea p-n se
micşorează considerabil, curentul de drift al purtătorilor
minoritari scade brusc. Curentul global în joncţiunea p-
n va fi orientat de la anod spre catod şi este format
preponderent de curentul de difuzie al purtătorilor
majoritari.
j= jdif. jdr. > 0. (2.3)
 Eext.
 Eint.
La polarizare inversă, când 
pe anod se aplică –, iar pe A
p
 + + + + + +
 + + + + + + n
K

catod +; sensul câmpului

electric extern Eext. coincide  U +
cu sensul câmpului electric 
intern Eint şi câmpul x
electric global în joncţiune
creşte (vezi fig.2.4). În =c+U
consecinţă, în joncţiunea p-
n creşte bariera de
potenţial:
Fig.2.4. Polarizare inversă a
joncţiunii p-n
=c+U. (2.4)
 
Prin urmare, cantitatea 
purtătorilor de sarcină 

majoritari care posedă energie 

destulă pentru a depăşi bariera 

 Eext.
de potenţial este foarte mică şi  Eint.

curentul de difuzie al A
p
 + + + +
 + + + + n
K

purtătorilor majoritari scade  + + + +

 U +
brusc. 
Sarcina în D.S.S. creşte x
şi grosimea domeniului de
sarcină spaţială creşte. =c+U

Deoarece creşte câmpul, creşte

curentul de drift al purtătorilor
minoritari. Curentul global prin Fig.2.4.
joncţiunea p-n este format Polarizare
preponderent de curentul de inversă a
drift al purtătorilor minoritari şi
este orientat de la catod spre joncţiunii p-n
anod:
j= jdr. jdif. < 0. (2.5)
 Valoarea curentului invers practic nu depinde
de tensiune deoarece cantitatea de cupluri electron-
gol (purtători intrinseci) generaţi la o temperatură
constantă este şi ea constantă.
Prin urmare, la polarizare directă curentul direct
în joncţiunea p-n este format de purtătorii majoritari,
iar la polarizarea inversă curentul invers în joncţiunea
p-n este format de purtători minoritari. Deoarece
concentraţia purtătorilor majoritari este cu câteva
ordine zecimale mai mare ca concentraţia purtătorilor
minoritari, şi curentul direct este aproximativ tot de
atâtea ori mai mare ca curentul invers. În aşa mod se
explică proprietatea de redresare a joncţiunii p-n.
 n-type p-type

·.,..;...--!•----c
... .... ... ..
electrons ! • 1111 1111 1111 1111 1111 111Iii v
• holes
c· t•• t
• jF Er

·
•
•
t

= I

c
v Ill!
•••• R
--- c
e

• v
e
r
s
e

V
o
l
t
a
g
e

.-i-
.•:---
 11111 11111 11111 11111 11111111 v Forward
holes
Voltage
v 1111111
 2.5.3 Caracteristica statică a joncţiunii p-n
Proprietăţile joncţiunii p-n
sunt reprezentate prin I
caracteristica statică, care
reprezintă dependenţa curentului
prin joncţiune ca funcţie de
valoarea şi polaritatea tensiunii I0
aplicate, în regim staţionar.
ideală a poate
joncţiunii
U
Caracteristica
p-n (vezi fig.2.5) fi
reprezentată prin următoarea Fig.2.5.
expresie analitică: Caracteristica
 eU   (2.6) statică a
I I 0 exp
  1,

 kT   joncţiunii p-n
  eU   (2.6)
I I 0 exp
  1,
 I
  kT  




unde: I0 curentul I0

invers (curent de saturaţie, U

curent termic) al joncţiunii p-n,
valoarea cărui depinde de Fig.2.5.
proprietăţile fizice ale
materialului semiconductor, U  Caracteristica statică
tensiunea aplicată pe bornele a joncţiunii p-n
joncţiunii p-n, k constanta
Boltzman, е  sarcina
electronului, Т  temperatura
absolută.
 La polarizare directă,
funcţia exponenţială fiind foarte
rapidă, deja de la valori foarte I
eU
mici ale tensiunii:
exp  
  
U > 0 şi 1. (2.7)
kT  I0

U
Prin urmare, în expresia (2.6)
unitatea poate fi neglijată: Fig.2.5.
eU  Caracteristica statică
I I 0 exp  . (28)
 kT 
a joncţiunii p-n

Deci la polarizare directă curentul în joncţiunea p-n

ideală depinde de tensiune exponenţial.
 La polarizarea inversă: U <
0 şi
I

eU 
exp  1, (2.9)
 kT  I0

U
Prin urmare, expresia (2.6)
se poate reduce la: Fig.2.5. Caracteristica
statică a joncţiunii p-n

I I0 , (2.10)

Deci la polarizare inversă curentul în joncţiunea p-n

ideală nu depinde de tensiune (depinde foarte slab).
Caracteristica
statică a
joncţiunii p-n
 2.5.4 Străpungerea joncţiunii p-n. Dioda Zener
Caracteristica statică a
I
joncţiunii p-n prezentată mai sus
nu ţine cont de unele fenomene
prezente în caracteristica reală, în Uzmax.
mod deosebit, la polarizare Uzmin 0
inversă. Iz min. U
La tensiuni inverse mari în 1
joncţiunea p-n are loc 4
străpungerea joncţiunii p-n. 2
Iz max.

Fenomenul de străpungere în
joncţiunea p-n se manifestă la 3

polarizare inversă, când domeniul Fig.2.6. Caracteristica

de sarcină spaţială se impune ca statică reală a joncţiunii p-n
izolator. Străpungerea în
joncţiunea p-n poate fi:
• electrică (reversibilă),
• termică (ireversibilă).
 I

Străpungerea electrică poate fi: Uzmax.

Uzmin 0
1. prin avalanşă – în joncţiuni p-n Iz min. U
"lungi" (cu grosime mare a 1

domeniului de sarcină spaţială) 4

are loc străpungerea conform 2
Iz max.

efectului Zener; 3

1. prin efectul tunel – în joncţiuni Fig.2.6. Caracteristica

"scurte". statică reală a joncţiunii p-n
 Străpungerea în avalanşă
poate fi explicată în modul I

următor: la polarizarea inversă

purtătorii de sarcină minoritari se
mişcă în câmp electric cu Uzmax.
0
intensitate mare. Accelerându-se Uzmin

electronii capătă energie cinetică Iz min. U

destulă pentru a rupe alţi electroni

1

din legăturile covalente. În acest

4
Iz max.

mod concentraţia purtătorilor de 2

sarcină creşte în avalanşă şi în 3

acelaşi mod va creşte curentul prin
Fig.2.6. Caracteristica
joncţiunea p-n. Pe caracteristica statică reală a joncţiunii p-n
statică a joncţiunii p-n (vezi fig.2.6)
străpungerii electrice îi
corespunde pe porţiunea 1-2.
 I
Atunci când curentul prin
joncţiunea p-n depăşeşte valoarea
Izmax are loc străpungerea termică Uzmax.
(porţiunea 2–3 în fig.2.6). 0
Străpungerea termică
Uzmin
are loc
datorită generării Iz min. U
intensive a 1
cuplurilor electron-gol (purtătorilor 4
intrinseci) în joncţiunea p-n. 2
Iz max.

Deoarece în structurile reale

semiconductorul nu este absolut 3

omogen, în anumite locuri prin Fig.2.6. Caracteristica

suprafaţa de separaţie a joncţiunii p- statică reală a joncţiunii p-n
n curentul are densitate mai mare.
 Prin urmare, cantitatea de
căldură degajată în aceste locuri
este mai mare şi înaceste locuri I

creşte temperatura cristalului.

Deoarece concentraţia purtătorilor
intrinseci creşte proporţional Uzmax.

temperaturii absolute, curentul Uzmin 0

invers creşte şi el în acelaşi mod. Iz min. U

Prin urmare, înaceste locuri creşte 1

curentul. Temperatura atinge valori 4

Iz max.
foarte mari, la care au loc 2

transformări metalurgice – 3
fenomenul străpungerii termice. În
cazul când nu este asigurată Fig.2.6. Caracteristica
evacuarea de căldură de la statică reală a joncţiunii p-n
joncţiunea p-n, străpungerea
termică poate anticipa străpungerea
electrică (pe porţiunea 1–4 a
caracteristicii din fig.2.6).
 După cum se vede din fig.2.6, I

într-un interval vast de valori ale

curentului invers (Izmin÷Izmax), Uzmax.
tensiunea pe joncţiunea p-n rămâne
practic constantă, cu o variaţie Uzmin 0

mică ΔUz=Uzmax–Uzmin. Acest efect Iz min. U

1
este folosit în dispozitive speciale, 4
care se numesc diode Zener (diode 2
Iz max.

stabilitron). Diodele Zener sunt

dispozitive semiconductoare 3
formate în baza joncţiunii p-n şi
Fig.2.6. Caracteristica
folosite pentru stabilizarea tensiunii statică reală a joncţiunii p-n
pe sarcină.
 I

Diodele Zener sunt fabricate

mai frecvent din Si, deoarece
acestea în comparaţie cu diodele
Uzmax.

Zener cu Ge prezintă următoarele Uzmin 0

U
avantaje: 1
Iz min.

• valori mai mici ale curentului 2

4
Iz max.

minim de stabilizare IZ min,

• deviaţia tensiunii stabilizate ΔUz 3

este mai mică, Fig.2.6. Caracteristica

• poate funcţiona la temperaturi statică reală a joncţiunii p-n
mai înalte
 Rb

În figura 2.7 este 

reprezentată ca exemplu schema

Rs
Uint. VD

de montaj a diodei Zener VD. 

Rezistenţa de balast Rb se alege
pentru protecţia diodei Zener de Fig.2.7. Schema de
supracurent şi este dimensionată montaj
în aşa mod încât curentul să nu a diodei Zener
depăşească valoarea Izmax.
vc
 Cap. 3. Analiza circuitelor
3.1 Metodica analizei circuitelor
Cele două legi ale lui Kirchhoff, împreună cu
caracteristicile statice ale elementelor de circuit, furnizează
întodeauna numărul necesar de ecuaţii din care rezultă starea
de curent continuu a circuitului, numită şi punct static de
funcţionare.
Această operaţie este numită analiza circuitului. Cu
toate acestea, în analiza circuitelor efectuată "manual" legea a
II este rar utilizată în forma "suma algebrică a variaţiilor de
potenţial este nulă pe orice ochi al circuitului" deoarece,
– în primul rînd, conductorul de masă nu mai conectează
explicit pe scheme diversele elemente de circuit şi, din
acest motiv, ochiurile de circuit nu mai sunt evidente.
– In al doilea rînd, în multe cazuri, scrierea legii tensiunilor
pe întregul ochi complică problema mărind inutil numărul
de ecuaţii.
Chiar în cazul efectuării automate a analizei, de către
calculator, metoda preferată este, de obicei, aceea a
potenţialelor nodurilor.
 De exemplu, va trebui să calculaţi frecvent
potenţialul unui nod al unui circuit cunoscînd potenţialele
altora şi anumite tensiuni; în această situaţie legea a II a
lui Kirchhoff este o alegere proastă pentru că vă obligă să
parcurgeţi un întreg ochi de circuit şi să introduceţi
necunoscute suplimentare.
Atunci va trebui să vă aduceţi aminte că variaţia
totală de potenţial între două puncte nu depinde de
drumul ales şi să porniţi de la un nod cu potenţial
cunoscut, mergînd pe ramuri de circuit cu tensiuni
cunoscute, ca în exemplul din Fig. 1.11, unde va
trebui să calculăm potenţialele nodurilor C şi E, folosind
informaţiile existente pe schemă.
In această figură apare un simbol
care vă este, poate, necunoscut,
tranzistorul bipolar, dar aveţi
suficiente informaţii ca să
rezolvaţi problema propusă fără
să ştiţi modul în care funcţionează
tranzistorul (adică relaţiile între
curenţii şi tensiunile la bornele
sale).

Nodul A are potenţialul de +10 V,

cunoaştem curentul prin rezistenţa
RC şi valoarea acestei rezistenţe;
trebuie să calculăm potenţialul
nodului C. Cum rezistenţa este un
consumator, curentul circulă prin ea
"de la + la -“ adică de la potenţial
ridicat la potenţial coborît. Pornim
de la nodul A şi avem imediat
potenţialul nodului C
Vc = VA- 4.7 V=10 V-4.7 V =5.3 V
 Pentru potenţialul nodului E
pornim de la nodul de masă şi
avem

VE = 0 + 1 V=1 V

Cînd vom fi interesaţi de valoarea

tensiunii între nodurile C şi E, nu
trebuie decît să scădem potenţialele
VCE=VC-VE=4.3 V

ştim însă, în plus, un lucru care nu

depinde de convenţia de definiţie a
tensiunii: potenţialul nodului C este
mai ridicat decît al nodului E.
 Alteori, nodul al cărui potenţial trebuie să-l calculaţi este
legat numai prin rezistoare de noduri cu potenţiale
cunoscute, ca în Fig. 1.12 a).

Dacă scrieţi că suma algebrică a curenţilor

la nodul de potenţial V este nulă, exprimaţi
curenţii prin legea lui Ohm şi rearanjaţi
puţin ecuaţia, obţineţi că 1.10
relaţie pe care merită să o ţineţi minte,
pentru că leagă direct potenţialele
nodurilor. Teorema pe care tocmai aţi
demonstrat-o se numeşte teorema Milman
şi este frecvent utilizată în electronică.
Din relaţia (1.10) se poate arăta
imediat că potenţialul V al nodului de care
ne ocupăm este cuprins întodeauna între 1.10
valorile minimă şi maximă ale potenţialelor
Vk. Veţi descoperi că această proprietate se
păstrează şi dacă rezistoarele sunt
înlocuite cu alte dispozitive, neliniare, cu
condiţia ca acestea să fie consumatoare de
energie. Din aceeaşi relaţie se poate vedea
de asemenea că, dacă una dintre
rezistenţe, să zicem R3, tinde la zero, atunci
potenţialul V este tras către potenţialul
nodului respectiv (V3 în exemplul nostru).
 S-ar putea ca una din ramurile care
sunt legate la nod să nu fie rezistivă
dar să cunoaşteţi curentul prin ea, ca
în desenul b) al Fig. 1.12. Legea
curenţilor şi legea lui Ohm vă conduc
imediat la relaţia

din care se obţine uşor potenţialul necunoscut V.

