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fabrican?
Posted on by mario
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De todos los materiales electrónicos, quizás el que mayor revolución ha causado en el mundo
de la electrónica son los semiconductores. Gracias a tecnología de semiconductores la
electrónica ha podido pasar de aplicaciones militares y científicas de alto nivel hasta
aplicaciones caseras comunes y de bajo costo.
Un semiconductor es un material que bajo ciertas condiciones resulta ser aislante, pero bajo
otras condiciones resulta ser conductor, de ahí su nombre. Por lo general, los
semiconductores son aislantes, pero conforme aumenta su temperatura se vuelven
conductores.
Cómo se fabrica un semiconductor?
Si en vez de crear una carga negativa se quiere crear una carga positiva, el material se
expone a Galio (Ga) en el caso del Germanio, o a Boro (B) en el caso del Silicio. Esto produce
Germanio P y Silicio P.
La diferencia fundamental en estos materiales dopados es que poseen una carga eléctrica
positiva o negativa. Como vimos en el capítulo de electricidad, la materia en su estado
normal es eléctricamente neutra (posee carga cero). Esta carga que se les da nos permite
lograr efectos eléctricos bastante interesante y útiles.
manufactura de semiconductores
https://www.electronicosonline.com/kla-tencor-lanza-sistema-metrologico-para-ics-de-10-nm/
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El área de calidad de las compañías manufactureras de circuitos ahora cuentan con una nueva
herramienta para realizar las mediciones en arquitecturas menores a 10 nanómetros.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
La manufactura de circuitos electrónicos con arquitecturas inferiores a 10 nanómetros, además de
requerir de técnicas de fabricación especiales, también necesitan un control exclusivo por parte del
personal de calidad y medición.
Cualquier tolerancia que se encuentre fuera del rango permitido puede causar severos problemas en
el ciclo de producción, y en caso de llegar a la fase final del proceso, el producto puede salir con
fallas técnicas.
A medida que las arquitecturas se miniaturizan más y más, los ingenieros de calidad y metrología
están sometidos a mayor estrés para llevar a cabo su trabajo con el menor índice de errores, pero no
solo se basan en sus conocimientos académicos y habilidades personales, también requieren de
instrumental adecuado para evitar que se filtren piezas con errores.
El más reciente producto de KLA es un sistema de metrología denominado KLA Archer 600, que
presuntamente auxilia a las compañías a fabricar grandes volúmenes de componentes con
dimensiones menores a 10 nanómetros y sin imperfecciones.
Pero no solo el Archer 600 forma parte del portafolio de soluciones de KLA para el sector de
manufactura electrónica, también otros instrumentos metrológicos como el WaferSight PWG2,
también está orientado a realizar mediciones en función con patrones geométricos de las obleas;
el SpectraShape 10K para sistemas ópticos, y finalmente el SensArray HighTemp, para
mediciones micrométricas ‘in-situ’.
De acuerdo a la compañía, estos equipos de metrología tienen la capacidad de trabajar con las más
recientes técnicas de manufactura electrónica incluyendo SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) y
litografía extrema por ultravioleta (EUV).
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Por ejemplo, el Archer 600 amplía la tecnología de metrología de superposición basada en imágenes
con nuevas ópticas y nuevos objetivos de medición, los cuales permiten a los fabricantes detectar
errores menores a 3 nanómetros para dispositivos lógicos avanzados como las nuevas memorias
Flash.
En el caso de la herramienta ProAIM ofrece una mejor resiliencia a las variaciones de los procesos y
entrega una correlación entre los errores de superposición entre los objetivos y los dispositivos,
generando una mayor precisión durante las mediciones.
Entre las características técnicas asociadas a las nuevas plataformas de la compañía, destacan
funciones adicionales como una configuración de brillo y enfoque. Además de la adición de módulos
de polarización para garantizar una mejor retroalimentación en la detección de errores y el control de
análisis sobre diferentes tipos de materiales y capas.
La firma subrayó que sus nuevos equipos también fueron desarrollados para fabricantes de
dispositivos FinFET y memorias NAND, que son trabajadas con materiales de Silicio-Germanio (SiGe)
o CD.
Para mayor información sobre detalles y aplicaciones técnicas de estas nuevas soluciones Tencor,
puede acceder al sitio Web de la compañía haciendo clic en el siguiente enlace.
https://www.electronicosonline.com/china-respondera-a-eeuu-con-industria-de-semiconductores-mas-
fuerte/
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Gobierno, líderes industriales e inversionistas chinos, anunciaron que invertirán 160 mil millones de
dólares para fortalecer su industria, a dos semanas después de que la Casa Blanca anunciara planes
para combatir lo que llamaron “prácticas injustas” de algunos países en la industria.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
La llegada del magnate Donald Trump a la Casa Blanca, ha dejado a socios tradicionalmente
comerciales de Estados Unidos en un estado de incomodidad y decepción, al grado que las
relaciones diplomáticas se han visto afectadas principalmente con países que por décadas han sido
sus aliados comerciales en áreas de proveeduría de insumos y manufactura, como China, país que ha
decidido responder al nuevo presidente norteamericano con una nueva campaña para reforzar su
gran industria de semiconductores.
La conmoción del gobierno chino se debe a que Trump ha señalado a este país asiático, además de
otros países latinoamericanos, como los causantes del desempleo en Estados Unidos, aseverando
que las compañías estadounidenses han desviado las oportunidades de los ciudadanos
norteamericanos al invertir y expandirse en otras regiones fuera del país, incluyendo industrias clave
como automotriz y electrónica. En el caso específico de la industria de semiconductores, la situación
se ha vuelto más hostil debido a un reporte difundido por funcionarios del Consejo de Asesores en
Ciencia y Tecnología (PCAST) de la Casa Blanca a principios de enero, en el que convocaron a una
acción internacional en contra de lo que ellos mismos definieron como “prácticas injustas” de
algunos países que dominan el mercado de dispositivos semiconductores, componentes medulares
de la electrónica moderna.
Las compañías planean comenzar a manufacturar circuitos de 14 nanómetros con esta fuerte
inversión.
El informe enérgico de la Casa Blanca fue promovido directamente por los representantes de la
industria norteamericana de semiconductores, quienes consideraron que la ambición agresiva de
China por convertirse en un actor global en el mercado de chips, traerá serios problemas a las
compañías americanas, por lo que solicitaron la intervención de los altos mandos del gobierno
norteamericano para crear una estructura que permita proteger a las firmas domésticas y serenar las
intenciones comerciales de China en este importante mercado. “PDCAST encontró que la industria de
semiconductores de Estados Unidos enfrenta mayores retos con una amplia gama de implicaciones
para la economía y la seguridad nacional. La innovación ya se está desacelerando, ya que la
industria de semiconductores se enfrenta a limitantes tecnológicos fundamentales en mercados de
rápida evolución. Ahora, una impulsiva iniciativa de China para remodelar el mercado a favor de sus
intereses, amenaza la competitividad de la industria norteamericana y los beneficios nacionales e
internacionales que ofrece la industria estadounidense”, comenta el reporte elaborado por los
funcionarios del PDCAST. Esta posición no fue bien recibida por el gobierno de China quien de
inmediato respondió con un anuncio que involucra la inversión de 160 mil millones de dólares
para fortalecer y detonar su industria nacional de semiconductores para consolidar su
posicionamiento como el país más importante en el suministro, manufactura y diseño de materias
primas para la industria electrónica global.
