Constantin Harja

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

CURS
Instrumentaţie şi achiziţie de date an III

UNIVERSITATEA TEHNICĂ „GH. ASACHI” IAŞI

Facultatea de Inginerie Electrică, Energetică şi Informatică Aplicată
 CUPRINS
I. CONCEPTE DE BAZĂ PENTRU CIA …………………………………………………… 1
I.1. Noţiuni introductive ……………………………………………………………………... 1
I.2. Structura CIA ……………………………………………………………………………. 2
I.3. Breviar de teoria circuitelor ……………………………………………………………... 3
I.3.1. Legea lui Ohm ……………………………………………………………………... 3
I.3.2. Legea tensiunii a lui Kirchhoff …………………………………………………….. 4
I.3.3. Legea curentului a lui Kirchhoff …………………………………………………... 5
I.3.4. Regula divizorului de tensiune …………………………………………………….. 5
I.3.5. Regula divizorului de curent ………………………………………………………. 6
I.3.6. Teorema lui Thevenin ……………………………………………………………... 7
I.3.7. Teorema lui Norton ………………………………………………………………... 7
I.3.8. Teorema superpoziţiei 8
II. ETAJE TIPICE DIN STRUCTURA UNUI CIA ………………………………………… 11
II.1. Surse de curent …………………………………………………………………………. 11
II.1.1. Sursă de curent simplă …………………………………………………………... 11
II.1.2. Sursă simplă cu câştig în curent ………………………………………………… 13
II.1.3. Surse de curent cu tranzistoare PNP …………………………………………….. 14
II.1.4. Sursă de curent standard ………………………………………………………… 14
II.1.5. Sursă de curent Widlar ………………………………………………………….. 16
II.1.6. Surse de curent Wilson şi cascodă ………………………………………………. 17
II.1.7. Surse de curent cu ieşiri multiple ……………………………………………….. 17
II.1.8. Surse de curent ca sarcini active ………………………………………………… 18
II.1.9. Asigurarea unei polarizări stabile ……………………………………………….. 20
II.1.9.1. Definirea problemei …………………………………………………….. 20
II.1.9.2. Circuit de polarizare cu referinţă VBE …………………………………… 21
II.1.9.3. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VBE ………………………… 21
II.1.9.4. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VT ………………………….. 22
II.1.9.5. Circuit de polarizare cu referinţă Zener ………………………………… 23
II.1.9.6. Circuit de polarizare cu referinţă de tip bandă interzisă ………………... 23
II.2. Amplificatoare diferenţiale …………………………………………………………….. 24
II.2.1. Caracteristica de transfer statică ………………………………………………… 25
II.2.2. Principalii parametri caracteristici ………………………………………………. 27
II.2.3. Efectele nesimetriei etajului …………………………………………………….. 28
II.2.3.1. Tensiunea de decalaj la intrare ………………………………………….. 29
II.2.3.2. Curentul de decalaj la intrare …………………………………………… 30
II.2.4. Etaje diferenţiale cu sarcini active ………………………………………………. 31
II.3. Etaje de deplasare a nivelului ………………………………………………………….. 31
II.4. Etaje de ieşire …………………………………………………………………………... 32
II.4.1. Etaje de ieşire clasă A …………………………………………………………… 33
II.4.1.1 Etaj de ieşire colector comun ……………………………………………. 33
II.4.1.2. Etaj de ieşire emitor comun ……………………………………………... 34
II.4.1.3. Etaj de ieşire bază comună ……………………………………………… 35
I
 II.4.2. Etaje de ieşire în contratimp clasă B ……………………………………………. 35
II.4.2.1. Caracteristica de transfer statică ………………………………………… 35
II.4.2.2. Bilanţul energetic ……………………………………………………….. 36
II.4.2.3. Etaje clasă B cu tranzistoare compuse ………………………………….. 38
II.4.3. Etaje de ieşire în contratimp clasă A-B …………………………………………. 39
II.4.3.1. Caracteristica de transfer ………………………………………………... 39
II.4.3.2. Prepolarizarea etajului final …………………………………………….. 40
II.4.3.3. Protecţia la scurtcircuit 41
III. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE ……………………………………………… 43
III.1. Caracteristici tehnice principale ……………………………………………………... 43
III.1.1. Tensiunea de decalaj la intrare ……………………………………………….. 44
III.1.2. Curentul de intrare …………………………………………………………… 45
III.1.3. Tensiunea de mod comun la intrare ………………………………………….. 45
III.1.4. Tensiunea diferenţială de intrare ……………………………………………... 46
III.1.5. Tensiunea maximă de ieşire ………………………………………………….. 46
III.1.6. Amplificarea diferenţială de semnal mare …………………………………… 46
III.1.7. Impedanţa de intrare …………………………………………………………. 47
III.1.8. Impedanţa de ieşire …………………………………………………………….. 47
III.1.9. Raportul de rejeţie de mod comun …………………………………………… 48
III.1.10. Raportul de rejeţie al tensiunii de alimentare ……………………………….. 48
III.1.11. Viteza de variaţie a tensiunii de ieşire la câştig unitar ………………………… 49
III.1.12. Zgomotul echivalent de intrare ……………………………………………….. 49
III.1.13. Distorsiunile armonice totale plus zgomotul ………………………………….. 50
III.1.14. Banda la câştig unitar şi marginea de fază ……………………………………. 51
III.1.15. Timpul de stabilire şi eroarea dinamică …………………………………….. 52
III.2. Amplificatoare operaţionale ideale şi neideale ……………………………………… 53
III.2.1. Reacţia negativă ……………………………………………………………… 53
III.2.2. Amplificatorul inversor ………………………………………………………. 55
III.2.2.1. Amplificarea ………………………………………………………… 55
III.2.2.2. Impedanţa de intrare ………………………………………………… 56
III.2.2.3. Impedanţa de ieşire …………………………………………………. 56
III.2.3. Amplificatorul neinversor ……………………………………………………. 57
III.2.3.1. Amplificarea ………………………………………………………… 57
III.2.3.2. Impedanţa de intrare ………………………………………………… 58
III.2.3.3. Impedanţa de ieşire …………………………………………………. 59
III.2.4. Repetorul de tensiune ………………………………………………………… 59
III.2.4.1. Amplificarea ………………………………………………………… 59
III.2.5. Amplificatorul diferenţial ……………………………………………………. 60
III.2.6. Banda de frecvenţă……………………………………………………………. 62

II
 Capitolul I
CONCEPTE DE BAZĂ PENTRU CIA

I.1. NOŢIUNI INTRODUCTIVE

Circuitele electronice disponibile în prezent într-o gamă foarte variată, pot fi împărţite în două
mari categorii: circuite analogice şi circuite logice, corespunzătoare funcţiei şi naturii semnalelor
electrice pe care le procesează.
Un semnal analogic este definit pe intervale continue de timp şi de amplitudine, pe când un
semnal logic (numeric sau digital) este definit la valori discrete ale timpului prin valori discrete ale
amplitudinii.
Circuitele logice, numerice sau digitale prelucrează semnale care pot lua numai două valori
distincte corespunzătoare valorilor binare 0 sau 1. Aceste circuite realizează funcţii logice sau de
memorare şi au la bază funcţionarea dispozitivele electronice în două stări: starea blocat şi starea
în conducţie.
Circuitele analogice sunt circuite la care semnalul de ieşire variază continuu în timp, urmărind
după o anumită lege variaţia semnalului de intrare. Aceste circuite prelucrează sau generează
semnale continue în amplitudine, polaritate sau frecvenţă, realizând diverse funcţii analogice cum ar
fi: generare, amplificare, multiplicare, modulare, redresare, schimbare de frecvenţă etc.
După natura funcţiei de transfer, exprimată printr-o relaţie matematică, circuitele analogice se
împart la rândul lor în circuite liniare şi neliniare.
Conform definiţiei, liniaritatea reprezintă o proprietate care corespunde unui raport constant
între variaţia incrementală a cauzei şi variaţia incrementală a efectului. Din punct de vedere
analitic, proprietatea unui obiect sau sistem de a fi liniar se exprimă astfel: dacă y1 este răspunsul
sistemului la excitaţia x1 şi y2 este răspunsul la excitaţia x2, atunci răspunsul la excitaţia (x1 + x2)
este (y1 + y2), iar răspunsul la excitaţia kx1 este ky1.
Prin urmare, circuitele analogice liniare se bazează pe existenţa unei relaţii liniare între
mărimea de ieşire şi mărimea de intrare. Deşi dispozitivele electronice sunt în general neliniare, ele
pot fi considerate liniare pe domenii de funcţionare limitate. În prezent este posibil de realizat
circuite electronice caracterizate prin funcţii de transfer bine definite, liniare sau neliniare.
Dintre circuitele integrate liniare pot fi exemplificate amplificatoarele, stabilizatoarele de
tensiune, circuitele destinate prelucrării complexe a semnalului, circuite de tip PLL (Phase Locked
Loop) etc., iar din categoria circuitelor neliniare pot fi amintite circuitele de multiplicare, divizare,
ridicare la pătrat, logaritmare şi antilogaritmare, calcul a valorii efective etc.
Din punct de vedere tehnologic circuitele electronice analogice pot fi realizate cu elemente
discrete sau sub formă de circuite integrate, care la rândul lor pot fi realizate sub formă monolitică
sau sub formă hibridă.
Cele mai populare tehnologii de realizare a circuitelor integrate monolitice sunt tehnologia
bipolară şi MOS (CMOS, PMOS şi NMOS).
Tehnologia bipolară este tehnologia tradiţională de realizare a circuitelor integrate analogice,
care însă îşi păstrează şi în prezent un caracter dominant, datorită capacităţii de a vehicula curenţi
mari şi nivelului ridicat de precizie.
Cu toate acestea şi tehnologia MOS cunoaşte în ultimii ani o evoluţie tot mai accentuată,
1
determinată în special de necesitatea de a implementa funcţii analogice împreună cu funcţii logice
complexe într-un singur circuit integrat realizat prin aceeaşi tehnologie. Un exemplu tipic în acest
sens este acela în care partea de circuite analogice constituie interfaţa între semnalele generate de
traductoarele mărimilor fizice şi un procesor digital, circuitul integrat îndeplinind per ansamblu
funcţii de măsurare, control şi comunicaţii.
Circuitele integrate hibride sunt circuite la care rezistoarele, conexiunile şi eventual
condensatoarele se realizează fie prin tehnologia straturilor groase, fie prin tehnologia straturilor
subţiri, iar dispozitivele active şi alte componente de circuit neintegrabile (condensatoare sau
inductoare de valori mari) se ataşează sub formă discretă, printr-un proces tehnologic separat.
Straturile groase sunt materiale conductoare, dielectrice sau rezistive cu grosimi mai mari de 5
m, care se obţin prin arderea controlată a unor paste depuse pe un suport ceramic, în configuraţia
dorită. Depunerea se face cu ajutorul unor site fine ale căror ochiuri sunt astupate cu o emulsie
printr-un procedeu fotografic, în porţiunile în care pastele nu trebuie depuse pe substrat.
Straturile subţiri sunt realizate prin faze succesive de depunere în vid, urmate de depunerea
prin fotogravură a unor pelicule conductoare, rezistive sau izolante pe un substrat ceramic sau sticlă.

I.2. STRUCTURA CIA

Într-o accepţiune mai largă, un circuit integrat analogic (CIA) este destinat procesării
analogice şi măririi nivelului de putere al unui semnal electric, controlând puterea debitată în
sarcină de către sursa de alimentare cu ajutorul unor dispozitive active de circuit. Prin urmare,
dispozitivele active de circuit pot fi privite dintr-un anumit punct de vedere şi ca având rolul de a
transforma puterea provenită de la sursa de alimentare în putere de semnal.
După cum s-a amintit mai sus, CIA pot fi în general liniare sau nelinare, însă ponderea cea
mai mare a o au circuitele integrate liniare. Şi aceasta cu atât mai mult cu cât circuitele integrate
neliniare se bazează în mare parte tot pe circuite liniare, funcţia neliniară fiind obţinută de regulă cu
ajutorul unor diode sau tranzistoare integrate în structura circuitului sau plasate în exteriorul lui.
Dacă ne referim chiar şi numai la circuitele integrate liniare, acestea prezintă o asemenea
diversitate şi dinamică în dezvoltare, încât prezentarea lor în totalitate constituie o problemă extrem
de complicată şi laborioasă.
Din categoria circuitelor integrate liniare, cele mai răspândite sunt amplificatoarele, iar dintre
acestea amplificatoarele operaţionale. Termenul de amplificator operaţional a fost folosit iniţial
(prin anii 1940) pentru a desemna o clasă specială de amplificatoare şi anume cele utilizate la
efectuarea unor operaţii matematice (adunare, scădere, înmulţire, integrare şi diferenţiere).
Primele amplificatoare operaţionale integrate, sub formă monolitică au fost proiectate şi
realizate de Robert J. Widlar în anii 1960, la firma Fairchild din USA, care în anul 1968 a lansat pe
piaţă circuitul A 741, din generaţia a II-a, devenit pentru multă vreme standardul industrial al
domeniului.
În prezent, datorită performanţelor tot mai ridicate, versatilităţii şi preţului scăzut,
amplificatoarele operaţionale domină net aplicaţiile analogice.
În afară de amplificatoarele operaţionale propriu-zise se mai fabrică şi alte tipuri de
amplificatoare monolitice, cum ar fi amplificatoarele de audio frecvenţă, amplificatoare de bandă
largă, amplificatoare de radiofrecvenţă, circuite complexe pentru radio-TV (amplificare-limitare şi
demodulare de medie frecvenţă, amplificare, demodulare şi preamplificare video etc.) etc.
2
 Fiind imposibil de evidenţiat particularităţile tuturor amplificatoarelor, în Fig.I.1 este
reprezentată simplificat structura tipică a unui amplificator integrat, aceasta constituind baza de
dezvoltare pentru restul CIA. De exemplu, pe lângă unele etaje specifice, circuitele de polarizare şi
diferite structuri pe bază de etaje de amplificare sunt prezente în structura oricărui CIA.

Circuite de polarizare

Etaj de Etaje Etaj Etaj

intrare intermediare prefinal final

Reacţie negativă

Fig.I.1. Structura tipică a unui amplificator integrat.

Primul etaj al lanţului de amplificare, numit şi etaj de intrare, realizează una sau mai multe
din următoarele funcţii: impedanţă mare de intrare, un factor de zgomot cât mai mic, simetrizarea
celor două intrări, o amplificare în tensiune moderată şi eventual o limitare a semnalului de intrare.
Amplificarea se realizează în proporţie majoritară pe etajele următoare, numite etaje de
amplificare intermediare.
Etajul de intrare şi etajele intermediare sunt etaje de semnal mic, funcţionând la amplitudini
mici ale tensiunilor şi curenţilor, comparativ cu valorile lor de curent continuu. Din acest motiv se
poate admite o comportare liniară a dispozitivelor active în jurul punctului static de funcţionare şi se
pot folosi schemele lor echivalente de semnal mic.
Etajul prefinal şi etajul final sunt etaje de semnal mare, amplitudinile curenţilor şi tensiunilor
fiind comparabile cu valorile de curent continuu. Prin urmare, începe să se manifeste şi trebuie luată
în considerare neliniaritatea dispozitivelor active. Aceste etaje sunt destinate obţinerii puterii de
ieşire necesare în sarcină, cu randament cât mai mare şi distorsiuni cât mai mici.
Amplificatoarele, în special cele operaţionale, au o gamă de aplicaţii foarte variată, în afara
funcţiei de amplificare propriu-zise, cum ar fi realizarea de oscilatoare, filtre active, circuite de
integrare şi diferenţiere, convertoare tensiune-curent şi curent tensiune etc. Altfel zis, amplificatorul
operaţional a devenit un circuit universal, indispensabil în orice aplicaţie analogică.

I.3. BREVIAR DE TEORIA CIRCUITELOR

Un circuit electronic reprezintă o combinaţie de componente pasive şi active aranjate astfel
încât circuitul să îndeplinească funcţia dorită. Orice circuit, oricât de complex, poate fi privit ca o
combinaţie de circuite tot mai simple care în ultimă instanţă pot fi analizate cu instrumente fizico-
matematice elementare, cum ar fi legea lui Ohm, legile lui Kirchhoff etc. Din acest considerent s-a
considerat utilă o trecere în revistă a celor mai elementare legi şi teoreme din teoria circuitelor.

I.3.1. LEGEA LUI OHM

Legea lui Ohm, exprimată sub cele trei forme uzuale, are expresiile:
V V
V  IR ; I  ; R  ; (I.1)
R I
3
unde V reprezintă tensiunea [V], R – rezistenţa [] şi I – curentul [A].
Legea lui Ohm poate fi aplicată, după caz, fie circuitului total, fie numai unei componente,
conform Fig.2. Dacă se consideră circuitului total, rezistenţa echivalentă a circuitului şi expresia
legii lui Ohm sunt date de relaţiile:
R R  R4  V
R  R1  R2 R3  R4   R1  2 3 şi I  ; (I.2)
R2  R3  R4 R
iar în dacă se consideră numai rezistenţa R4, legea lui Ohm are expresia:
V
I4  4 . (I.3)
R4

I I1 R1 I3 R3
I2 I4 I
V R R2 R4 V4  R V

(a) (b)

Fig.I.2. Aplicarea legii lui Ohm:

(a) – schema detaliată a circuitului; (b) – schema echivalentă a circuitului.

Unele expresii din teoria circuitelor electronice pot crea impresia că sunt noi şi specifice
acestui domeniu, dar de fapt, la o analiză mai atentă se poate constata că nu sunt altceva decât
aplicaţii particulare ale legii lui Ohm sau a altor legi la fel de elementare. De exemplu, considerând
o relaţie foarte simplă:
v v
ix  1 2 . (I.4)
R
dacă se observă că expresia de la numărător corespunde tensiunii echivalente a două surse legate în
serie, mai departe se reduce la aplicarea legii lui Ohm. De asemenea, ecuaţii de forma de mai sus
pot fi rezolvate calculând expresia de la numărător pe baza legii tensiunii a lui Kirchhoff (pct.I.3.2)
sau aplicând metoda suprapunerii efectelor (pct.I.3.6)
Legea lui Ohm serveşte nu numai la calculul numeric a unei mărimi în funcţie de celelalte
două, conform (I.1), ci şi la o analiză intuitivă a circuitului. De exemplu, dacă presupunem că este
necesar să se estimeze efectul creşterii rezistenţei R4 asupra curenţilor din circuit, atunci
raţionamentul este următorul:
 crescând R4, va creşte rezistenţa grupului paralel R2 R3  R4  , implicit şi rezistenţa totală,
R = R1  R2 R3  R4  , deci curenţii I4 şi I vor scădea;
 scăzând I, va scădea căderea de tensiune pe R1 şi va creşte pe grupul paralel R2 R3  R4  , deci va
creşte curentul I2.

I.3.2. LEGEA TENSIUNII A LUI KIRCHHOFF

Legea tensiunii a lui Kirchhoff stipulează faptul că pe o buclă (ochi) de circuit închis suma
tensiunilor surselor este egală cu suma căderilor de tensiune pe componentele pasive, adică
tensiunea netă este egală cu zero. Aplicând această lege circuitului din Fig.I.3, se obţin următoarele
expresii:
4
 V1  V2  V3  VR1  VR 2  VR 3 sau V1  VR1  VR 2  V2  VR 3  V3  0 . (I.5)

A B C
+  + 
+ R1 R2 +
V1 V2
 V3 
+  
R3 +
E 0
D

Fig.I.3. Aplicarea legii tensiunii a lui Kirchhoff.

O aplicaţie uzuală a legii tensiunii a lui Kirchhoff este determinarea tensiunii într-un anumit
punct, în raport cu tensiunea unui punct de referinţă, de regulă masa electrică. În analiza circuitelor
electronice apare frecvent situaţia în care punctul de referinţă este altul decât cel de masă. De
exemplu, tensiunea din punctul A în raport cu masa şi cu punctul C are expresiile:
VA0  V2  VR 2  VR1 ; VAC  VA  V2  VR 2  VR1 . (I.6)

I.3.3. LEGEA CURENTULUI A LUI KIRCHHOFF

Legea curentului a lui Kirchhoff stipulează faptul că suma curenţilor care întră într-un punct
este egală cu suma curenţilor care ies din acel punct, adică valoarea netă a curentului într-un punct
este zero. Aplicând această lege circuitului din Fig.I.4, în punctul A, se obţin următoarele expresii:
I1  I 2  I 3 sau I1  I 2  I 3  0 . (I.7)

I1 R1 A I3 R3
I2
V R2 R4

Fig.I.4. Aplicarea legii curentului a lui Kirchhoff.