 3.2 Măsurarea intensităţilor de regim
continuu
Aşa cum am spus, intensitatea curentului se defineşte într-un
punct dar rămîne aceeaşi de-a lungul unui circuit neramificat.
Pentru măsurarea sa. conductorul trebuie secţionat într-un
anumit punct, ca în Fig. 1.13 a)
 şi trebuie introdus în circuit un aparat de măsură numit
ampermetru (desenul b). Bornele sale nu sunt
echivalente, fiind marcate cu semnele + şi -; ţinînd
seama că el este un consumator de energie.
curentul intră în ampermetru pe la borna marcată cu +

Ampermetrul "clasic" măsoară intensitatea prin

deflexia unui ac indicator, deflexie datorată forţelor de
interacţie dintre un magnet permanent şi o bobină
mobilă parcursă de curentul pe care îl măsurăm. Este
un instrument analogic deoarece poziţia acului este o
funcţie continuă care poate lua orice valoare dintr-un
anumit interval cuprins între zero si capătul de scală.
 Aparatele disponibile au
mai multe scale de sensibilitate,
selectabile cu un comutator
rotativ, ca în Fig. 1.14.
Pentru măsurarea
curenţilor şi a tensiunilor, poziţia
comutatorului arată întodeauna
valoarea corespunzătoare
capătului de scală, 10 mA în
exemplul din figură. Scala este
gradată, însă, într-un număr
convenabil de diviziuni, 100 în
exemplul nostru, aşa că valoarea
măsurată se calculează cu regula
de trei simplă.
Calculaţi, mai întîi cît
reprezintă o diviziune pe scala
respectivă şi să înmulţiţi valoarea
citită cu această constantă: 65
diviziuni x 0.1 mA/diviziune= 6.5
mA.
 Cele mai sensibile ampermetre clasice au capătul
de scală la cîteva zeci de la μ A, uzual la 50 μA şi, din
acest motiv se numesc microamperemetre.
Pentru a putea măsura asemenea intensităţi mici,
bobina trebuie să fie uşoară şi, deci, sîrma bobinajului să
fie subţire.
Astfel, rezistenţa internă a microamperemetrului nu
poate fi redusă prea mult, ea fiind de 600 Ω -2 k Ω. Vom
considera, pentru fixarea ideilor, că ea are o rezistenţă
"tipică" de 2 kΩ. Rezultă că, pentru ca microampermetrul
să ne arate că prin circuit trece curentul de 50 μA, între
bornele sale va trebui să existe o tensiune de 100 mV !
 Or, înainte de introducerea
sa, tensiunea între punctele A şi
B era nulă, întreaga funcţionare a
circuitului a fost perturbată şi
ceea ce măsurăm nu este
intensitatea curentului care
trecea înainte de conectarea
aparatului.
Acest lucru poate fi înţeles
mai uşor pentru cazul particular
din Fig. 1.13 c), unde între cele
două noduri avem un rezistor
de rezistenţă R. După
legarea aparatului, rezistenţa
dintre noduri va creşte, devenind
R + Ra. Intensitatea citită se
apropie de cea existentă iniţial 1.12
numai dacă
adică rezistenţa ampermetrului este mult mai mică decît
aceea a porţiunii de circuit neramificat unde se măsoară
intensitatea. Mai mult, în această situaţie putem estima şi
eroarea relativă, ea fiind de ordinul Ra/R: cu _Ra = R/10 ne
aşteptăm la o eroare de 10 % dar cu Ra = R/100 eroarea
scade la 1 %.
Există, însă, situaţii cînd nu ne interesează decît
intensitatea curentului cu ampermetrul montat. In aceste
situaţii, nu mai vorbim despre o eroare de măsură datorată
rezistenţei sale interne.
 Cînd dorim să măsurăm intensităţi de N ori mai mari decît
cei 50 μA ai instrumentului, soluţia este ca (N -1)/N din
curent să fie deviat printr-un rezistor numit shunt şi numai
1/N din curent să treacă prin ampermetru, ca în Fig. 1.15.

Rezultă imediat rezistenţa de shunt Rsh = Ra/(N-1) şi

noua rezistenţă a aparatului de măsură
 Rezistenţa ampermetrului a scăzut exact cu factorul
cu are a fost desensibilizat. Nu trebuie să ne amăgim, însă:
pentru ca acul să ajungă la capătul de scală, la bornele
aparatului trebuie să avem aceeaşi tensiune de 100 mV !
Ea este o măsură a perturbaţiei introdusă de ampermetru
independentă de mărimea curentului pe care trebuie să-l
măsurăm.
 Aparatele de măsură moderne sunt electronice şi cu
afişaj digital. Curentul măsurat nu mai este utilizat pentru a
deplasa corpuri ci informaţia sa este prelucrată electronic, prin
amplificare. Deşi primele aparate de măsură electronice
utilizau tot un sistem de afişaj analogic cu ac indicator, datorită
preciziei limitate de citire a poziţiei acului ele au fost înlocuite
complet de cele cu afişare digitală (numerică). Dacă aparatul
este unul cu 2000 de puncte se pot afişa numere între 0000 şi
2000; ultima cifra poate fi afectată de o eroare egala cu o
unitate şi precizia relativă de citire este la capătul de scală
0.05 %, de 20 de ori mai bună decît la afişarea analogică.
 Ampermetrele electronice cu afişaj digital pot
măsura, deci, cu precizie relativă mult mai bună decît cele
clasice. Cu toate acestea, ele nu oferă o rezistenţă internă
mult mai mică decît cele clasice, deoarece, în general, ele
măsoară (electronic) căderea de tensiune pe un rezistor
prin care curentul de măsurat este obligat să treacă. De
exemplu, pentru scala de 200.0 μA (rezoluţie 0.1 μA), un
asemenea aparat măsoară căderea de tensiune pe un
domeniu de 200.0 mV; rezultă, de aici, că rezistenţa
microampermetrului este de 1 kΩ, numai de două ori mai
mică decît a microampermetrului clasic.
Chiar dacă ampermetrele electronice pot fi
parcurse de curent în ambele sensuri, ele afişînd şi
semnul, bornele lor trebuie să fie marcate în continuare
cu + şi -, în absenţa acestei convenţii informaţia -10 mA
neavînd nici un sens logic.
 1.8 Măsurarea tensiunilor continue
Tensiunea electrică se defineşte întodeauna între
două puncte. Chiar dacă, pentru comoditate, vorbim
uneori despre "tensiunea unui punct", înţelegem că este
vorba despre tensiunea faţă de masă a acelui punct.
Aparatul care măsoară tensiuni electrice, numit voltmetru,
trebuie legat, deci, între aceste puncte, ca în Fig. 1.16 b).
 Voltmetrul "clasic" măsoară tensiunea indirect: el
conectează între punctele respective o rezistenţă
cunoscută, măsoară intensitatea curentului prin acea
rezistenţă şi, utilizînd legea lui Ohm, ne anunţă victorios
că "tensiunea între bornele voltmetrului este de...".
Aşa se face că cel mai sensibil voltmetru clasic,
numit milivoltmetru, este tocmai microampermetrul
(instrumentul), care măsura la capăt de scală 50 μA şi
avea o rezistenţă de 2 kΩ; nu mai trebuie decît să
desenăm o altă scală pe care să scrie la capăt 100 mV !
 Ceea ce am scris în paragraful
precedent poate fi citit însă şi altfel:
pentru a putea măsura o tensiune de
100 mV, milivoltmetrul nostru trebuie
să "extragă" din circuitul pe care îl
măsoară un curent de 50 μA. Din
acest motiv, cu el nu putem măsura
tensiuni într-un cîmp electrostatic într-
o regiune unde nu există curenţi
electrici, aşa cum se vede în Fig. 1.16
c);
mai mult, sarcinile mobile din conductoarele legate la
voltmetru se deplasează puţin sub influenţa cîmpului
electrostatic şi egalează potenţialele punctelor între care
doream să măsurăm tensiunea. Chiar în circuitele
electronice parcurse de curenţi, cei cîţiva microamperi
ceruţi de milovoltmetru pot reprezenta o perturbaţie care
să afecteze funcţionarea circuitului: la conectarea
milivoltmetrului în baza tranzistorului din Fig. 1.17 punctul
său de funcţionare se modifică într-atît încît circuitul
încetează să mai funcţioneze ca amplificator.
 Dacă între punctele între care măsurăm tensiunea
există o rezistenţă de valoare R, iar rezistenţa
voltmetrului verifică relaţia

atunci perturbaţia introdusă de voltmetru poate fi

neglijată. Prin rezistenţa R trebuie înţeleasă rezistenţa
echivalentă dintre aceste puncte; conceptul de rezistenţă
echivalentă va fi clarificat în capitolul următor, aici este
suficient să ştim că aceasta este todeauna mai mică sau
egală cu cea conectată direct între punctele de maură,
datorită celorlalte drumuri posibile prin circuit, care apar
în paralel.
In practică, dacă RV≥10R putem conta pe o precizie de
măsurare de 10 %; în cazul în care RV ≥ 100R , precizia
ajunge la 1 %. Ca şi la măsurarea intensităţii,
perturbaţia produsă constituie o eroare numai dacă ne
interesează valoarea tensiunii înainte de conectare
aparatului de măsură, dacă nu dorim să ştim decît
valoarea tensiunii cu voltmetrul conectat nu mai avem
despre ce eroare să vorbim.

Atunci cînd tensiunea de

măsurat are valori de N ori mai
mari decît cele cuprinse pe scala
milivoltmetrului nostru, soluţia
este intercalarea în serie cu el a
unei rezistenţe adiţionale, astfel
încât pe instrument să cadă
numai a N-a parte din tensiunea
de măsurat (Fig. 1.18
Rezistenţa adiţională trebuie să aibă, deci, valoarea,
(N - 1)RV iar rezistenţa "noului" aparat este

Atunci cînd tensiunea de

măsurat are valori de N ori mai
mari decît cele cuprinse pe scala
milivoltmetrului nostru, soluţia
este intercalarea în serie cu el a
unei rezistenţe adiţionale, astfel
încât pe instrument să cadă
numai a N-a parte din tensiunea
de măsurat (Fig. 1.18
 Microampermetrul (instrumentul), împreună cu
rezistenţele de shunt care îi modifică sensibilitatea ca
amperemetru şi cu rezistenţele adiţionale care îl fac să
funcţioneze ca voltmetru cu diferite sensibilităţi, formează
un aparat complex, căruia i se mai adaugă, de regulă, şi
funcţia de ohmetru. El se numeşte, atunci, avohmetru sau
aparat universal de măsură sau multimetru (volt-ohm-
meter, prescurtat VOM, în limba engleză).
 Pentru funcţionarea ca
ohmetru, marcarea scalelor şi
citirea valorilor se face complet
diferit: indiferent de
sensibilitate, scala de ohmetru
are zero la unul din capete şi
infinit la celălalt capăt. Din acest
motiv, la poziţiile comutatorului
nu se mai trece valoarea
corespunzătoare capătului de
scală ci un factor cu care trebuie
multiplicat numărul citit. Pentru
evitarea confuziilor, înaintea
factorului este scris întodeauna
semnul operaţiei de înmulţire (x,
•, sau *), aşa cum se vede în Fig.
1.19, unde ohmetrul ne spune ca
avem o rezistenţă de 100 kΩ.
 Ca şi la ampermetre, voltmetrele electronice cu afişaj
digital permit citirea rezultatului cu o precizie mult mai bună
decît cele clasice. Dar, spre deosebire de cazul
ampermetrelor, voltmetrele electronice aduc îmbunătăţiri
semnificative în ceea ce priveşte rezistenţa internă.
In primul rînd, voltmetrele electronice au aveeaşi
rezistenţă pe oricare scală de sensibilitate, nemaifiind
nevoie să recalculăm rezistenţa internă ori de cîte ori
schimbăm scala. Dar, ceea ce este mai important, această
rezistenţa este foarte mare în comparaţie cu aceea a
voltmetrelor clasice. Dacă un voltmetru clasic avea 2 kΩ pe
scala de 100 mV şi abia ajungea la 2 M Ω pe scala de 100 V,
un voltmetru electronic are o rezistenţă tipică de 10 M Ω pe
toate scalele. Modificarea cea mai spectaculoasă se produce
pe scala cea mai sensibilă (100 mV cap de scală) unde
rezistenţa voltmetrului electronic este de cinci mii de ori mai
mare; dacă cel clasic cerea întodeauna curenţi de ordinul 50
μA, voltmetrul electronic are nevoie, pe această scală, de
numai 10 nA !
 1.9 Măsurarea curenţilor şi tensiunilor
alternative (regim sinusoidal)
Dacă un circuit conţinînd numai elemente liniare
(rezistoare, condensatoare, inductanţe, etc.) este excitat
sinusoidal, atunci, după stingerea regimului tranzitoriu
toate potenţialele şi toţi curenţii evoluează sinusoidal cu
frecvenţa de excitaţie. Ceea ce diferă sunt numai
amplitudinile şi fazele acestor mărimi. Exemplul tipic îl
constituie circuitele alimentate direct sau prin
transformatoare de la reţeaua de distribuţie a energiei
electric. Aceată reţea furnizează între cele două borne o
tensiune care evoluează sinusoidal în timp, cu frecvenţa
de 50 Hz (perioada de 20 ms), între - 311 V şi + 311 V; 311
V este, deci, amplitudinea tensiunii sinusoidale a reţelei.
In electronică trebuie să fim prudenţi cu noţiunea de
amplitudine pentru că ea este utilizată într-un sens mai
general decît în fizică. Astfel, pentru tensiunea reţelei, 311
este valoarea de vîrf (de pic, din englezescul peak) dar,
cum vom vedea imediat, de multe ori este mai comod de
măsurat amplitudinea vîrf la vîrf, care în cazul reţelei este
de 622 Vpp (pentru a evita orice confuzie este bine să
adăugaţi indicele inferior "pp" sau "vv" la unitatea de
măsură).
După cum ştiţi, puterea instantanee comunicată unui
rezistor, prin efect Joule, este

adică depinde de pătratul valorii instantanee a

curentului sau tensiunii. Curentul şi tensiunea
modificîndu-se periodic, este intersant să ştim puterea
medie pe o perioadă, aceasta fiind practic egală cu
puterea medie calculată pe un interval de timp mult mai
mare decît o perioadă. Conform ecuaţiei precedente,
puterea medie va depinde de media pătratului tensiunii
sau curentului. Este, însă, mai comod, să se lucreze cu
nişte mărimi echivalente, care sunt cele efective sau
eficace
definire ca radical din media pătratului mărimii
respective

în limba engleză
această operaţie este
notată prescurtat RMS
(Koot Mean Square) iar
valorile respective se
numesc "valori RMS");
este bine să adăugaţi
indicele inferior "ef' sau
"RMS" la unitatea de
măsură.
definire ca radical din media pătratului mărimii
respective

Pentru o
dependenţă sinusoidală,
operaţia de radical din
media pătratului produce
valoarea amplitudinea/√2 =
0.707 amplitudini; reţeaua
de alimentare are
tensiunea efectivă de 220
V. Trebuie reţinut, însă, că
aceasta este valabil numai
pentru o dependenţă
sinusoidală. De exemplu,
pentru forma de undă din
Fig. 1.19 b, tensiunea
efectivă nu este 0.707-
amplitudini, ci este egală
chiar cu amplitudinea.
 5. Analiza circuitelor
5.1 Metodica analizei circuitelor

Cele două legi ale lui Kirchhoff, împreună cu

caracteristicile statice ale elementelor de circuit,
furnizează întodeauna numărul necesar de ecuaţii din
care rezultă starea de curent continuu a circuitului,
umită şi punct static de funcţionare.
n
Această operaţie este numită analiza circuitului.
 Cu toate acestea, în analiza circuitelor efectuată
"manual" legea a II este rar utilizată în forma "suma
algebrică a variaţiilor de potenţial este nulă pe orice ochi
al circuitului" deoarece,
– în primul rînd, conductorul de masă nu mai
conectează explicit pe scheme diversele elemente de
circuit şi, din acest motiv, ochiurile de circuit nu mai
sunt evidente.
– In al doilea rînd, în multe cazuri, scrierea legii
tensiunilor pe întregul ochi complică problema
mărind inutil numărul de ecuaţii.
Chiar în cazul efectuării automate a analizei, de către
calculator, metoda preferată este, de obicei, aceea a
potenţialelor nodurilor.
 De exemplu, va trebui să calculaţi frecvent
potenţialul unui nod al unui circuit cunoscînd potenţialele
altora şi anumite tensiuni; în această situaţie legea a II a
lui Kirchhoff este o alegere proastă pentru că vă obligă să
arcurgeţi un întreg ochi de circuit şi să introduceţi
p
necunoscute suplimentare.
 Atunci va trebui să vă aduceţi
aminte că variaţia totală de potenţial
între două puncte nu depinde de drumul
ales şi să porniţi de la un nod cu
potenţial cunoscut, mergînd pe ramuri
de circuit cu tensiuni cunoscute, ca în
exemplul din Fig. 5.11, unde va trebui
să calculăm potenţialele nodurilor C şi
E, folosind informaţiile existente pe
schemă.
In această figură apare un simbol
care vă este, poate, necunoscut,
tranzistorul bipolar, dar aveţi
suficiente informaţii ca să
rezolvaţi problema propusă fără
să ştiţi modul în care funcţionează
tranzistorul (adică relaţiile între
curenţii şi tensiunile la bornele
sale).
 Nodul A are potenţialul de
+10 V, cunoaştem curentul prin
rezistenţa RC şi valoarea acestei
rezistenţe; trebuie să calculăm
potenţialul nodului C.
Cum rezistenţa este un
consumator, curentul circulă prin ea
"de la + la -“ adică de la potenţial
ridicat la potenţial coborît. Pornim
de la nodul A şi avem imediat
potenţialul nodului C 5

Vc = VA- 4.7 V=10 V - 4.7 V = 5.3 V

 Pentru potenţialul nodului E
pornim de la nodul de masă şi
avem
VE = 0 + 1 V=1 V

Cînd vom fi interesaţi de valoarea

tensiunii între nodurile C şi E, nu
trebuie decît să scădem potenţialele
VCE = VC-VE = 4.3 V

Ştim însă, în plus, un lucru care nu 5

depinde de convenţia de definiţie a
tensiunii: potenţialul nodului C este
mai ridicat decît al nodului E.
 Alteori, nodul al cărui potenţial trebuie să-l calculaţi este
legat numai prin rezistoare de noduri cu potenţiale
cunoscute, ca în Fig. 5.12 a).