Comparativa de exportaciones e importaciones de ICs por parte de China.
De acuerdo al diario Bloomberg, el gobierno de Xi Jinping, considerado el gran líder del Partido
Comunista, se ha propuesto impulsar su brazo doméstico de tecnología para independizarse de las
industrias proveedoras extranjeras. La compaña del gobierno chino ha comenzado con una agresiva
difusión y convocatoria a nivel nacional para invitar a las compañías chinas y los medios de prensa
para dar a conocer que los 160 mil mdd se invertirán en los siguientes 10 años para conferir las
capacidades e infraestructura necesarias a la industria china para desarrollar sus propios chips, lo
que será tanto como las inyecciones de capital que el fabricante norteamericano Intel Corporation,
ha gastado en la última década para construir fábricas y mantener su ritmo de Investigación y
Desarrollo (I+D), colocándola como el fabricante de chips más importante del mundo.
Cabe mencionar que al autodefinirse China como un país dependiente de la industria extranjera, se
refiere a que su industria consume más de la mitad de los semiconductores que se comercializan
globalmente cada año, y sus necesidades van en aumento. Con todo y su potencial comercial,
ninguna de las compañías chinas que manufacturan localmente circuitos integrados ha logrado
posicionarse en el top-10 de los fabricantes de chips más importantes del mundo, ranking que
encabezan las firmas norteamericanas y coreanas. Otra de las razones por la que China ha decidido
tirar la casa por la ventana a favor de su industria electrónica, es porque ha gastado más dinero en
importar chips de otros países que lo que ha invertido en comprar petróleo, de acuerdo a la firma de
investigación Sanford C. Bernstein, citada por Bloomberg.
Compañías chinas de semiconductores que ya han comenzado a sumarse a la iniciativa del
gobierno.
A esta iniciativa se han sumado directivos de fabricantes de chips como Shangai Huali
Microelectronics, Advanced Micro-Fabrication Equipment (AMEC) consideradas como dos pilares en la
industria china de semiconductores. China también se ha convertido en un mercado altamente
lucrativo para las compañías norteamericanas, ya que el país asiático es por más el principal
consumidor de insumos para la manufactura de dispositivos electrónicos, sobresaliendo chips,
sensores, antenas y cámaras, por mencionar algunos para maquilar los millones de aparatos
electrónicos que exporta al extranjero. Esta necesidad de componentes tiene a China con un déficit
de semiconductores alto y representa para el mercado global el cliente más grande con el 45% del
total de las ventas, y del total de la producción mundial de semiconductores, las compañías chinas
solo participan con un 13%. Overseas gear vendors lead local ones in China; percentages indicate
China market share. (Images: AMEC) Click here for larger image
https://www.electronicosonline.com/ibm-revela-primer-nodo-construido-en-7-nm/
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La compañía arrancará las pruebas técnicas para manufacturar los primeros chips desarrollados en
arquitectura de 7 nanómetros.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
IBM se ha adjudicado un importante avance hacia la miniaturización de los dispositivos
semiconductores, después de presentado el primer nodo construido con tecnología de 7 nanómetros
(nm), una dimensión equivalente a 100 mil veces más delgado que el grosor de un cabello humano.
En el reporte de prensa generado por la compañía, se indica que el grupo de ingeniería de IBM
colaboró estrechamente con investigadores del Colegio de Ciencia de Nanoescala e Ingeniería del
Instituto Politécnico de SUNY, en Nueva York, Estados Unidos, y en conjunto realizan las fases de
prueba y validación de la estructura conformada por diminutos transistores.
El documento señala que este nodo es el primero a nivel industrial en contar con este tamaño y
comprobar funcionalidad operativa, ya que la tecnología de 7nm ha sido uno de los grandes retos de
la industria electrónica mundial, siguiéndola como objetivo compañías clave como AMD o Intel
Corporation, ARM, fabricantes de microprocesadores.
Entre las grandes barreras que han impedido que la industria logre materializar dispositivos sobre 7
nanómetros, se encuentran los efectos colaterales que involucra la reducción de las arquitecturas
manufacturadas con procesos convencionales, lo que genera la degradación del sistema y promueve
un mayor consumo de energía, ya que al ser mucho mayor la densidad de los transistores en un
trozo de Silicio más pequeño, demanda mayor control en su ciclo de desarrollo, o lo que es lo mismo
la creación de nuevos procesos de manufactura.
En el actual 2015, los más modernos microprocesadores están construidos sobre arquitecturas de
22nm y 14nm, aunque compañías como Intel y ARM, han anunciado que ya preparan la liberación de
tecnología de 10 nanómetros, todas estas trabajadas con procesos de manufactura convencional que
no han requerido ser radicalmente modificados.
Pero en este proyecto se tuvo que estructurar una técnica nueva para crear procesos de
manufactura especial que permitieron la materialización del prototipo.
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Este trabajo se llevó a cabo en las instalaciones de IBM Research y presumiblemente se requirió un
número considerable de innovaciones, incluyendo la integración multinivel de Silicio-Germanio (SiGe)
para construir los canales de transistores y litografía de rayos ultravioleta extremos (EUV, por sus
siglas en inglés), por mencionar algunos.
IBM Research colaboró con Samsung Electronics y Global Foundries para dar este
importante salto en la miniaturización de chips
Al integrar estos recursos en un solo proceso industrial, los científicos estuvieron cerca de alcanzar
casi el 50% de las mejoras de escalamiento tecnológico que registra la más moderna arquitectura de
microprocesadores, que es de 10 nanómetros y la cual está siendo trabajada en los laboratorios de
diversas compañías.
De acuerdo a IBM, entre los beneficios de la nueva generación de semiconductores construidos con
tecnología de 7 nanómetros, se encuentran un 50% más eficiencia energética y mayor desempeño
para el procesamiento de datos, y debido a sus nuevas características, estiman que soportarán
desahogadamente los requerimientos de sistemas en ‘Big Data’ y de conectividad en la Nube de
Computación.
En este proyecto fue de capital importancia la participación de las compañías Global Foundries y
Samsung Electronics, quienes cedieron parcialmente equipo especializado a IBM para levar a cabo el
proyecto, además del Instituto Politécnico de SUNY de Nueva York, que en conjunto representan una
inversión colectiva de aproximadamente 3 mil millones de dólares a un plazo de 5 años para trabajos
de investigación y desarrollo dirigidos a tecnología de semiconductores en escala de 7 nm.
Este importante paso por parte de IBM hacia la nueva era de circuitos integrados más potentes, no
ha sido la única gran aportación que ha hecho la compañía a lo largo de su historia, ya que según
refiere la información de su portal, otras invenciones han sido producidas en sus laboratorios, tales
como la implementación de la primera célula DRAM, las Leyes de Escalamiento Dennard o
escalamiento MOSFET, foto-resistencias químicamente amplificadas, interconexión de cobre, Silicio
sobre Aislante, microprocesamiento multi núcleo, litografía de inmersión, SiGe de alta velocidad,
puertas dieléctricas de Alto-k, DRAM embebidas, estructura para chips 3D y aisladores de brecha
aérea, por mencionar algunos.