În afară de determinări cantitative, legea curentului a lui Kirchhoff serveşte şi la efectuarea
unei analize intuitive a circuitului. La limită, se poate depista dacă o rezistenţă este întreruptă sau
este în scurtcircuit. De exemplu, dacă rezistenţa R2 este întreruptă (R2 = ), I2 = 0 şi I1, I3 şi I1 =
I3, iar dacă R2 este scurtcircuit (R2 = 0), I3 = 0, I1, I2 şi I1 = I2.

I.3.4. REGULA DIVIZORULUI DE TENSIUNE

Regula divizorului de tensiune serveşte pentru calculul tensiunii de ieşire în gol. Aplicând
legea lui Ohm circuitului din Fig.I.5, rezultă:
V R1 R2
I ; V1  IR1  V ; V2  IR2  V; (I.8)
R1  R2 R1  R2 R1  R2
unde s-a considerat că tensiunea de ieşirea poate fi atât V1 cât şi V2.
Din (I.8) se observă că raportul de divizare reprezintă raportul dintre rezistenţe laturii
alăturate tensiunii de ieşire şi suma rezistenţelor de pe circuit.
Condiţia de gol la ieşirea divizorului se asigură utilizând ca sarcină un circuit cu impedanţă de
intrare suficient de mare pentru a putea fi neglijată. Altfel, pentru ca raportul de divizare să nu fie
afectat, în (I.8) trebuie considerată rezistenţa de sarcină în paralel cu rezistenţa ramurii de ieşire.
5
 I
R1 V1
V
R2 V2

Fig.I.5. Aplicarea regulii divizorului de tensiune.

De obicei, divizoarele de tensiune sunt conectate cu un capăt la masă, adică divid o singură
tensiune de intrare în raport cu masa. În cazul circuitelor electronice apar situaţii în care divizorul
este flotant, ambele capete aflându-se la tensiuni diferite de zero, astfel încât este divizată diferenţa
a două tensiuni, conform Fig.I.6. În acest caz, considerând V1  V2, relaţiile (I.8) capătă forma:
V1  V2 R1
I ; V10  IR1  V1  V2  ; V20  IR2  R2 V1  V2  . (I.9)
R1  R2 R1  R2 R1  R2

V10 V20

A B
R1 I R2
V1 V2

Fig.I.6. Divizor de tensiune flotant.

Analizând (I.8) şi (I.9) se observă că raportul de divizare rămâne neschimbat, având aceeaşi
expresie în ambele cazuri. Ceea ce se schimbă este expresia căderii de tensiune pe divizor, care în
cazul divizorului flotant nu se mai calculează în funcţie de potenţialul masei, ci în funcţie de
tensiunea din punctul B (conform pct.I.3.2), cu relaţii de forma (I.6).

I.3.5. REGULA DIVIZORULUI DE CURENT

Dacă ieşirea este în gol, regula divizorului de curent serveşte pentru calculul curentului prin
oricare din cele două ramuri ale circuitului din Fig.I.7. Aplicând legea curentului a lui Kirchhoff şi
legea lui Ohm, se obţine sistemul:
I  I1  I 2 ; V  I1 R1  I 2 R2 ; (I.10)
a cărui rezolvare conduce la rezultatul:
R2 R1
I1  I; I2  I. (I.11)
R1  R2 R1  R2

I I1 I2
R1 R2 V

Fig.I.7. Aplicarea regulii divizorului de curent.

Din (I.11) se observă că, spre deosebire de cazul divizorului de tensiune, (I.8), raportul de
divizare reprezintă raportul dintre rezistenţe laturii opuse celeia prin care circulă curentul de interes
şi suma rezistenţelor de pe circuit.
6
 I.3.6. TEOREMA LUI THEVENIN

Teorema lui Thevenin permite conversia unui circuit complex într-un circuit echivalent mai
simplu, constituit dintr-o sursă de tensiune şi o rezistenţă serie, numite tensiune Thevenin şi
rezistenţă Thevenin. Pentru obţinerea circuitului echivalent Thevenin se parcurg următorii paşi:
1. Stabilirea punctului de simplificare (de aplicare a teoremei lui Thevenin).
2. Deschiderea circuitului în punctul de simplificare şi calculul în condiţii de gol a tensiunii
Thevenin corespunzătoare.
3. Pasivizarea circuitului, adică punerea surselor de tensiune în scurtcircuit şi a surselor de curent
în gol (păstrând în circuit rezistenţele lor interne când este cazul) şi calculul rezistenţei
echivalente Thevenin.
4. Înlocuirea circuitului iniţial cu circuitul echivalent Thevenin.
Pentru exemplificare se consideră un divizor de tensiune cu sarcină la ieşire (Fig.I.8).
Considerând ca punct de simplificare ieşirea circuitului, din Fig.I.8.b se poate calcula tensiunea
echivalentă Thevenin în punctul de simplificare, aplicând regula divizorului de tensiune (pct.I.3.4):
R1
VTH  V. (I.12)
R1  R2

R1 R1 R1
RTH
V V
R2 V0 Rx R2 VTH R2 RTH VTH V0 Rx

(a) (b) (c) (d)

Fig.I.8. Aplicarea teoremei Thevenin:

(a) – circuit iniţial; (b) – circuit deschis pentru calcul VTH; (c) – circuit
pasivizat pentru calcul RTH; (d) – circuit echivalent Thevenin.
Apoi, pasivizând circuitul (Fig.I.8.c), se calculează rezistenţa Thevenin:
RR
RTH  R1 R2  1 2 . (I.13)
R1  R2
În fine, circuitul echivalent Thevenin rezultă cu structura din Fig.I.8.d, unde RTH şi VTH au
valorile şi semnificaţiile conform (I.12) şi (I.13).

I.3.7. TEOREMA LUI NORTON

Teorema lui Norton este similară cu teorema lui Thevenin, adică permite de asemenea
conversia unui circuit complex într-un circuit echivalent mai simplu, care de data aceasta este
constituit dintr-o sursă de curent şi o rezistenţă paralel, numite curent Norton şi rezistenţă Norton.
Pentru obţinerea circuitului echivalent Norton se parcurg următorii paşi:
1. Stabilirea punctului de simplificare (de aplicare a teoremei lui Norton).
2. Deschiderea circuitului în punctul de simplificare şi calculul în condiţii de scurtcircuit a
curentului Norton corespunzător.
3. Pasivizarea circuitului, adică punerea surselor de tensiune în scurtcircuit şi a surselor de curent în
gol (păstrând în circuit numai rezistenţele lor interne când este cazul) şi calculul rezistenţei
7
 echivalente Norton.
4. Înlocuirea circuitului iniţial cu circuitul echivalent Norton.
Pentru exemplificare, se consideră un divizor de tensiune cu rezistenţă de sarcină la ieşire
(Fig.I.9). Considerând ca punct de simplificare ieşirea circuitului, din Fig.I.9.b se poate calcula
curentul echivalent Norton în punctul de simplificare, în condiţii de scurtcircuit, conform relaţiei:
V
IN  . (I.14)
R1

R1 R1 R1
V V
IN
R2 V0 Rx R2 IN R2 RN V0 Rx
RN

(a) (b) (c) (d)

Fig.I.9. Aplicarea teoremei Norton:

(a) – circuit iniţial; (b) – circuit deschis, pus în scurtcircuit pentru calcul IN;
(c) – circuit pasivizat pentru calcul RN; (d) – circuit echivalent Norton.
Apoi, pasivizând circuitul (Fig.I.9.c), se calculează rezistenţa Norton:
RR
RTH  R1 R2  1 2 . (I.15)
R1  R2
În fine, circuitul echivalent Norton are structura din Fig.I.9.d, unde RN şi IN au valorile şi
semnificaţiile conform (I.14) şi (I.15).
Teoremele lui Thevenin şi Norton sunt echivalente. Circuitul pasivizat având aceeaşi structură
(Fig.I.8.c şi Fig.I.9.c) rezistenţele echivalente rezultă egale, (I.13) şi (I.15). Tensiunea Thevenin se
calculează la gol iar curentul Norton în scurtcircuit. Echivalenţa dintre schemele echivalente
Thevenin şi Norton, dintre generatoarele de tensiune şi de curent, este descrisă de relaţiile:
 RN  RTH  RTH  RN
 respectiv  . (I.16)
 I N  VTH RTH VTH  I N RN

I.3.8. TEOREMA SUPERPOZIŢIEI

Teorema superpoţiziei se aplică numai în cazul circuitelor liniare, cu condiţia să conţină

numai surse de semnal independente. Conform acestei teoreme, efectul simultan al mai multor surse
de semnal poate fi determinat ca sumă algebrică a efectelor fiecărei surse determinate individual.
De exemplu, se consideră circuitul din Fig.I.10.a şi se pune problema determinării curentului
I2. Aplicând teorema superpoziţiei dispar o parte din ecuaţii şi astfel calculele se simplifică,
comparativ cu aplicarea legile lui Kirchhoff. Efectele individuale ale celor două surse de semnal, V1
şi V2, se pot calcula pe baza schemelor din Fig.I.10.b şi Fig.I.10.c, în care s-a păstrat activă numai
sursa de semnal de interes, celelalte pasivizându-se. Astfel, efectul sursei V1, reprezentat de curentul
I21, se poate calcula din Fig.I.10.b, cu relaţia:
R3 V1
I 21  , (I.17)
R2  R3 R1  R2 R3

8
unde s-a utilizat regula divizorului de curent (pct.I.3.5). În mod analog, efectul sursei V2, reprezentat
de curentul I22, se poate calcula din Fig.I.10.c, cu relaţia:
R1 V2
I 22   , (I.18)
R1  R2 R3  R1 R2
Având în vedere că rezultatul final este suma algebrică a celor două rezultate individuale, se
obţine pentru acesta din urmă următoarea expresie:
R3 V1 R1 V2
I 2  I 21  I 22   . (I.19)
R2  R3 R1  R2 R3 R1  R2 R3  R1 R2

R1 A R3 R1 A R3 R1 A R3

+ I2  + I21 I22 
V1 R2 V2 V1 R2 R2 V2
 +  +

(a) (b) (c)

Fig.I.10. Aplicarea teoremei superpoziţiei:

(a) – circuitul iniţial; (b) – circuit parţial pasivizat pentru calculul efectului sursei V1;
(c) – circuit parţial pasivizat pentru calculul efectului sursei V2.

Observaţie:
Teoremele, legile şi regulile de calcul prezentate mai sus, sunt aplicabile la analiza circuitelor
electronice atât în curent continuu, cât şi în curent alternativ, cu menţiunea că în curent alternativ
mărimile trebuie exprimate în complex.

9
 Capitolul II
ETAJE TIPICE DIN STRUCTURA UNUI CIA
Între circuitele cu componente discrete şi cele integrate există o serie de deosebiri dictate de
specificul tehnologiei de realizare a circuitelor integrate.
Costul unui circuit integrat este în general proporţional cu aria ocupată. Deci cele mai ieftine
componente integrate sunt cele care consumă cât mai puţină arie, pe primul loc din acest punct de
vedere plasându-se tranzistoarele.
Valoarea maximă a rezistoarelor este limitată de aria consumată şi de capacitatea parazită faţă
de substrat. Din această cauză, rezistoarele de valoare ridicată sunt realizate uzual sub formă de
rezistenţă dinamică a unui circuit activ tranzistorizat. Ca urmare, un circuit integrat se apropie de
structura optimă cu cât conţine mai puţine rezistenţe şi mai multe componente active.
Condensatoarele necesită, de asemenea, consum mare de arie. Din acest motiv nu pot fi
realizate condensatoare de valoare mare şi nici în număr mare. Deci nu se poate adopta cuplajul prin
condensator între etaje, fiind obligatoriu cuplajul direct, în curent continuu, care însă necesită
deplasări de nivel.
Spre deosebire de rezistoare şi condensatoare, inductoarele nu pot fi realizate integrat, prin
urmare circuitul nu trebuie să includă inductoare.
Gabaritul unui circuit integrat fiind comparabil cu al unui tranzistor de putere medie, puterea
disipată de circuitul integrat rezultă comparabilă cu a unui astfel de tranzistor. Prin urmare,
tranzistoarele din componenţe circuitului integrat trebuie să lucreze la curenţi mici, să aibă
rezistenţe de sarcină de valoare ridicată, condiţii care atrag după sine reducerea frecvenţei de tăiere.
Cu toate acestea, circuitele integrate prezintă performanţe şi avantaje net superioare
circuitelor cu componente discrete. Tehnologia circuitelor integrate permite optimizarea geometriei
fiecărei componente în parte pentru a se obţine performanţele dorite. Poate fi integrat un număr
mare şi variat de componente, poate fi realizată o foarte bună împerechere a componentelor active şi
pasive şi un cuplaj termic foarte intim. Integrarea permite realizarea tranzistoarelor multielectrod
(multiemitor, multicolector etc.), soluţie cu multiple avantaje.

II.1. SURSE DE CURENT

Sursele de curent realizate cu tranzistoare sunt utilizate pe scară largă în structura CIA, pentru
polarizarea unor etaje ale circuitului, ca sarcini de impedanţă mare, pentru deplasarea nivelului de
curent continuu între etaje etc.
Sursele de curent din structura circuitelor integrate, spre deosebire de circuitele cu
componente discrete, prezintă o serie de particularităţi specifice. De regulă sunt realizate după
scheme mai complexe, cu un număr mai mare de tranzistoare, în vederea reducerii numărului şi
valorilor rezistenţelor.

II.1.1. SURSĂ DE CURENT SIMPLĂ

Cea mai simplă sursă de curent poate fi realizată cu două tranzistoare şi o rezistenţă, conform
Fig.II.1. Tranzistorul Q1 fiind conectat ca diodă, are tensiunea colector-bază zero, deci încă
funcţionează în regiunea activă.
11
 Pentru simplificarea problemei, se consideră pentru început că cele două tranzistoare sunt
identice şi se neglijează efectul Early (dependenţa curentului de colector de tensiunea colector-
emitor). În aceste condiţii, având aceeaşi tensiune bază-emitor, curenţii de bază ai celor două
tranzistoare sunt egali:
iB1  iB2  iB . (II.1)

Iref VCC
R
(+2)iB I0
iB 2iB iB
Q1 Q2
iB iB

Fig.II.1. Sursă de curent simplă.

Având în vedere semnificaţia lui  (factor de amplificare în curent, egal cu raportul dintre
curentul de colector şi cel de bază), se poate scrie:
I 0  iC2   iB
. (II.2)
I ref  iC1  2iB    2 iB
Din (II.2) se poate determina factorul de transfer în curent, dat de raportul dintre curentul de
ieşire, I0 şi cel de referinţă, Iref:
I0  1
  , (II.3)
I ref   2 1  2 
unde:
VCC  VBE
I ref  . (II.4)
R
Din (II.3) se observă că cei doi curenţi nu sunt riguros egali. Dacă  este suficient de mare
( 100), cei doi curenţi pot fi consideraţi aproximativ egali, motiv pentru care circuitul mai este
denumit şi oglindă de curent.
Iniţial a fost neglijat efectul Early, adică s-a considerat curentul de colector independent de
tensiunea colector-emitor. În realitate, curentul de colector variază proporţional cu tensiunea
colector-emitor, conform relaţiei:
  v  v 
iC  I S exp BE 1  CE  . (II.5)
  VT    VA 
unde IS este curentul de saturaţie proporţional cu aria joncţiunii bază-emitor, cu valoarea tipică de
1015 A, VT – tensiunea termică (VT = kT/q  26 mV la 300 K), VA – tensiunea Early cu valoarea
tipică 130 V, vBE şi vCE – tensiunile bază-emitor, respectiv colector-emitor. În acest caz, considerând
 suficient de mare pentru ca efectul lui să fie neglijbil, raportul celor doi curenţi devine:
v
1  CE2 1  30
I0 i vA 130  1,225 ,
 C2   (II.6)
v
I ref iC1 1  CE1 1  0,6
vA 130

12
unde s-a considerat vCE2 = 30 V şi vCE1 = 0,6 V. Deci o variaţie a tensiunii de ieşire de 30 V produce
o variaţie a curentului de ieşire, implicit a raportului celor doi curenţi de 22,5%, efect net mai
semnificativ decât cel al lui  (0,2%).
Sursele de curent cu tranzistoare pot fi caracterizate printr-un curent de ieşire şi o rezistenţă de
ieşire, conform circuitului echivalent Norton (pct.I.3.7). Dependenţa curentului de ieşire de
tensiunea de ieşire denotă existenţa unei rezistenţe de ieşire de valoare finită. Pentru sursa de curent
simplă valoarea rezistenţei de ieşire poate fi determinată cu o bună aproximare utilizând relaţia:
V
R0  r02  A , (II.7)
I0
unde r02 este rezistenţa de ieşire a tranzistorului Q2. De exemplu, pentru un curent de ieşire de
1 mA, rezultă o rezistenţă de ieşire R0 = 130/103 = 130 k. În acest caz, o variaţie de tensiune de
30 V, cât s-a considerat în (II.5), va produce o variaţie de curent de 30/130103  0,23 mA, adică
de 23%, rezultat foarte apropiat de valoarea 22,5%, obţinută cu (II.6).

II.1.2. SURSĂ SIMPLĂ CU CÂŞTIG ÎN CURENT

Pentru o împerechere superioară între cei doi curenţi se poate utiliza sursa cu câştig în curent,
conform Fig.I.2. În acest caz, se pot scrie:
I 0  iC2  iB
2i , (II.8)
I ref  iC1  iB3  iB  B
 1
de unde rezultă expresia raportului dintre cei doi curenţi:
I0  1 1
   (II.9)
I ref   2 2 2
1 1 2
 1   1 
unde:
VCC  2VBE
I ref  . (II.10)
R
Din (II.3) şi (II.9) se observă că, dacă în cazul sursei simple eroarea era de 2/, în cazul celei
cu câştig în curent eroarea este de 2/2. De exemplu, dacă se consideră  = 100, în primul caz
diferenţa dintre cei doi curenţi este de 2%, iar în al doilea caz este de 0,02%, cu totul neglijabilă.

Iref VCC

R
 2 
   iB I0
   1  iB3
Q3
iB 2iB iB
Q1 Q2
iB iB

Fig.II.12. Sursă simplă cu câştig în curent.

13
 II.1.3. SURSE DE CURENT CU TRANZISTOARE PNP

Sursele de curent prezentate mai sus pot fi realizate şi pentru curenţi de sens contrar, dacă
tranzistoarele npn se înlocuiesc cu pnp, conform Fig.II.3.

VCC VCC
Q1 Q2 Q1 Q2
Q3
Iref I0 Iref I0
R R
(a) (b)

Fig.II.3. Surse de curent cu tranzistoare pnp:

(a) – sursă simplă; (b) – sursă simplă cu câştig în curent.

II.1.4. SURSĂ DE CURENT STANDARD

Sursele prezentate mai sus generează un curent de ieşire aproximativ egal cu cel de referinţă
cu condiţia ca tranzistoarele să fie identice. Dar această condiţie nu are caracter absolut. Se pot
utiliza şi tranzistoare cu arii diferite ale joncţiunilor bază-emitor, raportul dintre curenţii de saturaţie
fiind egal cu cel dintre ariile joncţiunilor. Neglijând efectul Early, (II.8) conduce la:
v 
I 0  iC2  I S2 exp BE 
 VT 
, (II.11)
 vBE 
I ref  iC1  I S1 exp 
 VT 
de unde se poate calcula raportul celor doi curenţi:
I0 i I A
 C2  S2  2  n , (II.12)
I ref iC1 I S1 A1
unde A1 şi A2 reprezintă ariile joncţiunilor bază-emitor, iar n – raportul lor.
Raportul n poate fi subunitar sau supraunitar. Deci este posibil de obţinut curenţi de ieşire de
valori diferite dintr-un curent de referinţă constant. Această soluţie nu dă rezultate bune pentru n 
5…8. Din acest motiv, pentru n  5…8, este preferabilă sursa standard de curent conform Fig.II.4.

VCC
R
Iref I0
A

Q1 Q2

R1 R2

Fig.II.4. Sursă de curent standard.