Dacă scrieţi că suma algebrică a curenţilor

la nodul de potenţial V este nulă, exprimaţi
curenţii prin legea lui Ohm şi rearanjaţi
puţin ecuaţia, obţineţi că 1.10
 1.10

relaţie pe care merită să o ţineţi minte,

pentru că leagă direct potenţialele
nodurilor. Teorema pe care tocmai aţi
demonstrat-o se numeşte teorema Milman
şi este frecvent utilizată în electronică.
 Din relaţia (1.10) se poate arăta
imediat că potenţialul V al nodului de care
ne ocupăm este cuprins întodeauna între
valorile minimă şi maximă ale potenţialelor
Vk. 1.10
Veţi descoperi că această proprietate
se păstrează şi dacă rezistoarele sunt
înlocuite cu alte dispozitive, neliniare, cu
condiţia ca acestea să fie consumatoare de
energie.
Din aceeaşi relaţie se poate vedea de
asemenea că, dacă una dintre rezistenţe,
să zicem R3, tinde la zero, atunci
potenţialul V este tras către potenţialul
nodului respectiv (V3 în exemplul nostru).
 S-ar putea ca una din ramurile care
sunt legate la nod să nu fie rezistivă
dar să cunoaşteţi curentul prin ea, ca
în desenul b) al Fig. 1.12. Legea
curenţilor şi legea lui Ohm vă conduc
imediat la relaţia

din care se obţine uşor potenţialul necunoscut V.

 5.2 Măsurarea intensităţilor de regim
continuu
Aşa cum am spus, intensitatea curentului se defineşte
într-un punct dar rămîne aceeaşi de-a lungul unui circuit
neramificat. Pentru măsurarea sa conductorul trebuie
secţionat într-un anumit punct, ca în Fig. 1.13 a)
 şi trebuie introdus în circuit un
aparat de măsură numit
ampermetru (desenul b). Bornele
sale nu sunt echivalente, fiind
marcate cu semnele + şi -; ţinînd
seama că el este un consumator
de energie.

curentul intră în ampermetru pe la borna marcată cu +

Ampermetrul "clasic" măsoară intensitatea prin

deflexia unui ac indicator, deflexie datorată forţelor de
interacţie dintre un magnet permanent şi o bobină
mobilă parcursă de curentul pe care îl măsurăm. Este
un instrument analogic deoarece poziţia acului este o
funcţie continuă care poate lua orice valoare dintr-un
anumit interval cuprins între zero si capătul de scală.
 Aparatele disponibile au mai
multe scale de sensibilitate,
selectabile cu un comutator rotativ,
ca în Fig. 1.14.
Pentru măsurarea curenţilor
şi a tensiunilor, poziţia
comutatorului arată întodeauna
valoarea corespunzătoare
capătului de scală, 10 mA în
exemplul din figură.
Scala este gradată, însă, într-
un număr convenabil de diviziuni,
100 în exemplul nostru, aşa că
valoarea măsurată se calculează
cu regula de trei simplă.
Calculaţi, mai întîi cît
reprezintă o diviziune pe scala
respectivă şi să înmulţiţi valoarea
citită cu această constantă: 65
diviziuni x 0.1 mA/diviziune= 6.5
mA.
 Cele mai sensibile ampermetre clasice au capătul
de scală la cîteva zeci de la μ A, uzual la 50 μA şi, din
acest motiv se numesc microamperemetre.
Pentru a putea măsura asemenea intensităţi mici,
bobina trebuie să fie uşoară şi, deci, sîrma bobinajului să
fie subţire.
Astfel, rezistenţa internă a microamperemetrului nu
poate fi redusă prea mult, ea fiind de 600 Ω -2 k Ω. Vom
considera, pentru fixarea ideilor, că ea are o rezistenţă
"tipică" de 2 kΩ. Rezultă că, pentru ca microampermetrul
să ne arate că prin circuit trece curentul de 50 μA, între
bornele sale va trebui să existe o tensiune de 100 mV !
 Or, înainte de introducerea
sa, tensiunea între punctele A şi
B era nulă, întreaga funcţionare a
circuitului a fost perturbată şi
ceea ce măsurăm nu este
intensitatea curentului care
trecea înainte de conectarea
aparatului.

1.12
 Acest lucru poate fi înţeles
mai uşor pentru cazul particular
din Fig. 1.13 c), unde între cele
două noduri avem un rezistor
de rezistenţă R. După legarea
aparatului, rezistenţa se apropie
de cea existentă iniţial dintre
noduri va creşte, devenind R +
Ra. Intensitatea citită numai dacă

1.12
adică rezistenţa ampermetrului este mult mai mică decît
aceea a porţiunii de circuit neramificat unde se măsoară
intensitatea. Mai mult, în această situaţie putem estima şi
eroarea relativă, ea fiind de ordinul Ra/R: cu _Ra = R/10 ne
aşteptăm la o eroare de 10 % dar cu Ra = R/100 eroarea
scade la 1 %.
Există, însă, situaţii cînd nu ne interesează decît
intensitatea curentului cu ampermetrul montat. In aceste
situaţii, nu mai vorbim despre o eroare de măsură
datorată rezistenţei sale interne.
 Cînd dorim să măsurăm intensităţi de N ori mai mari
decît cei 50 μA ai instrumentului, soluţia este ca (N -
1)/N din curent să fie deviat printr-un rezistor numit
shunt şi numai 1/N din curent să treacă prin
ampermetru, ca în Fig. 1.15.

Rezultă imediat rezistenţa de shunt Rsh = Ra/(N-1) şi

noua rezistenţă a aparatului de măsură
 Rezistenţa ampermetrului a scăzut exact cu
factorul cu are a fost desensibilizat. Nu trebuie să ne
amăgim, însă: pentru ca acul să ajungă la capătul de
scală, la bornele aparatului trebuie să avem aceeaşi
tensiune de 100 mV ! Ea este o măsură a perturbaţiei
introdusă de ampermetru independentă de mărimea
curentului pe care trebuie să-l măsurăm.
 Aparatele de măsură moderne sunt electronice şi
cu afişaj digital. Curentul măsurat nu mai este utilizat
pentru a deplasa corpuri ci informaţia sa este prelucrată
electronic, prin amplificare.
Deşi primele aparate de măsură electronice utilizau
tot un sistem de afişaj analogic cu ac indicator, datorit ă
preciziei limitate de citire a poziţiei acului ele au fost
înlocuite complet de cele cu afişare digitală (numerică).
Dacă aparatul este unul cu 2000 de puncte se pot afişa
numere între 0000 şi 2000; ultima cifra poate fi afectată de
o eroare egala cu o unitate şi precizia relativă de citire
este la capătul de scală 0.05 %, de 20 de ori mai bună
decît la afişarea analogică.
 Ampermetrele electronice cu afişaj digital pot
măsura, deci, cu precizie relativă mult mai bună decît cele
clasice. Cu toate acestea, ele nu oferă o rezistenţă internă
mult mai mică decît cele clasice, deoarece, în general, ele
măsoară (electronic) căderea de tensiune pe un rezistor
prin care curentul de măsurat este obligat să treacă.
De exemplu, pentru scala de 200.0 μA (rezoluţie 0.1
μA), un asemenea aparat măsoară căderea de tensiune pe
un domeniu de 200.0 mV; rezultă, de aici, că rezistenţa
microampermetrului este de 1 kΩ, numai de două ori mai
mică decît a microampermetrului clasic.
 Chiar dacă ampermetrele electronice pot fi
parcurse de curent în ambele sensuri, ele afişînd şi
semnul, bornele lor trebuie să fie marcate în continuare
cu + şi -, în absenţa acestei convenţii informaţia -10 mA
neavînd nici un sens logic.
 5.3 Măsurarea tensiunilor continue
Tensiunea electrică se defineşte întodeauna între
două puncte. Chiar dacă, pentru comoditate, vorbim
uneori despre "tensiunea unui punct", înţelegem că este
vorba despre tensiunea faţă de masă a acelui punct.
Aparatul care măsoară tensiuni electrice, numit voltmetru,
trebuie legat, deci, între aceste puncte, ca în Fig. 1.16 b).
 Voltmetrul "clasic" măsoară tensiunea indirect: el
conectează între punctele respective o rezistenţă
cunoscută, măsoară intensitatea curentului prin acea
rezistenţă şi, utilizînd legea lui Ohm, ne anunţă victorios
că "tensiunea între bornele voltmetrului este de...".
Aşa se face că cel mai sensibil voltmetru clasic,
numit milivoltmetru, este tocmai microampermetrul
(instrumentul), care măsura la capăt de scală 50 μA şi
avea o rezistenţă de 2 kΩ; nu mai trebuie decît să
desenăm o altă scală pe care să scrie la capăt 100 mV !
 Ceea ce am scris în paragraful
precedent poate fi citit însă şi altfel:
pentru a putea măsura o tensiune de
100 mV, milivoltmetrul nostru trebuie
să "extragă" din circuitul pe care îl
măsoară un curent de 50 μA. Din
acest motiv, cu el nu putem măsura
tensiuni într-un cîmp electrostatic într-
o regiune unde nu există curenţi
electrici, aşa cum se vede în Fig. 1.16
c);
mai mult, sarcinile mobile din conductoarele legate la
voltmetru se deplasează puţin sub influenţa cîmpului
electrostatic şi egalează potenţialele punctelor între care
doream să măsurăm tensiunea.
 Chiar în circuitele electronice parcurse de curenţi,
cei cîţiva microamperi ceruţi de milivoltmetru pot
reprezenta o perturbaţie care să afecteze funcţionarea
circuitului: la conectarea milivoltmetrului în baza
tranzistorului din Fig. 1.17 punctul său de funcţionare se
modifică într-atît încît circuitul încetează să mai
funcţioneze ca amplificator.
 Dacă între punctele între care măsurăm tensiunea
există o rezistenţă de valoare R, iar rezistenţa
voltmetrului verifică relaţia

atunci perturbaţia introdusă de voltmetru poate fi

neglijată. Prin rezistenţa R trebuie înţeleasă rezistenţa
echivalentă dintre aceste puncte; conceptul de rezistenţă
echivalentă va fi clarificat în capitolul următor, aici este
suficient să ştim că aceasta este todeauna mai mică sau
egală cu cea conectată direct între punctele de maură,
datorită celorlalte drumuri posibile prin circuit, care apar
în paralel.
In practică, dacă RV≥10R putem conta pe o precizie de
măsurare de 10 %; în cazul în care RV ≥ 100R , precizia
ajunge la 1 %. Ca şi la măsurarea intensităţii,
perturbaţia produsă constituie o eroare numai dacă ne
interesează valoarea tensiunii înainte de conectare
aparatului de măsură, dacă nu dorim să ştim decît
valoarea tensiunii cu voltmetrul conectat nu mai avem
despre ce eroare să vorbim.
Atunci cînd tensiunea de
măsurat are valori de N ori mai
mari decît cele cuprinse pe scala
milivoltmetrului nostru, soluţia
este intercalarea în serie cu el a
unei rezistenţe adiţionale, astfel
încât pe instrument să cadă
numai a N-a parte din tensiunea
de măsurat (Fig. 1.18
Rezistenţa adiţională trebuie să aibă, deci, valoarea,
(N - 1)RV iar rezistenţa "noului" aparat este
 Microampermetrul (instrumentul), împreună cu
rezistenţele de shunt care îi modifică sensibilitatea ca
amperemetru şi cu rezistenţele adiţionale care îl fac să
funcţioneze ca voltmetru cu diferite sensibilităţi, formează
un aparat complex, căruia i se mai adaugă, de regulă, şi
funcţia de ohmetru. El se numeşte, atunci, avohmetru sau
aparat universal de măsură sau multimetru (volt-ohm-
meter, prescurtat VOM, în limba engleză).
 Pentru funcţionarea ca
ohmetru, marcarea scalelor şi
citirea valorilor se face complet
diferit: indiferent de
sensibilitate, scala de ohmetru
are zero la unul din capete şi
infinit la celălalt capăt. Din acest
motiv, la poziţiile comutatorului
nu se mai trece valoarea
corespunzătoare capătului de
scală ci un factor cu care trebuie
multiplicat numărul citit. Pentru
evitarea confuziilor, înaintea
factorului este scris întodeauna
semnul operaţiei de înmulţire (x,
•, sau *), aşa cum se vede în Fig.
1.19, unde ohmetrul ne spune ca
avem o rezistenţă de 100 kΩ.
 Ca şi la ampermetre, voltmetrele electronice cu
afişaj digital permit citirea rezultatului cu o precizie mult
mai bună decît cele clasice. Dar, spre deosebire de cazul
ampermetrelor, voltmetrele electronice aduc îmbunătăţiri
semnificative în ceea ce priveşte rezistenţa internă.
 In primul rînd, voltmetrele electronice au aceeaşi
rezistenţă pe oricare scală de sensibilitate, nemaifiind
nevoie să recalculăm rezistenţa internă ori de cîte ori
schimbăm scala. Dar, ceea ce este mai important, această
rezistenţa este foarte mare în comparaţie cu aceea a
voltmetrelor clasice. Dacă un voltmetru clasic avea 2 kΩ
pe scala de 100 mV şi abia ajungea la 2 M Ω pe scala de
100 V, un voltmetru electronic are o rezistenţă tipică de 10
M Ω pe toate scalele. Modificarea cea mai spectaculoasă
se produce pe scala cea mai sensibilă (100 mV cap de
scală) unde rezistenţa voltmetrului electronic este de
cinci mii de ori mai mare; dacă cel clasic cerea
întodeauna curenţi de ordinul 50 μA, voltmetrul electronic
are nevoie, pe această scală, de numai 10 nA !
 5.4 Măsurarea curenţilor şi tensiunilor
alternative (regim sinusoidal)
Dacă un circuit conţinînd numai elemente liniare
(rezistoare, condensatoare, inductanţe, etc.) este excitat
sinusoidal, atunci, după stingerea regimului tranzitoriu
toate potenţialele şi toţi curenţii evoluează sinusoidal cu
frecvenţa de excitaţie. Ceea ce diferă sunt numai
amplitudinile şi fazele acestor mărimi. Exemplul tipic îl
constituie circuitele alimentate direct sau prin
transformatoare de la reţeaua de distribuţie a energiei
electric. Aceată reţea furnizează între cele două borne o
tensiune care evoluează sinusoidal în timp, cu frecvenţa
de 50 Hz (perioada de 20 ms), între - 311 V şi + 311 V; 311
V este, deci, amplitudinea tensiunii sinusoidale a reţelei.
In electronică trebuie să fim prudenţi cu noţiunea de
amplitudine pentru că ea este utilizată într-un sens mai
general decît în fizică. Astfel, pentru tensiunea reţelei, 311
este valoarea de vîrf (de pic, din englezescul peak) dar,
cum vom vedea imediat, de multe ori este mai comod de
măsurat amplitudinea vîrf la vîrf, care în cazul reţelei este
de 622 Vpp (pentru a evita orice confuzie este bine să
adăugaţi indicele inferior "pp" sau "vv" la unitatea de
măsură).
După cum ştiţi, puterea instantanee comunicată unui
rezistor, prin efect Joule, este

