Circuitos de Acondicionamiento de

Sensores:
Exámen de Ruido

Dra. Ma. Teresa Sanz Pascual‡ , Héctor Christian Bandala Hernández ‡ ,

† Instituto Nacional de Astrofı́sica, Óptica y Electrónica - INAOE
Luis Enrique Erro 1, Tonantzintla, Puebla, México
Email:{materesa, bandala}, @inaoep.mx

I. I NTRODUCCI ÓN .
Considere la configuración de la Figura 1, donde se
utiliza un amplificador de transimpedancia para acondicionar
la salida de un fotodiodo. El amplificador operacional es
el uA741, el valor de resistencia de retroalimentación es
RF =100kΩ y el valor de la capacitancia de retroalimentación
es CF =10pF. Se mide la densidad espectral de ruido a la
salida del sistema y √
se observa que su valor a una frecuencia
de 10kHz es 78nV/ Hz.
Figura 2: Diagrama para obtención de ruido de RF .

RF
V noRF = −InRF ( ) (1)
1 + SCF RF
Para evaluar la relación (1) se requiere obtener el módulo
de la misma, y sabiendo que:
1 1
| | = |p |
1 + SCF RF 1 + (jωCF RF )2
1
p ≈1
Figura 1: Fotodiodo y amplificador de transimpedancia. 1 − (2π ∗ 10k ∗ 10pF ∗ 100k)2
Entonces:
4KT
II. RUIDO DE AMPLIFICADOR Y RED DE V no2RF = RF2 ∗ In2RF = RF2 = 4KT RF (2)
RF
RETROALIMENTACI ÓN .
Evaluando la relación anterior se tiene que:
Dado que se requiere realizar un análisis de ruido de los
componentes de retroalientación y del propio amplificador, V no2RF = 1,656f V 2 /Hz (3)
las fuentes de DC se eliminan.
√
V noRF = 4,07nV / Hz (4)
II-A. Contribución de RF II-B. Contribución de voltaje de ruido del amplificador.

El circuito para el caso de la contribución de RF queda La Figura 3 muestra la conexión para el análisis de ruido
tal como en la Figura 2. Dado el circuito de la Figura 2 se de la fuente de voltaje de ruido del amplificador operacional.
realiza el análisis: De acuerdo a la Figura 3:
V noRF V noA − V nA
+ InRF + V oSCF = 0 + (V noA − V nA )SCF = 0
RF RF
1 + SCF RF 1 1
V noRF ( ) = InRF V noA ( + SCF ) = V nA ( + SCF )
RF RF RF
 las potencias de dichas contribuciones, es decir, se suman
las expresiones (3), (6) y (7) y obteniendo la raı́z cuadrada
de dicha suma de potencias, dando como resultado:
√
V no2 = 72nV / Hz (9)

III. RUIDO FLICKER DE SALIDA DE FOTODIODO A UNA

FRECUENCIA DE 10 K H Z
Figura 3: Diagrama para obtención de ruido por fuente de
voltaje de ruido del Opamp.
El planteamiento del problema proporciona el ruido total a
la salida del amplificador, el cual proporciona una referencia
Entonces, de la hoja de datos del amplificador:
para obtener el ruido flicker del fotodiodo, ya que se cuenta
√
V noA = V nA = 23nV / Hz (5) con los datos para la obtención del ruido de disparo, el cual
está dado por:
Por lo tanto: 2
Ish = 2qId (10)
−16
V no2A = 5,29x10 2
V /Hz (6)
Dado que la corriente de oscuridad es Id=10nA, se tiene
que:
2
Ish = 3,2E − 27A2 /Hz (11)
II-C. Contribución de voltaje de ruido del amplificador por
fuente de corriente de ruido. La potencia total a√la salida del sistema, como ya se men-
cionó, es de 78nV/ Hz. Calculando el módulo al cuadrado
La Figura 4 muestra el esquema de conexión para la de dicha densidad entre RF , se obtiene la corriente de ruido
obtención de ruido a la salida por la fuente de corriente total referida a la entrada del amplificador:
de ruido del amplificador. De la Figura anterior, se observa √
2 78nV / Hz 2
Intot = ( )
RF

In2tot = 6,084x10−25 A2 /Hz (12)

De la siguiente suma de potencias, es posible extraer la

densidad espectral de ruido flicker a la salida del fotodiodo:

In2tot = In2in + Ish

2 2
+ I1/f (13)
Figura 4: Diagrama para obtención de ruido por fuente de
corriente de ruido del Opamp. Dividiendo el cuadrado de la relación (9) entre R2F se obtiene
la corriente de ruido a la entrada del amplificador causada
por el amplificador y el resistor de compensación, es decir:
que la salida debido a la fuente de corriente de ruido
está dada por la función de transferencia del amplificador √
2 (72nV / Hz)
de transimpedancia, quedando: Inin = (14)
RF2
RF
V nAI = − InAI
1 + SCF RF In2in = 5,184x10−25 (15)
V n2AI = RF2 InAI
Sustituyendo la relación anterior, la corriente de ruido total
Evaluando con InAI =3E-25A2 /Hz (de la hoja de datos): de (13) y el la potencia de ruido de disparo (11), se obtiene:

V n2AI = 3f V 2 /Hz (7) 2

I1/f = 8,68x10−26 A2 /Hz (16)
√
V nAI = 54,77nV / Hz (8) Y por tanto:
Para obtener la contribución total de ruido a la salida por √
el amplificador y el resistor de retroalimentación, se suman I1/f = 0,2946nA/ Hz (17)
III-A. Obtención de frecuencia de esquina. VI. C ÁLCULO DE LA POTENCIA DE RUIDO
NORMALIZADA PROMEDIO TOTAL A LA SALIDA DEL
Dada la condición de Rj=∞, para la frecuencia de esquina
SISTEMA SUPONIENDO QUE TODAS LAS FUENTES DE
se igualan el ruido shot con el ruido 1/f:
RUIDO FUERAN RUIDO BLANCO DE DENSIDAD
2
Ish = 2
I1/f (18) ESPECTRAL CORRESPONDIENTE A LOS 10 K H Z .
Tomando como densidad √ espectral de ruido blanco la
Kf contribución de 78nV/ Hz, es posible multiplicar dicha
2qId = (19) densidad por la raı́z cuadrada del ancho de banda. Tomando
f
el capacitor CF =10pF y RF =100kΩ, se obtiene una frecuen-
Dado que las contribuciones de ruido calculadas hasta ahora cia de -3dB de:
han sido contribuciones a 10kHz, se sustituyen los 10kHz
en la relación de ruido flicker, además de la raı́z cuadrada f3dB = 159,15kHz (24)
de la potencia de ruido (ec. (16)), obteniendo: Para obtener el ancho de banda de ruido de un sistema de
−22 un solo polo, se tiene que:
K = 8,68X10 A∗f (20)
π π
BW n = ∗ f3dB = ∗ 159,15kHz = 249,999kHz
Ahora, este valor obtenido de K, se sustituye en la relación 2 2
(19), quedando: Finalmente, el voltaje rms total a la salida si se toma dicha
contribución como ruido blanco, estará dada por:
K √
f= = 271,25kHz
p
(21) V rmsT OT = 78nV / Hz ∗ 249,99kHz (25)
q ∗ ID
Por tanto:
IV. O BTENCI ÓN DE POTENCIA EQUIVALENTE DE RUIDO
(NEP) EN UN ANCHO DE BANDA DE 1H Z EN TORNO A V rmsT OT = 38,999µV rms (26)
10 K H Z CONSIDERANDO ÚNICAMENTE EL DIODO .

La potencia de ruido equivalente NEP está dada por:

Corriente de ruido(Arms)
N EP = (22)
Sensibilidad(A/W )
Tomando en cuenta el valor de sensibilidad de S=0.44A/W,
la potencia de ruido equivalente estará dada por:
q
2 + I2
Ish 1/f 0,3pArms
N EPP D = =
S 0,44A/W
Quedando:

N EPP D = 0,681X10−12 W (23)

V. O BTENCI ÓN DE POTENCIA EQUIVALENTE DE RUIDO

(NEP) EN UN ANCHO DE BANDA DE 1H Z EN TORNO A
10 K H Z CONSIDERANDO EL SISTEMA COMPLETO .
Para obtener el NEP completo del sistema completo, se
requiere el módulo al√cuadrado de la potencia total de ruido
a la salida de 78nV/ Hz entre RF , por tanto:
p
6,084X10−25
N EPT OT =
0,44A/W
Por tanto:

N EPT OT = 1,77X10−12 W