Neglijând curenţii de bază ai tranzistoarelor şi efectul Early şi scriind teorema lui Kirchhoff
pe ochiul care conţine rezistenţele R1 şi R2, se obţine:
14
 VBE1  R1I ref  VBE2  R2 I 0 , (II.13)
de unde se poate explicita expresia curentului de ieşire:
1
I0  R1I ref  VBE1  VBE2  . (II.14)
R2
Diferenţa de tensiune bază-emitor se poate determina plecând de la relaţiile:
v  I 
I 0  iC2  I S2 exp BE2   vBE2  VT ln 0 
 VT   I S2 
, (II.15)
v  I 
I ref  iC1  I S1 exp BE1   vBE1  VT ln ref 
 VT   I S1 
pe baza cărora rezultă:
I I 
VBE  VBE1  VBE2  VT ln ref S2  . (II.16)
 I 0 I S1 
Având în vedere (II.14) şi (II.16), se poate calcula raportul celor doi curenţi:
I0 R VBE R V I I 
 1  1  T ln ref S2  , (II.17)
I ref R2 R2 I ref R2 R2 I ref  I 0 I S1 
unde valoarea curentului de referinţă poate fi calculată cu relaţia:
V V
I ref  CC BE . (II.18)
R  R1
Din (II.17) se observă că pentru a determina raportul celor doi curenţi trebuie rezolvată
ecuaţia transcendentală respectivă. Dar, având în vedere că VBE = 10…150 mV pentru I0/Iref  100,
dacă este îndeplinită condiţia:
R2 I ref  VBE (II.19)
(II.17) devine:
R1
I0  I ref . (II.20)
R2
În concluzie, dacă este îndeplinită (II.19), adică dacă căderile de tensiune pe rezistenţele R1,
R2 sunt suficient de mari, raportul celor doi curenţi va depinde în principal de raportul rezistenţelor,
deci dependenţa de raportul ariilor celor două joncţiuni bază-emitor va fi nesemnificativă.
Dacă R1 = R2, rezultă I0 = Iref, obţinându-se o oglindă de curent, fără a mai fi necesară o
împerechere riguroasă a celor două tranzistoare.
Particularităţile sursei standard, comparativ cu cea simplă, sunt efectul reacţiei negative
introduse prin rezistenţa R2. Tot ca efect al reacţiei negative este de aşteptat ca rezistenţa de ieşire a
sursei standard să fie mai mare decât a celei simple. Aceasta poate fi calculată pe baza schemei
echivalente de semnal mic din Fig.II.5, unde s-a neglijat rezistenţa dinamică a tranzistorului Q1
conectat ca diodă (rd  VT/Iref  0) şi rezistenţa r a tranzistorului Q2 (r2 = ).
Pentru circuitul din Fig.II.5 pot fi scrise legile lui Kirchhoff:
 v 
Vx  r02 I x  g m2v2   R2  I x  2 
 r 2 
, (II.21)
 v  v
R2  I x  2   2 R R1  rb2  r 2   0
 r 2  r 2

15
care, ordonate după termenii Vx, Ix şi v2 capătă forma:
R 
Vx  I x r02  R2   v2  2  g m2 r02 
 r 2 , (II.22)
R2 I x  2 R2  R R1  rb2  r 2   0
v
r 2

rb2 I Ix

gm2v2
r2 v2 r02

R R1 Vx

R2

Fig.II.15. Circuitul echivalent de semnal mic al sursei standard de curent.

Eliminând termenul v2 între cele două ecuaţii, (II.21), (II.22) şi ordonând expresia, se obţine:
 
R0 
Vx
 r02 1 
g m2 r 2 R2   R2 R R1  rb2  r 2 . (II.23)
Ix R  R R  r  r 
 2 1 b2 2 

Având în vedere că gm2r2 =  şi că ultimul termen este neglijabil, rezultă:

Vx  R2 
R0   r02 1  .
 (II.24)
Ix  R2  R R1  rb2  r2 

Comparând (II.24) cu (II.7), se observă că rezistenţa de ieşire a sursei de curent standard este
superioară celei a sursei simple, datorită reacţiei prin R2.

II.1.5. SURSĂ DE CURENT WIDLAR

Obţinerea unor curenţi de ordinul µA, necesari la polarizarea circuitelor integrate analogice,
implică utilizarea unor rezistenţe de valoare ridicată (sute de Ω) în structura ambelor surse de curent
analizate, simplă şi standard. Evitarea acestui inconvenient şi obţinerea unor curenţi de valoare
redusă, utilizând rezistenţe cu valori moderate, se poate realiza prin modificarea sursei de curent
standard, conform Fig.II.6. Noua configuraţie de circuit poartă denumirea de sursă de curent
Widlar, care după cum se observă nu este altceva decât cazul limită cu R1 = 0 al sursei standard.

VCC
R
Iref I0
A

Q1 Q2

R2

Fig.II.6. Sursă de curent Widlar.

Pentru calculul factorului de transfer în curent şi al rezistenţei de ieşire se consideră în (II.17) şi
16
(II.24) tranzistoarele identice (IS1 = IS2) şi R1 = 0:
I0 V I  VT  I ref 
 T ln ref  respectiv I0  ln  ; (II.25)
I ref R2 I ref  I 0  R2  I 0 
Vx  R2 
R0   r02 1   . (II.26)
Ix  R2  rx2  r2 

II.1.6. SURSE DE CURENT WILSON ŞI CASCODĂ

Sursele de curent Wilson şi cascodă răspund la două deziderate majore şi anume, asigură o
rezistenţă de ieşire comparabilă cu sursa standard, pct.(II.1.4), dar fără a mări numărul de rezistenţa
faţă de sursa de curent simplă, pct.(II.1.1).
Schemele de principiu ale celor două surse de curent sunt prezentate în Fig.II.7, de unde se
poate observa că ambele circuite conţin numai câte o rezistenţă, la fel ca sursa de curent simplă
(Fig.II.1). Sursa Wilson conţine un în plus un tranzistor, deci are aceeaşi complexitate cu sursa de
curent cu câştig în curent (Fig.II.2), iar sursa cascodă conţine două tranzistoare în plus.
Având tranzistoare amplicatoare de curent, Q3 la sursa Wilson şi Q4 la cascodă, dependenţa
factorului de transfer în curent de  este comparabilă cu cea din cazul sursei simple cu câştig în
curent, eroarea fiind de ordinul 2.
Calculând rezistenţa de ieşire, se poate constata ca valoarea acesteia este de acelaşi ordin de
mărime ca în cazul sursei de curent standard.

Iref VCC
Iref VCC R
R I0 I0
Q3 Q4 Q3

Q1 Q2 Q1 Q2

(a) (b)

Fig.II.7. Surse de curent Wilson şi cascodă:

(a) – sursa Wilson; (b) – sursa cascodă.

II.1.7. SURSE DE CURENT CU IEŞIRI MULTIPLE

Sursele de curent cu ieşiri multiple reprezintă soluţia optimă pentru polarizarea mai multor
etaje ale unui circuit integrat. Schema unei surse multiple este reprezentată în Fig.II.8, observându-
se că sursa de bază este o combinaţie între sursa simplă cu câştig în curent şi sursa standard.
Tranzistorul Q1, fiind amplificator de curent, asigură curenţii de bază pentru tranzistoarele finale, iar
rezistenţele din emitoare asigură ponderarea curenţilor de ieşire.
Dacă ariile de emitor ale tranzistoarelor Q2…Q6 sunt proporţionale cu curenţii de emitor,
joncţiunile bază-emitor vor lucra la aceeaşi densitate de curent, deci tensiunile bază-emitor vor fi
egale, aspect care rezultă din (II.11) şi (II.12). Apoi, dacă se neglijează şi curenţii de bază, pot fi

17
scrise relaţiile:
VBE2  R2 I ref  VBE3  R3 I 3  VBE 4  R4 I 4  VBE5  R5 I 5  VBE 6  R6 I 6
, (II.27)
VBE2  VBE3  VBE4  VBE5  VBE6  R2 I ref  R3 I 3  R4 I 4  R5 I 5  R6 I 6
de unde se pot dimensiona rezistenţele care să asigure curenţii de ieşire doriţi:
RI RI RI RI
R3  2 ref ; R4  2 ref ; R5  2 ref ; R6  2 ref . (II.28)
I3 I4 I5 I6
În analiza de mai sus s-a considerat cazul în care tranzistoarele au aria de emitor ponderată
proporţional cu curenţii de colector. Dar după cum rezultă de la pct.II.1.2 (sursa standard),
ponderarea curenţilor se poate obţine şi în cazul tranzistoarelor identice sau chiar mai mult, este
posibil ca ponderarea să fie independentă de gradul de împerechere, dacă căderea de tensiune pe
rezistenţele din emitor este suficient de mare, astfel încât să fie valabile (II.19), (II.20). Deci, în
principiu, poate fi utilizată oricare din cele două soluţii.

+VCC
Iref
R1
Q1 I3 I4 I5 I6
Q3 Q4 Q5
Q2 Q6

R2 R3 R4 R5 R6
VE

Fig.II.18. Sursă de curent cu ieşiri multiple.

II.1.8. SURSE DE CURENT CA SARCINI ACTIVE

Amplificarea în tensiune a unui etaj cu tranzistoare este proporţională cu rezistenţa de sarcină.

Pe de altă parte, o condiţie importantă privind amplificatoarele cu reacţie negativă este asigurarea
unei amplificării în buclă deschisă cât mai mare, cu un număr de etaje de amplificare cât mai mic.
Iar acest obiectiv nu poate fi îndeplinit decât prin utilizarea unor rezistenţe de sarcină de valoare
ridicată, intrând astfel în contradicţie cu consumul de arie. Singura soluţie viabilă a problemei de
mai sus o reprezintă utilizarea unor sarcini active, adică a rezistenţei dinamice pe care o prezintă
unele circuite tranzistorizate, cele mai adecvate în acest sens fiind sursele de curent.
Amplificarea în tensiune a unui etaj cu emitor comun şi sarcină rezistivă poate fi calculată pe
baza schemei echivalente din Fig.II.9, astfel:

A  0   m r0 RC   g m r0 RC    C r0 RC   C RC ,
v g v I I
(II.29)
vx vx VT VT
unde s-a avut în vedere că v = vx, gm = IC/VT şi s-a considerat rb = 0, r0  RC. În aceste condiţii,
rezistenţa de ieşire a etajului cu sarcină rezistivă este:
R0  r0 RC  RC . (II.30)
O amplificare mare implică o valoare mare a produsului ICRC, ceea ce înseamnă valori mari
pentru tensiunea de alimentare şi rezistenţa de sarcină. De exemplu, pentru o amplificare A = 1000,
dacă ICRC = 26 V şi IC = 100 A, rezultă pentru rezistenţa de sarcină valoare RC = 260 k,
inadmisibil de mare.

18
 iC VCC
RC

Q1

gmv
v0 vx r v r0 RC v0
vx

(a) (b)

Fig.II.9. Etaj de amplificare cu emitor comun şi sarcină rezistivă:

(a) – schema electrică; (b) – schema echivalentă.
Soluţia la problema de mai sus o constituie utilizarea ca sarcină a rezistenţei de ieşire, r0, a
unui tranzistor pnp, fiind astfel posibil de obţinut o amplificare mare în tensiune fără a fi nevoie de
o tensiune mare de alimentare.
Înlocuirea rezistenţei de sarcină cu un tranzistor, adică cu o componentă activă, a sugerat
denumirea de sarcină activă pentru această situaţie. Schema electrică a etajul de amplificare cu
emitor comun şi sarcină activă este reprezentată în Fig.II.10. Pe baza schemei echivalente din
Fig.II.10.b se poate calcula amplificarea în tensiune şi rezistenţa de ieşire, în acelaşi mod ca la
etajul cu sarcină rezistivă. În acest caz, actualizând (II.29) se obţine:

A  0   m1 r01 r02   g m r01 r02    C r01 r02 ,

v g v I
(II.31)
vx vx VT
de unde rezultă că rezistenţa de ieşire a etajului cu sarcină activă are expresia:
R0  r01 r02 . (II.32)
Tranzistorele npn şi pnp fiind împerecheate, vor avea aceeaşi tensiune Early, VA1 = VA2 = VA.
Lucrând la acelaşi curent, rezultă r01 = r02 = r0 = VA/I0. Considerând VA  130 V şi I0 = IC1 = IC2 =
Iref = 100 A, rezultă r0 = 1,3 M.
Deci rezistenţa echivalentă de sarcina are valoarea R0 = r0/2 = 650 k, suficient de mare
pentru a se obţine lejer amplificări de ordinul a 1000…2000 pe fiecare etaj, fără ca valoarea
tensiunii de alimentare să devină critică. Dar, pentru a se valorifica acest avantaj al sarcinii active,
trebuie ca etajul cu sarcină activă să fie urmat de un etaj cu impedanţă de intrare corespunzătoare.

VCC
Q3 Q2
iC2
R
iC1
Iref
v0
Q1
gm1v

vx r1 v r01 r02 v0

vx

(a) (b)

Fig.II.10. Etaj de amplificare cu emitor comun şi sarcină activă:

(a) – schema electrică; (b) – schema echivalentă.

19
 II.1.9. ASIGURAREA UNEI POLARIZĂRI STABILE

II.1.9.1. Definirea problemei

Ca sursă de polarizare, sursa de curent simplă are dezavantajul dependenţei directe a curentului de
ieşire de tensiunea de alimentare, conform (II.3) şi (II.4). De exemplu, dacă această sursă de curent
este utilizată într-un circuit integrat cu tensiunea de alimentare 10…30 V (5 V…15 V), curentul
de polarizare va varia în raport de 3/1, iar puterea disipată în raport de 9/1.
Pentru exprimarea acest efect se utilizează noţiunea de sensibilitate a curentului de ieşire la
variaţia tensiunea de alimentare, conform definiţiei:
I 0 I 0 V I 0 V I 0
Io
S Vcc   CC  CC , (II.33)
VCC VCC I 0 VCC I 0 VCC
Inversul sensibilităţii poate fi definit ca raport de rejecţie al tensiunii de alimentare PSRR
(Power Supply Rejection Ratio):
1 I VCC
PSRR  20 lg Io  20 lg 0 [dB]. (II.34)
S Vcc VCC I 0
Pentru sursa de curent simplă, conform (II.3), (II.4), rezultă:
V V V VCC
I 0  I ref  CC BE  CC şi  R, (II.35)
R R I0
pe baza cărora, (II.33) conduce la următorul rezultat:
I 0 1 1
  S VccIo
 R  1 şi PSRR  0 , (II.36)
VCC R R
deci sursa de curent simplă nu rejectează tensiunea de alimentare.
Sursa de curent Widlar se comportă mai bine din acest punct de vedere. În acest caz, curentul
de ieşire, conform (II.25), are expresia:

VT  I ref
I0   ,
ln (II.37)
R2  I 0

care denotă o dependenţă logaritmică a curentului de ieşire de tensiunea de alimentare, curentul de
referinţă având o formă identică cu (II.4) sau (II.35).
Pentru determinarea sensibilităţii se diferenţiază (II.37) în raport cu VCC:
I 0 V I  1 I ref I ref I 0 
 T 0   , (II.38)
VCC R2 I ref  I 0 VCC I 02 VCC 
de unde se extrage termenul I0/VCC şi se introduce în (II.33), rezultând:
V VT I 0 I ref VCC 1 I ref
Io
S Vcc  CC  . (II.39)
I 0 I ref R2 I 0 V T  VCC R I
I ref 1  2 0 VCC
VT
Având în vedere că:
VCC  VBE VCC VCC I ref 1
I ref   deci  R şi  , (II.40)
R R I ref VCC R
(II.39) devine:
1
Io
S Vcc  . (II.41)
R2 I 0
1
VT
20
 De exemplu, pentru Iref = 1 mA şi I0 = 10 A, din (II.55) rezultă R2 = 11,9 k, iar din (II.41)
Io
şi (II.34) rezultă S Vcc  0,13 şi PSRR = 20lg(1/0,13) = 17,72 dB. Altfel zis, o variaţie de 10% a
tensiunii de alimentare produce o variaţie de 1,3% a curentului de ieşire a sursei Widlar sau 100%
produce 13% la ieşire. Prin urmare, sursa Widlar este superioară sursei simple, din punct de vedere
al independenţei curentului de ieşire faţă de sursa de alimentare.
Dar chiar şi acest grad de independenţă, prezentat de sursa Widlar, este insuficient pentru
circuitele integrate analogice. Rezolvarea radicală a acestei probleme impune ca curentul de
polarizare să depindă de o altă tensiune de referinţă decât cea de alimentare. În acest sens, cele mai
accesibile posibilităţi sunt următoarele: tensiunea bază-emitor a unui tranzistor, tensiunea termică
VT şi tensiunea Zener pe care o prezintă o joncţiune bază-emitor polarizată invers.
Aceste soluţiile rezolvă într-adevăr problema pusă, dar deschid alte probleme. Tensiunile
bază-emitor şi termică sunt dependente de temperatură, prima având coeficient de variaţie cu
temperatura negativ şi a doua pozitiv, iar tensiunea Zener a joncţiunii bază-emitor polarizată invers
necesită tensiune de alimentare de peste 7…8 V, tensiunea de străpungere fiind de 6V şi în plus,
joncţiunea pn produce în regiunea de străpungere un nivel mare de zgomot.

II.1.9.2. Circuit de polarizare cu referinţă VBE

Structura cea mai simplă a unui circuit de polarizare pilotat de o tensiune bază-emitor ca referinţă,
este reprezentat în Fig.II.11. Acest circuit este derivat din sursa de curent Wilson (pct.II.1.6), la care
tranzistorul conectat ca diodă (Q2) este înlocuit cu o rezistenţă. Dacă se neglijează curentul de bază,
curentul de ieşire este dat de o expresie logaritmică de forma:

vBE1 VT  I ref
I0    .
ln (II.42)
R2 R2  I S1

Circuitul de faţă nu este total independent de tensiunea de alimentare, deoarece tensiunea
bază-emitor a tranzistorului Q1 variază cu tensiunea de alimentare datorită curentului de referinţă
direct proporţional cu aceasta:
VCC  VBE2  VBE1 I 
I ref  ; vBE1  VT ln ref  . (II.43)
R  I S1 

Iref VCC
I0
R
Q2
Q1
R2

Fig.II.11. Circuit de polarizare pilotat cu VBE.

II.1.9.3. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VBE
Independenţa totală a curentului de polarizare de tensiunea de alimentare poate fi asigurată prin
utilizarea unei tehnicii numită bootstrap sau autopolarizare, în care curentul de referinţă este
furnizat de o sursă cu tranzistoare pnp, având ca referinţă curentul de ieşire al sursei de bază,
conform Fig.II.12. Se observă că circuitul este format dintr-o sursă pilotată cu tensiune bază-emitor
(Q1, Q2, R2) şi o sursă simplă cu tranzistoare pnp (Q4, Q5). Exceptând efectul Early, în rest curentul
de ieşire este total independent de tensiunea de alimentare.
21
 Q5 VCC
Q4 Q6

Iref I0 I01 I02

Q2
Q1 Q3
R2

Fig.II.12. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VBE.

O problemă a circuitului bootstrap este aceea că prezintă o comportare bistabilă, cu
tranzistoarele fie în conducţie, fie blocate, stabilirea uneia din cele două stări având loc în mod
aleator la cuplarea alimentării. Deci, pentru o funcţionare sigură, este necesar un circuit de
amorsare, conform Fig.II.13. Tensiunile faţă de masă în punctul A şi în baza tranzistorului Q2 având
valorile VA0 = 4VBE – VBE = 3VBE, respectiv VB20 = 2VBE, prin rezistenţa Rb va circula un curent de
amorsare a circuitului cu valoarea Ib = VBE/Rb. Circuitul fiind cu reacţie pozitivă, curentul asigurat
iniţial prin Rb poate avea o valoare mult mai mică decât curentul de referinţă, deci pierderea de
tensiune pe Rb, în regim normal de funcţionare, trebuie să asigure doar blocarea diodei D5.

Q5 VCC
Ra Q4 Q6

D5 Iref
4VBE I0 I01 I02
A
Rb
Q2
Q1 Q3
R2
D1…D4

Fig.II.13. Circuit de polarizare bootstrap prevăzut cu amorsare.

II.1.9.4. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VT

Schema circuitului de polarizare bootstrap cu VT ca referinţă este reprezentată în Fig.II.14, de unde
se observă că sursa de bază este de tip Widlar (pct.II.1.5).

Q5 VCC
Q4 Q6

Iref I0 I01 I02

Q1 Q2
Q3
R2

Fig.II.14. Circuit de polarizare bootstrap cu referinţă VT.

În acest caz, curentul de ieşire are expresia de la sursa Widlar, adică:
VT  I ref 
I0  ln  , (II.44)
R2  I 0 
22
de unde se observă că depinde direct de tensiunea VT, deci de temperatură.
Ambele circuite bootstrap prezentate mai sus, cu referinţă tensiune bază-emitor şi cu referinţă
tensiune termică, rezolvă radical problema independenţei curentului de ieşire de tensiunea de
alimentare, dar prezintă dezavantajul unei dependenţei puternice a curentului de ieşire de
temperatură. Pentru asigurarea independenţei de temperatură se cunosc ca soluţii circuitele de
polarizare cu referinţă Zener şi cu referinţă de tip bandă interzisă.