El siguiente paso por parte de IBM será someter a pruebas rigurosas la viabilidad de la tecnología
para encontrar si es posible abrir terreno para su despliegue comercial.
https://www.electronicosonline.com/casas-de-diseno-chinas-se-vuelcan-por-tsmc/
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Las nuevas arquitecturas en 28 nm para chips diversos han obligado a las casas de diseño de China
a solicitar al fundidor taiwanés les manufacture sus obleas, abandonando a sus proveedores chinos
por presunta obsolescencia en sus procesos.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
La tecnología de 28 nanómetros o menos para los más recientes circuitos integrados ha sobrepasado
las capacidades de las casas de diseño chinas, quienes poco a poco comienzan a abandonar a sus
proveedores de manufactura local y solicitado la ayuda a TSMC, el fundidor taiwanés más grande de
semiconductores de la industria.
La razón de este éxodo comercial hacia TSMC por parte de las pequeñas empresas dedicadas al
diseño electrónico o de servicios con sede en China, es que las principales fundidoras de obleas del
dragón comercial se han quedado estancadas en relación con los nuevos requerimientos
microelectrónicos a escala de 28 nm o menos, formato casi obligatorio para la fabricación de chips
móviles y otros equipos de comunicación, informó en un comunicado la agencia de noticias
Digitimes.
De acuerdo al reporte, además de la obsolescencia tecnológica de muchas fundidoras chinas o
también llamadas “foundries” de semiconductores, también se une a esta situación la creciente
competencia entre manufactureros de electrónica local que han inyectado mayor presión a la cadena
de suministro.
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Por su parte, las fundidoras que han sido señaladas como principales proveedores de servicios a
nivel oblea y con las cuales muchas de las empresas como las anteriormente citadas establecían
relación industrial son Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) y Hejian
Technology, debido a sus bajos costos de manufactura para el mercado doméstico son aún son
reconocidas como entidades competentes en la región, según apunta el documento de Digitimes.
Pero han observado que las exigencias de los nuevos protocolos de comunicación, incluyendo el
hardware inherente a estas plataformas, han orillado a los fabricantes minoritarios de dispositivos
electrónicos a optar por procesos de manufactura más avanzados como la tecnología FinFET de
TSMC, en la que han visto al parecer más capacidades para que sus chips sean fabricados acorde a
los requerimientos de la industria para sectores como smartphones 4G, aparatos IoT, equipo de
telecomunicaciones y otras clases de gadgets con conectividad.
De acuerdo a IBS, los costos de manufactura de obleas por nodo resulta más costoso con
tecnología FinFET, principal técnica utilizada por TSMC, aun así, sus servicios son más
demandados.
Como resultado de este movimiento industrial, se estima que sin tomar en cuenta las órdenes de
obleas generadas por MediaTek a TSMC, el total de órdenes de obleas que han estado enviando las
casas de diseño chinas a la firma taiwanesa, han superado ya las registradas por las casas de diseño
de Taiwán hacia TSMC.
Diversas casas de diseño de circuitos en China han comenzado a abandonar sus proveedores de
fundición para solicitar a TSMC sus servicios.
Cabe mencionar que recientemente el fabricante de chips para celulares Qualcomm Inc., firmó un
convenio de colaboración con SMIC, el foundry que ha visto la deserción de clientes locales, con lo
cual balanceará sus pérdidas con un gigante como esta compañía que controla gran parte del
suministro de chips para dispositivos móviles con su gama de microprocesadores Snapdragon.
No obstante, los avances en materia de procesos de manufactura FinFET que ha promovido TSMC ha
ganado terreno incluso a otros fundidores como Intel Corporation y sus técnicas de manufactura
CMOS, haciendo que la firma taiwanesa se posicione como un foundry de gran poder en la industria
electrónica moderna.
https://www.electronicosonline.com/tsmc-arrebata-clientes-a-intel-y-samsung/
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El fabricante de circuitos electrónicos más importante TSMC continúa apoderándose del mercado,
consiguiendo la confianza de clientes de Intel y Samsung.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
La compañía taiwanesa de manufactura de circuitos integrados TSMC, manufacturará chips a Altera
y Apple, quienes fueran clientes de Intel y Samsung, respectivamente, logrando de esta forma un
posicionamiento sólido en la industria electrónica global.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp., es la firma fundidora o “foundry” de circuitos y compite
directamente con otras compañías ‘foundries’ como Intel Corporation y Samsung Electronics, las
cuales también ofrecen su infraestructura fabril a otras empresas para fabricarles sus productos.
Debido a que no todas las empresas tienen capacidad industrial de fabricación en masa o como se
conoce esta modalidad en inglés “fabless”, solamente se limitan a diseñar sus chips y
posteriormente con prototipo en mano, buscan a un ‘foundry’ que les maquile en masa sus chips.
Recientemente Altera, fabricante “fabless” de FPGAs revocó su contrato con Intel Corporation para
que le manufacturara su nueva gama de sistemas de chips programables (SoPC), circuitos con
memorias integradas, procesadores embebidos y transceptores de alta velocidad dirigidos a
plataformas industriales, sin embargo, por cuestiones de incompatibilidad con la tecnología Tri-Gate
de 14 nanómetros propuesta por Intel, Altera decidió optar por TSMC.
La decisión de Altera ocurrió solo unas semanas después de que Intel anunciara la alianza comercial
entre ambas firmas, divulgada en un reporte de prensa el pasado 26 de abril.
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En el caso de la tecnología Fin-FET de TSMC, muchas compañías que trabajan con esta firma
taiwanesa, coinciden en que es más estable a nivel microelectrónica para sus productos,
principalmente en términos de encapsulado o empaquetado y la fabricación física de su estructura
interna, lo cual es importante para todo fabricante que demanda a las fundidoras proteger y respetar
sus respectivos diseños.
Tecnología Tri-Gate de Intel.
De acuerdo a los informes, Altera optaría finalmente por FinFET de TSMC por dos razones
importantes, en primer lugar, a la demora en la entrega de sus embarques que Intel le ofreció, ya
que en estas fechas se manufacturan masivamente sus nuevos procesadores Broadwell, que son
prioridad por tratarse de un producto de la casa, a lo que Altera no le combino alegando que
cualquier atraso por muy insignificante que fuese, impactaría severamente en la programación de
mercadeo.
En segundo lugar, durante las casi cuatro semanas que prevaleció el convenio comercial, Altera
estuvo muy al pendiente observando los resultados de Intel al manufacturar sus chips con la
tecnología Tri-Gate de 14 nm, peor al parecer hubo problemas técnicos en la producción de los
Broadwell, que han mantenido ocupados a los ingenieros de soporte e investigación de la compañía,
por lo que Altera determinó declinar al convenio y evitar que sus chips sufrieran esas presuntas
incidencias registradas.