adică depinde de pătratul valorii instantanee a

curentului sau tensiunii. Curentul şi tensiunea
modificîndu-se periodic, este intersant să ştim puterea
medie pe o perioadă, aceasta fiind practic egală cu
puterea medie calculată pe un interval de timp mult mai
mare decît o perioadă. Conform ecuaţiei precedente,
puterea medie va depinde de media pătratului tensiunii
sau curentului. Este, însă, mai comod, să se lucreze cu
nişte mărimi echivalente, care sunt cele efective sau
eficace
definire ca radical din media pătratului mărimii
respective

în limba engleză
această operaţie este
notată prescurtat RMS
(Root Mean Square) iar
valorile respective se
numesc "valori RMS");
este bine să adăugaţi
indicele inferior "ef' sau
"RMS" la unitatea de
măsură.
 Pentru o
dependenţă sinusoidală,
operaţia de radical din
media pătratului produce
valoarea amplitudinea/√2 =
0.707 amplitudini; reţeaua
de alimentare are
tensiunea efectivă de 220
V. Trebuie reţinut, însă, că
aceasta este valabil numai
pentru o dependenţă
sinusoidală. De exemplu,
pentru forma de undă din
Fig. 1.19 b, tensiunea
efectivă nu este 0.707-
amplitudini, ci este egală
chiar cu amplitudinea.
Utilitate
Amplitudinea medie

+ + + ++
.......++ ··+
.......
....
+ + +
'+-· ··
++? '( +
----------- -•----------• -
Va-lo a re a m e d ie pra c tica a tu tu r or
punctelor,considerand valorile
acestora ca fiind pozitive
-
Valoarea medie a tuturor
punctelor,cu semn,este zero!
 1 =0

Valoarea medie se definete:

f 11

f= 1

= - sau

t -+

Pe baza oarea
 I
lJ - - {J Sl , adica.

1) -{I -
 se prin
T
- T
-

"
I = 1 I t
-i -- 2- t ,1
- ""' "'"
2
oar ea e peri c se pri rel
T

:3- J t. ,1
T "''

' t ... [
 Expresia valorii medii, i ndicata sub forma relatiei (2.1 este g
valabila oricare sem peri,odic, ife de forma acestuia. cazul
semnalel periodice sinusoidale se gasete o relagie e legatura simpla
oarea media ,1
amplitudinea semnalu sinuso al respectiv. Astfel, daca se
considera un curent sinusoidal e form a = .sin rot , valoarea media a acestui a
21T
se educe, seama de egalitatea =-
T
T
2 -
':'!:

2 .
= - f l (t)d t =
To
·-·J si
(I] ill

Cl
rold t = cos

Rezulta:
2
- (2. 1

in mod analog, val orile medii alte tensi ii sau tensiunii electromotoare se
exprima prin rel =2 e"' = 2 Em •
lT
sau, ge cazul semnalelor

alternative s e:

{2.,5)
Amplitudinea medie

+ + + ++
.......++ ··+
.......
....
+ + +
'+-· ··
++? '( +
----------- -•----------• -
Va-lo a re a m e d ie pra c tica a tu tu r or
punctelor,considerand valorile
acestora ca fiind pozitive
Valoarea medie a tuturor
punctelor,cu semn,este zero!

--.-.5A efectivi .......... -s A

LO V 2 Q LO V 2Q
efectivi

5A - 50 W
putere putere
disipata disipata
aceeia i putere disipata pe
rezistente egale
 Astf el , c::aldura dezvoltata timp de o perioada T I
curentului alternativ prin rezistorul R se exprima prin relatia:
T T

Qa = J Ri
{I
2
)d t = Rj
{I
t

iar I, la trecerea prin rezi R, timp de o perioada,

produce o cantitate agala de caldura expri mata prin relatia:
T
Qc = J Rl 2d t = Rl2 T i) .
{I
 seama de egal1tat:ia cantitatil,or de cal Qa = Qc se deduce valn:i:ir 1•0
ef ectiva a curentului /, ef i nita ca intensitate a lui co n
echivalent :
T

I= -T Jo
1
(2.7)

Expri re = u(t} i I=- , cantitatile

R R
caldura dezvoltate la trecerea curentilor echivalenti se scri u sub form a:
1T
Qa =Rf T (Jouli)
0

de u

U= (2.8)
Valoarea efectiva. se defi nete cu rel atia

, adica.

- _I J
0
Pri sc ·mbarea de

Sl t
fe ct iv = 0.7 7 * rf
mediu = * rf
rf Ia rf = * varf

efectiv = rf
m diu = rf
varf I rf = * rf

fectiv= . 57 7 * rf
mediu = ' 5 * varf
rf Ia rf = 2 * rf
•(ii)

1 [1)
Id"
6.1 Efectul temperaturii asupra caracteristicilor
dispozitivelor semiconductoare

Mecanismul соnducţеi in semiconductoare este

diferit de acela al соnducţеi in metale. Din acest motiv, in
timp се la metale modificarea temperaturii are un efect
foarte slab asupra соnduсtivităţii (variatii de citeva miimi
ре grad), caracteristicile dispozitivelor semiconductoare
sunt influentate mult mai putemic de temperatura. In
general, acesta este un inconvenient important in
utilizarea lor in circuitele electronice, mai ales in cazul
tranzistoarelor şi al amplificatoarelor integrate. In anumite
situatii insa, сuт este cazul termistorilor şi, mai rar, al
diodelor, efectul temperaturii este utilizat pentru obtinerea
unor senzori de temperatura.
6.1.1 Tranzistoare bipolare

Tranzistorul indeplineşte funcţа unui robinet

controlat. Partea ре care о controleaza este intensitatea
curentului de colector iar controlul se efectueaza prin
polarizarea directa а jоncţunii emitor baza.

De се curentul de colector trebuie sa fie stabil in

raport сu temperatura ambianta? Circuitul din Fig. 0.4 а)
trebuie sa amplifice de 300 de ori variatii de tensiune сu
frecventa peste 20 нz şi amplitudini de ordinul milivoltului.
 În absenta semnalului de intrare potentialul
colectorului se gaseşte undeva ре la jumatatea tensiunii
de alimentare, sa zicem la 8 V; aplicind semnalul de
intrare, potentialul colectorului vа evolua in jurul nivelului
de 8 V сu amplitudini de ordinul а 0.3 V.
Condensatorul de ieşire blocheaza componenta
continua şi ре sarcina ajung numai variatiile, de data
aceasta ele efectuindu-se in jurul nivelu1ui de О V.
Creşterea prin incalzire а curentului de colector
coboara nivelul mediu al potentialului de colector, dar
semnalul de ре sarcina vа continua sa fie о versiune
amplificata а semnalului de intrare; sarcina nu vа sesiza
са se intimpla сеvа сu tranzistorul.
 Daca insa
creşterea curentului de
colector este prea
mare, potentialul
colectorului coboara
aproape de nivelul
masei şi tranzistorul
intra in saturatie
incetind sa amplifice.
Сum nivelul iniţаl era la
jumatatea tensiunii de
alimentare

o dublare а curentului de colector aduce сu siguranta

tranzistorul in saturatie, scotind din uz amplificatorul.
 Nu trebuie sa ajungem pina acolo pentru са
efectele sa nе deranjeze. Vоm vedea, са la acest circuit
amplificarea variatiilor de tensiune este рroроrţоnаla
сu valoarea medie а curentului de colector.
Astfel, incalzirea tranzistorului vа produce
marirea amplitudinii variatiilor care ajung ре sarcina,
lucru сu totul neplacut, mai ales daca utilzam
amplificatorul intr-un lant de masura.
Chiar in cazul unui amplificator audio, о variatie
de citeva procente а curentului de colector este tot се
putem accepta.
 Situatia se schimba dramatic daca сееа се dorim sa
amplificam pentru а masura este un nivel de tensiune
continua.
In acest caz nu mai putem separa, сu un
condensator, semnalul util de regimul de polarizare pentru
са ambele аu aceeaşi frecventa : 0 Нz. Vom vedea, са о
modificare сu 10 % а curentului de colector este
echivalenta сu о variatie а semnalului de 2 mV.
Cind trebuie sa sesizam semnale intr-adevar mici
(un termocuplu ofera in jur de 50 μV pе grad), curentul de
colector ar trebui sa varieze сu temperatura сu mult mai
putin de 0.1 la suta.
 Pentru tranzistoarele din amplificatorul de putere
desenat in Fig. 8. 4 b) stabilitatea termica este о chestiune
de viata şi de moarte. Fără semnal, circuitul de polarizare
asigura trecerea unui curent de valoare mica (citiva mА)
prin cele doua tranzistoare catre masa.
Principiul de funcţоnarе al amplificatorului se
bazeaza ре deschiderea ре rind а tranzistoarelor de catre
semnalul altemativ aplicat la intrare, curentul, сu
amplitudinea de ordinul amperilor, trecind prin
condensatorul de ieşire spre difuzor.
 Astfel, ре tranzistoare se disipa о putere
apreciabila, de ordinul zecilor de W, care produce
incalzirea lor.
Creşterea temperaturii deschide simultan ambele
tranzistoare şi un curent important IH incepe sa circule de
la alimentarea pozitiva, prin cele doua tranzistoare, spre
masa.
Puterea disipata creşte suplimentar сu IHValim şi
tranzistoarele se incalzesc şi mai mult: аvет о reacpe
pozitiva de natura termica.
 Aşa сum am vazut, daca gradul rеаcţеi pozitive
depaşeşte un anumit prag sistemul devine instabil; in
cazul nostru temperatura creşte foarte rapid şi procesul
se sfirşeşte prin distrugerea tranzistoarelor, deoarece
curentul Iн nu este limitat de nici о rezistenta .
 Aceasta este ambalarea termica (thermal run-away
in engleza). Pentru а о preintimpina, in vremurile cind se
mai utilizau tranzistoare сu germaniu, in locul rezistentei
R2 se conectau in serie doi termistori NTC in foarte bun
contact termic сu capsulele tranzistoarelor. La incalzirea
excesiva а acestora, rezistenta termistorilor scadea
putemic, micşorind tensiunile baza-emitor ale
tranzistoarelor şi incercind sa le blocheze. De multe ori,
insa, creşterea temperaturii inteme а tranzistoarelor,
datorata rеаcţеi pozitive, era atit de rapida incit pinа la
incalzirea termistorilor tranzistoarele erau deja distruse.
 La modificarea temperaturii sau schimbarea
tranzistorului сu alt exemplar, curentul de colector se
schimba. Circuitul de polarizare incearca sa "impuna"
tranzistorului valoarea unei anumite marimi de control,
care sa ramina constanta.
Dupa configuratia circuitului de polarizare,
aceasta marime mentinuta constanta poate fi
curentul de emitor, curentul de baza sau
tensiunea ре jоncţunеа emitor-baza.
In oricare din aceste situatii suntem interesati са
modificarea temperaturii sa aiba un efect cit mai mic
asupra marimii controlate, care este curentul de colector.
Vоm analiza, una din aceste variante, identificind modul in
care temperatura afecteaza curentul de colector.
Tensiunea baza-emitor este mentinuta constanta
Curentii de colector şi emitor, fiind aproximativ
egali, аu practic aceeaşi dependenta de VBE.
In Fig. 6.10 este reprezentat influenta temperaturii
asupra caracteristicii de transfer IC = f(VBE ).
 In primul rind constatam са nu exista diferente
semnificative intre comportarea tranzistorului сu
germaniu şi а celui сu siliciu (exceptind, bineinteles,
diferenta de aproximativ 0.25 V intre valorile tensiunii de
deschidere). Ecuatia care descrie caracteristica de
transfer IC = f(VBE ) in regiunea activa este
unde potentialul termic VT este
рroроrţоnаl сu temperatura
masurata in К. Graficele din Fig.
6.10 рun in evidentil doua
modifican lа variatia
temperaturii.
Mai intii, lа creştere a
temperaturii panta graficelor
scade; aceasta se datoreaza
variatiei lui VT, deoarece panta in
scara semilogaritmica este
рroроcţоnаla сu 1/VT adica
invers рroроcţоnаla сu
temperatura. Putem chiar sa
calculam de cite ori s-a micşorat
panta: de (273 + 100)/(273 + 25)
=1.25 ori.
 Efectul сеl mai putemic il prezinta, insa, translatia
in sus а caracteristicii, care se datoreşte creşterii
factorului multiplicativ Is din relatia precedenta. Acest este
рroроcţоnаl сu ICBO, depinzind şi de alti
parametri ai tranzistorului.
Indiferent de tipul tranzistorului, incalzirea de lа
250С lа 1000С, сu mentinerea constanta а
tensiunii baza-emitor, produce creşterea
putemica а curentului de colector. La un curent de
colector de 1 тА, aceasta incalzire provoaca о
multiplicare de aproape 100 de ori а curentului de
colector.
Sa privim in detaliu modificarea
caracteristicii de transfer IC =
f(VBE) pentru о variatie de un grad
(Fig. 0.11).