II.1.9.5. Circuit de polarizare cu referinţă Zener

Schema circuitului de polarizare cu referinţă tensiune Zener este reprezentată în Fig.II.15. În
Fig.I.15.a este reprezentată schema de bază a circuitului de polarizare cu referinţă tensiune Zener,
iar în Fig.II.15.b este reprezentată schema bootstrap. Diodele Q1, Q2 compensează tensiunile bază-
emitor ale tranzistorelor Q3 şi Q4. Cu aceste observaţii, valoarea curentul de referinţă poate fi
calculată cu relaţia:
V V V V V V
I ref  Z BE1 BE2 BE3 BE4  Z , (II.45)
R2 R2
La fel ca oricare circuit de polarizare bootstrap şi circuitul cu referinţă Zener necesită
amorsare, conform Fig.II.13. Dezavantajul acestui circuit este acela că necesită tensiuni de
alimentare mai mari decât tensiunea Zener  6 V.

Q7 VCC
VCC Q6 Q8
R1
Q3 Q3 I02
+ +
D1 Iref I0 D1 Iref
 
R2 R2 I01
Q1 Q1

Q2 Q4 Q5 Q2 Q4 Q5

(a) (b)

Fig.II.15. Circuit de polarizare cu referinţă Zener:

(a) – schema de bază; (b) – schema bootstrap.
II.1.9.6. Circuit de polarizare cu referinţă de tip bandă interzisă
Sursele de referinţă de tip bandă interzisă valorifică faptul că tensiunea bază-emitor şi tensiunea
termică au coeficienţi de variaţie cu temperatura de semn contrar. În aceste condiţii, este posibil să
se găsească o sumă ponderată a celor două tensiuni, astfel încât per ansamblu variaţia cu
temperatura să fie nulă:
v0
v0  VBE  KVT   0. (II.46)
T
Sunt posibile multiple soluţii de realizare practică a referinţelor de tensiune cu bandă
interzisă. Ideea lor de bază este utilizarea unei bucle de reacţie care să stabilească un punct de
funcţionare caracterizat de o tensiune egală, conform (II.46), cu suma dintre o tensiune VBE şi o
tensiune proporţională cu diferenţa a două VBE, care este proporţională cu VT dacă tranzistoarele
lucrează la densităţi de curent diferite. Schema de principiu a unei referinţe de tensiune cu bandă
interzisă este reprezentată în Fig.II.16.
23
 I2 I1
R2 R1
- A1

R3
+

v0
Q2 Q1

Fig.II.16. Schema de principiu a referinţei de tensiune cu bandă interzisă.

Considerând amplificatorul A1 ideal şi neglijând curenţii de bază ai tranzistoarelor, pentru
circuitul din Fig.II.6 pot fi scrise următoarele relaţii:
v0  R1 I1  vBE1 ; (II.47)
vBE1  R3 I 2  vBE2 ; (II.48)
I1R1  I 2 R2 . (II.49)
Utilizând (II.49), diferenţa de tensiuni bază-emitor este de forma (II.16):
I I  R I 
vBE1  vBE2  VT ln 1 S2   VT ln 2 S2  . (II.50)
 I 2 I S1   R1 I S1 
Din (II.48) şi (II.50) se poate calcula expresia curentului I2:
VT  R2 I S2 
I2 ln , (II.51)
R3  R1 I S1 
iar din (II.49) şi (II.51) se poate calcula expresia curentului I1:
R2 VT  R2 I S2 
I1  ln . (II.52)
R1 R3  R1 I S1 
În fine, din (II.47) şi (II.52) se poate calcula expresia tensiunii de ieşire:
R2  R2 I S2 
v0  vBE1  VT ln   vBE1  VT K . (II.53)
R3  R1 I S1 
Valorile R2/R3, R2/R1 şi IS2/IS1 pot fi setate astfel încât să se obţină pentru v0 un coeficient de
temperatura nul, care se transmite apoi asupra curentului de referinţă al sursei de polarizare.

II.2. AMPLIFICATOARE DIFERENŢIALE

Amplificatorul diferenţial (AD) este cel mai larg şi utilizat etaj de amplificare din structura
unui circuit integrat analogic, remarcându-se prin particularităţile:
 prezintă două intrări de semnal, ca urmare amplifică diferenţa celor două tensiuni de intrare,
fiind insensibil la valorile absolute ale acestor tensiuni;
 este insensibil la perturbaţii de mod comun, cum ar fi variaţiile tensiunii de alimentare şi
temperaturii, informaţia fiind purtată de semnalul diferenţial;
 conectarea în cascadă a AD se poate realiza prin cuplaj direct.
Schema AD clasic este prezentată în Fig.II.17. În emitoarele tranzistoarelor Q1 şi Q2
polarizarea se realizează printr-o sursă de curent constant, cu valoarea I0, dar se poate realiză şi
numai printr-o simplă rezistenţă. Tranzistoarele Q1 şi Q2 sunt împerecheate tehnologic, deci toţi
parametrii lor pot fi consideraţi, cu o anumită aproximaţie, identici.
24
 +VCC
RC RC

iC1 v01 v02 iC2

Q1 Q2
vx1 vx2
iE1 iE2
I0

VCC

Fig.II.17. Amplificator diferenţial clasic.

Punctul static de funcţionare al AD este definit prin parametrii vx1 = vx2, iC1 = iC2 = I0/2 şi v01
= v02. În regim de amplificare intervin tensiunile diferenţiale de intrare şi de ieşire, definite astfel:
vx  vx1  vx2 , respectiv v0  v01  v02 . (II.54)

II.2.1. CARACTERISTICA DE TRANSFER STATICĂ

Pentru simplificare se neglijează rezistenţele de bază şi de ieşire ale tranzistoarelor, inclusiv

ale celor din sursa de curent (rb = 0, r0 = ). În aceste condiţii, pe baza Fig.II.7 se pot scrie relaţiile:
1
I 0  iE1  iE2  iC1  iC2  , (II.55)

unde  = /(+1) = iC/iE este factorul de amplificare în curent de la emitor la colector (ic = iE). Din
(II.55) pot fi explicitate expresiile curenţii iC1 şi iC2:
I 0 I 0
iC1  , respectiv iC2  . (II.56)
1  iC2 iC1 1  iC1 iC2
Utilizând caracteristica exponenţială a tranzistorului,
v 
iC  I S exp BE  . (II.57)
 VT 
(II.56) devine:
I 0 I 0
iC1  , respectiv iC2  (II.58)
 v v  v v 
1  exp  BE1 BE2  1  exp BE1 BE2 
 VT   VT 
Aplicând legea lui Kirchhoff pe bucla care conţine tensiunile de bază, rezultă:
vBE1  vBE2  vx1  vx2  vx , (II.59)
astfel încât, (II.58) devine:
I 0 I 0
iC1  , respectiv iC2  . (II.60)
1  exp vx VT  1  expvx VT 
Din (II.55) şi (II.60) se poate forma sistemul de ecuaţii:
iC1  iC2  I 0
 1 1  , (II.61)
iC1  iC2  I 0     I 0 tanh vx 2VT 
 1  exp vx VT  1  expvx VT  
de unde se poate determina o altă formă de exprimare a curenţilor de colector:

25
 I 0
iC1  1  tanhvx 2VT  , respectiv iC2  I 0 1  tanhvx 2VT  . (II.62)
2 2

2iC/I0
1
0,8
2iC1/I0
0,6
0,4
2iC2/I0
0,2
vx/2VT
5 4 3 2 1 0 +1 +2 +3 +4 +5

Fig.II.18. Caracteristicile de transfer curent-tensiune a unui amplificator diferenţial.

În Fig.II.18 sunt reprezentate grafic caracteristicile de transfer curent-tensiune ale celor două
tranzistoare, remarcându-se următoarele particularităţi:
1. Caracteristicile de transfer sunt aproximativ liniare în jurul punctului static de funcţionare, pe un
interval al tensiunii diferenţiale de intrare cu valoarea vx = vx1  vx2 = VT, adică cu amplitudinea
VT  25 mV şi valoarea vârf-vârf VT  50 mV, la temperatura de 27 C. Pentru amplitudini ale
tensiunii de intrare mai mari decât 4VT  100 mV, la temperatura de 27 C, curenţii de colector
devin independenţi de tensiunea de intrare, deoarece curentul printr-un tranzistor devine egal cu
I0, iar prin celălalt tranzistor devine nul.
2. Panta caracteristicilor de transfer, reprezentând transconductanţa etajului, poate fi calculată
derivând (II.62), rezultând valoarea maximă în punctul static de funcţionare (vx = vx1  vx2 = 0):
1 I0 1  I0 2 
g m_max    , (II.63)
4 VT 2  VT 
de unde se observă că panta etajului diferenţial este 1/2 din panta unui etaj de amplificare cu un
singur tranzistor, în conexiune emitor comun, lucrând la acelaşi curent de punct static (I0/2).
3. Tensiunile de ieşire se pot calcula funcţie de curenţii de ieşire cu relaţiile:
v01  VCC  iC1 RC
, (II.64)
v02  VCC  iC2 RC
care împreună cu (II.80) permit calculul tensiunii diferenţiale de ieşire:
v0  v01  v02  RC iC2  iC1   I 0 RC tanh vx 2VT  . (II.65)
Graficul (II.83) constituie caracteristica de transfer tensiune diferenţială de ieşire funcţie de
tensiune diferenţială de intrare şi este dat în Fig.II.19.

v0/I0RC
1
0,8
0,6
0,4
0,2
vx/2VT
5 4 3 2 1 0 +1 +2 +3 +4 +5

Fig.II.19. Caracteristicile de transfer tensiune-tensiune a unui amplificator diferenţial.

26
4. Extinderea domeniului liniar al tensiunilor de intrare se poate realiza prin conectarea unor
rezistenţe în serie cu emitoarele tranzistoarelor, conform Fig.II.20. Constituind o reacţie
negativă, panta echivalentă a etajului devine
g m_echiv  g m 1  g m RE  . (II.66)
unde gm reprezintă panta pentru RE = 0.

+VCC
RC RC

iC1 v01 v02 iC2

Q1 Q2
RE RE
vx1 vx2
iE1 iE2
I0

VCC

Fig.II.20. Amplificator diferenţial cu rezistenţe de liniarizare în emitoare.

II.2.2. PRINCIPALII PARAMETRI CARACTERISTICI

Caracterizarea comportării dinamice, în regim sinusoidal, a unui etaj de amplificare diferenţial

necesită două tipuri de parametri caracteristici, de mod diferenţial şi de mod comun.
Prin definiţie, tensiunile de mod comun reprezintă semisuma tensiunilor faţă de masă, în două
puncte omoloage ale circuitului, iar tensiunile de mod diferenţial reprezintă semidiferenţa acestor
tensiuni. De regulă, semnalele de mod diferenţial sunt semnale utile, iar cele de mod comun sunt
perturbatoare. Cu aceste precizări, se pot defini următorii parametri caracteristici:
 Tensiunea de intrare de mod diferenţial şi de mod comun:
vid  vx1  vx2  2  vx 2
, (II.67)
vic  vx1  vx2  2
de unde rezultă:
vx1  vic  vid
. (II.68)
vx2  vic  vid
Prin urmare, tensiunea de mod comun este tensiunea din punctul static de funcţionare, în jurul
căreia se balansează tensiunea de mod diferenţial.
 Curentul de intrare de mod diferenţial şi de mod comun:
iid  ii1  ii2  2
. (II.69)
iic  ii1  ii2  2
 Impedanţa de intrare de mod diferenţial şi de mod comun:
2vid v
Rid  , respectiv Ric  ic . (II.70)
iid vic  0 iic vid  0
 Tensiunea de ieşire de mod diferenţial şi de mod comun:
v0d  v01  v02  2  v0 2
. (II.71)
v0c  v01  v02  2

27
 de unde rezultă:
v01  v0c  v0d
. (II.72)
v02  v0c  v0d
Corespunzător celor două tipuri de tensiuni, de mod diferenţial şi de mod comun, le
corespund patru tipuri de amplificări definite după urmează:
 Amplificarea de mod diferenţial şi de mod comun:
v0d v
Add  , respectiv Acc  0c . (II.73)
vid vic  0 vic vid  0
 Amplificarea de transfer de la modul diferenţial la modul comun:
v0c
Acd  . (II.74)
vid vic  0
 Amplificarea de transfer de la modul comun la modul diferenţial:
v0d
Adc  . (II.75)
vic vid  0
Pe baza (II.73)…(II.75), pot fi explicitate expresiile tensiunilor de ieşire:
v0d  Add vid  Adc v ic
. (II.76)
v0c  Accvic  Acd vid
În condiţii de simetrie perfectă, ambele amplificări de transfer sunt nule. În circuitele practice
sunt inevitabile unele mici asimetrii care generează amplificări de transfer de valori finite, reduse,
dar diferite de zero. Dintre acestea, cea mai supărătoare este amplificarea de transfer de la modul
comun la cel diferenţial, Adc, fiindcă produce o tensiune de ieşire diferenţială datorită unei tensiuni
de intrare de mod comun, care se suprapune peste tensiunea de ieşire diferenţială utilă, produsă de
tensiunea diferenţială de intrare. Semnalele utile fiind cele de mod diferenţial, etajele diferenţiale
trebuie să maximizeze amplificarea pe mod diferenţial şi să o minimizeze pe cea de mod comun.
Capabilitatea unui amplificator diferenţial de a separa efectul util al tensiunii de intrare
diferenţiale de efectul perturbator al tensiunii de intrare de mod comun se exprimă prin factorul de
discriminare, definit astfel:
F  Add Acc . (II.77)
Capabilitatea unui amplificator diferenţial de a separa tensiunea de ieşire diferenţială datorită
tensiunii de intrare diferenţiale de tensiunea de ieşire diferenţială datorită tensiunii de intrare de
mod comun se exprimă prin raportul de rejecţie a modului comun, definit astfel:
RRMC  Add Adc . (II.78)
În nod analog se poate defini şi factorul de rejecţie al modului diferenţial:
RRMD  Acc Acd , (II.79)
care este mai puţin important şi utilizat.

II.2.3. EFECTELE NESIMETRIEI ETAJULUI

Un aspect important al performanţelor unui amplificator diferenţial este cel cu privire la

tensiunea minimă de intrare care poate fi detectată. Apariţia inevitabilă de nesimetrii între valorile
unor parametri tehnologici se traduce în final prin apariţia unor tensiuni diferenţiale la ieşire care nu
28
pot fi decelate de semnalul util de ieşire. Prin urmare, la ieşire apar nişte erori de curent continuu
(c.c.) care provoacă o limitare majoră a rezoluţiei.
Pentru AD cu tranzistoare efectul nesimetriilor asupra performanţelor de c.c. este exprimat
convenţional prin doi parametri: tensiunea de decalaj la intrare şi curentul de decalaj la intrare,
care reprezintă efectul acestor nesimetrii raportat la intrarea amplificatorului. Aşa cum rezultă din
Fig.II.21, un AD real, cu nesimetrii, este echivalent cu un AD ideal, perfect simetric, având la
intrare conectate în serie sursa de tensiune de decalaj şi în paralel sursa de curent de decalaj.

+VCC
RC1 RC1

Etaj de amplificare ideal

OUT
vioff
 +
Q1 Q2
ii1
IN  IN
ii2
iioff/2

VCC

Fig.II.21. Evidenţierea tensiunii şi curentului de decalaj la intrare.

II.2.3.1. Tensiunea de decalaj la intrare

Relativ la Fig.II.21, tensiunea de decalaj sau de offset la intrare este egală şi de semn contrar cu
tensiunea care ar trebui aplicată la intrare, între cele două intrări, pentru ca tensiunea diferenţială de
ieşire să fie adusă la zero. Aplicând legea tensiunii a lui Kirchhof pe bucla de intrare, se obţine:
I I 
Vioff  VBE1  VBE2  VT ln C1 S2  . (II.80)
 I C2 I S1 
Condiţia ca tensiunea de ieşire să fie zero, este echivalentă cu:
I R
I C1 RC1  I C2 RC2 sau C1  C2 , (II.81)
I C2 RC1
pe baza căreia (II.80) devine:
R I 
vioff  vBE1  vBE2  VT ln C2 S2  . (II.82)
 R C1 I S1 
Conform (II.82), tensiunea de decalaj la intrare, dată de diferenţa de tensiune bază-emitor,
este raportată la nesimetria rezistenţelor de colector şi a curenţilor de saturaţie. Altfel zis, nesimetria
tensiunilor bază-emitor se reflectă în nesimetria curenţilor de saturaţie care poate fi corectată prin
introducerea unei nesimetrii de sens contrar între rezistenţele de colector.
Nesimetria între doi parametri poate fi exprimată în general astfel:
x   x1  x2  2
. (II.83)
x  x1  x2
unde x este media, iar x – diferenţa celor doi parametri. Din (II.83) rezultă:
x1  x  x 2
. (II.84)
x2  x  x 2
Utilizând (II.84) pentru a exprima parametrii RC şi IS, (II.82) devine:

29
  R  RC 2 I S  I S 2
vioff  VT ln C  
 RC  RC 2 I S  I S 2 
. (II.85)
 1  RC 2 RC 1  I S 2IS 
 VT ln  
 1  RC 2 RC 1  I S 2 I S 
Presupunând că RC  RC şi IS  IS, în (II.85) se poate folosi substituţia:
1 1 x
 1  x , deci  1  x 1  x   1  2 x , (II.86)
1 x 1 x
care conduce la rezultatul:
 R  I 
Vioff  VT ln 1  C 1  S  . (II.87)
 RC  I S 
Dacă (II.87) se dezvoltă în serie Taylor şi se neglijează termenii de ordin superior, rezultă:
 R I 
vioff  VT  C  S  . (II.88)
 RC IS 
Dacă considerăm pentru abaterile de la simetrie valorile tipice, posibil de obţinut practic, de
RC/RC = 1%, IS/IS = 5%, tensiunea de offset rezultă:
Vioff  26 mV 0,01  0,05  1,5 mV . (II.89)

II.2.3.2. Curentul de decalaj la intrare

Relativ la Fig.II.21, curentul de decalaj sau de offset la intrare este egal şi de semn contrar cu
curentul care ar trebui aplicat la intrare, pentru ca tensiunea diferenţială de ieşire să fie adusă la
valoarea zero. Prin urmare, se poate scrie:
I I
I ioff  I B1  I B2  C1  C2 . (II.90)
1 2
Aplicând artificiul (II.94) parametrilor din (II.90), se obţin expresiile:
I C1  I C  I C 2      2
, respectiv 1 , (II.91)
I C2  I C  I C 2 2     2
pe baza cărora, (II.90) devine:
I C  I C 2 I C  I C 2 I C  1  I C 2 I C 1  I C 2 I C 
I ioff      . (II.92)
   2    2   1   2 1   2 
Considerând IC  IC,    şi folosind artificiul (II.96), se poate scrie:
IC  I C     I C   
I ioff  1  1    1  1   , (II.93)
  2 I C   2   2 I C   2 
de unde neglijând termenii de ordin superior, rezultă:
I C  I C  
 I ioff 
 . (II.94)
  I C  
Având în vedere condiţia ca tensiunea de ieşire să fie zero, (II.81):
I C1 RC2 I C R
   C , (II.95)
I C2 RC1 IC RC
deci (II.94) devine:

30
 I C  RC  

I ioff    . (II.96)
  RC  
Dacă considerăm pentru abaterile de la simetrie valorile tipice, posibil de obţinut practic, de
/ = 10%, RC/RC = 1%, curentul de offset rezultă:
I ioff  0,11I C   0,1iB . (II.97)
Prin urmare, tensiunea de offset este de ordinul milivolţilor, iar curentul de offset este de
ordinul a 10% din curentul de bază.

II.2.4. ETAJE DIFERENŢIALE CU SARCINI ACTIVE

Etajele de amplificare diferenţiale cu sarcini active pot fi şi cu ieşire diferenţială simetrică, dar
de regulă sunt cu ieşire asimetrică, conform Fig.II.22. Amplificarea în tensiune a acestui tip de etaj
este egală în volum cu amplificarea diferenţială a etajului, deşi ieşirea este asimetrică:
iL  2 g m vx 2  g m vx
v0  iL RL  g m vx R L . (II.98)
A  v0 vx  g m R L

+VCC
Q3 Q4
iL

Q1 Q2 RL v0
vx
vx1
vx2
I0
VCC

Fig.II.32. Etaj diferenţial cu sarcină activă şi ieşire asimetrică.