Cabe mencionar que Tri-Gate es una tecnología recientemente lanzada a la industria, y a pesar de
que ha sido sometida a diversas pruebas de rendimiento, supuestamente no fue robusta la fase de
validación, y como resultado, al momento de implementarla en sus propios productos, Intel destapó
involuntariamente la necesidad de afinar o perfeccionar su tecnología.
En otro certero golpe a favor suyo, TSMC logró persuadir a Apple para manufacturarle su siguiente
gama de chips A8, un procesador ‘quad-core’ de 64 bits con un formato CPU+GPU, que en un
principio la firma de la manzana tenía contemplado producirlo en las fábricas de Samsung.
La fuente principal de esta información filtrada a la industria es el diario financiero Comercial Times,
de Taiwán, que afirmó haber logrado recolectar datos de una fuente allegada a TSMC que apuntaba a
un probable convenio de manufactura industrial con Apple.
La decisión de Apple arrastra desde tiempo divergencias con Samsung por presuntos conflictos de
propiedad intelectual, situación que ha motivado a la compañía a buscar otros fabricantes para sus
circuitos, en este caso TSMC.
Estos dos nuevos clientes posicionarían naturalmente a TSMC la capacidad para posicionarse como
el principal manufacturero de dispositivos semiconductores de la industria electrónica, y revalidaría
su potencial con los esquemas multimillonarios que ha registrado en los últimos años por concepto
de ventas y ganancias.
Por ejemplo, en un estudio realizado por la agencia de consultoría IC Insight, TSMC reportó ventas
por 19 mil millones de dólares en 2013, lo que superaría sin problema alguno con la adquisición de
Altera y Apple a su portafolio de clientes.
https://www.electronicosonline.com/multi-patrones-secreto-de-la-manufactura-moderna/
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El fabricante de herramientas EDA, Mentor Graphics reconoce que la fabricación de circuitos
electrónicos inferiores a 20 nanómetros, requiere de técnicas sofisticadas como el “Multi-Patterning”.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
En la industria electrónica los procesos de manufactura son variables y reacondicionados cada cierto
tiempo, a fin de fabricar nuevos circuitos con capacidades suficientes para convertirlos en el corazón
de nuevos productos más potentes y eficientes.
Pero una de las técnicas que es utilizada por los manufactureros de estos circuitos modernos con
arquitecturas miniaturizadas -por debajo de los 20 nanómetros (nm)- es el “Multi-Patterning”, una
técnica que de acuerdo al fabricante de herramientas para el diseño electrónico, Mentor Graphics, es
una de las columnas primordiales que sostienen la actual manufactura electrónica de
semiconductores.
Para ello, la compañía destinó un artículo técnico para explicar la importancia de Multi-Patrones en el
segmento de fabricación de circuitos integrados más vanguardistas.
El documento que se titula “Mastering de Magic of Multi-Patterning”, sostiene que esta técnica ha
sido introducida para afrontar las limitaciones litográficas de la presente manufactura electrónica.
El autor de este material define como “mágico” el resultado que se consigue con la implementación
de doble y triple patrón en el diseño de circuitos dimensionalmente más pequeñas, pero también
reconoce que es de capital importancia para los ingenieros diseñadores el conocer todos los pros y
contras al momento de aplicar esta técnica.
Debido a que los fabricantes deben garantizar que cubrirán las demandas de sus clientes, tales como
mayor eficiencia energética, reducción de tamaño, mayor funcionalidad y otros aspectos que tienen
que ver con el rendimiento de los circuitos electrónicos, los propios manufactureros se han dado a la
tarea de encontrar mecanismos que garanticen los nuevos requerimientos de la industria.
Cabe mencionar que esta misma situación ha orillado a los fabricantes a desarrollar nuevas
herramientas que optimicen sus procesos, siendo algunas de las modas establecidas la integración
de litografía convencional sin software, reglas basadas en software OPC, modelos OPC, inserción
SRAF, verificación de software OPC, simulación embebida de hardware y software, software SMO
(Server Management Objects), software de doble patrón y software de triple patrón o SADP (Self-
Aligned Double Patterning), por mencionar algunos.
En la anterior gráfica, Mentor representa una de las presuntas tendencias en la manufactura de circuitos
con arquitecturas menores a los 20 nm, siendo la sombreada de color verde y en donde se aprecia
también el software relacionado.
Pero estas tendencias que están dirigidas a conjuntar varios recursos en una sola herramienta, ha ido
sumándose conforme se reducen las dimensiones nanométricas de los circuitos electrónicos, de esta
forma, entre más pequeños sean los dispositivos, más recursos deben de poseer, lo que es
significativamente más complejo para quienes diseñan tales componentes.
Pero en esta fase tan compleja, los fabricantes deben estructurar debidamente todos los elementos
para integrarlos en diferentes capas, siendo muy cuidados en su manipulación con las unidades
lógicas como los transistores a fin de no estropearlos.
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El proceso de multi patrones puede otorgar hasta cuatro posibles flujos de diseño.
Por ejemplo, entre los transistores más utilizados para esta clase de manufactura se encuentran los
transistores FinFET o de Efecto-Campo. Estas unidades requieren de una capa especial y otras líneas
adicionales para que funcionen a cabalidad, y para crear sus líneas complementarias se recurren a
técnicas como SADP (Auto-Alineación de Doble Patrón).
Pero también existen casos donde el dispositivo que se manufactura es a 10 nanómetros, entonces
para estos existen técnicas como SID (Separador Dieléctrico) una variante del esquema DADP donde
se utilizan algunas capas metálicas de interconexión para generar las líneas que requiere la
estructura conformada por los FinFETs.
Como se puede observar en la siguiente imagen, las capas forman una plasta o apilamiento donde se
aprecian las interconexiones entre cada una:
Esquema de separación de capas dieléctricas.
De acuerdo al documento de Mentor, la técnica LELE DP provee hasta cuatro posibles flujos de
diseño: Descomposición Manual, Descomposición Automática, Descomposición Mixta y Sin-Color. En
lo que respecta a las tres primeras opciones, se aprecian flujos de dos colores, donde los diseñadores
colocan dos capas de colores por separado para DP o doblemente patroneadas.
Pero en la cuarta opción, el flujo de Sin-Color el ingeniero coloca una sola capa y procede con su
descomposición. La diferencia entre las tres primeras opciones y la cuarta es el nivel de
automatización que utiliza para crear las dos capas (DP). Por ejemplo, en la Descomposición Manual,
el diseñador decide cómo implementar el diseño en dos máscaras, estructurar ambas a mano y
revisar su viabilidad para el formato de doble capa haciendo uso herramientas tradicionales en
reglas de diseño (DRC, por sus siglas en inglés). Pero en el caso de la Descomposición Manual, como
su nombre lo dice, requiere de una inversión considerable de tiempo y su nivel es altamente
complejo, además de los grandes bloques que involucra el dibujar el flujo, lo que es impráctico, con
lo cual no cualquier ingeniero se atreve a inmiscuirse.
En la descomposición sin-color, los ingenieros suelen utilizar herramienta especial para identificar
los errores mediante la asignación de colores establecidos.