Daca mentinem tensiunea baza-emitor

constanta (aşa сuт nu trebuie sa facem),
curentul de colector creşte сu 10% ре grad.
Daca, ре de аlta parte, dorim са intensitatea
curentului de colector sa ramina constanta, trebuie са
tensiunea baza-emitor sa scada сu aproximativ 2 mV ре
grad. In textele de electronica, acest efect de modificare
сu temperatura а caracteristicii IC = f(VBE) este numit
variapa сu temperatura а tensiunii baza-emitor (sau а
tensiunii de deschidere) а tranzistorului, de multe ori fara
sa se mai specifice са aceasta se intimpla lа curent
constat de colector.
La curent de colector constant, tensiunea baza-emitor
scade liniar сu temperatura, aproximativ сu 2 mV ре grad.
Aşa сuт se vede in Fig. 0.11, lа
tensiune baza-emitor constanta,
valoarea curentului creşte сu
aproximativ 10 % ре grad. Сuт
aceasta creştere este
exponentiala,

lа VBE = const. curentul de colector se dubleaza lа fiecare creştere

сu 8 grade.
 Pentru circuitele practice aceasta variatie este
inacceptabil de mare: un amplificator proiectat sa
functioneze binе lа 20 de grade (Fig. 8.12 а) ar intra in
saturatie şi ar inceta sa mai amplifice lа temperatura de 28
de grade !

Concluzia este unа singura:

tensiunea baza-emitor nu trebuie menţinuta constanta

Din acelaşi motiv, un circuit simplu in
conexiune emitor-comun nu poate fi
utilizat pentru amplificarea tensiunii
continue furnizata de un termocuplu
(Fig. 0.12 b). Sa presupunem са am
ajustat сu grija tensiunea sursei de
polarizare din baza astfel incit lа о
anumita temperatura de referinta θ0
curentul de colector este de 1 тА şi
potentialul din colector este de 10 V - 1
тА·5 kΏ = 5 V.
 La о incalzire а termocuplului сu un grad, tensiunea
furnizata de acesta creşte сu aproximativ 50μV aşa са nе
aşteptam lа о creştere а curentului de colector de gm∆VВЕ
= (1 mА/ 25 mV) · 50 μV = 2 μА care sa coboare сu 10mV
potentialul colectorului.
Am putea spune са аm amplificat de 200 de ori
informatia de tensiune oferita de termocuplu. Realitatea
este insa сu totul alta.
 Şi temperatura tranzistorului se poate modifica, nu
numai а termocuplului, iar variatia echivalenta а tensiunii
VBE pentru о incalzire сu un grad este de - 2 mV, de 40 de
ori mai mare decit асееа data de termocuplu.
Сu alte cuvinte, tranzistorul este un termometru de
40 de ori mai sensibil decit termocuplul. Din acest motiv,
daca vоm observa о scadere а potentialului de colector
сu 10 mV nu vоm аvеа de unde sa ştim daca termocuplul
s-a inalzit сu un grad sau tranzistorul s-a incalzit сu 1/40 =
0.0250С.
 In concluzie,

datorita sensibilitatii sale termice, etajul сu emitor сотun

nu poate fi utilizat pentru amplificarea tensiunilor
continue.

In legatura сu circuitul din

Fig. 0.12 b) mai trebuie sa
scoatem in evidentă о dificultate.
Chiar daca printr-un miracol аm
aranjat са tranzistorul sa nu-şi
modifice caracteristica de transfer
lа variatia temperaturii ambiante,
mai ramine problema sursei de
tensiune continue сu care
polarizam baza tranzistorului şi а
carei tensiune se aduna сu
informatia de tensiune de lа
termocuplu.
 Tensiunea sursei trebuie sa
aiba о valoare undeva ре lа 600
mV şi aceasta valoare trebuie sa
se modifice сu mult mai putin de
50 μV ре grad, altfel ar masca
semnalul de lа termocuplu.
Tensiunea sursei trebuie sa
aiba, deci, un coeficient de
temperatura mult mai mic decit
50 μV /600 mV ре grad, adica
aproxmativ 80 ppm/grad (ррт
este prescurtarea pentru "рărţi
ре milion").
 Pentru о dioda Zener
obişnuita putem conta, in сеl mai
bun caz, ре un coeficient de
temperatura (prescurtat tempco
in engleza) de ± 300 ppm / grad.
Vа trebui sa utilizam о
referinta de tensiune integrata de
performanţă, care are coeficientul
de temperatura de citiva ppm /
grad, evident сu diferenta de pret
corespunzatoare.
 In cautarea unui circuit de polarizare

Aşa cum ştim, pentru а putea fi utilizat in regiunea

activa, un tranzistor bipolar trebuie sa fie mai intii
polarizat prin stabilirea unui regim de curent continuu сu
jоncţunеа baza-emitor deschisa. Acest lucru se intimpla
deoarece caracteristica sa de transfer IC = f(VBE) este
putemic neliniara, valori utile ale curentului de colector
obtinindu-se аbiа dupa се VBE depaşeşte tensiunea de
deschidere.
Sa vedem acum in се mod putem realiza
polarizarea unui tranzistor сu siliciu astfel incit punctul
sau de funcţоnаrе sa nu se deplaseze inacceptabil de
mult la variatia temperaturii.
In acelaşi timp, аm dori са intensitatea curentului
de colector sa fie cit mai insensibila la modificarea lui β ,
deoarece acest parametru este foarte impraştiat
tehnologic.
 Са sa ştim precis despre се vorbim, sa consideram
о tensiune de alimentare de 10V şi sa polarizam
tranzistorul сu colectorul la jumatatea acestei tensiuni, la
un curent de colector IC (0) de 1 mА. Evident, rezistenta din
colector vа trebui sa aiba 5 kΏ. In Fig. 0.13 аvеm citeva
circuite de polarizare.
 Fig. 8.13. Circuite de polarizare care asigura un curent de colector
de 1 тА şi un potential de 5 V in colector: (а) polarizare fixa, (b) polarizare
colector-baza, (с) polarizare сu sursa de tensiune in baza şi rezistenta in
emitor şi (d) "autopolarizare" (proiectarea а fost efectuata сu β = 100).

Pentru cel din desenul а), numit "сu polarizare simpla", valoarea
curentului de baza se obtine din relatia
IB= Valiт/ RB
(0) (0)
RB = β(0)Valiт/ IC = 2β RC
 cum tensiunea baza-emitor este de aproximativ 0.6V, mult
mai mica decit tensiunea de alimentare, curentul de baza
este aproximativ IB= Valiт/ RB . De aici putem obtine
valoarea necesara а rezistentei de polarizare RB = β(0)Valiт/
IC(0) = 2β(1)RC, unde am notat сu β(0) valoarea lui β la
temperatura pentru care proiectam circuitul.
Curentul de baza fiind IB = Valiт/ RB, tranzistorul este
operat, astfel, la curent de baza practic constant. Aşa cum
аm vazut ре graficul din Fig. 8.9 b), curentul de colector
este afectat de temperatura prin intermediul factorului β

valoarea curentului de colector fiind рroроcţоnаla сu

nоuа valoare а lui β, aşa cum se poate constata şi ре
graficul din Fig. 8.14
 Chiar daca factorul β nu
sufera variatii dramatice сu
temperatura, nu merita sa
pieredem timpul сu acest mod
de polarizare pentru са lа
montarea unui tranzistor intr-
un circuit, in рroducţа de
serie, nimeni nu ştie, de
ехетрlu, unde anuте este β
intre 100 şi 250.
Acest tip de polarizare
trebuie utilizat doar daca Fig. 8.14. Efectu1 modificarii
factorului β asupra curentului de
vrem sa aruncam apoi peste colector pentru polarizare fixă,
jumatate din circuitele polarizare colector-baza,
realizate; l-аm discutat aici polarizare сu divizor rezistiv şi
rezistenta in emitor (circuitu1 din
numai datorita omniprezentei Fig. 8.13 d) şi polarizare fixa сu
sale in literatura autohtona. rezistor in emitor.
 О alta varianta de polarizare este
сеа din desenul b), numita polarizare
"colector-baza". Pentru proiectarea
circuitului observam са rezistenta RB
este legata асuт in colector, deci lа
jumatate din tensiunea de alimentare.
Pentru а obtine acelaşi curent de baza
са lа primul circuit, valoarea ei trebuie
sa fie aproximativ de doua ori mai miса
decit lа cazul anterior, deci aproape
egala сu β(0)RC (in aproximatia
Valiт/2>>VBE)·

Ne intereseaza асum се se intimpla сu valoarea curentului

de colector lа modificarea temperaturii. Din configuratia
circuitului obtinem relatia
care, сu aproximatia de mai sus şi

De data aceasta, tranzistorul nu mai este operat lа curent de

baza constant; lа creşterea factorului β se produce
automat о scadere а curentului de baza, scadere care
diminueaza efectele acestei creşteri asupra curentului de
colector. Acest tip de polarizare introduce о reacpe negativa. Daca
exprimam curentul de colector, obtinem
În fig 0.14 am reprezentatt dependenţa

Şi pentru polarizarea colector-

baza. Se observa
imbunatatirea adusa de
polarizarea colector baza: lа
dublarea factorului β curentul
de colector nu se mai
dubleaza ci creşte doar сu 30
%. Circuitul introduce
complicatii in сееа се priveşte
amplificarea variatiilor, astfel
са este rar utilizat.
Circuitul din Fig. 0.13 с) încearcă
să menţină constant curentul de
emitor. La prima vedere se pare
са nu suntem ре с аlеа сеа bunа,
am legat о sursa ideala de
tensiune in baza, or ştim са
mentinmd VBE = const.
rezultatele sunt dezastruoase. А
mai aparut, insa, şi о rezistenta
in emitor, astfel mcit putem scrie

(ат utilizat faptul са IC = IЕ deoarece curentul ICEO este

neglijabil). Valoarea necesara pentru tensiunea ЕB se
obtine сu suficienta precizie сu relatia :
Aceasta aproximatie este, insa, insuficienta pentru а
calcula variatiile datorate temperaturii. Vоm utiliza, pentru
acest scop metoda dreptei de sarcina aplicata
caracteristicii de transfer IC = f(VBE ), са in Fig. 0.15 а).

Fig. 0.15. Determinarea grafica а punctului de funcţоnаrе pentru

circuitul din Fig. 0.13 с) (desenul а) şi modificarea acestuia la о
inca1zire сu un grad (desenul b).
 Putem асum sa vedem се se intimpla lа creşterea
temperaturii сu un grad (desenul b).
Reprezentam in detaliu caracteristicile de lа сеlе
doua temperaturi şi urmarim deplasarea punctului de
functionare din М in N. Daca admitem sa pierdem ре
rezistenta RE о tensiune mult mai mare decit 25 mV,
dreapta de sarcina vа fi foarte putin inclinata in
comparatie сu caracteristica de transfer а tranzistorului.
Сuт distanta ре orizontala intre сеlе doua caracteristici
este de 2 mV, аvеm valoarea variatiei curentului de
colector ∆lC = 2 mV / RE.
Pentru а vedea се imbunatatire aduce acest tip de
polarizare, sa саlculaт variatia relativa а curentului de
colector la о variatie de temperatura ∆θ = 750 С, daca
acceptam sa pierdem ре rezistenta RE о tensiune VRE = 2
V. Tensiunea baza-emitor scade liniar сu temperatura,
coborind in total сu |∆VBE | = 2 mV / grad · ∆θ = 150 mV.
Сuт sursa de tensiune pastreaza constant potentialul
bazei, surplusu1 de tensiune de 150 тV se vа regasi ре
rezistenta din emitor, producind о creştere а curentului de
colector data de legea lui Оhm ∆IC = |∆ VBE | / RE. Ре de alta
parte, curentul de colector incţаl indeplinea relatia VRE =
ICRE' de unde obtinem

О asemenea variatie relativa, pentru о incalzire de

750С, este acceptabila in majoritatea aplicatii1or.
Putem formula о prima comcluzie in legatura сu
circuitul сu rezistenta in emitor şi sursa ideala de
tensiune in baza:
Stabilitatea termica este сu atit mai bunа сu cit acceptam
sa pierdem о tensiune mai mare ре rezistenta din emitor; 2
volti asigura о variatie а curentului de colector de 1 la mie
ре grad.

In practica, in locul sursei

de tensiune ideale se utilizează
un divizor rezistiv, са in desenul
d) al figurii, varianta numita in
literatura de limba romana
"autopolarizare". Daca ЕВ este
tensiunea Thevenin а divizorului
iar RB este rezistenta sa
echivalenta, in locul ecuatiei
(0.18) аvет асum
 Teorema lui Thévenin se utilizeazã când sursa de
semnal este de tensiune. Dacã sursa de semnal este de
curent se utilizeazã teorema lui Norton (mai rar întâlnitã în
practicã).
Metoda constã în înlocuirea unei pãrti din circuit (circuitul
liniar si activ conectat la bornele X-Y si alcãtuit din sursa E si
rezistoarele R1 si R2) cu un circuit serie simplu format dintr-o
sursã echivalentã Eth si o rezistenþã echivalentã Rth .
Sursa echivalentã, Eth se determinã pentru circuitul liniar si
activ lucrând în gol (fãrã sã fie conectate rezistentele R3 si
R4 la bornele X, Y). Se aplicã regula divizorului de tensiune,
Eth reprezentând cãderea de tensiune pe R2:

Rezistenta echivalentã Rth se determinã pasivizând surse E

(se înlocuieste cu scurt circuit) si se calculeazã rezistenta
vãzutã de la bornele X-Y, spre stânga, fãrã R3 si R4. Prin
pasivizarea sursei E, rezistoarele R1 si R2 apar legate în
paralel:
Tensiunea de iesire se poate acum determina usor, aplicând
regula divizorului de tensiune
 Prezenta termenului се conţine RB produce асum о
oarecare dependenţă а curentului de colector in raport сu
factorul β, nedorită atât pentru stabilitatea termica cit şi
pentru predictibilitatea punctului de funcţоnаrе (factorul β
nu este cunoscut сu precizie pentru fiecare exemplar de
tranzistor).
Din acest motiv, valorile rezistentelor din divizor se
aleg atit de mici incit divizorul sa funcţоnеzе practic
neîncărcat, astfel încât in expresia IC(RE + RB/ β) termenul
аl doilea să poată fi neglijat
 Сu valoarea realista RB = β(0)RE /10,
dependenta curentului de colector
de factorul β devine

еа este reprezentata in Fig. 5. 14, unde se poate constata

cât de insensibil а devenit асuт curentul de colector lа
modificarile factorului β : lа о dublare а factorului β
curentul de colector se modifica doar сu 5 %.
Ţinând cont de impraştierea tehnologica а factorului
β , aceasta predictibilitatea а punctului de funcţоnаrе este
suficienta, tranzistoarele putind fi montate fara sa li se
masoare individual acest factor.
Am fi putut incerca introducerea rezistentei de emitor şi in
cazul circuitului сu polarizare simpla. Deoarece tensiunea
Thevenin ЕB nu mai poate fi асuт aleasa, fiind egala сu
сеа de alimentare, nici valoarea rezistentei RB nu mai este
parametru liber. Сu valorile numerice considerate, lа
utilizarea divizorului rezistiv ат ales-o sa fie

In cazul polarizarii fixe еа nu poate fi decit RB = β (0)7.4 kΏ; о

asemenea valoare pentru aceasta rezistentta creşte
sensibilitatea curentului de colector in raport сu factorul
β, aşa сuт dovedeşte graficul din Fig. 8.14. Putem formula,
deci, о а doua concluzie in privinta polarizarii in prezenta
rezistentei din emitor:
 7. REDRESOARE
7.1 Redresoare de mică putere pentru curent monofazat