II.3. ETAJE DE DEPLASARE A NIVELULUI

Etajele CIA sunt cuplate între ele prin cuplaj direct în c.c. Din acest motiv nivelul de curent
continuu tinde să varieze de la etaj la etaj într-un singur sens, către nivelul uneia dintre sursele de
alimentare. Astfel, excursia de semnal la ieşire tinde să scadă de la etaj la etaj, către valoarea zero.
Acest fapt implică asigurarea prin proiectare a compatibilităţii nivelului de curent continuu de
la ieşirea unui etaj cu cel de intrarea etajului următor. În acest scop se folosesc etaje de deplasare a
nivelului cu rol de a modifica nivelul de curent continuu, asigurând o atenuare minimă a semnalului.
În general, un etaj de deplasare a nivelului este un etaj tampon care trebuie să asigure
amplificare unitară, impedanţă mare de intrare şi impedanţă mică de ieşire. În principiu, astfel de
etaje pot fi realizate cu circuite pasive, dar fiind mai performante se preferă cele cu circuite active.
Două din soluţiile uzuale de realizare a etajelor de deplasare a nivelului sunt cele bazate pe
diodele Zener şi pe tranzistoarelor pnp, conform Fig.II.23.
Etajul de deplasare cu diodă Zener include repetorul pe emitor Q5, dioda Zener D1 şi o sarcină
activă (Fig.II.23.a). Nivelul de curent continuu din punctul A (ieşirea etajului diferenţial) este
deplasat în jos până la nivelul din punctul B (ieşirea etajului de deplasare), cu diferenţa de tensiune:

31
 VAB  VBE5  VZ1  0,6  6  V  6,6 V . (II.99)
Din Fig.II.23.a şi (II.99) se observă că în cazul etajului de deplasare cu diodă Zener,
deplasarea de nivel are valoare fixă, limitând intervalul de variaţie al tensiunii de alimentare.
Această soluţie se utilizează de obicei la circuite care lucrează în comutaţie (comparatoare etc.).

+VCC +VCC
Q4 Q4 R!
Q3 Q3
A Q5 A
Q5
Q1 Q2 Q1 Q2
IN D1 IN
B B
OUT OUT

VCC VCC
(a) (b)

Fig.II.33. Etaje de deplasare a nivelului: (a) – etaj cu diodă Zener; (b) – etaj cu tranzistor pnp.
Etajul de deplasare cu tranzistor pnp include tranzistorul Q5, rezistenţa R1 şi o sarcină activă
(Fig.II.23.b). Nivelul de curent continuu din punctul A (ieşirea etajului diferenţial) este deplasat la
nivelul din punctul B (ieşirea etajului de deplasare), cu tensiunea colector-bază a tranzistorului Q5.
VAB  VBC5 . (II.100)
Etajul de deplasare cu tranzistor pnp, spre deosebire de cel cu diodă Zener, poate realiza
deplasări de nivel de orice valoare şi este mai puţin sensibil la variaţiile tensiunii de alimentare.
Extrapolând această idee, problema deplasării de nivel dispare dacă etajele de amplificare sunt
realizate alternativ cu tranzistoare npn şi pnp. În ambele cazuri, datorită amplificării mari a etajului
diferenţial, este necesară o buclă de reacţie negativă pentru a fixa nivelului de curent continuu.

II.4. ETAJE DE IEŞIRE

Spre deosebire de celelalte etaje ale CIA, etajele de ieşire diferă relativ puţin de schemele
realizate cu componente discrete. Ele trebuie să îndeplinească o serie de condiţii, cum ar fi:
 debitarea puterii specificate în sarcină, la un nivel acceptabil de distorsiuni;
 rezistenţă de ieşire cât mai redusă, pentru ca funcţionarea să nu fie dependentă de sarcină;
 asigurarea unui randament şi a unei benzi de frecvenţă proprii cât mai bune;
 cuplarea comodă a sarcinii.
Ca şi în cazul etajelor finale cu componente discrete, etajele de ieşire ale CIA pot fi realizate
cu funcţionare în clasă A, B şi AB. Fiind etaje de semnal mare, comportă o serie de particularităţi
care necesită precauţii relativ la:
 limitările introduse în dispozitivele active integrate cu privire la puteri, tensiuni şi curenţi, valori
minime şi valori maxime;
 neliniarităţile dispozitivelor active, necesitând măsuri adecvate de reducere a efectului lor
(reacţie negativă puternică, compensare etc.);
 puterea consumată de circuitele de polarizare şi stabilizare a punctelor statice de funcţionare,
care trebuie să aibă pondere cât mai redusă;
 necesitatea unor etaje prefinale defazoare cu semnale de ieşire în antifază.
32
 II.4.1. ETAJE DE IEŞIRE CLASĂ A

În cazul în care puterea de ieşire necesară în sarcină este de valoare redusă, se pot utiliza etaje
de ieşire clasă A în oricare din cele trei configuraţii: colector comun, emitor comun şi bază comună.

II.4.1.1 Etaj de ieşire colector comun

Etajul de ieşire colector comun este cunoscut sub denumirea de repetor pe emitor, conform schemei
din Fig.II.24. De regulă se utilizează varianta cu sarcină activă, Fig.II.24.b, care este mai indicată
din punct de vedere tehnologic şi asigură o polarizare de mai bună calitate a tranzistorului final.
Pentru schema cu sarcină activă, neglijând tensiunile de saturaţie ale tranzistoarelor în raport
cu cele de alimentare considerate simetrice, amplitudinea semnalului de ieşire are valoarea maximă:
V0 _max  V0_ max  V0_max  VCC  VCE_sat  VCC . (II.101)
iar o valoare oarecare mai mică decât cea maximă poate fi exprimată astfel:
V0  V0  V0  KVCC , (II.102)
unde K = 0…1, se numeşte factor de utilizare a tensiunii de alimentare.

+VCC +VCC
Q1 Q1
vx vx
iC1 i0 iC1 i0
Ip RL v0 R Ip RL v0
RE Q2
VCC VCC
(a) (b)

Fig.II.24. Etaj de ieşire colector comun: (a) – cu sarcină rezistivă; (b) – cu sarcină activă.
Pe baza (II.101) se poate determina valoarea optimă a rezistenţei de sarcină, care asigură un
transfer maxim de putere către sarcină:
RL  V0_max I 0_max  VCC I p . (II.103)
Şi pentru curentul de ieşire se poate scrie o relaţie similară cu (II.102):
I 0  V0 RL  KVCC RL  KI 0_max  KI p . (II.104)
Pentru RL  (VCC/Iref) se reduce curentul prin sarcină, iar pentru RL  (VCC/Iref) se limitează
excursia de tensiune pe alternanţa negativă la valoarea:
V0  I ref RL  V0_ max . (II.105)
În cazul etajelor de ieşire prezintă interes efectuarea bilanţului energetic şi determinarea
randamentului. Considerând semnal sinusoidal de intrare, puterea disipată instantanee pe
tranzistorului Q1 se poate calcula cu relaţia:
pQ1  vCE1iC1  VCC  V0 sin t I p  I 0 sin t 

 VCC I p 1  K sin t 1  K sin t   VCC I p 1  K 2 sin 2 t  , II.106)
    
 VCC I p 1  K 2 1  cos 2t  2  VCC I p 1  K 2 2  K 2 2 cos 2t  
iar puterea medie disipată rezultă ca valoare medie a puterii instantanee:
t T

PQ1   p D1dt  VCC I p 1  K 2 2 .
t
 (II.107)
Pentru K = 0, PQ1_0 = VCCIp reprezintă puterea disipată de tranzistorul Q1 în repaus, adică
33
pentru semnal de intrare zero, iar pentru K = 1, PQ1_1 = VCCIp/2 reprezintă puterea disipată de
tranzistorul Q1 pentru semnal maxim de intrare.
În mod analog se poate calcula şi puterea disipată de tranzistorul Q2:
pQ2  vCE2iC2  VCC  V0 sin t I p  VCC I p 1  K sin t  , (II.108)
de unde puterea medie disipată rezultă ca valoare medie a puterii instantanee:
t T
PQ2   pD2 dt  VCC I p . (II.109)
t

Pentru calculul puterii consumate de la sursa de alimentare se are în vedere faptul că curentul
consumat de la sursa negativă este Ip, iar de la sursa pozitivă este Ip + I0. Prin urmare, rezultă:
pA  VCC I p  VCC I p 1  K sin t  , (II.110)
de unde puterea medie consumată de la sursele de alimentare rezultă:
t T
PA   pA dt  2VCC I p . (II.111)
t

Din (II.107), (II.109) şi (II.111) se observă că numai puterea disipată de Q1 depinde de nivelul
semnalului de intrare, iar puterea disipată de Q2 şi cea consumată de la sursele de alimentare este
independentă de semnalul de intrare, fiind constantă şi egală cu puterea consumată în repaus.
Puterea utilă debitată pe rezistenţa de sarcină are valoarea:
p0  v0i0  V0 sin t I 0 sin t   V0 I 0 sin 2 t
, (II.112)
 V0 I 0 1  cos 2t  2
de unde puterea utilă debitată pe rezistenţa de sarcină rezultă ca valoare medie a puterii instantanee:
t T
P0   p0 dt  1 2 V0 I 0  1 2 K 2VCC I p , (II.113)
t

care, conform (II.108), reprezintă tocmai diferenţa dintre puterea disipată de tranzistorul Q1 în
repaus şi în sarcină.
Pentru determinarea randamentului energetic, se exprimă puterea utilă în funcţie de puterea
consumată de la sursa de alimentare, (II.111):
P0  1 4K 2 PA , (II.114)
deci randamentul poate fi exprimat astfel:
  P0 PA  1 4 K 2  0,25K 2 , (II.115)
înregistrând valoarea maximă de 25% pentru K = 1.

II.4.1.2. Etaj de ieşire emitor comun

Etajul de ieşire emitor comun, prevăzut cu sarcină activă, are schema conform Fig.II.10. Pentru
exprimarea analitică funcţiei de transfer se pot scrie relaţiile:
i0  I p  iC1  I p  I S expvx VT 
. (II.116)

v0  RLi0  RL I p  I S expvx VT  
Etajul cu emitor comun este mai puţin utilizat decât etajul cu colector comun din cauza
caracteristicii neliniare deci distorsiuni mari şi rezistenţei de ieşire mare deci rezistenţă de sarcină
mai mare în aceeaşi măsură. Ca avantaje, pot fi amintite câştigul mare în curent şi tensiunea de
ieşire de valoare ridicată.
O aplicaţie tipică a etajului de ieşire cu emitor comun, în varianta cu colector deschis, este în
cazul comparatoarelor de tensiune, unde nu se pune problema neliniarităţii. Colectorul deschis
permite conectarea rezistenţei de sarcină la o altă tensiune decât cea de alimentare a circuitului.
34
II.4.1.3. Etaj de ieşire bază comună
Configuraţia bază comună este utilizată ca etaj de ieşire în anumite aplicaţii particulare. Principalul
dezavantaj este câştigul în curent unitar, astfel încât etajul prefinal trebuie să debiteze acelaşi curent
ca şi etajul final. Însă etajul bază comună prezintă două avantaje importante:
 tensiunea de străpungere fiind mai mare decât în alte configuraţii, tipic valoare dublă, face etajul
adecvat pentru lucru cu tensiuni înalte de ieşire;
 comportare bună în frecvenţă, caracteristică configuraţiei bază comună.
O aplicaţie uzuală a etajului cu bază comună este amplificatoarele video şi de baleaj pentru
osciloscoape, schema de principiu fiind conform Fig.25.

RL RL +VCC
v0

Q1 Q1

Q1 VB Q1
vx1 vx2
RE RE
VCC

Fig.II.25. Etaj de ieşire diferenţial cu bază comună.

II.4.2. ETAJE DE IEŞIRE ÎN CONTRATIMP CLASĂ B

Etajele de ieşire clasă A analizate la pct.II.4.1 prezintă două dezavantaje importante: prezintă
randament mic, iar puterea disipată în repaus este mare, fapt ce conduce la creşterea ariei cipului,
deci a preţului de cost al CIA care folosesc astfel de etaje de ieşire. Aceste dezavantaje pot fi
eliminate prin utilizarea etajelor de ieşire în contratimp clasă B, care prezintă randamente mari
(valoarea teoretică maximă este de 78,5%), iar consumul de curent în repaus este aproape nul.
În esenţă, etajele în contratimp clasă B includ 2 dispozitive active lucrând în clasă B, adică
blocate în lipsa semnalului de intrare. La apariţia unui semnal de intrare, cele 2 dispozitive active
conduc pe rând, câte unul pe fiecare semialternaţă, de unde provine şi denumirea lor de etaje în
contratimp. Schema tipică a unui etaj în contratimp clasă B este reprezentată în Fig.II.26, de unde se
observă că etajul este constituit din 2 tranzistoare complementare, unul npn (Q1) şi celălalt pnp (Q2).

+VCC
Q1
iC1 i0
vx iC2 RL v0
Q2
VCC

Fig.II.26. Etaj de ieşire în contratimp clasă B.

II.4.2.1. Caracteristica de transfer statică

Pentru etajul de Fig.II.26, caracteristica de transfer v0 = f(vx) este reprezentată în Fig.II.27,
observându-se trei regimuri de funcţionare în funcţie de nivelul vx:
 dacă (VBeon  vx  +VBeon)  v0 = 0, ambele tranzistoare fiind blocate;
35
 dacă (vx  +VBeon), Q2 rămâne blocat, iar Q1 lucrează ca repetor pe emitor, tensiunea v0 urmărind
tensiunea vx până când Q1 intră în saturaţie;
 dacă (vx  VBeon), Q1 rămâne blocat, iar Q2 lucrează ca repetor pe emitor, tensiunea v0 urmărind
tensiunea vx până când Q2 intră în saturaţie.
v0

(VCC + VCES2  vBE2)

Q1 saturat
Pantă 1
Q1 activ
Q2 blocat

VBEon
vx

(+VCC  VCES1 + vBE1)

+VBEon
Pantă 1
Q1 blocat
Q2 activ
Q2 saturat

Fig.II.37. Caracteristicile de transfer a unui etaj de ieşire clasă B.

Specific etajelor de ieşire în contratimp clasă B este neliniaritatea sau zona moartă din jurul
originii, corespunzătoare comutării conducţiei de la un tranzistor la celălalt, care generează
distorsiuni de trecere. Ponderea acestor distorsiuni scade pe măsură ce semnalul de intrare creşte.
Însă dacă semnalului de intrare depăşeşte o anumită limită, tranzistoarele pot intra în saturaţie,
tensiunea de ieşire intrând în limitare, distorsiunile vor creşte din nou.

II.4.2.2. Bilanţul energetic

Având în vedere, după cum reiese din Fig.II.26, că excursia maximă a tensiunii pe sarcină are
valoarea aproximativ egală cu tensiunea de alimentare:
V0_max  VCC  VCES  VCC , (II.117)
tensiunea de ieşire poate fi exprimată cu o relaţie de forma (II.102):
V0  KV0_max  KVCC , (II.118)
unde K = 0…1, reprezintă factor de utilizare a tensiunii de alimentare.
Pe baza (II.118), amplitudinea curentului în sarcină presupus sinusoidal, egală cu
amplitudinea curenţilor de colector ai celor două tranzistoare, rezultă:
I 0  V0 RL  K VCC RL  I C1  I C2  I C . (II.119)
a) Calculul puterii medii absorbite de la sursele de alimentare. Curenţii absorbiţi de la sursele
de alimentare sunt identici cu curenţii de colector ai celor două tranzistoare şi reprezintă o
semialternanţă de semnal sinusoidal. În aceste condiţii, valoarea medie a curentului pe o
semiperioadă fiind:
2 T2 1 1 VCC
I sursă   I 0 sin tdt  I 0  K , (II.120)
T 0   RL
sau, utilizând (II.119):
1 1 VCC
I sursă  I0  K , (II.121)
  RL
36
 se obţine expresia puterii medii absorbite de la sursele de alimentare:
2
2 VCC
PA  2VCC I sursă  K  KPA_max , (II.122)
 RL
unde:
2
2 VCC
PA - max  . (II.123)
 RL
Din (II.122) se observă că, spre deosebire de etajele clasă A, pentru etajele clasă B puterea
medie absorbită de la sursele de alimentare nu mai este constantă, ci depinde de nivelul
semnalului, fiind direct proporţională cu factorul de utilizare a tensiunii de alimentare. În lipsa
semnalului, adică pentru K = 0, tranzistoarele fiind blocate puterea absorbită de etaj este zero.
b) Calculul puterii utile medii şi a randamentului. Deoarece puterea utilă medie debitată în
sarcină are, conform (II.112) şi (II.113), expresia:
P0  1 2 V0 I 0 , (II.124)
pe baza (II.118), (II.119), se poate scrie:
2
1 VCC
P0  K 2  K 2 P0_max , (II.125)
2 RL
unde:
2
1 VCC
P0-max  . (II.126)
2 RL
Având în vedere (II.123), (II.125) devine:
P0   4 K 2 PA_max . (II.127)
Pe baza (II.122) şi (II.127), se poate determina expresia randamentului:
  P0 PA   4K , (II.128)
având valoarea teoretică maximă, pentru K = 1, de 78,6%. Această valoare maximă este
superioară celei de 25% specifică etajelor clasă A.
Valoarea ridicată a randamentului şi valoarea zero a curentului absorbit în repaus sunt
avantaje decisive ale etajelor de ieşire clasă B, comparativ cu etajele de ieşire clasă A, care
impun utilizarea lor preponderentă în CIA.
c) Calculul puterii medii disipate de tranzistoare. Valoarea puterii medii disipate de tranzistoare,
utilizând (II.122), (II.127), se poate calcula astfel:
 
PDT  PA  P0  K   4 K 2 PA_max . (II.129)
Din (II.129) se observă că maximul puterii medii disipate nu se obţine la semnal maxim
(K = 1), ci la o valoare a factorului de utilizare a tensiunii de alimentare (K) care anulează
derivata în raport cu K a expresiei (II.129):
dPDT dK  1   2 K  0  K  2   0,637 . (II.130)
Pentru K = 2/, având în vedere (II.123), puterea disipată maximă este:
 2   2 2  1 2
2 VCC
PDT_max       PA_max  PA_max  2 . (II.131)
  4       RL
Puterea disipată maximă mai poate fi exprimată şi în funcţie de puterea maximă debitată în
sarcină (K = 1), pe baza (II.126) şi (II.131), astfel:
37
 2
2 VCC 4
PDT_max   2 P0_max  0,4 P0_max . (II.132)
 RL 
2

Considerând că puterea disipată maximă atinge valoarea admisibilă pentru cele două
tranzistoare, (II.132) poate fi interpretată şi astfel:
2 2
P0_max  PDT_max  PDT_adm  2,5PDT_adm , (II.133)
4 4
unde PDT_adm este puterea disipată admisibilă a celor două tranzistoare.
Având în vedere (II.126) şi (II.133), se poate calcula valoarea minimă admisibilă pentru
rezistenţa de sarcină, în funcţie de valoarea tensiunii de alimentare şi de puterea disipată
admisibilă a tranzistoarelor, astfel:
2 2
1 VCC 1 VCC
RL_min_adm   . (II.134)
2 P0_max 5 PDT_adm
Din (II.134) se poate trage o concluzie practică importantă şi anume, dacă rezistenţa de
sarcină scade sub valoarea minimă admisibilă, puterea disipată de către tranzistoare depăşeşte
valoarea maximă admisibilă, deci tranzistoarele se vor defecta. Prin urmare, se impune
necesitatea protejării etajului de ieşire în clasă B împotriva scurtcircuitelor accidentale la ieşire.
Condiţia (II.134) este valabilă dacă frecvenţa semnalului este suficient de mare, pentru ca
perioada să fie mult mai mică decât constanta de timp termică a tranzistoarelor, astfel încât
temperatura lor să se stabilească pe valoarea medie. În caz contrar, temperatura joncţiunilor va
urmări variaţia puterii instantanee disipate de tranzistor. În aceste condiţii, dacă puterea
instantanee depăşeşte valoarea admisibilă, există pericolul ca tranzistorul să se distrugă prin
încălzire pe anumite porţiuni ale curbei semnalului, deşi puterea medie pe o perioadă rămâne
inferioară puterii disipate admisibile.
Valoarea maximă a puterii instantanee disipate de ambele tranzistoare se obţine, pentru K = 1,
în punctul de funcţionare de coordonate vCE = VCC/2 şi iC = VCC/2RL, pentru fiecare tranzistor în
parte, conform relaţiei:
 VCC  VCC  1 VCC
2
pDT_max  2vCEiC  2 
 
 . (II.135)
 2  2 RL  2 RL
Dacă se pune condiţia ca puterea disipată instantanee să nu depăşească puterea disipată
admisibilă:
pDT_max  PDT_adm , (II.136)
rezistenţa de sarcină, conform (II.135), trebuie să îndeplinească condiţia:
2
1 VCC
RL  , (II.137)
2 PDT_adm
unde PDT_adm reprezintă puterea disipată admisibilă totală, adică suma puterilor disipate
admisibile pentru ambele tranzistoare. Se observă că condiţia (II.137) este mult mai restrictivă
decât condiţia (II.134).

