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6,1721,=$'26

1. Preamplificador 50 MHz
2. Cascodo con FET y bipolar
3. Amplificador simétrico con MOSFET
4. Conexión en serie de etapas de amplificación
5 y 6. Control de ganancia con transistores complementarios
7. Control de ganancia con atenuador de entrada
8. Control de ganancia y alta impedancia de entrada
9 y 10. Control de ganancia con CA 3054 y MC 1496
11. Amplificador 300… 2 500 MHz con RF 2304
12. Preamplificador de microondas con CGY 59
13. Amplificador de microondas con CGY 31
14. Amplificador de microondas con CGY 40
15 y 16. Amplificación y conversión para 400 MHz a 3 GHz
17. Amplificador de microondas con control de ganancia, CGY 120
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3UHDPSOLILFDGRU 0+]

El filtro de paso de banda de entrada se completa, en la salida, con un filtro con

circuitos acoplados. Se puede así obtener una banda pasante de varios megahertz.
Si es necesario, se deberá adaptar la salida con la impedancia de entrada del cir-
cuito de conversión. [B. Geiersbach, Funkamateur, Berlín, núm. 12/94, p. 1122.]

&DVFRGRFRQ)(7\ELSRODU

Elevada impedancia de entrada (T1 FET), también elevada impedancia de salida,

ya que T2 trabaja en base común. La baja resistencia de entrada de T2 hace que la
capacidad drenador-graduador de T1 no intervenga como capacidad de realimen-
tación. Cerca del umbral de base de T2, la tensión de drenador de T1 está fijada por
el divisor formado por R 3 y R 4. Utilizable hasta 100 MHz. [Le Haut-Parleur, Pa-
rís, núm. 1808, p. 98 a 104.]
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$PSOLILFDGRUVLPpWULFRFRQ026)(7

La disposición simétrica permite una amplitud de entrada relativemente elevada

con poca distorsión o intermodulación. Actuando sobre los graduadores 2 puede
conseguirse un control de ganancia. [L’Électronique par le Schéma, Dunod, Pa-
rís, 1994, vol. 3, p. 127.]

&RQH[LyQHQVHULHGHHWDSDVGHDPSOLILFDFLyQ
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Permite un ahorro de intensidad de alimentación. El transistor de salida está po-

larizado por un divisor. Funcionando según el principio de reparto de intensidad,
el control automático de ganancia (T2) permite reducir la ganancia en 30 dB, co-
mo mínimo. [H. Lythall, http://hem2.passagen.se/sm0vpo/blocks/ifamps-1.htm.]
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\&RQWUROGHJDQDQFLDFRQWUDQVLVWRUHVFRPSOHPHQWDULRV

Respuesta en decibel bastante lineal en, al menos, 80 dB (ver escala a la derecha).

Insertando (esquema de la derecha) una serie de diodos entre los dos emisores, se
aumenta la amplitud admisible en la entrada en detrimento de la ganancia. La
fuente de – 5 V, optativa, puede mejorar el comportamiento en las altas frecuen-
cias.

&RQWUROGHJDQDQFLDFRQDWHQXDGRUGHHQWUDGD

Variante del anterior, con entrada de alta impedancia. R 1 y R 2 forman un divisor

de tensión, que permite una adaptación a una elevada amplitud de entrada, con
compensación parcial de los defectos de linealidad entre T1 y T3. Para una banda
de paso de 1 kHz, en el nivel de la demodulation, el ruido llevado a los terminales
de R 2 es inferior a 0,5 µV.
 $03/,),&$'25(6 6,1721,=$'26 
&RQWUROGHJDQDQFLD\DOWDLPSHGDQFLDGHHQWUDGD

El reparto de intensidad modifica la ganancia en un margen de 80 dB para una va-

riación de unos 0,5 V del potencial en la patilla 4. Ganancia máxima 0,8RL/RS ,
para RS > 1 kΩ. [Documentación Harris Semiconductor.]