7.1.1 Schema bloc a redresorului

Redresoarele se construiesc pe baza schemei
clasice, de redresor cuplat la reţea prin transformator, sau
fără transformator şi a cărui funcţionare se bazează pe
transformarea multiplă a energiei electrice. Pentru
început, să analizăm schema tradiţională, care se
compune din următoarele: (figura 7.1):
- T – transformator ridicător sau coborâtor de tensiune, în
funcţie de raportul dintre tensiunea la ieşirea sursei de
alimentare şi tensiunea reţelei;
- R – grup redresor, care serveşte la transformarea
curentului alternativ în curent continuu (de sens unic);
- F – filtru pentru netezirea pulsaţiilor tensiunii redresate;
- ST – stabilizator de tensiune continuă, care asigură
valoarea constantă a tensiunii de ieşire la variaţia
rezistenţei sarcinii, a tensiunii de alimentare, etc.
 În figura 2.1 sunt reprezentate şi diagramele
tensiunii în diferite părţi ale schemei redresorului pentru
două valori ale tensiunii de reţea. Partea principală a
dispozitivului este grupul redresor, ce conţine un grup de
elemente neliniare, cu conducţie unilaterală (într-un
singur sens). Ca dispozitive redresoare, la sursele de
alimentare de putere mică se folosesc de obicei diodele
cu siliciu şi, mai rar, cele cu germaniu. Celelalte elemente
ale schemei pot să lipsească în cazuri particulare.
7.1.2 Redresoare monofazate cu sarcină activă
Să analizăm funcţionarea redresorului monofazat cu
punct de nul al transformatorului (figura 2.2.a). Când
polaritatea tensiunii alternative este cea indicată în figura
7.2, pe dioda D1 se aplică tensiunea directă (plus la anod,
minus la catod).
 Dioda D1 conduce curentul ia, care se închide prin
sarcina RS şi semi-înfăşurarea superioară a secundarului
transformatorului. Se consideră că diodele sunt ideale,
adică au cădere de tensiune nulă la trecerea curentului
direct prin acestea şi curentul invers este nul când pe
acestea se aplică tensiune inversă.
Astfel, se poate considera că anodul şi catodul
diodei sunt scurtcircuitate pentru curentul în sens direct,
iar în cazul aplicării pe diodă a unei tensiuni inverse,
circuitul acesteia se consideră întrerupt. În legătură cu
această aproximare, tensiunea pe sarcină, ud, în
semiperioada [0, π] (figura 2.2.b) se consideră egală cu
tensiunea la bornele semi-înfăşurării superioare a
secundarului transformatorului: ud(t) = e2(t).
Figura 7.2

În acest timp, dioda D2 este polarizată invers şi nu

permite trecerea curentului.
În a doua semiperioadă, [π, 2π], datorită schimbării
polarităţii tensiunii alternative în înfăşurările secundare
ale transformatorului, se deschide dioda D2 şi pe sarcină
se aplică tensiunea semi-înfăşurării inferioare.
În continuare, lucrurile se repetă periodic şi, prin
deschiderea succesivă a diodelor, tensiunea ud constă
din semisinusoide pozitive care se succed (figura 7.2.b).
 Tensiunea pe sarcină, ud, este
constantă ca sens, dar nu este
constantă ca mărime. Pulsaţia
tensiunii, adică variaţia acesteia,
atestă existenţa unei componente
variabile în curba tensiunii redresate ud(t)=Ud + up(t),
şi indică faptul că redresarea este
incompletă. Cum tensiunea de ieşire,
ud, reprezintă o funcţie periodică, ea
poate fi descompusă în forma:
unde

este componenta continuă utilă sau valoarea mediea

tensiunii pe o perioadă a curbei ud, iar up(t) este
componenta variabilă, egală cu suma tuturor
componentelor armonice. În figura 2.3 este reprezentată
descompunerea grafică a curbei tensiunii ud(t) în două
componente.
 Se poate considera
că, pe sarcină, acţionează
tensiunea constantă ca
mărime şi formă, Ud,
distorsionată de
componenta alternativă,
up.
Caracteristica de
bază a tensiunii redresate
este valoarea medie. Ea
este egal ă cu înălţimea
dreptunghiului a cărui
suprafaţă este egală cu
suprafaţa limitată de curba
tensiunii, axa absciselor
şi două drepte verticale
situate la distanţa egală cu
o perioadă (figura 2.3). În
schema analizată,
perioada tensiunii de
ieşire este egală cu π, din
care cauză,
unde θ = ωt. Având vedere că valoarea maximă a tensiunii
pe sarcină, Udm, este egală cu amplitudinea E2m = √2 E2,
unde E2 este valoarea efectivă a tensiunii e2 la bornele
înfăşurării secundare a transformatorului, rezultă:
 Cea mai mare valoare a amplitudinii în curba
tensiunii redresate o are armonica I, a cărei frecvenţă ωp
este de 2 ori mai mare decât frecvenţa tensiunii de
alimentare.
Această armonică este cel mai greu de atenuat cu
filtre, motiv pentru care, pe baza valorii acesteia, se face o
apreciere asupra distorsionării tensiunii redresate. În
figura 2.3, cu linie punctată este reprezentată armonica I a
componentei alternative a tensiunii redresate, up1
amplitudinea acesteia fiind Uplm.
 Pulsaţia tensiunii redresate se caracterizează prin
factorul de ondulaţie, γ, egal cu raportul dintre
amplitudinea tensiunii primei armonici a componentei
alternative şi valoarea tensiunii componentei continue:
Din descompunerea în serie Fourier a curbei tensiunii
redresate, se obţine formula:

unde m este factorul de multiplicare a frecvenţei

componentei alternative a tensiunii redresate în raport cu
frecvenţa reţelei, care depinde de schema de redresare şi
se numeşte pulsaţia redresorului.
 Pentru redresoarele monofazate
analizate, cum este cel din figura 2.2.a,
m = 2, iar γ = 0,67. Pentru alegerea
diodelor în schema din figura 2.2.a, se
determina valoarea medie a curentului
prin acestea. Pe baza diagramelor de
timp din figura 2.2.b, se constata ca:

Pe dioda blocata, se aplica tensiunea a doua

înfasurari secundare. Din aceasta cauza, tensiunea
inversa maxima pe dioda, având în vedere relatia (2.1),
este:
 Puterea activă totală transmisă în sarcină, în
schema din figura 2.2.a, este determinată de valoarea
efectivă E2:

Puterea activă transmisă sub forma componentei

continue a curentului, este determinată de valoarea

medie

Prin urmare, în schema din figura 2.2.a, o parte

substanţială din puterea activă se transmite în sarcină sub
forma componentei alternative (neredresate), ceea ce
confirmă insuficienţa redresării.
 7.1.3 Redresoare monofazate cu sarcină inductivă

Să analizăm funcţionarea redresorului monofazat in

punte (figura 2.4.a). Pentru semiperioada pozitivă a
tensiunii electromotoare e2 (intervalul [0, π]) şi pentru
polaritatea indicată in figura 2.4.a, curentul redresat trece
prin dioda D1, sarcina RS - LS şi dioda D4 . Diodele D3 şi
D2 sunt polarizate invers şi nu conduc curent.
Prin schimbarea polaritii tensiunii alternative (intervalul
[π, 2 π]), se deschid diodele D2 i D3, ins curentul in sarcin
işi meniţne sensul anterior. Dacă sarcina este activă (Ls =
0), atunci curentul Id repetă forma tensiunii in sarcină;
curenii bobinelor primar şi secundar, i1 şi i2 au form
sinusoidală (figura 2.4.b).
 Dacă in circuitul sarcinii există o inductanţă (LS≠0),
ea se opune variaiei curentului in sarcină şi acesta nu
reuşeşte să urmrească tensiunea ud, astfel incat curentul
Id se va netezi (figura 2.4.c).
Cand inductanţa da este mare (XL = ωp Ls > 10Rs ),
datorit ă pulsaţiilor mici, curentul in sarcină poate fi
considerat constant (adică netezit total), caz in care
transmiterea puterii active in sarcină de către
componentele alternative ale curentului lipseşte. In acest
regim, curentul prin diode, ia curentul i2 in secundar şi
curentul i1 in primarul transformatorului capătă forma
impulsurilor dreptunghiulare.
 7.1.4 Filtre pentru redresoare de mică putere

La ieşirea grupului redresor se cuplează un filtru,

care are rolul reducerii componentei alternative up.
Componenta utilă constantă, Ud, trebuie să fie transmisă
în sarcină pe cât posibil fără pierderi. Cele mai utilizate
sunt filtrele de netezire de tipul L (figura 2.5.a), LC (figura
2.5.b), C (figura 2.5c) şi RC (figura 2.5.d). Prin cuplarea
filtrelor, se formează filtre multiple: LC-LC, C-RC, LC-RC,
etc.
Mărimea caracteristică a
unui filtru este factorul de
netezire, egal cu raportul
factorilor de ondulaţie la
intrarea, respectiv la ieşirea
filtrului:

unde Ud este tensiunea de ieşire a grupului redresor,

Us,plm este amplitudinea primei armonici a pulsaţiilor la
ieşirea filtrului şi Us este valoarea medie a tensiunii la
ieşirea filtrului.
 7.1.5 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv
Când sarcina consumă curenţi relativ mici de la
redresor, se folosesc de obicei filtre cu condensator. La
cuplarea redresorului din fig. 2.6.a, tensiunea pe
condensator şi pe sarcină, ud, creşte de la o perioadă la
alta (fig. 2.6.b). În intervalele când e2 > Ud, de exemplu
când 0 < θ < θ1, dioda D1 se deschide şi condensatorul se
încarcă cu curentul de impuls ia1 (fig. 2.6.c).
Astfel, diferenţa tensiunilor e2 – ud se aplică pe rezistenţa
r, egală cu suma dintre rezistenţa diodei, a secundarului
transformatorului şi cea a primarului reflectată în
secundar. Când e2 < ud şi θ1 < θ < θ2, dioda se
blochează şi condensatorul se descarcă parţial pe
sarcină.
Pe măsur a creşterii tensiunii ud, durata impulsului de
curent de încărcare a condensatorului se micşorează, iar
timpul de descărcare a condensatorului se măreşte, din
care motiv, după un timp oarecare, tensiunea ud începe
să oscileze în jurul valorii medii stabilizate Ud.
Datorită timpului scurt de conducţie în regim stabilizat,
valoarea amplitudinii curentului diodei Iam poate fi de 5 ÷
7 ori mai mare decât valoarea sa medie, Ia (fig. 2.6.c). La
cuplarea sursei de alimentare, această depăşire este şi
mai mare şi, pentru limitarea saltului iniţial al curentului
de încărcare a condensatorului, se introduce uneori o
rezistenţă suplimentară de limitare, r care, împreună cu
condensatorul, formează filtrul RC (fig.2.5.f).
 7.1.5 Stabilizatoare de tensiune
Definiţie: circuitele stabilizatoare care conţin un
element neliniar, caracterizat printr-un parametru variabil
cu valoarea curentului care il parcurge se numesc
stabilizatoare parametrice.
Schemele de realizare sunt simple, dar calitatea
stabilizării este slabă, debitand in sarcină puteri relativ
mici.
Tipuri de stabilizatoare parametrice: de tensiune şi
de curent.
Stabilizatoarele parametrice de tensiune se pot
realiza cu diode Zener.
Din caracteristica diodei se observă că la variaii mari de
curent la intrare ∆ IZ (corespunztoare unor variaţii mari ale
tensiunii de intrare ∆Uin ), se obine o variaie mică a
tensiunii la borne.
 Rezistena R, numită şi rezistenţă de balast, este
aleasă astfel incât curentul prin ea (IR) să fie mai mare
decât curentul necesar in sarcinâ, diferenţa fiind curentul
necesar funcţionării diodei. (Izm, IzM). Tensiunea se menţne
constantă, fiind egală cu tensiunea diodei Zener.
Deoarece ∆ Uin >>∆ Us se obine un factor de
stabilizare mult mai mare decat 1.
Dezavantajele acestui stabilizator sunt:
• tensiunea stabilizată se modifică la variaţia temperaturii
ambiante;
• modificarea in limite largi a curentului prin dioda Zener
o datî cu modificarea tensiunii de alimentare.
 Pentru a obţine tensiuni stabilizate mai mari se pot
conecta mai multe diode Zener in serie , iar pentru a mări
valoarea factorului de stabilizare se pot folosi mai multe
celule dispuse in cascadă.
In oricare din aceste situaii se impune ca punctul
static de funcţionare să fie situat in imediata vecintate a
tensiunii Zener, iar puterea maxim admisibilă de disipaţie
să nu depeasc puterea maximă admisibilă a diodei.
 8 AMPLIFICATOARE
8.1 Noţiuni generale
Amplificator se numeşte circuitul electronic,
care transformă semnalul de putere mică, aplicat la
intrare, într-un semnal de ieşire de putere mai mare.
 În fig.1.1 amplificatorul este
reprezentat ca un cuadripol.
Procesul de amplificare constă
în modularea puterii sursei de
alimentare de curent continuu conform
variaţiei în timp a semnalului de
intrare. Parametrul principal al
amplificatorului este factorul de
amplificare k. Deosebim:
- factorul de amplificare a tensiunii

- factorul de amplificare a curentului

 - factorul de amplificare a puterii

Valorile factorilor de amplificare pentru diferite

amplificatoare pot fi diferite, însă k≥1. În caz contrar
amplificatorul îşi pierde sensul. Dacă exprimăm factorul
de amplificare în decibeli, avem:
 Deoarece factorul de amplificare
în caz general este un număr complex, el
poate fi scris în forma:
 Caracteristice importante
ale amplificatorului sunt:
-caracteristica amplitudine -
frecvenţă (CAF) (vezi. fig. 8.2 a),
care exprimă dependenţa
modulului factorului de
amplificare de frecvenţa
semnalulu,

k Ff 






- caracteristica fază - frecvenţă

(CFF), care reprezintă
dependenţa defazajului
introdus de amplificator
(argumentul  ) de frecvenţa
semnalului = F(f) (vezi fig.
8.2 b):

Im k
 arctg
Re k
Parametrii de intrare ai amplificatorului sunt:
• tensiunea de intrare Uint. ,
• curentul de intrare Iint. ,
• puterea de intrare Pint. ,
• impedanţa de intrare

U
Z int.  I int. ,
int.
Parametrii de ieşire ai amplificatorului sunt:
-tensiunea de ieşire Uieş. ,
-curentul de ieşire Iieş. ,
-puterea de ieşire Pieş. ,
-impedanţa de ieşire

U ieş.
Z ieş.  .
I ieş.
Criterii de calitate: Zint. şi Pieş. - maximale, iar Zieş. -
minimală.
Altă caracteristică importantă este caracteristica
de amplitudine (de transfer), reprezentată în figura 1.3.
Pe porţiunea liniară a ei (de la Uint.min. până la Uint.max.)
amplificatorul este în regim dinamic. La tensiuni mai
înalte este regimul de saturaţie.
 Modificarea componentei spectrale a
semnalului este definită prin distorsiuni.
Distorsiunile pot fi liniare şi neliniare.
Distorsiunile liniare sunt:
- de frecvenţă, când diferite frecvenţe sunt
amplificate diferit, adică datorită dependenţei

k Ff 




de fază, când defazajul pentru diferite frecvenţe

este diferit.