II.4.2.3. Etaje clasă B cu tranzistoare compuse

Etajele de ieşire în contratimp clasă B cu tranzistoare complementare, conform schemei de principiu
din Fig.II.26, prezintă avantajul că acelaşi semnal aplicat simultan pe baza celor două tranzistoare,
realizează comanda lor în contratimp.
38
 Comanda unui etaj final în contratimp clasă B se poate realiza simplu cu ajutorul unui etaj
prefinal în clasă A. Dacă însă etajul final este de putere peste nivelul mediu (1W), atunci etajul
prefinal poate ajunge la o disipaţie ridicată. Acest aspect constituie un dezavantaj al etajelor în
contratimp clasă B, care poate fi eliminat prin utilizarea tranzistoarelor compuse, conform Fig.II.28.
În Fig.II.28.a este reprezentat un etaj realizat cu 2 tranzistoare de acelaşi tip, în configuraţie
Darlington. Se observă că în circuitul de intrare apar înseriate 2 joncţiuni bază-emitor, motiv pentru
care panta tranzistorului echivalent, IC/uBE, se reduce, deci se reduce şi amplificarea etajului.

+VCC +VCC +VCC

Q1B
Q1A Q1A
Q1A
Q1B Q1B
v0 v0 v0
vx RL vx RL vx RL
Q2B
Q2A Q2A
Q2A
Q2B Q2B
VCC VCC VCC
(a) (b) (c)

Fig.II.28. Etaje de ieşire în contratimp clasă B cu tranzistoare compuse:

(a) – configuraţie Darlington; (b) – simetrie quasi complementară; (c) – simetrie complementară.
Alte configuraţii posibile de etaje finale cu tranzistoare compuse sunt cele cu simetrie quasi
complementară şi complementară. Simetria quasi complementară (Fig.II.28.b) se referă la faptul că
numai unul din cele două tranzistoare compuse este realizat cu tranzistoare complementare, celălalt
fiind realizat cu tranzistoare de acelaşi tip. Ca urmare simetria quasi complementară mai prezintă o
variantă în care tranzistorul compus echivalent npn este realizat ca în Fig.II.28.c, iar cel pnp ca în
Fig.II.28.a. Simetria quasi complementară este o quasi simetrie şi pentru că etajul final prezintă
impedanţă de intrare nesimetrică (pe o alternanţă intervine numai o tensiune bază-emitor, iar pe
cealaltă alternanţă intervin două tensiuni bază-emitor). Acest dezavantaj este eliminat de către
configuraţia cu simetrie complementară din Fig.II.28.c.

II.4.3. ETAJE DE IEŞIRE ÎN CONTRATIMP CLASĂ A-B

II.4.3.1. Caracteristica de transfer

După cum s-a menţionat la pct.II.4.2, etajele de ieşire clasă B se remarcă prin randament ridicat şi
consum redus de curent de la sursele de alimentare, dar prezintă în schimb o zonă moartă cu lăţimea
de 2VBE  1,2 V, centrată pe valoarea zero a semnalului de intrare, în care ambele tranzistoare sunt
blocate. Deci pentru semnal de intrare cu amplitudinea mai mică de  0,6 V, tensiunea de ieşire va
avea valoarea zero, conform caracteristicii de transfer din Fig.II.27.
Efectul acestei zone moarte pe care o prezintă etajul final clasă B îl reprezintă apariţia de
distorsiuni de neliniaritate, numite distorsiuni de trecere. Etajul final fiind inclus într-o buclă
globală de reacţie, zona moartă şi distorsiunile de trecere vor fi reduse proporţional cu amplificarea
pe bucla de reacţie. Deoarece amplificarea scade cu frecvenţa, rezultă că etajele finale clasă B pot
da rezultate satisfăcătoare doar în aplicaţiile de joasă frecvenţă. Pentru a se obţine aceleaşi rezultate
acceptabile şi în aplicaţiile de medie sau înaltă frecvenţă, se impune liniarizarea caracteristicii de
transfer a etajului final. În acest sens, soluţia constă în prepolarizarea joncţiunilor bază-emitor a

39
tranzistoarelor finale, astfel încât acestea să fie în faza incipientă a conducţiei, în lipsa semnalului
de intrare, adică să lucreze în clasă A-B, conform Fig.II.29.
v0 Q1
+VCC Caracteristica
+ Q1 compusă
VBE
 v0 VBE
+
vx VBE RL vx2 vx1

Q2
VCC Q2
v0
(a) (b)

Fig.II.29. Etaje de ieşire în contratimp clasă A-B:

(a) – schema de principiu; (b) – caracteristica de transfer compusă.
Sarcina prepolarizării etajului final clasă A-B revine etajului prefinal, care funcţionează de
regulă în clasă A. Circuitul suplimentar de prepolarizare trebuie să îndeplinească condiţiile:
 să asigure un factor de utilizare al tensiunii de alimentare cât mai apropiat de unitate, astfel încât
să nu fie afectat randamentul din această cauză;
 să asigure un curent de prepolarizare care să reprezinte un compromis optim între lăţimea zonei
moarte reziduale şi puterea disipată în repaus;
 să permită un control riguros al curentului de repaus (de prepolarizare);
 să fie stabil cu temperatura, pentru a se evita ambalarea termică a etajului;
 să fie compatibil ca implementare cu tehnologia circuitelor integrate.

II.4.3.2. Prepolarizarea etajului final

În principiu, există mai multe soluţii de prepolarizare a etajului final, utilizând rezistoare,
termistoare pentru compensare termică, diode, tranzistoare etc., dintre care cea mai performantă este
cea bazată pe dioda multiplicativă.
Schema de comandă a unui etaj final în clasă A-B, prepolarizat cu diodă multiplicativă este
reprezentată în Fig.II.30. Dacă în Fig.II.30.a se neglijează curentul de bază al tranzistorului,
expresia tensiunii colector-emitor are forma:
vBE vCE
  vCE  vBE 1  Ra Rb  . (II.138)
Rb Ra  Rb

+VCC
RC3
Q1
Ra Ra
Q vCE Q v0
vBE Rb Rb RL
Q2
vx Q3
VCC
(a) (b)

Fig.II.30. Etaj de ieşire clasă A-B prepolarizat cu diodă multiplicativă:

(a) – diodă multiplicativă; (b) – etaj final clasă A-B cu diodă multiplicativă.
Prin urmare, căderea de tensiune pe circuitul în discuţie reprezintă o tensiune bază-emitor
40
multiplicată cu un factor a cărei valoare poate fi stabilită prin raportul a două rezistenţe. Dacă
schema este dimensionată adecvat şi tranzistoarele sunt cuplate termic, dioda multiplicativă asigură
prepolarizarea tranzistoarelor finale cu o tensiune proporţională cu tensiunea lor bază-emitor. În
Fig.II.30.b, dioda multiplicativă este conectată între bazele tranzistoarelor finale, etajul prefinal
fiind constituit din tranzistorul Q3 şi sarcina rezistivă RC3.

II.4.3.3. Protecţia la scurtcircuit

O altă problemă importantă specifică etajelor de ieşire o constituie protecţia la scurtcircuit, astfel
încât să se evite distrugerea tranzistoarelor finale în caz de suprasarcină sau de scurtcircuit la ieşire.
Există mai multe soluţii de limitare a curentului de ieşire, diferind între ele prin precizia
limitării şi prin complexitatea schemei. Precizia limitării se referă la capabilitatea circuitului de
protecţie de a controla puterea disipată fără a perturba buna funcţionare a circuitului integrat în
apropierea valorii limită a curentului de ieşire.
Schemele concrete de circuite de protecţie încep de la cele mai simple, constând în utilizarea
unor rezistenţe de protecţie plasate în colectoarele tranzistoarelor finale şi continuă până la scheme
complexe bazate pe utilizarea unor componente de circuit neliniare, diode sau tranzistoare.
Spre exemplificare, în Fig.II.31 se prezintă un circuit de protecţie cu tranzistoare, care
reprezintă în acest sens soluţia tipică, utilizată pe scară largă. Protecţia este asigurată de
tranzistoarele Q6, Q7 şi rezistenţele Re cu rol de senzori de curent. Când căderea de tensiune pe
rezistenţele Re atinge valoarea VBeon, tranzistoarele Q6, Q7 se deschid şi taie curentul de bază al
tranzistoarelor finale Q1, Q2. Prin urmare, curentul de ieşire nu poate depăşi valoarea:
v
I 0_SC  BE . (II.157)
Re
În Fig.II.31, etajul prefinal este prevăzut cu sarcină activă, care asigură performanţe maxime
privind amplificarea şi utilizarea tensiunii de alimentare.

+VCC
Q5 Q4
Q1
Rp Q6
Ra Re
Q v0
Rb Re RL
Q7
Q2
vx Q3
VCC

Fig.II.41. Etaj de ieşire clasă A-B prevăzut cu protecţie la scurtcircuit.

Observaţie:
Etajele de ieşire analizate mai sus fiind etaje în contratimp, cu tranzistoare complementare, necesită
pentru comandă un singur semnal de intrare. În structura circuitelor integrate, în special a celor de
putere, cum ar fi amplificatoarele audio cu putere de peste 10 W, se pot utiliza şi etaje de ieşire cu
tranzistoare de acelaşi tip, de regulă npn, situaţie în care pentru comanda tranzistoarelor finale sunt
necesare două semnale identice, dar în antifază.

41
 Capitolul III
AMPLIFICATORE OPERAŢIONALE

III.1. CARACTERISTICI TEHNICE PRINCIPALE

Înţelegerea semnificaţiei parametrilor caracteristici ai amplificatoarelor operaţionale (AO) şi a

impactului lor asupra proiectării circuitelor cu AO este de mare importanţă practică. Definiţiile,
abrevierile şi unităţile de măsură sunt date în detaliu în foile de catalog ale fabricanţilor de AO.
Caracteristicile tehnice ale AO sunt prezentate de regulă pe trei secţiuni, valori maxime
absolute, condiţii recomandate de funcţionare, caracteristici electrice.
Valorile maxime absolute reprezintă limite ale unor parametri care nu trebuie depăşite
niciodată în funcţionare sau testare, pentru a se conserva integritatea fizică a circuitului. Depăşirea a
cel puţin uneia din valorile maxime absolute poate conduce la distrugerea ireversibilă a circuitului.
Un exemplu poate fi temperatura maximă absolută de funcţionare: 40 C…+80 C.
Condiţiile recomandate de funcţionare cuprind limite ale unor parametri tehnici care nu
trebuie depăşite în funcţionare sau testare, pentru a se asigura funcţionarea corectă a circuitului.
Depăşirea uneia din aceste limite nu distruge circuitul, dar poate conduce la funcţionarea
nesatisfăcătoare a acestuia.
Caracteristicile electrice includ parametri electrici măsurabili. Aceştia sunt utilizaţi pentru a
face previziuni asupra performanţele unui AO ca element component al unui circuit mai complex.
Valorile acestor parametri sunt garantate şi trebuie testate în condiţii recomandate de funcţionare.
Numărul de parametri utilizaţi pentru a caracteriza un AO, reunind cele 3 secţiuni de mai sus,
este variabil funcţie de destinaţia circuitului, de fabricat etc. şi poate atinge cu valori de 50…100.
În funcţie de aplicaţie unii parametrii pot avea un impact mai mare decât alţii. Din acest motiv
în continuare vor fi puşi în discuţie doar parametrii mai semnificativi în aplicaţiile tipice. O parte
dintre aceştia sunt puşi în evidenţă în schema echivalentă din Fig.III.1, cu semnificaţiile: VIO –
tensiunea de decalaj la intrare, ZD – impedanţa de mod diferenţial, Z C , Z C – impedanţele de mod
comun, I B , I B – curenţii de intrare, Av – sursa de tensiune de ieşire, iar Z0 – impedanţa de ieşire.

I B

IN+
VIO
Zc Z0 OUT
v Zd Av
Zc
v+ v0
 IN
v
I B

Fig.III.1. Schema echivalentă a unui AO.

43
 Funcţia de transfer a unui AO în regim static şi în buclă deschisă este descrisă de o expresia:

v0  Av  A v   v  ,  (III.1)
unde v0 este tensiunea de ieşire, A – amplificarea, v – tensiunea diferenţială de intrare, v+ 
tensiunea pe intrarea neinversoare, iar v – pe intrarea inversoare.

III.1.1. TENSIUNEA DE DECALAJ LA INTRARE

Conform (III.1), dacă tensiunea diferenţială de intrare este zero, ar trebui ca şi tensiunea de
ieşire să fie zero. În realitate nu se întâmplă astfel din cauza nesimetriilor etajului de intrare
(pct.III.2.3.1). Ca urmare, pentru ca tensiunea de ieşire să fie zero, ar trebui aplicată la intrare o
tensiune de mică valoare, numită tensiune de decalaj la intrare. În schemele echivalente, tensiunea
de decalaj la intrare este modelată printr-o sursă de tensiune aplicată la intrarea neinversoare.
Măsurarea tensiunii de decalaj la intrare se poate efectua cu circuitele din Fig.III.2. În ambele
cazuri tensiunea de decalaj la intrare este amplificată cu factorul 10 k/10  = 1000. În schema din
Fig.II.2.a AO testat nu are tensiunea de ieşire zero, conform definiţiei tensiunii de decalaj. Acest
inconvenient este corectat în schema din Fig.II.2.b prin adăugarea unui alt AO şi includerea lor într-
o buclă de reacţie, astfel că tensiunea de ieşire a circuitului AT este menţinută la valoarea zero.

VIO  V0 103 10 k 1 k – 10 nF
10 k
10  AT 10 k
10  V0 V0
AT  A2
- + -

+  - + 
AT  AO testat
(a) (b)

Fig.III.2. Circuite de test pentru tensiunea de decalaj la intrare:

(a) – circuit simplu; (b) – circuit de test cu tensiune de ieşire zero.
Datele de catalog includ şi alţi parametri privind tensiunea de decalaj şi anume, coeficientul
mediu de variaţie cu temperatura şi deriva pe termen lung.
Coeficientul mediu de variaţie cu temperatura al tensiunii de decalaj, VIO exprimat în V/C,
este determinat pe baza valorilor tensiunii de decalaj la temperaturile extreme de funcţionare:
VIO  VIO  , (III.2)
unde  = max – min reprezintă intervalul de temperatură de funcţionare.
Deriva pe termen lung a tensiunii de decalaj dă informaţii asupra instabilităţii în timp a
tensiunii de decalaj, fiind exprimată în V/lună.
Tensiunea de decalaj la intrare fiind datorată în principal etajului de intrare, depinde de
tehnologia de realizare a acestuia. Astfel, AO cu etaj de intrare bipolar vor avea tensiune de decalaj
mai redusă decât AO cu etaj de intrare FET (JFET sau MOSFET: CMOS, NMOS, PMOS).
Tensiunea de decalaj la intrare poate fi compensată cu prinzt-un reglaj exterior, aplicabil la
două intrări destinate acestui scop, Fig.III.3, unde N1, N2 sunt intrările de anulare a decalajului.

?
+
N2
N1
VCC

Fig.III.3. Ajustarea tensiunea de decalaj la intrare.

44
 III.1.2. CURENTUL DE INTRARE

Pentru o funcţionare corectă, etajul de intrare al unui AO necesită un curent de polarizare

Curentul de polarizare la intrare, IIB, se calculează ca medie aritmetică a curenţilor celor 2 intrări:
I IB  I B  I B  2 . (III.3)
Diferenţa între cei doi curenţi de intrare, notată IIO, se numeşte curent de decalaj la intrare,
având valoarea cu un ordin de mărime mai mică decât curentul de polarizare la intrare (pct.II.2.3.2):
I IO  I B  I B . (III.4)
Relativ la IIB, în funcţie de tehnologie, situaţia se prezintă invers decât în cazul tensiunii de
decalaj la intrare şi anume, tehnologia FET asigură curenţi de intrare mai mici decât cea bipolară.
Circuitul tipic pentru măsurarea curenţilor de polarizare la intrare este reprezentat în Fig.III.4.

S1 S1 închis:
1 nF I B  V0 R   V0 107

R
10 M
I B
AT
S2
-

+  V0
1 nF I B
S2 închis:
R+ 10 M I B  V0 R   V0 107

Fig.III.4. Circuit de test pentru curentul de polarizare la intrare.

Din Fig.III.4 se observă că măsurarea curenţilor de intrare se realizează prin conversiune
curent-tensiune cu rezistenţele R+ şi R. Deci tensiunea de ieşire, în funcţie de starea comutatoarelor
S1 şi S2, este dependentă de valoarea curenţilor de intrare şi a rezistenţelor echivalente de la intrări.
Căderile de tensiune pe rezistenţele de la intrări dând ieşire efecte de sens contrar, tensiunea de
ieşire va depinde de diferenţa celor două rezistenţe, având valoarea minimă pentru R+ = R. egale.
Dacă în Fig.III.4 ambele comutatoare, S1 şi S2, sunt deschise, tensiunea de ieşire are valoarea:

V0  R  I B  R  I B  R I B  I B  R I IO .  (III.5)
de unde se poate desprinde concluzia că efectul curenţilor de intrare este redus la minim dacă
rezistenţele echivalente văzute la cele două intrări sunt egale.
Relativ la curentul de polarizare, datele de catalog includ şi coeficientul mediu de variaţie cu
temperatura al curentului de decalaj, notat IIO şi exprimat în V/C, determinat pe baza valorilor
curentului de polarizare la temperaturile extreme de funcţionare, conform relaţiei:
I IO  I IO  , (III.6)
unde  = max – min reprezintă intervalul de temperatură de funcţionare.

III.1.3. TENSIUNEA DE MOD COMUN LA INTRARE

Tensiunea de mod comun la intrare este definită ca tensiunea medie la intrările inversoare şi
neinversoare. Dacă tensiunea de mod comun depăşeşte limitele prestabilite intrările se blochează,
deci AO nu mai funcţionează corect.
Gama tensiunii de mod comun la intrare, notată VICR, specifică intervalul de tensiune în care
funcţionarea AO este garantată. VICR este de regulă mai mică decât gama tensiunilor de alimentare.

45
Ea depinde de tehnologia AO, care pot avea la intrare tranzistoare bipolare (npn sau pnp) sau
tranzistoare FET (cu canal n sau p). În funcţie de aceste variante, gama tensiunii de mod comun la
intrare poate include una sau ambele tensiuni de alimentare ale AO. De exemplu, dacă etajul de
intrare al AO este realizat cu tranzistoare pnp, având colectorul conectat la bara de alimentare cu
tensiune negativă, atunci gama tensiunii de mod comun la intrare include tensiunea de alimentare
negativă. În cazul etajelor de intrare realizate cu tranzistoare FET se poate întâmpla ca AO să fie
activ pentru tensiuni de mod comun care depăşesc tensiunile de alimentare.

III.1.4. TENSIUNEA DIFERENŢIALĂ DE INTRARE

În regim normal de amplificare intrările AO sunt practic echipotenţiale. În alte regimuri, cum
ar fi cel de comparator, regimuri tranzitorii sau accidentale, între intrările AO pot apare tensiuni
diferenţiale considerabile. Prin urmare un AO trebuie să suporte tensiune diferenţială cât mai mare.
Gama tensiunii diferenţiale de intrare este specificată ca o valoare absolută maximă, a cărei
depăşire duce la străpungerea intrărilor. Din acest motiv, unele circuite prezintă circuite de protecţie
în acest sens, situaţie în care trebuie luate măsuri de limitare a curentului de intrare.

III.1.5. TENSIUNEA MAXIMĂ DE IEŞIRE

Tensiunea maximă de ieşire, VOM, este definită ca tensiunea maximă vârf-vârf care poate fi
obţinută la ieşire, fără afectarea formei de undă, când componenta continuă este zero. Tensiunea
maximă de ieşire este limitată de impedanţa de ieşire, de tensiunea de saturaţie a tranzistoarelor de
ieşire şi de tensiunile de alimentare ale AO, conform Fig.III.5.

+VCC
Căderea de tensiune
pe R1 + VCesat(Q1)
Q1
VOM+
Polarizare

R1 0V
v0
R2 VOM

vx Q2 Căderea de tensiune
pe R2 + VCesat(Q2)
VCC

Fig.III.5. Ilustrarea tensiunii maxime de ieşire.

Pentru etajele CMOS tensiunea maximă de ieşire este limitată de sarcină şi de rezistenţa în
starea ON a tranzistoarelor de ieşire. Pentru AO destinate funcţionării cu o singură sursă de
alimentare, în funcţie de tipul etajului de ieşire, se poate specifica separat valoarea maximă a
fiecărei alternanţă VOH, respectiv VOL.