En la Descomposición Automática, el diseñador dibuja una sola capa y pasa a utilizar herramientas
especiales para auto-calibrar la descomposición multi-patrón del diseño y revisar automáticamente
su viabilidad en el formato MP. Sin embargo, estas herramientas pueden crear datos de
incompatibilidad y errores prematuros de diseño debido a que ejecutan modelos de simulación y
validación según sus preferencias automáticas, por lo que suele ser una navaja de doble filo, ya que,
o se ahorra tiempo en el diseño o bien se invierte más al identificar los problemas que causó alguna
de las herramientas con recursos automáticos.
Finalmente en el caso del flujo Sin-Color, el ingeniero dibuja una sola capa y trabaja con formatos
especializados de Multi-Patrones para identificar espacios que no pueden ser correctamente
descompuestos. De esta manera la capa debe ser modificada hasta que las revisiones salgan limpias
de errores, entonces se procede con su descomposición en dos capas después de la implementación
Sin-Color.
De esta manera existen algunas herramientas que presentan los errores y las incompatibilidades de
manera automática asignando colores, donde el usuario puede recurrir rápidamente a la aplicación
de soluciones para cada caso.
Mentor Graphics reconoce que la técnica de Multi-Patrones es a la fecha uno de los secretos con los
que cuenta la industria de semiconductores, y es por tal motivo que expone los beneficios de
utilizarla de forma adecuada, incluso conociendo las diferentes herramientas que existen en el
mercado, las cuales tienen la capacidad de facilitar las labores de diseño de circuitos integrados a los
ingenieros.
https://www.electronicosonline.com/apple-disparara-industria-‘pure-play’-de-semiconductores/
Apple disparará industria ‘pure-play’ de
semiconductores
admin septiembre 2, 2013 Industria y Negocios
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La firma de la manzana retirará parcialmente la producción de semiconductores que tiene con
Samsung y la reasignará a fabricantes “pure-play” como TSMC, lo que elevará hasta 21% en 2013 los
buenos pronósticos para el segmento de “solo-fundidoras” electrónicas.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
Ante la determinación de Apple para retirar el contrato con Samsung en la fabricación de buena
parte de sus chips, la firma de la manzana ha visto en el segmento de compañías ‘pure-play’ o solo-
fundidoras, el apalancamiento pretendido para su estrategia comercial.
En esta acción, el fabricante de los “i-gadgets” inclinará la balanza en un segmento que camina
discreto dentro de la esfera de la industria electrónica, compuesto por fabricantes base y fundidores
de materias primas para la manufactura de circuitos electrónicos basados en sustratos como Silicio.
De acuerdo al portal Apple Insider, cuya principal fuente informativa refiere al rotativo
estadounidense The Wall Street Journal, expone que tras una relación de varios años con el
fabricante surcoreano Samsung, Apple decidió mudar el proyecto de manufactura de
semiconductores de esta firma hacia la compañía fundidora Taiwan Semiconductor Manufacturing Co
(TSMC).
Cabe señalar que la disolución de lo que para muchos fue nombrado un matrimonio corporativo
entre Apple y Samsung, dio lugar cuando la empresa surcoreana aprovechó su posición para
reproducir supuestamente un módulo digital exclusivo de Apple para favorecer a su gama de
teléfonos inteligentes “Galaxy” con tecnología ‘touchscreen’, lo que generó un episodio judicial por
violación de propiedad intelectual.
El artículo del WSJ, señala que el contrato laboral de Apple para TSMC determina la concesión de
proyectos de manufactura de los chips A-Series SoC de 20 nanómetros para la siguiente generación
de iPhone y iPad de Apple.
La producción de los circuitos por parte de TSMC comenzará a partir del 2014 y en este movimiento
se verá reflejado un incremento sustancial en la participación del bloque de compañías ‘pure-play’ o
también conocidas como solo-fundidoras.
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Pero no todo es sombrío para Samsung, ya que Apple, con todo y el conflicto de violación de patente
causada supuestamente por la firma surcoreana, mantendrá el proyecto de manufactura de chips A-
Series, sin que el periódico haya develado si Apple también planea alguna de derogación de este
proyecto a corto o mediano plazo.
Los acercamientos de Apple con TSMC comenzaron a principios del 2011, cuando el emporio del
acaecido Steve Jobs, ofreció al fabricante taiwanés el proyecto de manufactura de los chips A-Series,
el cual fue declinado por directivos de TSMC argumentando que en su momento no contaban con la
infraestructura adecuada para manufacturar los semiconductores en los tiempos demandados por
Apple, tampoco reunía los estándares requeridos por la firma de la manzana.
Se estima que para el año 2015 la manufactura de chips a través de compañías ‘pure play’ habrá
de mantener un buen ritmo de crecimiento.
En los últimos años la industria electrónica ha ido inclinando su producción global hacia las
compañías ‘pure-play’ o de solo-fundición, como es el caso de TSMC, y dejando como opción
secundaria aquellas que pertenecen al grupo IDM (Fabricantes de Dispositivos Integrados) que
ofrecen como su nombre lo indica, un sistema de fabricación integral para las compañías ‘fabless’.
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Materiales-semiconductores.php
Materiales semiconductores
Con la invención de un amplificador de Estado Sólido en 1947, por Shockley, Bardeen, and Brattain,
la posibilidad del aumento en la integración en el mismo cristal es una realidad. En las últimas
décadas, y hoy en día se aumenta el numero de componentes que se introducen en el mismo cristal.
Esta industria es altamente rentable, pero las inversiones en desarrollo son también muy altas, lo
que hace que las inversiones sean a la largo plazo. Lo que hace que la industria microelectrónica sea
rentable es que su procesos de fabricación (Batch Processing), funcione correctamente. Esto hace
que en cada chip sea de 8mm de lado, que hace que en cada oblea tengamos de 120-130 circuitos.
Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo
proceso en el mismo instante. Aunque hay procesos como el encapsulado y el testéo, que se deben
hacer individualmente.
-¿Qué semiconductores son aptos para hacer dispositivos electrónicos ?
Los elementos del tipo IV (Columna del Silicio), son los más indicados para utilizarlos como
semiconductores. Aunque para que funcionen como tal deben de tener un gap comprendido, entre
0.5 y 1 eV aproximadamente. Aunque como bien se sabe ya el Gap de un semiconductor se puede
variar añadiendo impurezas a este.
Pero no solo los elementos de la columna IV, son candidatos a buenos semiconductores, sino la
combinación de los elementos de las columnas de al lado la III y la V, también lo son. P.e. GaAs
Ga| Ge | As
También otros dos elementos que se combinan como buenos semiconductores, es el GaP. Los
elementos del grupo IV-VI, también se combinan formando semiconductores de Gap muy pequeños,
pero de enorme importancia en el ámbito militar, y en la detección de infrarrojos.
P.e. PbSe (Galena)
De todas maneras, son pocos los elementos, los cuales los podemos hacer crecer como cristales.
Ahora vamos a hacer una breve historia de los dispositivos electrónicos :
1904- Primer detector de Ondas de Radio (Unión metal-PbSe)
1940-1945 Se desarrollan en Alemania. Detectores de radiación (Térmica)
Aplicación en la detección de aviones.
