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Sensores Resistivos
2013 Versão 1 – Com base nas notas de aula de COB783 e Op Amp Applications
Handbook, Section 4, edited by Walt Jung (Newnes, 2006).
Versção 1.1 – Ordem dos capítulos, equações mais comuns para linearização de
termistor.
Neste texto nos ateremos aos potenciômetros lineares conectados a um circuito cuja
impedância de entrada é RL. Para estes casos a análise do circuito nos mostra que
⋅R p⋅x⋅R p
⋅R p x⋅R p
v out =v in⋅
⋅R p⋅x⋅R p
1−x ⋅R p
⋅R p x⋅R p
⋅x⋅R2p
v out =v in⋅
⋅x⋅R2p⋅1−x ⋅R2p x⋅1−x ⋅R2p
⋅x
v out =v in⋅
x⋅1− x
v out
=x (caso obtido com R L =∞ )
v in
Se o erro relativo entre a função de transferência real e a ideal for definido como
erro=
v out
v in real
−
v out
v in ideal
v out
v in ideal
então
⋅x
−x
x⋅1− x
erro=
x
−x⋅1−x
erro=
x⋅1− x
∂ erro ⋅2⋅x−1
= =0
∂x [ x⋅1− x]2
logo
⋅2⋅x−1=0
x=0,5
Então o maior erro, em relação ao valor ideal, ocorre quando o cursor está no meio do curso,
sendo que tal erro é igual a
−x⋅1−x
erro máx =erro x=0,5 =
x⋅1−x
−0,25
erro máx =
0,25
−1
erromáx =
1
0,25
−1
erro máx =
14⋅
−1
erromáx = =20 %
14
Na figura abaixo são apresentadas as curvas de erro absoluto e relativo com relação a
posição x além dos valores de v(out) para o caso ideal e real onde a vin=1V, RL=10kΩ e RP=10kΩ.
Vantagens Fácil de usar, baixo custo, não eletrônico, alta amplitude do sinal
7.2 Termistores
São resistores sensíveis à temperatura, que apresentam resistência variando com coeficiente
negativo com temperatura (NTC – os mais comuns para medidas de temperatura) ou positivo (PTC,
10 6
PTC
Termistor
10 5
10 4
Termômetro
10 3 de resistência
de silicio
RTD
10 2 Platina
NTC
Termistor
10 1
-100 0 100 200 oC
R(T )=R0⋅e
(
β⋅
1 1
–
T T0 )
ln [ R T ]= − ln [ R0 ]
T T0
Na forma direta, a curva típica de um termistor é mostrada na figura abaixo, onde os valores
2000 K até 5000 K correspondem aos valores de β.
dR(T ) /dT −B
α= = 2
R(T ) T
R(T )=R ⋅e
( B C
A+ + 3
T T ) e R(T )=R ⋅e(
B C D
A+ + 2 + 3
T T T )
0 0
Se a exatidão não for importante este sensor pode ser linearizado com associação de
resistores. Isto pode ser conseguido, para uma faixa limitada de temperatura, colocando-se um
resistor fixo em paralelo com o termistor. Embora isto acarrete uma redução na sensibilidade do
dispositivo, a sensibilidade original do termistor é relativamente alta, o que ainda garante um
resultado final satisfatório. Neste caso os erros obtidos estão na faixa dos 2,5%.
A associação paralela entre o termistor R(T) e um resistor de valor fixo RP é dada por
R P⋅RT
R= , onde R P é o resistor de compensação e RT é o termistor.
R P RT
d2R
dT 2 ∣
T =T C
=0
β−2⋅T C
Rp= RTC⋅
β+ 2⋅T C
Uma linearização também comum, e que envolve uma faixa de operação pode ser obtida
para qualquer função não linear fazendo com que variações iguais de temperatura correspondam a
variações iguais na resistência equivalente. Assim para temperaturas extremas T1 (mais alta) e T3 (a
mais baixa) podemos escrever
A figura abaixo mostra um gráfico de R(T) linearizada por diferentes resistências RP.
Uma outra importante especificação é a constante de tempo térmica, definida como o tempo
necessário para o termistor atingir 63,2% da diferença entre as temperaturas inicial e final do seu
Termistores podem apresentar uma razoável estabilidade com o tempo apenas em casos de
pré envelhecimento. Nestes casos é possível obter variações equivalentes a 0,01ºC para uma faixa
de 70ºC. Uma estabilidade intermediaria pode ser obtida cobrindo o elemento sensor com vidro mas
a contante térmica ficará pior. Além disto termistores raramente são intercambiáveis, ou seja, se um
precisar ser substituído então o circuito precisará reajustado.
Parâmetro
Faixa de temperatura -100ºC até 450ºC
Resistência em 25ºC 0,5Ω até 100 MΩ (1kΩ até 10MΩ)
β 2000K até 5500K
Máxima Temperatura 300ºC contínuo ou 600ºC intermitente
Constante de Dissipação 1mW/ºC (ar) ou 8mW/ºC (óleo)
Contante de Tempo Térmica 1ms até 22s
Máxima Potência Dissipada 1mW até 1W
Os materiais resistivos exibem uma variação da resistência com a temperatura porém nem
todos possuem características estáveis. Os materiais mais utilizados para este tipo de sensor são a
platina, o níquel e o cobre cuja equação característica e seus coeficientes são apresentados a seguir.
2 3
RT =Ro⋅1⋅T −T 0 ⋅T −T 0 ⋅T −T 0 ...