Factorul distorsiunilor de frecvenţă este

k
M .
k max.
 Distorsiunile de fază şi de frecvenţă sunt liniare,
deoarece nu provoacă modificarea spectrului semnalului.
Adică nu apar componente spectrale suplimentare la
ieşirea amplificatorului. Distorsiunile liniare sunt
provocate de elementele reactive din schemă.
Distorsiunile de fază sunt inacceptabile în televizoare,
osciloscoape şi alte echipamente de acest gen.
Distorsiunile neliniare se exprimă prin
modificarea formei semnalului. În componenta
spectrală a semnalului de ieşire găsim armonici noi sau
nu găsim unele armonici ale semnalului de intrare.
Factorul distorsiunilor neliniare este:


I 2
mi

  i 2
I m1 ,

unde Im1 este amplitudinea armonicii fundamentale, iar

Imi sunt amplitudinile armonicilor superioare.
Alt parametru important este randamentul:
Pieş.
 P
s.a.

unde Ps.a. – puterea, consumată de la sursa de

alimentare.
8.2 Clasificarea amplificatoarelor
Clasificarea amplificatoarelor se face după
câteva criterii:
• În funcţie de distorsiuni neliniare deosebim
amplificatoare liniare, în care aceste distorsiuni sunt
minime şi neliniare, în care aceste distorsiuni sunt
foarte mari;
• După tipul dispozitivelor active deosebim
amplificatoare
• cu tuburi electronice,
• cu tranzistoare bipolare,
• cu tranzistoare FET,
• parametrice cu diode tunel sau diode Gunn.
• După mărimea semnalului:
• amplificatoare de tensiune,
• amplificatoare de curent,
• amplificatoare de putere.
• După natura semnalului:
• amplificatoare de semnal mic
(amplificatoare de tensiune)
• amplificatoare de semnal mare
(amplificatoare de putere).
• După numărul de etaje amplificatorul poate fi
format dintr-un etaj sau câteva, legate în lanţ (vezi fig.
1.4).
• După cuplajul între etaje şi cuplajul semnalului
de intrare şi sarcinii deosebim:
• amplificatoare cu cuplaj direct;
• amplificatoare cu cuplaj RC (rezistiv-capacitativ);
• amplificatoare cu cuplaj prin transformator.

• După clasa de funcţionare a etajului deosebim

amplificatoare de clasa A, B, C şi AB.
• Amplificatoarele liniare în funcţie de banda de
trecere se deosebesc:
- amplificatoare de joasă frecvenţă (audio) cu:
- frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi
- frecvenţa limită de sus circa 20 kHz,
- amplificatoare de înaltă frecvenţă cu:
- frecvenţa limită de jos circa 20 kHz şi
- frecvenţa limită de sus circa 30 MHz,
• amplificatoare bandă largă (amplificatoare video) cu:
frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi
frecvenţa limită de sus circa 30 MHz,
• amplificatoare de curent continuu, care au frecvenţa
limită de jos aproape de zero. Caracteristica amplitudine-
frecvenţă a amplificatorului de curent continuu este
prezentată în fig.8.5.
• amplificatoare bandă îngustă (selective). CAF a
amplificatorului selectiv este prezentată în fig.8.6.
8.3 Structura etajului amplificator
Amplificatorul poate fi format din
mai multe etaje: etaj de intrare, etaje
intermediare, etaj de ieşire.
Etajul de intrare trebuie să
aibă impedanţa de intrare mare, nivelul
de zgomot mic şi sensibilitatea înaltă.
Etajele intermediare amplifică
semnalul în tensiune până la nivelul
necesar.
Etajele de ieşire asigură puterea
de ieşire (pe sarcină) maximală şi
servesc pentru adaptarea ieşirii
amplificatorului cu sarcină. Toate
aceste etaje sunt formate pe acelaşi
principiu unic. Structura unui etaj de
amplificare este reprezentată în fig.1.6.
 Elementele princpale ale unui etaj
amplificator sunt:
- dispozitivul activ DA, care asigură
procesul de amplificare (poate fi, spre
exemplu, tranzistorul);
- sursa de alimentare de curent continuu
E, inclusă în circuitul de ieşire, care
furnizează energie pentru formarea
semnalului de ieşire şi asigură regimul
de repaos al etajului;
- rezistenţa R, pe care este format
semnalul de ieşire şi de pe care el este
cules.
 Sub acţiunea semnalului de intrare
variază rezistenţa dinamică a DA şi în
circuitul de ieşire se formează semnalul
de ieşire.
Procesul de amplificare este bazat
pe transformarea energiei sursei de
alimentare de curent continuu (c.c.) în
energie de curent alternativ (c.a.) în
circuitul de ieşire datorită modificării
rezistenţei dispozitivului activ sub
acţiunea semnalului de intrare.
 Deoarece sursa de alimentare este de c.c., în
circuitul de ieşire pe curentul continuu este suprapus
semnalul variabil. Este necesar, prin urmare, ca
amplitudinile semnalului variabil să nu depăşească
componentele de c.c. Im ≤ Ic şi Um ≤ Uc.
În caz contrar, în anumite intervale de timp curentul
de ieşire va fi nul şi semnalul de ieşire va fi distorsionat.
Prin urmare, şi în circuitul de intrare trebuie
formată o componentă de curent continuu. Componentele
de c. c. ale tensiunilor şi intensităţilor în circuitul etajului
amplificator formează regimul de repaos al etajului.
Regimul de repaos al etajului amplificator este definit ca
regimul existent în circuitul etajului în absenţa semnalului
de intrare.
 Deosebesc etaje amplificatoare dotate cu
tranzistoare bipolare în montaj emitor comun (EC), bază
comună (BC) şi colector comun (CC).
Analiza etajelor amplificatoare vom efectua-o
presupunând semnalul este sinusoidal de frecvenţe
medii de unde rezultă, că pot fi neglijate:
• reactanţele condensatoarelor,
• rezistenţa internă în c.c. a sursei de alimentare,
• capacităţile de montaj şi capacităţile
tranzistorului şi
• dependenţa parametrilor tranzistorului de
fr ecvenţă.
8.4 Etaj amplificator cu tranzistor bipolar în montaj EC
Etajul amplificator cu tranzistor bipolar în
conexiune emitor comun (în continuare etaj amplificator
EC) este cel mai larg folosit. Vom analiza schema cu
tranzistor de tip p-n-p (vezi fig.1.7). Pentru schema cu
tranzistor de tip n-p-n se schimbă numai polaritatea
sursei de alimentare şi sensurile curenţilor.
Elementele principale ale etajului sunt:
 tranzistorul VT,
 sursa de alimentare EC,
 rezistenţa RC, de pe care este cules
semnalul de ieşire.
 Restul elementelor îndeplinesc funcţii auxiliare.
Elementele auxiliare sunt:
 condensatoarele de cuplaj C1 şi C2, care exclud
influenţa sursei de semnal şi a sarcinii asupra
regimului de repaos, menţinându-l neschimbat. C1
exclude circulaţia curentului continuu prin sursa de
semnal Eg (cu rezistenţa internă Rg), iar C2 admite numai
circulaţia curentului alternativ prin sarcină.
 Rezistenţele R1 şi R2 formează divizor de tensiune,
care asigură componenta de c.c. a tensiunii UBE (UBE0) şi
determină regimul de repaos la intrarea tranzistorului.
 Rezistenţa RE serveşte pentru stabilizarea termică,
formând reacţie negativă serie în curent. De exemplu,
dacă în timpul funcţionării tranzistorul s-a încălzit, va
creşte curentul colectorului şi creşte curentul emitorului.
Prin urmare, creşte căderea de tensiune pe RE şi
tensiunea se micşorează UBE, adică scad curenţii IB si
IC , iar tranzistorul este întors la regimul iniţial.
 Condensatorul CE şuntează reacţia negativă adică RE
în curent alternativ evitând micşorarea factorului de
amplificare.
Principiul de funcţionare a etajului: pe
componentele de c.c. ale tensiunilor şi curenţilor în
circuitul de intrare este suprapus semnalul variabil ,
care condiţionează apariţia componentei variabile a
curentului colectorului. Ultima formează componentă de
c.a. a căderii de tensiune pe rezistenţa RC. Semnalul
variabil este cules prin condensatorul de cuplaj C2 spre
sarcina RS. Semnalul de ieşire are amplitudine mai mare
ca cel de intrare deoarece impedanţa de ieşire a
tranzistorului este mai mare ca impedanţa de intrare.
Etajul EC este caracterizat de impedanţă de intrare mică,
impedanţă de ieşire mare şi defazaj între semnalul de
ieşire şi cel de intrare de 180o . Etajul EC este etaj
inversor.
8.6 Analiza etajului EC în curent continuu
(Relaţiile principale pentru alegerea regimului de repaos)
Analiza etajului în curent continuu este
efectuată prin metoda grafo-analitică, adică sunt
efectuate construcţii grafice în baza caracteristicilor
statice ale tranzistorului însoţite de expresii analitice.
În sistemul de coordonate al caracteristicilor de
ieşire (vezi fig. 8.8.) este trasată dreapta de sarcină în
curent continuu.
 Dreapta de sarcină în curent continuu este
locul geometric al punctelor, coordonatele cărora
corespund valorilor posibile ale curentului
colectorului IC şi tensiunii UCE.
Din schema etajului observăm, că bilanţul
tensiunilor în circuitul de ieşire este:
 Deoarece IC=αIE, iar α ≈1, putem admite că IC≈IE.
Prin urmare, expresia (8.14) poate fi simplificată până la:
 Formula (8.15) este ecuaţia dreptei de sarcină.
Trasăm dreapta de sarcină în c.c. prin două puncte de
intersecţie cu axele.
• La intersecţia cu axa tensiunilor:
• iar la intersecţia cu axa curenţilor:
La interse cţia dreptei de sarcină cu caracteristica de
ieşire corespunzătoare curentului bazei de repaos IB0
este găsit punctul de repaos P. De alegerea corectă a
punctului de repaos depinde funcţionarea etajului fără
distorsiuni.
 În c.a. RE este şuntată, sursa de curent continuu
EC (cu rezistenţa internă mică). Reactanţa
condensatorului C2 este foarte mică şi în curent
alternativ în paralel cu RC este conectată sarcina RS.
Prin urmare, în expresia (1.15) RE dispare, iar
rezistenţa RC este mai mică. Deci dreapta de sarcină în
c.a., care se mai numeşte caracteristica dinamică de
ieşire, trece prin punctul de repaos P şi are panta
mai mare ca dreapta de sarcină în c.c. (vezi dreapta
AB în fig.1.1.). Caracteristica dinamică de ieşire
reprezintă dependenţa între componentele de c.a. ale
tensiunii şi curentului de ieşire.
 Din fig.8.8 observăm: dacă la intrarea
amplificatorului, este aplicat un semnal variabil,
alternanţa sa pozitivă provoacă creşterea tensiunii UBE,
curentului IB, curentului IC şi, conform dreptei de
sarcină, micşorarea tensiunii UCE.
Prin condensatorul de cuplaj C2 este culeasă
componenta alternati vă a tensiunii de pe colector, care
va avea aceeaşi formă cu semnalul de intrare şi un
defazaj de 180o faţa de semnalul de intrare. Etajul EC
este inversor, adică introduce defazaj de 180o. De aceea
factorul de amplificare a tensiunii pentru el este
considerat negativ.
8.7 Clasele de funcţionare a etajelor amplificatoare

În funcţie de poziţia punctului de repaos şi

amplitudinea semnalului variabil deosebesc 3 clase de
funcţionare a etajelor amplificatoare: A, B, C şi clasa
intermediară AB. Clasele se deosebesc prin valoarea
maximală posibilă a randamentului şi distorsiunile
neliniare.
CLASA A Punctul de repaos se află în mijlocul
porţiunii liniare a caracteristicii de transfer a
tranzistorului (vezi fig.8.8), iar amplitudinea semnalului
variabil este limitată în domeniul, care nu scoate punctul
funcţionare a tranzistorului din limitele porţiunii liniare a
caracteristicii de transfer.
Clasa A este caracterizată prin distorsiunile
neliniare minime şi randament până la 50 %.
Randamentul etajului amplificator este
 CLASA B Punctul de repaos este situat în
originea coordonatelor caracteristicii de transfer
(fig.8.9). Prin urmare, curentul bazei de repaos este nul.
Pe sarcină apare curent şi tensiune numai de o
alternanţă (pozitivă), în timpul căreia tranzistorul este în
conducţie (regim activ direct). Cealaltă alternanţă
(negativă) este tăiată, deoarece tranzistorul este blocat.
Distorsiunile liniare sunt foarte mari, însă
randamentul poate căpăta valori mai mari în comparaţie
cu clasa A.
• Puterea de ieşire este:
• Puterea, consumată de la sursa de alimentare
este:
Curentul mediu consumat de la sursa de alimentare va
circula numai în timpul alternanţei pozitive:
Deoarece UCm poate fi nu mai mare ca UC0, randamentul
va fi:

Clasa B este folosită în amplificatoarele în

contratimp, adică atunci când tranzistoarele,
funcţionând pe rând, amplifică câte o alternanţă a
semnalului de intrare.
 CLASA C Aici punctul de repaos este situat în
zona corespunzătoare a regimului de tăiere (vezi
fig.8.10) şi, prin urmare, va fi amplificată numai o
porţiune de alternanţă a semnalului de intrare.
Distorsiunile neliniare sunt foarte mari, iar randamentul
poate atinge valoarea η≤15%.
Clasa C este folosită în cazul, când avem nevoie la
ieşire de o singură armonică, adică în amplificatoare
selective şi oscilatoare (generatoare de semnal
sinusoidal).
8.8 Analiza etajului amplificator EC pentru semnal
variabil

Dacă analiza etajului în c.c. ne permite să

dimensionăm elementele schemei, atunci analiza în c.a.
ne dă posibilitate să găsim parametrii de amplificare,
adică:
• factorii de amplificare în curent, tensiune şi putere,
• impedanţele de intrare şi ieşire.
Pentru analiza în curent alternativ ne vom limita
numai la banda de frecvenţe medii, în care parametrii
tranzistorului nu depind de frecvenţă
 Vom folosi schema echivalentă a tranzistorului în
montaj EC cu parametri naturali (vezi fig.8.18) şi vom
presupune:
* rezistenţa internă a sursei de alimentare în c.a.
nulă,
* reactanţele condensatoarelor nule şi, prin urmare,
* rezistenţa RE fiind şuntată dispare din schemă.
* rezistenţele R1 şi R2 pentru c.a. vor fi conectate în
paralel.
* în paralel cu RC va fi conectată sarcina RS.
Schema echivalentă a etajului EC la frecvenţe medii este
prezentată în figura 8.11.
 1. Pentru a găsi impedanţa de intrare a etajului
Zint. este necesar să găsim rezistenţa la intrarea
tranzistorului. Cu acest scop exprimăm tensiunea uBE
prin curentul bazei iB. Influenţa elementelor rC, βiB, RC şi
RS poate fi neglijată, deoarece rC este foarte mare şi
rezistenţa internă a sursei de curent este foarte mare.
Deoarece β ib are rezistenţa foarte mare, iar

expresia (1.23) poate fi scrisă în modul următor:

Prin urmare, rezistenţa de intrare a tranzistorului este:

2. Găsim factorul de amplificare a curentului:

Cu acest scop vom exprima curentul de intrare şi

curentul de ieşire (curentul sarcinii) prin curentul bazei:
Deoarece rE este foarte mică în comparaţie cu rC şi RC, ea
poate fi neglijată în circuitul de ieşire şi, prin urmare,
putem scrie:

Introducând (8.30) şi (8.32) în (8.21.) vom obţine:

În cazul dimensionării optimale a schemei etajului
amplificator EC, factorul de amplificare a curentului
poate atinge valoarea maximală egală cu β (h21EC).
3. Factorul de amplificare a tensiunii:
Exprimăm tensiunea pe sarcină uS prin curentul sarcinii
iS

Analizând circuitul de intrare putem scrie că:

Prin urmare,

Observăm că, factorul de amplificare a tensiunii va

fi cu atât mai mare cu cât mai mare este β (vezi expresia
(8.33)) şi va fi cu atât mai mare cu cât va fi mai mare
raportul rezistenţei sarcinii către rezistenţa circuitului de
intrare.
Deoarece etajul EC este inversor factorul său de
amplificare a tensiunii este considerat având valoare
negativă.
4. Factorul de amplificare puterii:

5. Impedanţa de ieşire Zieş. este calculată, fiind

raportată la bornele colector-emitor:

Deoarece rC este foarte mare (rC»RC), valoarea

impedanţei de ieşire este determinată de RC.
 8.9 Repetitor pe emitor (Etaj CC)

Repetitoare sunt numite amplificatoarele, care au

factorul de amplificare unitar şi polaritatea sau faza
tensiunii de ieşire coincide cu cea a tensiunii de intrare.
Schema etajului este reprezentată în fig. 8.13.
Pentru semnal variabil colectorul (prin sursa de
alimentare) este comun pentru circuitul de intrare şi
circuitul de ieşire .
 Elementele principale sunt:
* tranzistorul VT,
* sursa de alimentare EC şi
* rezistenţa RE, pe care este format şi de pe care
este cules semnalul de ieşire.
Elementele auxiliare:
• condensatoarele C1 şi C2 au aceeaşi destinaţie ca
şi în cazul EC,
• rezistenţa RB polarizează baza.
Tensiunea aplicată nemijlocit la intrarea tranzistorului
este:

Prin urmare, avem în circuitul repetitorului reacţie

negativă (serie în tensiune) totală (γ=1). Şi factorul de
amplificare a tensiunii în repetitor este:
unde kUEC este factorul de amplificare a tensiunii în
conexiune EC.
Deoarece KUEC »1, KUR va fi practic aproape 1:
 Etajul CC nu roteşte faza semnalului. Dacă este
aplicată alternanţa pozitivă a semnalului de intrare,
curentul bazei creşte, creşte curentul emitorului,
căderea de tensiune pe RE creşte, fapt echivalent cu
apariţia alternanţei pozitive la ieşire.
Deoarece semnalul de ieşire reproduce (repetă)
valoarea tensiunii şi faza semnalului de intrare şi
este cules de pe emitor, etajul este numit repetitor
pe emitor.
 Etajul este folosit ca etaj de ieşire, deoarece
are impedanţa de ieşire foarte mică.
Proprietăţile importante ale repetitorului pe emitor
sunt:
• impedanţă de intrare mare;
• amplificare în curent mare (kiCC ≈ kiEC);
• amplificare în tensiune aproximativ unitară şi
schimbare de semn;
• impedanţă de ieşire – foarte mică;
• amplificare în putere – mare.
 Datorită impedanţei de intrare foarte mare şi
impedanţei de ieşire foarte mici repetitorul pe emitor este
folosit frecvent ca etaj de adaptare (de ieşire) între
amplificatoare cu impedanţe de ieşire mari şi sarcini
(impedanţe de sarcini) mici.
 Atunci când avem nevoie de două semnale de
aceeaşi formă dar în antifază este folosit
amplificatorul cu sarcină divizată, schema cărui este
reprezentată în fig. 8.14.
Tensiunile U1 şi U2 vor avea aceeaşi formă
însă U1 este cules de pe emitor şi coincide în fază
cu semnalul de intrare, iar U2 este cules de pe
colector şi este în antifază cu semnalul de intrare.
 8 REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE
8.1 Noţiuni generale
Reacţia este modificarea circuitului electric al
amplificatorului în aşa mod, încât împreună cu semnalul
de intrare se aplică un semnal (semnalul de reacţie)
proporţional cu una din mărimile de ieşire (tensiune,
curent sau putere) (fig.9.1).
 Reacţia poate fi parazitară sau
poate fi introdusă intenţionat.
Reacţia poate globală sau locală,
pozitivă sau negativă.
Atunci, când semnalul de reacţie
este în antifază cu semnalul de intrare
reacţia este negativă şi factorul de
amplificare se va micşora:

unde K este factorul de amplificare iniţial (fără reacţie),

‫ א‬este factorul de transfer al circuitului de reacţie
 Atunci, când semnalul de reacţie
coincide în fază cu semnalul de intrare,
reacţia este pozitivă şi factorul de
amplificare se va mări conform
expresiei:
Reacţia negativă prezintă
următoarele avantaje:
• este redus nivelul
zgomotului, distorsiunilor de
toate tipurile şi a tensiunilor
perturbatoare, provenite din
amplificator;
• reacţia negativă, ca şi cea
pozitivă, permite modificarea
impedanţelor de intrare şi ieşire
ale amplificatorului în sensul
dorit;
• este îmbunătăţită
stabilitatea funcţionării
amplificatorului;
• este lărgită banda de
trecere (vezi fig. 8.2).
 Dacă se ţine seama atât de modul în care se culege
semnalul de reacţie de la ieşire, cât şi de modul în care el
este aplicat la intrare, în funcţie de conexiunea buclei
de reacţie la circuitul amplificatorului deosebesc
următoarele tipuri generale de reacţie, schemele-bloc ale
cărora sunt reprezentate în fig.9.3,:
• serie-serie (fig. 8.3, a),
• serie-paralel (fig. 8.3, b),
• paralel-serie (fig.8.3, c),
• paralel-paralel (fig. 8.3, d).
 În cazul reacţiei serie-serie semnalul de reacţie
este proporţional curentului de ieşire (din această cauză
mai este numită reacţie în curent), iar la intrare are loc
compararea (sumarea) tensiunilor semnalelor de intrare
şi de reacţie (adică este reacţie serie în curent).Este clar,
că şi impedanţa de intrare, şi impedanţa de ieşire după
introducerea reacţiei serie-serie se vor mări.

Un exemplu de
amplificator cu reacţie
negativă serie-serie este
etajul EC, care are în
circuitul emitorului o
rezistenţă (RE) nedecuplată
(neşuntată) de
condensator (vezi fig.8.4).
Adeseori, în aceste cazuri, în amplificatoarele cu etaje,
pentru compensarea efectului de micşorare a factorului
de amplificare de reacţia negativă, este realizată reacţia
pozitivă serie-serie (vezi fig.8.5). Tensiunea de reacţie
aplicată pe emitorul etajului de intrare este în opoziţie de
fază cu tensiunea semnalului de intrare. Aceasta
provoacă creşterea tensiunii UBE şi, în consecinţă, creşte
factorul de amplificare.
 În cazul reacţiei serie-paralel mărimile ce se
compară la intrare sunt tensiuni, iar mărimea cu care
este proporţională tensiunea de reacţie este tensiunea
de ieşire (adică este reacţie serie în tensiune). Este
clar, că după introducerea reacţiei serie-paralel
impedanţa de intrare se va mări, iar impedanţa de ieşire
se va micşora.
 Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă
serie-paralel este reprezentat în figura 2.6. Semnalul de
reacţie este cules de pe colectorul tranzistorului VT2 în
etajul de ieşire şi este aplicat pe emitorul tranzistorului
VT1 în etajul de intrare. Adică tensiunea de reacţie va fi
proporţională tensiunii de ieşire, şi la intrare ea este
aplicată în serie cu tensiunea de intrare. În banda de
frecvenţe
este medii defazajul global, introdus de amplificator,
 a 2π
deoarece fiecare etaj roteşte faza cu π. Prin urmare:

adică reacţia este

negativă.
Condensatorul CR separă emitorul VT1 de colectorul VT2
în curent continuu. Capacitatea CR trebuie să fie mare, ca
în banda de trecere impedanţa buclei de reacţie să
depindă slab de frecvenţă.
 În cazul reacţiei paralel-serie mărimile, ce se
compară la intrare – sunt curenţii, iar curentul de reacţie
este proporţional cu curentul de ieşire (adică este reacţie
paralelă în curent). Este clar, că după introducerea
reacţiei paralel-serie impedanţa de intrare se va micşora,
iar impedanţa de ieşire se va mări. Un exemplu de
amplificator cu reacţie negativă paralel-serie este dat în
fig.8.7. Şi în acest caz trebuie considerate două etaje de
amplificare, deoarece numai astfel curentul de ieşire
din al doilea etaj este în opoziţie de fază cu curentul de
intrare în primul etaj.
Dacă reacţia este paralel-paralel, mărimile, care se
compară la intrare, sunt curenţi, iar mărimea de ieşire,
cu care este proporţional curentul de reacţie, este
tensiunea de ieşire (adică este reacţie paralelă în
tensiune). Este clar, că după introducerea reacţiei
paralel-paralel, şi impedanţa de intrare, şi impedanţa de
ieşire se vor micşora. În figura 8.8 este reprezentată
schema unui amplificator cu reacţie negativă paralel-
paralel.
8.2 Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă

Pentru lărgirea benzii de trecere şi liniarizarea

caracteristicii amplitudine-frecvenţă este efectuată
corecţia caracteristicilor de frecvenţă. Ea este realizată
prin utilizarea în schemă a unor elemente suplimentare
cu caracteristici dependente de frecvenţă sau cu ajutorul
reacţiei. Liniarizarea în extremele benzii de trecere este
efectuată cu elemente diferite în schemă. Adică problema
corecţiei caracteristicii amplitudine-frecvenţă este
divizată în secvenţe (după frecvenţă) şi soluţionată
separat.
Corecţia poate fi realizată folosindu-se în bucla de
reacţie circuite parametrii cărora depind de frecvenţă,
adică circuite cu elemente reactive. Sunt folosite filtrele
trece-jos, trece-sus şi filtrele de bandă. Pentru a avea
posibilitatea să modificăm faza semnalului de reacţie în
intervalul de la 0 până la π sunt unite în lanţ celule
elementare, care reprezintă filtrele simple de formă “L”.
Mai frecvent elementele se aleg cu valori identice:
C1=C2=C3=C şi R1=R2=R3=R. În acest caz banda de
trecere este limitată de frecvenţa fl, calculată în cazul
filtrului trece-sus conform expresiei:
 b

Ji f
a
Fig.8.9.Filtrn RC trece -sus
a - schema;
c
b - CAF·
'

f
 iar în cazul filtrului trece-sus conform expresiei:

Pentru a evita efectul de şuntare a celulei precedente de

cea următoare trebuie majorată impedanţa de intrare a
celulei următoare. Cu acest scop sunt formate reţelele
progresive, în care: R2=mR1, R3=mR2, C2=C1/m,
C3=C2/m, iar m>1. În acest caz frecvenţa limită fl şi
factorul de transfer la frecvenţa limită, sunt calculate în
cazul filtrului trece-sus conform expresiilor:
iar in cazul filtrului trece-jos conform expresiilor:

1
xl =
12 7 1
'
8 + -+ -+ -
m m2 m 3

Ix I

lxmax
Fi I ------ b

a
Fig.8.10. Filtru RC trece-jos
a - schema; c
b - CAF·
' -1[

3 n: .............................. ................................................. ...

2
 În calitate de filtre de bandă mai frecvent sunt
folosite:
• filtru trece-bandă – reţeaua Wien (vezi fig.8.11)
 sau filtru de rejectie- reteaua dublu T (vezi fig.8.12

Ix
b

a fo f
Fig.8.12. Retea dublu "T')')
a - schema;
1l
b - CAF; 2
 Frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de
transfer capătă valoarea maximală) f0 şi factorul de
transfer la această frecvenţă 0, sunt calculate în cazul
reţelei Wien conform expresiilor:
Pentru a obţine un factor de transfer aproape de zero la
frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de transfer
capătă valoarea minimală) în cazul filtrului dublu T
elementele sunt alese: R1=R2=2R3=R; C1=C2=C3/2=C.
Atunci frecvenţa de cvazirezonanţă f0 este:
 Corecţia la joase frecvenţe se face, de regulă,
folosind filtrul RF CF în circuitul sursei de alimentare
(vezi fig.8.13). Corecţia de joasă frecvenţă este bazată pe
faptul că odată cu micşorarea frecvenţei impedanţa
circuitului colectorului etajului EC creşte, iar, prin
urmare, creşte şi factorul de amplificare şi în aşa mod
este compensată scăderea factorului de amplificare,
cauzată de distorsiunile de frecvenţă (provocate de
condensatoarele de cuplaj şi din circuitul emitorului).
În figura 2.13 în circuitul colectorului suplimentar
rezistorului RC este inclus rezistorul RF, şuntat de
condensatorul CF. La frecvenţe medii şi înalte impedanţa
XCF decuplează rezistenţa RF şi ZC=RC. La frecvenţe
joase XCF creşte considerabil şi impedanţa circuitului
colectorului de asemenea creşte, ceea ce majorează
factorul de amplificare în tensiune. În aşa mod frecvenţa
limită de jos se micşorează de la fj la f’j (vezi fig.2.13.b).
Valoarea necesară a capacităţii CF este foarte mare, de
aceea sunt utilizate condensatoare electrolitice.
Concomitent filtrul folosit în circuitul din fig.2.13.a joacă
rol de protecţie contra perturbaţiilor, ce pătrund prin
sursa de alimentare.
Corecţia caracteristicii
amplitudine-frecvenţă la înalte
frecvenţe este realizată prin
corecţia paralelă sau prin
reacţie în curent. În cazul
corecţiei paralele în circuitul
colectorului sunt folosite
elemente, care majorează
impedanţa în circuitul
colectorului la frecvenţe înalte.
Corecţia paralelă la frecvenţe
înalte se face punându-se o
inductanţă în circuitul
colectorului (vezi fig.8.14).
Circuitul echivalent al etajului în banda de frecvenţe
înalte poate fi reprezentată ca în fig.2.15. Conform acestei
scheme inductanţa L, capacitatea C (capacitatea C
reprezintă capacitatea de montaj) şi rezistenţa RC
formează un circuit oscilant derivaţie. La frecvenţa de
rezonanţă impedanţa circuitului oscilant va fi mai mare
ca RC şi, prin urmare, creşte impedanţa sarcinii:
ZC=RC+XL şi, în aşa mod, creşte factorul de amplificare.
Dacă vom alege frecvenţa de rezonanţă în banda de
frecvenţe înalte, va creşte şi frecvenţa limită de sus de la
fS la f’S. În caz de alegere optimală fS poate fi majorată
de 1,7 ori.
Pentru calcule de dimensionare a inductanţei de corecţie
este folosită expresia:

unde fS este valoarea dorită a frecvenţei limita de sus.

 Mai frecvent, în amplificatoarele
cu tranzistoare bipolare este folosită
corecţia la frecvenţe înalte prin reacţie
negativă în curent (vezi fig.8.16). Pentru
formarea reacţiei, în circuitul emitorului
este inclus suplimentar, rezistorul R0
(R0<<RE), şuntat de condensatorul C0.
Capacitatea C0 este aleasă în aşa mod,
ca la frecvenţe medii R0, să nu fie
decupat, adică
Prin urmare, la frecvenţe medii şi joase
reacţia negativă (R0) va micşora factorul
de amplificare şi caracteristica
amplitudine-frecvenţă îşi va extinde
domeniul de uniformitate spre
frecvenţele înalte.