1547 Transistor Bipolar (Germanio)
1959 Circuitos Integrados
1961 Tecnología planar desarrollada por Fairchild Semiconductor
1963 MOSFET- Aunque la idea era anterior, por problemas tecnológicos no se pudo desarrollar
( Creación de el óxido semiconductor)
-Conceptos Industriales de Producción de CI
Custom : El fabricante lo hace todo hasta la última máscara, y los transistores con su colocación y
conexión.
ASIC : Circuitos muy específicos que el fabricante no hace, por no tener asegurado un mercado (Es
una relación entre cliente y fabricante, mucho más directa y las inversiones empresariales son
mucho menores).
Tamaño mínimo 0.4 m, esto viene dado porque la longitud de onda de la luz utilizada para las
máscaras oscila entre 0.3 y 0.7 m m. y se producen fenómenos de difracción óptica, proceso que
impide la buena realización fotolitográfica.
-Los procesos de introducción de dopantes ha pasado por 4 tipos de fabricación básicamente:
Aleación:
El dopante que queremos introducir se pone en contacto con el semiconductor, a los cuales se le
pone a una temperatura alta para poderse producir la aleación.
El dispositivo ocupa un 1% del espesor total de la oblea, por tanto hay un 99% que no se aprovecha,
esta zona "muerta" además da problemas de funcionamiento del dispositivo.
.-Problemas:
*No se controla la introducción de dopantes
*Se tiene que reducir la zona muerta.
Difusión:
La física del proceso es la misma, que en el caso anterior, pero tenemos un control mucho mayor
sobre él. En este caso el dopante está en forma gaseosa, para introducirlo en las zonas que queremos
dopar.
.-Problemas:
*Interconexiones entre los dispositivos.
*Sigue existiendo zonas muertas.
*El control debería ser mayor sobre las zonas a dopar.
Difusión Planar-Epitaxial:
Partimos de un cristal fuertemente dopado, al cual se le hace crecer una capa epitaxial, de
semiconductor con un dopado menor. Posteriormente se oxida el Si, de forma que obtenemos SiO2.
Se abren huecos en el óxido para que las impurezas entren donde nosotros queremos:
El dopante se introduce en todas las direcciones de forma que no es igual el área de la superficie a la
proyectada. Con este proceso hemos resuelto el problema de la zona muerta.
.-Problemas:
*Difusión lateral
*Si las dimensiones se reducen la difusión lateral puede hacer que tengamos una unión en los
dispositivos.
Implantación Iónica:
El proceso es totalmente análogo al anterior pero cambiamos la tecnología utilizada en la
introducción de los dopantes. Las impurezas se aceleran utilizando potenciales de 100000 V.
Pudiendo controlar perfectamente variando la energía de los iones los lugares donde queremos
introducirlos.
Crecimiento de Cristales
El primer problema que tenemos es conseguir Si con un alto grado de pureza, para poder fabricar Si
cristalino. La densidad efectiva de átomos debe ser 10 23, para el purificado se hace reaccionar con
clorhídrico en fase vapor, y después de varias reacciones (Destilación fraccionaria), obtenemos lo
que se llama Si electrónico. Una vez conseguido esto ya podemos darle una estructura cristalina.
Método Czochralski :
En una atmósfera controlada e inerte, tenemos una cubeta de grafito o cuarzo (que funden a
temperaturas 3000 ºC En la cubeta se introduce Si electrónico . El cilindro está rodeado de una
bobina de alta frecuencia y alta
corriente, con esto se funde el Si (1240 ºC). Se introduce en el Si fundido una pértiga con una
semilla de Si cristalino, el cual por capilaridad se une a la semilla, formándose Si cristalino alrededor
de la semilla, de forma que tirando y girando la pértiga hacemos crecer el cristal. (5 a 6 pulgadas de
diámetro).
Este método así realizado tiene un problema y es que las paredes de cuarzo o de grafito, introducen
impurezas en el Si cristalino que se forma, porque al estar toda la cubeta a una temperatura alta se
producen deterioros en esta. Para evitar esto se va utilizar el método de la zona flotante, en el cual la
bobina no está en todo el cristal sino únicamente en una zona muy concreta alrededor de la semilla,
esta bobina es móvil y según movemos la semilla la bobina la acompaña. El problema que tenemos
ahora es que hay un alto número de dislocaciones debido al gradiente térmico.
El lingote de Si cristalino se corta en obleas, perdiéndose en el proceso la mitad del Si. Luego viene
un proceso de redondeado y de pulido.
Procesos de Dopado
Difusión :
La introducción de dopantes en Si como se produce a partir de una fase gaseosa, lo cual hace que la
ley que rige el proceso sea la siguiente :
1ª. Etapa :
Predepósito
Se genera una presión de vapor de la impureza que queremos introducir.
Condiciones de contorno de la ec. de difusión.
C(0,t)=C s ; Ct)=0 ; C(x,0)=0
Donde la solución para la ecuación de difusión es :
2ª Etapa :
Redistribución
Una vez situadas las impurezas en el proceso de predepósito, retiramos la fuente gaseosa que
contiene el dopante. Posteriormente estas impurezas se redistribuyen durante un tiempo y a una
temperatura determinada.
Por tanto las condiciones de contorno para nuestra ecuación de difusión son las siguientes :
Implantación Iónica :
Es un proceso de alto vacío en el cual introducimos dopantes en un sólido a partir de haces de iones,
fuertemente acelerado, de la impurezas que queramos usar.
-Hay procesos de colisión , con lo cual hay desviaciones en los iones. También se produce el efecto
contrario que es la rotura de los átomos de la red en la zona de impacto, generando vacantes en la
estructura cristalina.
-El perfil de dopado de las impurezas dentro del cristal cumple una ley gaussiana de probabilidad,
de tener una concentración en un lugar geométrico x,y,z.
-Una vez obtenido el perfil hay que reordenar la red mediante un recocido para que los iones de la
red se coloquen en sus posiciones originales, y de vez en cuando un ion implantado se coloque en la
posición de un ion de la red. (Si la concentración de dopantes fuera análoga a la del semiconductor
tendríamos una aleación.
-Ventajas de la Implantación Iónica :
Separación de masas : No tenemos dopantes que no deseamos, dado que separamos muy bien los
iones, como luego se verá en el montaje del sistema.
Como tenemos un entorno de vacío, tenemos ausencia de contaminantes.
Como el proceso lo realizamos a baja temperatura evitamos la redistribución de las impurezas, cosa
que nos haría perder nuestros perfiles de dopado, y mantenerlos todo lo abruptos que queramos.
-Inconvenientes de la Implantación Iónica :
Dañado : El ion implantado destruye la red cristalina, y por tanto necesitamos recocidos de
recristalización (RTA). Esto tiene un problema y es que pueden producir redistribuciones en las
impurezas, esto no ocurre si el tiempo del recocido y el coeficiente de Difusión de las impurezas
dentro del semiconductor no es demasiado alto. Por eso se utilizan hornos que alcanzan alta
temperatura en un intervalo de tiempo muy corto.
Costo del equipamiento.
Oxidación Térmica:
Consiste en el crecimiento de una capa de SiO 2 sobre una superficie de Si a expensas de este.