III.1.6. AMPLIFICAREA DIFERENŢIALĂ DE SEMNAL MARE

Amplificarea diferenţială de tensiune de semnal mare, AVD, este similară cu amplificarea în

buclă deschisă a AO în gol, graficul tipic în funcţie de frecvenţă fiind reprezentat în Fig.III.12. AVD
prezintă importanţă în proiectare, atunci când se urmăreşte o amplificare precisă în buclă închisă.
De exemplu, expresia amplificării pentru o configuraţie de amplificator neinversoare este:
46
 AVD 1 1
A  , (III.7)
1   AVD  1  1
 AVD
unde  este factorul de reacţie, determinat de reţeaua de reacţie. Termenul 1/AVD din (III.7)
constituie o eroare. Cu cât AVD este mai mare în raport cu 1/ (AVD  1), cu atât această eroare
devine mai puţin semnificativă.

III.1.7. IMPEDANŢA DE INTRARE

Ambele intrări prezintă elemente parazite asociate care pot fi modelate conform Fig.III.1,
unde Zd, Z c , Z c sunt grupuri RC paralel conform Fig.III.6. Există şi inductanţe parazite, dar
efectul lor este neglijabil la frecvenţe joase.
Impedanţele de intrare trebuie luate în calcul în proiectare atunci când impedanţa sursei de
semnal este mare şi impedanţele de intrare încarcă sursa.

v+
R c
Cc
Cd Rd
v
R c
Cc

Fig.III.6. Schema echivalentă a impedanţei de intrarea a unui AO.

Capacitatea de intrare, Ci, este măsurată între terminalele de intrare, unul din ele fiind
conectat la masă. În Fig.III.6, dacă v este şuntată la masă, atunci Ci = Cd Cc . Ci are uzual valori
de ordinul pF. Uneori este specificată şi capacitatea de mod comun, Cic. Dacă în Fig.III.6 intrările
sunt conectate împreună, atunci Cic = Cc  Cc . Cic este capacitatea de intrare pe care o sursă de
mod comun o vede faţă de masă.
Rezistenţa de intrare, Ri, este măsurată între terminalele de intrare, unul din ele fiind
conectat la masă. În Fig.III.6, dacă v este şuntată la masă, atunci Ri = Rd Rc . Ri are valori de
ordinul 107...1012, funcţie de tipul intrării. Uneori este specificată şi rezistenţa de mod comun, Cic.
Dacă în Fig.III.6 intrările sunt conectate împreună, atunci Ric = Rc  Rc . Ric este rezistenţa de
intrare pe care o sursă de mod comun o vede faţă de masă.

III.1.8. IMPEDANŢA DE IEŞIRE

Impedanţa de ieşire, Z0, este specificată în mod diferit. Unii fabricanţi de AO specifică
impedanţa de ieşire în buclă deschisă, iar alţii în buclă închisă. Impedanţa de ieşire este definită ca
fiind impedanţa de semnal mic între ieşire şi masă, valorile uzuale fiind de ordinul a 50…200 .

47
 În cazul sarcinii rezistive, impedanţa de ieşire limitează excursia de semnal la ieşire, iar în
cazul celei capacitive produce o defazare suplimentară a semnalului, care modificând marginea de
fază afectează stabilitatea. Dacă se presupune că Z0 este preponderent rezistivă, pe baza schemelor
echivalent din Fig.III.7 se poate determina cantitativ efectele generate de Z0:
RL 1 1
(a): v0  AVD v ; (b): v0  AVD v , unde f 0  . (III.8)
RL  Z 0 1  f f0 2Z 0CL

Z0 Z0
v0 v0

AVDv RL AVDv CL

(a) – sarcină rezistivă (b) – sarcină capacitivă

Fig.III.7. Efectele impedanţei de ieşire a unui AO.

III.1.9. RAPORTUL DE REJEŢIE DE MOD COMUN

Raportul de rejecţie de mod comun (RRMC), CMMR (Common-Mode Rejection Ratio), este
definit ca raport între amplificările pe mod diferenţial şi pe mod comun, CMMR = ADIF/ACOM. Ideal,
acest raport ar trebui să fie infinit pentru ca tensiunile de mod comun să fie rejectate total.
Tensiunile de mod comun afectează punctul static de funcţionare al etajului diferenţial de
intrare. Datorită nesimetriilor din cadrul circuitelor de intrare, schimbările punctului static de
funcţionare generează tensiuni suplimentare de offset, care la rândul lor generează modificări ale
tensiunii de ieşire. Prin urmare, se poate utiliza şi expresia CMMR = VCOM/VOS.
CMMR este un parametru de curent continuu, exprimat de regulă în [dB]. Fiind proporţional
cu amplificarea pe mod diferenţial, iar aceasta fiind dependentă de frecvenţă, este de aşteptat ca şi
CMMR să fie dependent de frecvenţă după o curbă cu aceeaşi alură că şi amplificarea diferenţială.
Sursele uzuale de tensiuni perturbatoare de mod comun sunt tensiunile perturbatoare
provenite de la reţeaua de c.a. În proiectare trebuie avut grijă ca CMMR să nu fie degradat de alte
componente de circuit. Rezistenţele de valoare ridicată cresc vulnerabilitatea circuitului la tensiuni
de mod comun şi alte tipuri de zgomote. Pentru a se prezerva rejecţia de mod comun, în măsura
posibilităţilor, rezistenţele trebuie reduse ca valoare iar capacităţile crescute.
În afară de CMMR, se mai utilizează şi notaţia KCMR cu acelaşi înţeles.

III.1.10. RAPORTUL DE REJEŢIE AL TENSIUNII DE ALIMENTARE

Raportul de rejecţie al tensiunii de alimentare, KSVR sau PSRR (Power Supply Voltage Ratio)
este raportul dintre variaţia tensiunii de alimentare şi variaţia corespunzătoare a tensiunii de ieşire.
Variaţia tensiunii de alimentare acţionează identic cu tensiunea de mod comun: modifică, în lanţ,
punctul static de funcţionare al etajului de intrare, tensiunii de offset şi în final cea de ieşire.
Pentru AO alimentate de la sursă dublă KSVR = VCC/VOS sau KSVR = VDD/VOS, unde
VCC sau VDD (AO cu FET) reprezintă modificările simetrice ale celor 2 tensiuni de alimentare.
Pentru AO cu o singură tensiune de alimentare, KSVR = VCC/VOS sau KSVR = VDD/VOS.

48
 III.1.11. VITEZA DE VARIAŢIE A TENSIUNII DE IEŞIRE LA CÂŞTIG UNITAR

Viteza de variaţia a tensiunii de ieşire, SR (Slew Rate), este definită pentru semnal treaptă la
intrare (Fig.III.8) şi se măsoară în V/s sau V/ms.

vx
vx t
v0
+

-
v0

dV
SR = dV/dt t
dt
(a) – schemă (b) – grafic

Fig.III.8. Ilustrare slew rate.

Din considerente de stabilitate, AO trebuie compensate cu frecvenţa, existând AO cu
compensare internă şi externă. Cele cu compensare externă, prezintă terminale de compensare la
care se poate conecta o reţea RC, care în cazul cel mai simplu se reduce la un singur condensator.
Cele cu compensare internă includ un condensator de compensare integrat, conectat în bucla de
reacţie negativă a unui etaj de amplificare intermediar sau a etajului prefinal.
Ca urmare, factorul determinant asupra slew rate este condensatorul intern de compensare,
dimensionat astfel încât să asigure amplificare stabilă la câştig unitar, aceasta fiind situaţia cea mai
critică din acest punct de vedere.
Variaţiile de tensiune la ieşirea etajului compensat sunt limitate de încărcarea şi descărcarea
condensatorului de compensare la curentul maxim debitat de acel etaj. Notând cu CC capacitatea de
compensare şi cu I0 curentul de ieşire al etajului compensat (Fig.III.10), rezultă: SR = dv/dt = I0/CC.
În cazul AO necompensate intern SR este determinată de capacităţile parazite interne. Ca
urmare aceste AO prezintă bandă şi SR ridicate, însă stabilitatea trebuie asigurată prin alte mijloace.
Este cunoscut faptul că viteza unui circuit electronic este direct proporţională cu consumul de
putere. Deci pentru a creşte SR, AO trebuie polarizat la curenţi de valoare proporţional mai mare.

III.1.12. ZGOMOTUL ECHIVALENT DE INTRARE

Toate AO prezintă surse interne de zgomot. Zgomotul este măsurat la ieşire şi apoi este
raportat la intrare, fiind numit zgomot echivalent de intrare.
Parametrii zgomotului echivalent de intrare sunt de regulă specificaţi ca o tensiune
echivalentă de zgomot, Vn sau curent echivalent de zgomot, In per radical din Hz. Pentru AO de
audiofrecvenţă zgomotul este reprezentat grafic, prin suprapunere peste banda audio.
Densitatea spectrală a zgomotului AO include componentele de zgomot roz şi zgomot alb.
Zgomotul roz, numit şi zgomot 1/f, are densitatea spectrală invers proporţională cu frecvenţa, având
pondere mare la frecvenţe joase, iar zgomotul alb are densitatea spectrală constantă cu frecvenţa.
Uzual, zgomotul este specificat la două frecvenţe. Prima frecvenţă este de 10 Hz, unde
ponderea mare o are zgomotul 1/f, iar a doua frecvenţă este de 1 kHz, unde se manifestă zgomotul
alb cu densitatea spectrală constantă. Spectrul tipic al zgomotului pentru un AO este reprezentat în
Fig.III.9, unde este marcată frecvenţa de tranziţie între cele două componente.
Unitatea de măsură pentru zgomot este densitatea spectrală exprimată în valori efective de

49
tensiune sau curent per radical din Hz, V Hz , A Hz , valorile uzuale fiind exprimabile în
nV Hz sau pA Hz . Alt parametru caracteristic este valoarea vârf-vârf a tensiunii de zgomot,
[nVv-v], pentru o bandă de frecvenţă specificată, cum ar fi 0,1 Hz…1 Hz sau 0,1 Hz…10 Hz.

log(vz)
Zgomot
1/f Zgomot alb
fzt log(f)

Fig.III.9. Spectrul tipic al zgomotului unui AO.

Pentru un AO cu aceeaşi structură, creşterea curentului de polarizare, având ca efect creşterea
SR, a produsului amplificare-bandă şi a puterii disipate, conduce la reducerea zgomotului, iar
rezistenţele exterioare de la intrări contribuie cu zgomotul propriu la zgomotul total al circuitului.

III.1.13. DISTORSIUNILE ARMONICE TOTALE PLUS ZGOMOTUL

Parametrul numit distorsiuni armonice totale plus zgomot, THD + N (Total Harmonic
Distorsion Plus Noise) compară conţinutul în armonici al semnalului de ieşire cu cel al semnalului
de intrare. Ideal, dacă semnalul de intrare este o undă pur sinusoidală şi semnalul de ieşire ar trebui
să fie la fel. În realitate, datorită neliniarităţilor şi surselor de zgomot interioare AO, semnalul de
ieşire nu este niciodată pur. THD + N reprezintă suma componentelor armonice fără fundamentală,
raportată la fundamentală şi se exprimă de regulă în procente:
  tensiunilor armonice  zgomot 
THD  N   . (III.9)
 tensiunea fundamentală 
În Fig.III.10 este reprezentat grafic spectrul semnalului de ieşire al AO, fiind puse în evidenţă
fundamentala, armonicile şi zgomotul pentru THD + N = 1%. Fundamentala semnalului de ieşire
are frecvenţa semnalului de intrare presupus pur sinusoidal. Armonicele din semnalul de ieşire sunt
generate din fundamentală datorită neliniarităţilor interne al AO. Zgomotul din semnalul de ieşire
este datorat în principal zgomotului din semnalul de intrare. Cauza principală a distorsiunilor
generate de AO o constituie limitările în excursia tensiunii de ieşire şi în slew rate. Prin urmare, un
AO trebuie să funcţioneze în condiţii optime, care să asigure un nivel minim de THD + N.

99
Fundamentala Armonici
VOUT[%]

Zgomot
0
0 f 2f 3f 4f 5f 6f
Frecvenţa

Fig.III.10. Spectrul semnalului de ieşire cu THD + N.

50
 III.1.14. BANDA LA CÂŞTIG UNITAR ŞI MARGINEA DE FAZĂ

Se utilizează tipic cinci parametri pentru caracterizarea comportării în frecvenţă a unui AO,
conform datelor de catalog ale firmei Texas Instruments:
 banda la amplificare unitară (B1);
 produsul amplificare bandă (GBW);
 marginea de fază la amplificare unitară (m);
 marginea de amplificare (Am);
 banda pentru excursie maximă la ieşire (B0M).
Banda la amplificare unitară (B1) şi produsul amplificare-bandă (GBW) sunt similare. B1
specifică frecvenţa la care amplificare (AVD) a AO este 1:
B1  f  AVD  1 , (III.10)
iar GBW specifică produsul amplificare-bandă al AO în buclă deschisă şi cu sarcină la ieşire:
GBW  AVD  f . (III.11)
GBW este constant pentru un AO cu reacţie de tensiune, dar nu are aceeaşi semnificaţie
pentru un AO cu reacţie de curent, la care nu există o relaţie liniară între amplificare şi bandă.
Marginea de fază la amplificare unitară (m) este diferenţa până la 180 a defazajului unui
semnal care parcurge un AO la amplificare unitară:
m  180  B1  . (III.12)
Marginea de amplificare (Am) este diferenţa între amplificarea unitară şi amplificarea la
defazaj de 180:

Am  1  AVD   180 .  (III.13)
Banda pentru excursie maximă la ieşire (B0M) reprezintă banda de frecvenţă pentru care
semnalul de ieşire este mai mare decât o valoare impusă:
B0M  f max V0  VMIN  . (III.14)
Factorul de limitare pentru B0M este slew rate (SR). La semnal mare, când frecvenţa creşte,
viteza de variaţie a semnalului de ieşire atinge valoarea SR şi mai departe AO nu mai poate menţine
forma de undă a semnalul de ieşire.
Schema simplificată a unui AO compensat intern este reprezentată în Fig.III.11, unde CC este
un condensator integrat de compensare.

+VCC

Q6
vx1 Q1 Q2 D1
v0
vx2 CC D2
Q7
Q5
Q3 Q4
VCC
Etaj Etaj Etaj
intrare intermediar ieşire

Fig.III.11. Schema simplificată a unui AO compensat intern.

51
 Condensatorul CC are rolul de a asigura stabilitatea AO, această soluţie fiind denumită
compensare cu pol dominant. În Fig.III.12 sunt reprezentate grafic caracteristicile tipice
amplificare-frecvenţă şi fază-frecventă ale AO.

120

Amplificarea – AVD[dB]
100
80

Polul dominant
60
40
20
0
Am
20 B1

0
45
Faza – []

90
135 m
180
225
0 10 100 1k 10k 100k 1M 10 M
Frecvenţa – f[Hz]

Fig.III.12. Caracteristicile amplificare-frecvenţă şi fază-frecvenţă ale AO.

Pentru a se asigura stabilitatea, caracteristica amplificare-frecvenţă în buclă deschisă trebuie
să atingă valoarea unitară înainte ca fază să devină 180.
Din Fig.III.11 se observă că amplificarea (AVD) scade cu frecvenţa. În proiectare, pentru a se
determina banda în buclă închisă corespunzătoare unei anumite amplificări, sau vice-versa, se
utilizează banda la amplificare unitară (B1) sau produsul amplificare bandă (GBW).
Marginea de fază (m) şi marginea de amplificare (Am) reprezintă două moduri echivalente de
a caracteriza stabilitatea circuitului.
În cazul AO cu CMOS rezistenţa de ieşire fiind mai mare decât la cele bipolare, sarcina
capacitivă contribuie la reducerea marginii de fază datorită defazajului suplimentar introdus.

III.1.15. TIMPUL DE STABILIRE ŞI EROAREA DINAMICĂ

Timpul de stabilire, TS, se defineşte pentru semnal treaptă la intrare şi reprezintă intervalul
timp după care valoarea tensiunii de ieşire diferă cu o anumită eroare, d, de valoarea finală de
regim permanent, conform Fig.III.13.

v0
v0S+v d
v
v0S

Slew rate

TS t

Fig.III.13. Ilustrarea timpului de stabilire şi a parametrilor adiacenţi.

52
 Eroarea d se numeşte eroare dinamică şi are valoarea de 0,1% sau 0,01 %. În graficul din
Fig.III.13 mai sunt puse în evidenţă supracreşterea (depăşirea maximă a valorii finale), v,
exprimată în procente şi slew rate.
Timpul de stabilire trebuie luat în considerare în cazul circuitelor care lucrează cu semnale
variabile, asimilabile cu semnalul treaptă. Un exemplu ar putea fi repetoarele sau amplificatoarele
intercalate între un multiplexor şi un convertor analog-numeric, când după selecţia unui semnal
trebuie aşteptat un timp cel puţin egal cu cel de stabilire pentru a se trece la efectuarea conversiei.

III.2. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE IDEALE ŞI NEIDEALE

Amplificatorul operaţional (AO) este un amplificator diferenţial format din mai multe etaje
cuplate direct, realizate cu tranzistoare bipolare sau cu efect de câmp (JFET sau MOSFET), fiind
caracterizat în regim static de parametrii principali conform schemei echivalente din Fig.III.1.
AO nu se utilizează în buclă deschisă, decât ca comparator de tensiune. În rest AO se
utilizează în buclă închisă, adică cu reacţie negativă în aplicaţiile care implică funcţia de amplificare
sau cu reacţie pozitivă în oscilatoare.
În cazul schemelor cu reacţie ar fi extrem de complicat să se ia în considerare toţi parametrii
reali ai unui AO, motiv pentru care se operează cu noţiunea de AO ideal. Prin idealizare, se
neglijează toţi parametrii AO real, considerând A, Zd, Zc =  şi Vd, I B , I B , Z0 = 0, deoarece pe de o
parte valorile parametrilor AO real permit aşa ceva, iar pe de altă parte reacţia negativă acţionează
în acest sens. În cazul în care, într-o anumită aplicaţie, unul sau mai mulţi parametrii ai AO real
devin critici şi nu pot fi neglijaţi, se consideră în calcul, pe rând, numai câte unul şi apoi se sumează
efectele, în baza principiului metodei superpoziţiei sau suprapunerii efectelor.

III.2.1. REACŢIA NEGATIVĂ

Schema bloc generală a unui sistem cu reacţie este reprezentată în Fig.III.14. Pentru semnalul
de ieşire şi de eroare se pot scrie ecuaţiile:
VOUT  EA
. (III.15)
E  VIN  VOUT

+ E
VIN  A VOUT


Fig.III.14. Schema bloc generală a unui sistem cu reacţie.

Prelucrând (15) se obţine ecuaţia caracteristicii de transfer:
VOUT A A
AV    . (III.16)
VIN 1  A 1  T
Considerând cazul ideal, adică A =  deci A  1, (III.16) devine:
VOUT 1
AV   , (III.17)
VIN 
reprezentând ecuaţia ideală a reacţiei negative. Se observă că în acest caz, amplificarea sistemului
53
este dependentă numai de , numit factor de reacţie. Dacă  este implementat prin componente de
circuit stabile şi precise, atunci amplificarea în buclă închisă va fi stabilă şi precisă.
Termenul A = T, numit amplificare sau transmisie pe buclă, se poate determina considerând
intrarea la masă, bucla întreruptă şi un semnal de test la intrarea buclei, conform Fig.III.15:
VRETUR
 A  T , (III.18)
VTEST
care este o mărime complexă, caracterizată prin modul şi argument. Atunci când se atinge valoarea
A = 1, adică A = 1 şi A = 180, amplificarea în buclă închisă, (III.16), tinde la 1/0 = ,
deci pentru VIN  0, VOUT  . Dacă semnalul de ieşire nu ar fi limitat în energie, circuitul ar
exploda. Însă, datorită surselor de alimentare limitate în energie, acest lucru nu se poate întâmpla.
În plus, dispozitivele active din componenţa circuitului fiind neliniare, când semnalul de ieşire
se apropie de valoarea tensiunilor de alimentare, amplificarea în buclă deschisă (A) scade, iar
amplificarea pe buclă nu mai atinge valoarea A = 1180. În aceste condiţii, circuitul poate
evolua în două stări: fie rămâne agăţat la una din tensiunile de alimentare, fie semnalul de ieşire îşi
schimbă sensul de variaţie spre cealaltă tensiune de alimentare.

+ E
 A VOUT


VTEST 
VRETUR

Fig.III.15. Schema echivalentă pentru determinarea amplificării pe buclă.