R/R 0
Niquel
Cobre
6
5
Platina
3 Tungstênio
1
0 200 400 600 800 1000 oC
Um strain gauge é um elemento resistivo que produz uma mudança na sua resistência
elétrica em função de uma deformação mecânica (strain). São dispositivos que apresentam
pequenas variações de sinal e que são normalmente utilizados com uma ponte de Wheatstone. Dois
tipos são disponibilizados, os limitados e os não limitados. Os primeiros são dispositivos montados
em estruturas mecânicas que limitam deformação acima de um determinado valor (estes estão
comercialmente disponíveis). Já os não limitados são aqueles onde a deformação pode ser qualquer,
inclusive assumindo valores que podem causar a destruição dos mesmos (normalmente formados
apenas pelo elemento sensor). Os tipos não limitados são, normalmente, mais lineares que os
limitados. Na figura abaixo, todos os sensores são do tipo limitado.
∂ R ∂ ρ⋅L
=
∂R ∂R A
L ρ ρ⋅L
∂ R= ⋅∂ ρ+ ⋅∂ L− 2 ⋅∂ A
A A A
ρ⋅L
Dividindo-se por
A
ρ ρ⋅L
∂R
R
L
(
= ⋅∂ρ+ ⋅∂ L− 2 ⋅∂ A ⋅
A A A
A
ρ⋅L )
∂ R ∂ρ ∂ L ∂ A
= ρ + −
R L A
Δ R Δρ Δ L Δ A
= ρ + −
R L A
A ⋅d d 2 −d 2
=
A ⋅d 2
Δ A d 2 +2⋅d⋅Δd + Δ d 2−d 2
= 2
A d
Δ A 2⋅d⋅Δ d
=
A d
2
Δ A 2⋅Δ d
=
A d
Por outro lado a variação relativa de diâmetro está relacionada com a variação relativa de
comprimento através de chamada razão de Poisson ( ν ). Usualmente 0< ν< 0,5 sendo que para o
volume se manter constante é necessário que ν=0,5 (caso da borracha e de fluidos
incompressíveis). A maioria dos materiais se deforma quando sobre ação de uma força modificando
o seu volume inicial. Para o ferro fundido a razão de Poisson vale 0,17, para o aço vale 0,303 e para
o alumínio e o cobre vale 0,33. Então
Δd ΔL
=−ν⋅ .
d L
Δ R Δρ Δ L Δ A
= ρ + −
R L A
Δ R Δρ Δ L 2⋅Δ d
= ρ + −
R L d
Δ R Δρ Δ L 2⋅ν⋅Δ L
= ρ + −
R L L
ΔR ΔL Δρ
= ⋅(1+ 2⋅ν)+ ρ
R L
ΔR ΔL ΔV
= ⋅(1+ 2⋅ν)+C⋅ .
R L V
Como
Δ V Δ L 2⋅Δ d Δ L
= + = ⋅(1−2⋅ν )
V L d L
podemos escrever
ΔR ΔL
= ⋅[1+2⋅ν+C⋅(1+2⋅ν)]
R L
ΔR ΔL
= ⋅me , e
R L
R/ R
me= .
L/ L
As deformações as quais os strain gauges são submetidos devem ser elásticas, para não danificar o
sensor. Nesta situação a tensão mecânica sobre os materiais produz uma deformação deste material que é
proporcional a força aplicada e ao chamado módulo de Young. Esta é a lei de Hook aplicada aos materiais.
F ΔL
σ= =E⋅ε= E⋅
A L
Assim, os strain gauges costumam ser especificados em termos da sua deformação máxima ( ε ) que
é um admensional. Normalmente os valores desta deformação são da ordem de μ ε (microsstrains) que
corresponde a 10-6 m/m de deformação. Vários materiais podem ser usados para a confecção de strain gauge,
resultando em diferentes fatores de gauge e faixa de operação. Materiais isotrópicos, por exemplo,
apresentam me≈2 , materiais isoelásticos me≈3,2 , e a platina me≈6 . A .tabela seguinte mostra a
sensibilidade para strain gauges de diferentes materiais
A tabela acima mostra que as variações de resistência Δ R/ R são bastante pequenas. Normalmente
obtém-se somente alguns poucos milivolts na saída de um transdutor strain gauge. Variações maiores podem
ser obtidas com elementos como silício, que é um caso mais de piezo resistividade do que de variação de
dimensão. Nestes casos a mudança de resistividade com a tensão mecânica é maior do que a mudança de
dimensão como ocorre nos fios metálicos. Nos semicondutores a tensão afeta principalmente o número e a
mobilidade dos portadores e os efeitos piezo resistivos dependerão do tipo de material semicondutor, dos
seus portadores, e da orientação cristalográfica com relação ao força aplicada.
Para barras de silício tipo P com o eixo dominante na direção (1,1,1) teríamos, por exemplo, me(1,1,1)
da ordem de 100 a 175, sendo tal valor dependente de dopagem. Uma vez que um strain gauge de fio possui,
me entre 2 e 6, pode-se dizer que um strain gauge de silício é muito mais sensível que este.
É possível observar, entretanto, que a platina possui um fator de gauge relativamente grande e, por
suas características químicas, pode ser usada em ambientes corrosivos. Entretanto, a platina também é usada
como termômetro o que introduz erros por vezes inaceitáveis. Assim como a platina strain gauges
semicondutores são muito sensíveis a temperatura, na verdade, muito mais do que os strain gauges de metal.
Muitos outros transdutores resistivos estão disponíveis no comércio. Dentre os mais comuns
estão os magnetorresistivos, resistores dependentes da luz (LDR), resistores sensíveis a umidade e
gases.