\&RQWUROGHJDQDQFLDFRQ&$\0&
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El amplificador diferencial actúa por reparto de intensidad. Para RE > 1 kΩ, la ga-
nancia es RL/RE . Mediante Cn (fracción de picofarad), se puede compensar, si es
preciso, lo que puede llegar, por diversas capacidades, de la patilla 3 a la
patilla 14. [Documentación Harris Semiconductor.]
 $03/,),&$'25(6

El multiplicador permite una carga simétrica y, por tanto, una mayor amplitud de
salida. En ausencia de corriente directa en el diodo, se ajusta S para una ganancia
mínima. Las escalas representadas a la derecha de los esquemas facilitan la rela-
ción entre UV y la atenuación obtenida. Ganancia máxima: 0,5RL/RF para
RF > 1 kΩ. [Linear/Interface ICs, Motorola, 1993.]

$PSOLILFDGRU«  0+]FRQ5)

A 900 MHz, ganancia y factor de ruido son, respectivamente, de 10 y de 1,8 dB.

A 2,5 GHz, se obtiene una ganancia de 12 dB con una alimentación de 5 V, sien-
do el factor de ruido de 2,3 dB. La potencia de salida alcanza los 6 dBm. L debe
presentar una impedancia superior a 150 Ω a la frecuencia de trabajo. [Documen-
tación RF Micro Devices.]
 $03/,),&$'25(6 6,1721,=$'26 
3UHDPSOLILFDGRUGHPLFURRQGDVFRQ&*<

Utilizable entre 200 MHz y 2,5 GHz. Estos valores son válidos para 1,85 GHz,
siendo la ganancia 12,5 dB, el factor de ruido 1,6 dB (alimentación de 3 V). A
950 MHz, la ganancia es 16 dB, el factor de ruido 1,2 dB, el punto de intercep-
ción de orden 3 de – 4 dBm. [CD-ROM Siemens.]

$PSOLILFDGRUGHPLFURRQGDVFRQ&*<
© Marcombo. La fotocopia no autorizada es un delito.

Contiene dos etapas con acoplamiento RC, equipadas con transistores GaAs. El
circuito representado cubre de 0,8 a 1,8 GHz con una ganancia de 18 dB a
1,6 GHz, siendo el factor de ruido 4 dB. Se pueden alcanzar bandas de paso del
orden de 2 GHz. El punto de intercepción de orden 3 (806/810 MHz) es de
32 dBm. A 800 MHz y con una alimentación de 4,5 V, se obtiene una potencia de
salida de 20 dBm en 50 Ω. L 1: 8 espiras de hilo de 0,25 mm arrolladas sobre la
resistencia de 39 Ω. L 2: 5 espiras del mismo hilo, arrolladas sobre una forma de
3 mm. [CD-ROM Siemens.]
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$PSOLILFDGRUGHPLFURRQGDVFRQ&*<

Contiene un transistor GaAs y tres componentes pasivos. Utilizable entre

100 MHz y 3 GHz, alimentación entre 3 y 5,5 V, 60 mA. Ganancia: 9 dB a
1,6 GHz, factor de ruido: 2,8 dB. La polarization de puerta (– 3… 0 V) determina
la intensidad de alimentación. L 1 puede realizarse mediante una línea microtira
de 5 mm (Z = 100 Ω). L 2, L 3: 5 espiras en hilo de 0,25 mm sobre una forma de
3 mm. [CD-ROM Siemens.]

\$PSOLILFDFLyQ\FRQYHUVLyQSDUD 0+]D *+]

 $03/,),&$'25(6 6,1721,=$'26 
El módulo CF 750 contiene un transistor de efecto de campo GaAs. Éste presenta
una transconductancia de 10 mA/V para una intensidad de drenador de 10 mA.
Esta intensidad puede alcanzar 50 mA, cuando se unen las patillas S y M. En am-
plificación, ganancia y factor de ruido son, respectivamente, 11 y 1,6 dB a
900 MHz o 10 y 1,9 dB a 3 MHz. En conversión (de 900 hacia 45 MHz), se ob-
tiene una ganancia de 15 dB con un factor de ruido de 4,5 dB. [CD-ROM Sie-
mens.]

$PSOLILFDGRUGHPLFURRQGDVFRQFRQWUROGHJDQDQFLD&*<

Utilizable entre 0,8 y 2,5 GHz. La ganancia de potencia es de 22 dB a 900 MHz,

cuando se alimenta con 3 V, 45 mA, y se llega a 24 dB con una alimentación de
5 V, 70 mA. El margen de control se extiende como mínimo en 50 dB. Vg
(– 1… 0 V) deberá ajustarse según la intensidad de alimentación deseada. [CD-
ROM Siemens.]
© Marcombo. La fotocopia no autorizada es un delito.