Hay dos tipos de hacer este óxido, en atmósfera seca O 2 o húmeda (H 20) a una temperatura
elevada ( ~1000 ºC)
La oxidación seca es bastante lenta pero produce un óxido de excelente calidad, que es muy usado en
las tecnologías MOS para el óxido de puerta.
La oxidación húmeda es bastante más rápida pero produce un óxido de mucha peor calidad, con
porosidades, el cual solo sirve para procesos de enmascaramiento.
Aplicaciones del SiO 2 :
Máscara de protección para procesos de dopado=>Dopados Selectivos.(0.3 m m de espesor
aproximado)
Óxido de puerta en estructuras MOS
Óxido de Aislamiento en tecnologías LOCOS (Local Oxidation Silicon )
Pasivación eléctrica de superficies
Modelo Elemental del Proceso de Oxidación :
La atmósfera oxidante se satura de manera que la concentración de oxidante en la superficie de SiO
2 es la de máxima solubilidad N 0.
El oxidante se difunde a través del SiO 2 formado y llega a la interfase SiO 2 -Si en concentración N
1< N 0 donde reacciona con el Si y se forma SiO 2.
Flujo de oxidante a través del óxido :
Tenemos por tanto que la velocidad de crecimiento del óxido con la condición inicial x 0(t=0)=x i
(~40 Å)
donde :
A=2D/k
B=2DN 0/N 1
t =(x i 2+Ax i)/B
Podemos observar dos resultados principales de la expresión obtenida que son :
-A tiempos cortos de oxidación, el proceso viene limitado por la velocidad de oxidación superficial
del Si.
-A tiempos largos de Oxidación, el proceso viene limitado por la difusión de oxidante a través del
SiO 2 .
Ej. : Demostrar utilizando la expresión obtenida las dos afirmaciones anteriores.
Litografía y Grabado
Se refieren a los procesos de transferencia de los motivos, que dan lugar al circuito integrado, sobre
la oblea del semiconductor.
La litografía es la exposición de motivos a través de máscaras convenientemente diseñadas y el
Grabado es la eliminación selectiva de óxidos, metales, etc
Estos procesos son los que nos marcan la tecnología en la construcción de C.I., y por tanto una
avance en estos procesos permite una evolución en la tecnología de integración.
El proceso litográfico consta de los siguientes pasos :
-Una vez generado el óxido del Si, sobre el semiconductor, colocamos una capa de Fotorresina sobre
el óxido.
-Una vez hecho, hacemos pasar luz (UVA), a través de una Máscara, el cual se proyecta sobre la
fotorresina.
- La fotorresina ha quedado impresionada por la proyección hecha en el proceso anterior. Y la
introducimos en un compuesto el cual elimina la zona impresionada (Positivo), o la que no lo está
(Negativo).
El Inversor CMOS
Hoy en día la gran mayoría de los circuitos integrados de Aplicación específica, utilizan tecnología
CMOS. La cual se nutre a su vez de los transistores MOS (Metal Óxido Semiconductor), los cuales
vamos a empezar estudiando para entender las bases de funcionamiento tanto en el aspecto estático
como en el dinámico.
Corriente de Saturación
Todo este proceso es válido siempre que no supere VD el valor VDP. Si tenemos el caso en el cual
coinciden estos dos valores, tenemos que la tensión de puerta es igual a la tensión umbral, con lo
cual, dicha tensión de puerta no puede mantener los portadores libres en el canal cerca del
drenador. Este fenómeno se le conoce con el nombre de Pinch-Off o estrangulamiento del canal. Se
produce por tanto una zona de empobrecimiento en la cual no existen portadores libres, y todo
aumento en la tensión del drenador cae en esta zona.
El potencial en la zona de canal que aun tiene portadores sigue siendo VDP. Por tanto el potencial en
el canal viene dado por la diferencia de potencial entre la fuente y la zona de estrangulamiento
(VDP). Si suponemos que la longitud del canal entre la fuente y la zona de estrangulamiento
prácticamente no se modifica, podemos considerar que la corriente entre el drenador y la fuente
IDS, permanece invariable. Por lo tanto como hay una diferencia de potencial existe un campo
eléctrico, de valor :
(VD-VDP)/l
que nos hace conducir los electrones al drenador.
Por lo tanto cuando VD>VDP la corriente IDS toma un valor constante :
IDSsat= m n . C ox (W/L) Ssat
Donde Ssat es la superficie representada en la siguiente figura :
Podemos obtener la curva IDS en función de VDS, y ver que se comporta como una resistencia,
función de la tensión VD.
1/R=dIDS/dVD= m n . C ox (W/L) dS/dVD
El valor de dS/dVD se deduce directamente en la siguiente figura :
dS=hdVD
Con lo cual dS/dVD=h, con lo cual la resistencia es proporcional a 1/h, según aumenta VD
disminuye h, y por tanto aumenta la resistencia, hasta que alcanza un valor infinito cuando el
transistor esta saturado. Con lo cual la curva IDS, VDS (VD-VS), para un valor fijo de las tensiones
VG y VS.
Funcionamiento Estático :
Ahora vamos a suponer que todas las tensiones se miden con respecto a la tensión VSS, que la
hacemos 0 voltios. Dentro de las tensiones umbrales de los dos transistores , supondremos a su vez
que:
VT0n< VDD+VT0p
Supondremos también que en el funcionamiento estático la corriente de salida será nula:
IOUT=0 A
Que corresponde al caso en que a la salida tengamos un condensador, y que esté en estado estable.
(Ver siguiente figura)
Vamos a ver los posibles casos que se pueden dar en esta configuración:
•VIN< VT0n se puede ver en la siguiente figura, el transistor de canal n esta en corte porque
no ha sobrepasado la tensión umbral. Como la corriente de salida debe ser cero, tenemos que
tener que la tensión de salida debe ser VDD, para que la corriente en el transistor de canal p
sea igual a 0 (IOUT=0).
•Si VIN>VDD+VT0p, entonces podemos ver ahora el canal p, es el que está en corte. Por
tanto ahora la tensión de salida debe ser 0 para que no pase corriente por el transistor de
canal n, y por tanto IOUT=0.
•Tenemos otro caso en el cual, se pude demostrar que hay un valor de Vinv ,tal que la salida
pueda ser cualquiera comprendida entre VDPn, y VDPp, este valor es el que define dos
superficies de integración Sp y Sn, tales que:
m n . C ox (W n/L n) Sn= m p . C ox (W p/L p) Sp
Con lo cual los dos transistores dan la misma corriente, y por tanto a la salida tenemos que de nuevo
IOUT=0
•Si VT0n< V inv entonces como podemos ver en la siguiente figura el transistor de canal n
está en saturación, y el de canal p se encuentra en conducción. El valor de VOUT lo podemos
deducir de las expresiones estudiadas en los puntos anteriores.
•Si V inv<< <VDD+VT0p, este caso es el opuesto al anterior, y el de canal p está en
saturación y el otro en conducción
-Por tanto la curva de transferencia del inversor CMOS, viene dada en la siguiente figura:
-Como se puede ver en las expresiones anteriores la tensión V inv depende del valor relativo de las
dimensiones de los dos transistores:
(W n/L n)/ (W p/L p)
También, podemos ver la corriente Interna en función de la tensión de entrada Vin. Como podemos
ver solo hay paso de corriente en el intervalo del cambio de on-off, que es cuando tenemos una IDS.