Prima stare în care circuitul rămâne stabil, cu semnalul de ieşire agăţat la una din tensiunile de
alimentare se numeşte starea blocat sau agăţat şi circuitul rămâne în această stare până la
întreruperea alimentării, iar a doua stare în care semnalul de ieşire al circuitului trece alternativ de la
o tensiune de alimentare la cealaltă se numeşte starea oscilatorie.
În concluzie, amplificarea pe buclă, A, este singurul factor de care depinde stabilitatea unui
circuit/sistem. Deoarece pentru a determina A intrarea este pusă la masă sau în general deconectată
de la sursa de semnal, rezultă că semnalul de intrare nu are nici un efect asupra stabilităţii.
Din (III.15) se poate determina şi eroarea circuitului sau sistemului:
V
E  IN . (III.19)
1  A
Din (III.19) rezultă că eroarea este proporţională cu semnalul de intrare. Acest rezultat este
previzibil, fiindcă semnal de intrare mare înseamnă semnal de ieşire mare, deci risc de limitare a
semnalul de ieşire. Tot din (III.19) se mai observă şi că eroarea este invers proporţională cu A.
Deci pentru minimizarea erorii trebuie maximizată amplificarea pe buclă. Pe de altă parte, creşterea
amplificării pe buclă contribuie la scăderea stabilităţii.
Din cele menţionate mai sus, rezultă că A, are două efecte contradictorii ca sens benefic:
reduce eroarea, dar şi stabilitatea. Prin urmare, valoarea amplificării pe buclă trebuie să fie astfel
stabilită, încât să se asigure un compromis optim între nivelul de eroare şi cel de stabilitate.
Pe baza de AO pot fi realizate 4 configuraţii de amplificatoare cu reacţie: inversor, neinversor,
repetor şi diferenţial.
54
 III.2.2. AMPLIFICATORUL INVERSOR

III.2.2.1. Amplificarea
Schema de principiu a amplificatorului inversor este reprezentată în Fig.III.16, pe baza căreia
ecuaţia de transfer se poate pune sub forma:
VOUT  aVA , (III.20)
unde a reprezintă amplificarea în buclă deschisă, iar VA o variabilă ajutătoare, reprezentând tensiune
pe intrarea inversoare a AO. Considerând curentul de intrare al AO egal cu zero şi aplicând regula
divizorului de tensiune şi teorema superpoziţiei se obţine expresia tensiunii VA:
ZR ZI
VA  VIN  VOUT . (III.21)
ZI  ZR ZI  ZR
Din (III.20) şi (III.21) se poate determina forma explicită a ecuaţiei de transfer:
aZ R
V ZI  ZR
AV  OUT   . (III.22)
VIN aZ I
1
ZI  ZR

+
a VOUT +
- a VOUT
ZI ZR -
ZR
VTEST
VIN VA ZI
VRETUR
(a) (b)

Fig.III.16. Amplificatorul inversor:

(a) – schema de principiu; (b) – schema echivalentă pentru determinare A.
Amplificarea pe buclă se poate determina pe baza Fig.III.16.a, unde s-a considerat intrarea la
masă, bucla de reacţie întreruptă şi o tensiune de test aplicată la intrarea buclei, în mod analog cu
cazul general conform Fig.III.15:
VRETUR aZ I
  A  T . (III.23)
VTEST ZI  ZR
La acelaşi rezultat se poate ajunge şi dacă se identifică termenii între ecuaţia de transfer
generală, (III.16) şi cea a amplificatorului inversor, (III.22):
aZ R aZ I A Z I
A ; T  A  ; deci    . (III.24)
ZI  ZR ZI  ZR A ZR
Introducând  în (III.24) şi (III.22), se obţin expresiile A, A şi AV în funcţia de amplificarea
în buclă deschisă a AO, a şi de factorul de reacţie, :
a a a
A ; T  A  ; şi AV   . (III.25)
1  1  1  1  a 
Considerând AO ideal, a = , adică A =  deci A  1, (III.22) devine:
V Z 1
AV  OUT   R   , (III.26)
VIN ZI 
reprezentând factorul de amplificare al amplificatorului inversor ideal.

55
III.2.2.2. Impedanţa de intrare
Impedanţa de intrare a AO depinde de impedanţele de mod diferenţial, ZD şi de mod comun, ZC. De
regulă ZCZD şi ca urmare va conta numai ZD.
Schema echivalentă a amplificatorului inversor este reprezentată în Fig.III.17, unde ZIR =
ZIZR asigură compensarea curenţilor de intrare ai AO.
Pentru determinarea impedanţei de intrare se consideră la intrare o sursă de semnal de test, VIN
şi se calculează impedanţa de intrare, ZIN, cu relaţiile:
VIN V V 
Z IN  , unde I IN  IN . (III.27)
I IN ZI
Aplicând metoda suprapunerii efectelor, se calculează expresiile V şi V0:
Z 0  Z R  Z D  Z IR  Z I Z D  Z IR 
V  VIN  V0
Z I  Z 0  Z R  Z D  Z IR  Z 0  Z R  Z I Z D  Z IR 
. (III.28)
V0  a V  V   a
 ZD

V
Z IR  Z D
Calculele pot fi continuate rezolvând sistemul de ecuaţii de mai sus, iar în final, fiind
îndeplinite condiţiile: Z0  ZR şi ZIR, ZI, ZR,  ZD, se pot neglija termeni corespunzători, rezultând
pentru ZIN o expresie simplă, mai puţin exactă, dar mai utilă practic. La aceeaşi expresie simplă se
poate ajunge şi dacă aceste neglijări se fac de la început. În aceste condiţii (III.28) şi (III.27), devin:
ZR ZI
V  VIN  V0 şi V0  aV  ; (III.30)
ZI  ZR ZI  ZR
ZR Z
Z IN  Z I   Z I  R  Z I , dacă a  1. (III.31)
1 a a

ZR

IIN ZI V 
Z0
VV

VIN ZD
V0 = a(VV) VOUT ZL

ZIR V +

Fig.III.17. Schema echivalentă a amplificatorul inversor.

III.2.2.3. Impedanţa de ieşire

Impedanţa de ieşire se poate calcula ca raport între tensiunea de ieşire în gol, VOUT_GOL şi curentul
de ieşire în scurtcircuit, IOUT_SC, conform expresiei:
V
Z OUT  OUT_GOL . (III.32)
I OUT:_SC
Pentru simplificarea, deoarece ZIR, ZI, ZR,  ZD, se vor neglija termenii respectivi. În aceste
condiţii, curentul de ieşire în scurtcircuit are expresia:
V0 VSC
I OUT:_SC   , (III.33)
Z0 ZR

56
unde VSC , reprezentând tensiunea V în scurtcircuit, şi V0 au expresiile:
ZR
VSC  VIN , iar V0  aVSC , (III.34)
ZI  ZR
pe baza cărora (III.33) devine:
 aZ R  Z 0
I OUT:_SC  VIN . (III.35)
Z 0 Z I  Z R 
Exprimând VIN în funcţie de VOUT_GOL şi de factorul de amplificare, conform (III.26), din
(III.35) şi (III.32) rezultă expresia impedanţei de ieşire:
V Z Z  Z R  Z0 Z Z
Z OUT  OUT_GOL  0 I   0  0, (III.36)
I OUT:_SC aZ I a  1    A T
unde s-au avut în vedere (III.24) şi (III.25).
În concluzie, impedanţa echivalentă de ieşire a amplificatorului inversor este egală cu
impedanţa de ieşire a AO divizată prin amplificare pe buclă, A. Dacă A  1, condiţie de regulă
îndeplinită, se poate considera că ZOUT  0.

III.2.3. AMPLIFICATORUL NEINVERSOR

III.2.3.1. Amplificarea
Schema amplificatorului neinversor este reprezentată în Fig.III.18, pe baza căreia ecuaţia de
transfer se poate pune sub forma:
VOUT  a VIN  VB  , (III.37)
unde a reprezintă amplificarea în buclă deschisă, iar VB o variabilă ajutătoare, reprezentând
tensiunea pe intrarea inversoare a AO. Considerând curentul de intrare zero şi aplicând regula
divizorului de tensiune se obţine expresia VB:
ZI
VB  VOUT . (III.38)
ZI  ZR
Din (III.37) şi (III.38) se poate determina forma explicită a ecuaţiei de transfer:
V a
AV  OUT  . (III.39)
VIN 1  aZ I
ZI  ZR

-
a VOUT
VIN ZR
VB ZI

Fig.III.18. Amplificatorul neinversor.

Schema echivalentă pentru determinarea amplificării pe buclă este identică cu cea a
amplificatorului inversor (Fig.III.16.b). Deci şi amplificarea pe buclă va fi identică cu cea
amplificatorului inversor, conform (III.23).
Dacă se identifică termenii între ecuaţia de transfer generală, (III.16) şi cea a amplificatorului
neinversor, (III.39), se obţine:
57
 aZ I A ZI
Aa; T  A  ; deci    . (III.40)
ZI  ZR A ZI  ZR
Introducând  în (III.40) şi (III.39), se obţin expresiile A, A şi AV în funcţia de amplificarea
în buclă deschisă a AO, a şi de factorul de reacţie, :
V a
A  a ; T  A  a ; şi AV  OUT  . (III.41)
VIN 1  a
Considerând AO ideal, a = , adică A =  deci A  1, (III.39) devine:
V Z  ZR Z 1
AV  OUT  I  1 R  . (III.42)
VIN ZI ZI 
III.2.3.2. Impedanţa de intrare
Impedanţa de intrare a amplificatorului neinversor se calculează în aceleaşi ipoteze ca şi în cazul
amplificatorului inversor (pct.III.2.2.2). Schema echivalentă a amplificatorului neinversor este
reprezentată în Fig.III.19, pe baza căreia impedanţa de intrare, ZIN, se poate calcula cu relaţiile:
VIN V V 
Z IN  , unde I IN  IN . (III.43)
I IN Z IR  Z D
Aplicând metoda suprapunerii efectelor, se calculează expresiile V, V0 şi V:
Z  Z I Z R  Z 0 VIN Z IR Z I Z D  Z IR V0
V  D  
Z IR  Z D  Z I Z R  Z 0  Z IR  Z D Z 0  Z R  Z I Z D  Z IR 
V0  a V   V    (III.44)
Z I Z R  Z 0  Z I Z D  Z IR 
V  VIN  V0
Z IR  Z D  Z I Z R  Z 0  Z 0  Z R  Z I Z D  Z IR 

IIN ZIR V+ +
Z0
VV

VIN ZD
V0 = a(VV) VOUT ZL
ZI V  

ZR

Fig.III.19. Schema echivalentă a amplificatorul neinversor.

Fiind îndeplinite condiţiile: Z0  ZR şi ZIR, ZI, ZR,  ZD, se pot neglija termeni
corespunzători. În aceste condiţii sistemul de ecuaţii (III.44), devine:
a

V   VIN ; V0  a VIN  V  ; V   ZI
ZI  ZR
V0  V0 
1  a
VIN , (III.45)

rezultat care, introdus în (III.43), conduce la forma finală a expresiei ZIN:

Z IN  Z D 1  a   Z D 1  A  Z DA  Z DT  Z C . (III.46)
În concluzie, impedanţa de intrare a amplificatorului neinversor este egală cu impedanţa
diferenţială a AO multiplicată cu amplificarea pe buclă. La prima vedere s-ar părea că
amplificatorul neinversor ar putea avea ZIN oricât de mare. Însă ZIN este limitată fizic la valoarea
impedanţei de mod comun, ZC.
58
III.2.3.3. Impedanţa de ieşire
Impedanţa de ieşire se poate calcula ca raport între tensiunea de ieşire în gol, VOUT_GOL şi curentul
de ieşire în scurtcircuit, IOUT_SC, conform expresiei:
V
Z OUT  OUT_GOL . (III.47)
I OUT:_SC
Pentru simplificarea, deoarece ZIR, ZI, ZR,  ZD, se vor neglija termenii respectivi. În aceste
condiţii, curentul de ieşire în scurtcircuit are expresia:
V0 VSC
I OUT:_SC   , (III.48)
Z0 ZR
unde VSC , reprezentând tensiunea V în scurtcircuit, şi V0 au expresiile:
VSC  0 , iar V0  aVIN , (III.49)
pe baza cărora (III.48) devine:
aVIN
I OUT:_SC  . (III.50)
Z0
Exprimând VIN în funcţie de VOUT_GOL şi de factorul de amplificare, conform (III.42), din
(III.50) şi (III.47) rezultă expresia impedanţei de ieşire:
V Z Z Z
Z OUT  OUT_GOL  0  0  0 , (III.51)
I OUT:_SC a A T
unde s-au avut în vedere (III.40) şi (III.41).
În concluzie, impedanţa echivalentă de ieşire a amplificatorului inversor este egală cu
impedanţa de ieşire a AO divizată prin amplificare pe buclă, A. Dacă A  1, condiţie de regulă
îndeplinită, se poate considera că ZOUT  0.
Conform (III.36) şi (III.51), impedanţa de ieşire are aceeaşi valoare pentru ambele tipuri de
amplificatoare, inversor şi neinversor.

III.2.4. REPETORUL DE TENSIUNE

III.2.4.1. Amplificarea
Schema repetorului de tensiune este reprezentată în Fig.III.20, pe baza căreia ecuaţia de transfer se
poate pune sub forma:
VOUT  aVIN  VB  , (III.52)
unde a reprezintă amplificarea în buclă deschisă, iar VB o variabilă ajutătoare, identică cu tensiunea
pe intrarea inversoare a AO. Având în vedere că:
VB  VOUT , (III.53)
din (III.51) rezultă forma explicită a ecuaţiei de transfer:
V a
AV  OUT  . (III.54)
VIN 1 a
Dacă se identifică termenii între ecuaţia de transfer generală, (III.16) şi cea a repetorului de
tensiune, (III.54), se obţine:
A  a ; A  a ; deci   1 . (III.55)
Considerând AO ideal, a = , adică A =  deci A  1, (III.54) devine:

59
 VOUT 1
AV  1 , (III.56)
VIN 
reprezentând factorul de amplificare al repetorului de tensiune ideal.

-
a VOUT
VIN

VB

Fig.III.20. Repetorul de tensiune.

Considerând  = 1 în expresia impedanţei de intrare a amplificatorului neinversor, (III.46),
rezultă expresia impedanţei de intrare a repetorului:
Z IN  Z D a  Z D A  Z DT  Z C . (III.57)
În mod analog, considerând  = 1, din (III.51) rezultă impedanţa de ieşire:
Z Z Z
Z OUT  0  0  0 . (III.58)
a A T
Deci, în ceea ce priveşte ZIN şi ZOUT, repetorul de tensiune este mai performant decât
amplificatorul neinversor, deoarece prezintă ZIN mai mare de 1/ ori şi ZOUT mai mic de 1/ ori.
Dacă A = T  1, aceste diferenţe se atenuează şi nu mai contează din punct de vedere practic.
Repetorul de tensiune este un caz limită al amplificatorului neinversor, corespunzător unei
reacţii negative totale sau amplificări unitare. Dacă pentru celelalte configuraţii de amplificator,
conform (III.24), (III.40),  < 1, în cazul repetorului atinge valoarea maximă  = 1. Ca urmare,
pentru o anumită amplificare în buclă deschisă, a, amplificarea pe buclă a repetorului fiind maximă,
T = A = A = a, rezultă că relativ la stabilitate, repetorului de tensiune este cel mai deficitar.

III.2.5. AMPLIFICATORUL DIFERENŢIAL

Schema amplificatorului diferenţial este reprezentată în Fig.III.21, pe baza căreia ecuaţia de

transfer se poate pune sub forma:

VOUT  aVE  a V   V  ,  (III.59)
unde a reprezintă amplificarea în buclă deschisă, VE – o variabilă ajutătoare reprezentând tensiunea
diferenţială, iar V  , V  – tensiunile pe intrările AO. Considerând curentul de intrare zero, regula
divizorului de tensiune şi teorema superpoziţiei se obţin expresiile tensiunilor pe intrările AO:
ZR ZR ZI
V  VIN2 şi V   VIN1  VOUT . (III.60)
ZI  ZR ZI  ZR ZI  ZR
Din (III.59) şi (III.60) se poate determina forma explicită a ecuaţiei de transfer:
aZ R
VOUT ZI  ZR
AV   . (III.61)
VIN aZ I
1
ZI  ZR
Dacă se identifică termenii între ecuaţia de transfer generală, (III.16) şi cea a amplificatorului
diferenţial, (III.61), se obţine:

60
 aZ R aZ I A Z I
A ; T  A  ; deci    . (III.62)
ZI  ZR ZI  ZR A ZR

ZI ZR

VIN1 -
VE + a VOUT
ZI ZR

VIN2

Fig.III.21. Amplificatorul diferenţial.

Introducând  în (III.62) şi (III.61), se obţin expresiile A, A şi AV în funcţia de amplificarea
în buclă deschisă a AO, a şi de factorul de reacţie, :
a a V a
A ; T  A  ; şi AV  OUT  . (III.63)
1  1  VIN 1  1  a 
Considerând AO ideal, a = , adică A =  deci A  1, (III.61) devine:
V Z 1
AV  OUT  R  , (III.64)
VIN ZI 
reprezentând factorul de amplificare al amplificatorului diferenţial ideal.
Impedanţele de intrare ale amplificatorului diferenţial au expresiile:
 
Z IN  ZI şi Z IN  Z I  Z R  Z IR , (III.65)

unde Z IN se referă la intrarea inversoare, fiind egală cu impedanţa de intrare a amplificatorului

inversor, (III.31), iar Z IN se referă la intrarea neinversoare.
Impedanţa de ieşire a amplificatorului diferenţial are expresia:
Z0 Z Z
Z OUT   0  0, (III.66)
a  1   A T
fiind egală cu cea a amplificatoarelor inversor şi neinversor, (III.36), (III.51).
Pentru fi posibilă o analiză comparativă a tipurilor de amplificatoare realizate cu AO, în
Tabelul III.1 se prezintă o sinteză a principalilor parametri.
Tabel III.1. Parametrii amplificatoarelor cu reacţie pe bază de AO
Amplificator Amplificator Repetor Amplificator
X
inversor neinversor de tensiune diferenţial
ZI ZI ZI
 ZR ZI  ZR
1
ZR
a a
A a a
1  1 
a a
T = A a a
1  1 
a 1 a 1 a a 1
AV   1 
1  1  a   1  a  1 a 1  1  a  

61
 Z Z D 1  T  Z D 1  T  
Z IN  ZI
ZIN ZI  R  ZI
1 a  Z DT  Z DT 
Z IN  ZI  ZR
Z0 Z0 Z0 Z0
ZOUT
T T T T

III.2.6. BANDA DE FRECVENŢĂ

Banda de frecvenţa a AO în buclă deschisă fiind cunoscută din foile de catalog, se pune
problema determinării benzii de frecvenţă a amplificatoarelor cu AO în buclă închisă.
Amplificarea în buclă închisă a unui amplificator neinversor fiind:
V a
AV  OUT  , (III.67)
VIN 1  a
iar a unui amplificator inversor şi diferenţial fiind:
V a a
AV  OUT   , (III.68)
VIN 1  1  a  1  a
unde s-a avut în vedere că a  1, se poate analiza banda de frecvenţă pentru amplificatoarele în
buclă închisă pe baza expresiei generale a reacţiei, (III.16):
V A 1
AV  OUT   , (III.69)
VIN 1  A 1  T
unde T = A, iar A = a reprezintă amplificarea în buclă deschisă.
AO real are mai mulţi poli, care fiind compensaţi intern, AO prezintă o caracteristică
amplitudine-frecvenţă cu un singur pol dominant (Fig.III.12). Prin urmare, amplificarea AO în
buclă deschisă are expresia generală:
A0 A0
A  , (III.70)
1  j  0 1  j f f 0
unde 0 reprezintă pulsaţia polului, iar f0 – frecvenţa polului.
Introducând (III.70) în (III.69) se obţine:
V AV0 AV0
AV  OUT   , (III.71)
VIN 1  j f f 0 1  A0  1  j f f V
unde AV0 şi T0 = A0 sunt valorile de curent continuu pentru AV şi T, iar fV este frecvenţa polului
amplificării în buclă închisă, AV, având următoarele expresii:
A0 A
AV0   0 şi f V  f 0 1  A0   f 0 1  T0  . (III.72)
1  A0 1  T0
Din (III.72) se observă că frecvenţa polului în buclă închisă este mai mare de (1 + T0) ori
decât frecvenţa polului amplificării în buclă deschisă.
Tot din (III.72) se mai poate observa şi că produsul AV0fV este constant:
A0
AV0 f V  f 0 1  A0   A0 f 0  const. (III.73)
1  A0
Deoarece AO sunt amplificatoare cu cuplaj direct, frecvenţa polilor este identică cu banda de frecvenţă
la 3 dB. Deci (III.73) reprezintă produsul amplificare-bandă, GBW, conform (III.11), din care pentru
amplificare unitară rezultă banda la amplificare unitară, B1, conform (III.10).

62