El valor máximo viene dado por los valores de las corrientes IDSn e IDSp, calculadas con
anterioridad.
Funcionamiento Dinámico
Normalmente en un circuito integrado las salidas y las entradas de los inversores se conectan a otros
inversores, o a otras puertas lógicas. Entonces para hacer el estudio dinámico, debemos hacer
algunas modelizaciones. La admitancia de entrada se aproxima con un condensador de valor
constante. Por tanto despreciamos:
La corriente de entrada continua de los transistores.
La variación de la capacidad de entrada con la tensión
de entrada.
Por tanto el cálculo de los tiempos de salida lo hacemos a partir del siguiente esquema:
a)Tiempo de Subida:
Suponemos que VIN=VSS y que la tensión de salida es V voltios. En las siguientes figuras vemos el
significado de los valores Sp(V) y Sn(V).
En este estado, sabemos que el transistor de canal n está en corte, y por tanto el único que conduce
es el p. Con lo cual la corriente que pasa por el CMOS, es la siguiente :
I= m p . C ox (W p/L p) Sp(V)
Y recordando la relación vista :
dt=dQ/I=CLdV/[ m p . C ox (W p/L p) Sp]
Por tanto el tiempo necesario para pasar de una tensión V L a una V H es el siguiente :
http://www.tecnicaindustrial.es/TIFrontal/a-4198-nuevos-materiales-fabricacion-dispositivos-
electronicos.aspx
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New materials for the manufacture of electronic devices
RESUMEN
ABSTRACT
Materiales
Carburo de silicio
Conclusiones
http://smart-lighting.es/bosch-semiconductores-alemania/
La ministra federal alemana de Economía y Energía, Brigitte Zypries, dio la bienvenida a la inversión
de Bosch en Alemania como localización de alta tecnología: “Aplaudimos la decisión de Bosch de
invertir en Sajonia. Fortalecer la experiencia en semiconductores en Alemania y, por lo tanto, también
en Europa, supone una inversión en una tecnología clave para el futuro y, por consiguiente, un paso
muy importante para preservar y mejorar la competitividad, al tiempo que se fortalece la imagen de
Alemania como lugar industrial. Sujeto a la aprobación por parte de la Comisión Europea, el
Ministerio de Economía y Energía (BMWi) alemán respalda la construcción y puesta en marcha de la
nueva fábrica de obleas en Dresden. “Como emplazamiento industrial, el estado de Sajonia ofrece
excelentes condiciones para mejorar nuestra experiencia en el campo de los semiconductores”, dijo
Dirk Hoheisel, miembro del Consejo de Administración de Robert Bosch GmbH. El ‘cluster’ de
microelectrónica de Dresden, también conocido como “Silicon Saxony”, es inigualable en Europa.
Incluye proveedores de automoción y proveedores de servicios, así como universidades que ofrecen
su experiencia tecnológica. Además, la iniciativa ‘Digital Hub’ lanzada por BMWi pretende hacer de
Dresden un ecosistema del IoT. Bosch tiene la intención de colaborar estrechamente con las
empresas locales y, de esta manera, reforzar no sólo Alemania, sino también la posición de Europa
como potencia industrial. “Esta es otra buena decisión para el liderazgo europeo del cluster
microelectrónico, aquí en Sajonia. Me gustaría dar las gracias a Bosch por depositar su confianza en
este lugar, en su fuerza de trabajo, y en la innovación sajona. Entre los temas más importantes del
sector de la microelectrónica y de la industria europea en su conjunto se encuentran los nuevos
productos destinados al ‘Internet of Things’ y la fabricación conectada”, dijo Stanislaw Tillich, Ministro
Presidente de Sajonia.
Anuncio:
Los semiconductores son una tecnología clave de nuestra era moderna, especialmente cuando la
fabricación, la movilidad y los hogares se conectan, electrifican y automatizan cada vez más. El
proceso de fabricación de chips semiconductores comienza siempre con un disco de silicio, conocido
como oblea. Cuanto mayor sea su diámetro, más chips se pueden fabricar por ciclo de máquina.
Comparado con las fabricas de obleas convencionales de 6 y 8 pulgadas, la tecnología de obleas de 12
pulgadas ofrece economías de escala. Estos es algo muy importante, ya que permite a Bosch
satisfacer la creciente demanda de semiconductores provocada por la movilidad conectada y las
aplicaciones relacionadas con las “smart homes” y las “smart cities”.
Fabricante líder de semiconductores y pionero en la fabricación de MEMS
Durante más de 45 años, Bosch ha estado fabricando chips semiconductores en múltiples variantes,
sobre todo, en forma de “application-specific integrated circuits” (ASIC) – circuitos integrados
específicos para una aplicación–, semiconductores de potencia y sensores micro-electromecánicos
(MEMS). Los ASIC de Bosch se utilizan en los automóviles desde 1970. Están personalizados para
aplicaciones individuales y esenciales para funciones como el despliegue del airbag. En 2016, cada
automóvil que salía de las líneas de producción en todo el mundo tenía una media de más de nueve
chips Bosch a bordo.
Cuando se trata de sensores MEMS, Bosch es a la vez pionero y fabricante líder mundial. Hace más de
20 años, el proveedor de tecnología y servicios desarrolló la técnica de micro-fabricación conocida
mundialmente en la industria como el “proceso Bosch”, que también se utiliza para fabricar
semiconductores. En su fábrica de obleas de Reutlingen, Alemania, Bosch fabrica actualmente
alrededor de 1,5 millones de ASICs y 4 millones de sensores MEMS al día, en base a la tecnología de 6
y 8 pulgadas. En total, la empresa ha fabricado más de 8.000 millones de sensores MEMS desde 1995.
Hoy, el 75 por ciento de los sensores MEMS de Bosch se utilizan en aplicaciones de electrónica de
consumo y comunicaciones. Los sensores MEMS de Bosch pueden encontrarse en tres de cada cuatro
smartphones. Su actual catálogo de semiconductores incluye, sobre todo, sensores de aceleración, de
giro, de flujo de masa, de presión y de medio ambiente, así como micrófonos, semiconductores de
potencia y ASICs para las centralitas electrónicas.
https://movilidadelectrica.com/bosch-construye-una-nueva-fabrica-semiconductores-alemania/
julio 6, 2017563 0
Bosch construye una nueva fábrica de semiconductores en Alemania
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La inversión de Bosch en la nueva fábrica de semiconductores en Dresden supone una importante
apuesta por las tecnologías claves del futuro relacionadas con tecnología de ‘internet of things’ (IoT) y
las aplicaciones de movilidad.
Los semiconductores se muestras como una de las tecnologías clave en el futuro especialmente
relacionada con conectividad y la electrificación de la movilidad, los hogares y la fabricación. Así, la
inversión en la nueva fábrica de chips semiconductores sobre la base de obleas de 12 pulgadas viene a
satisfacer la creciente demanda de dispositivos con tecnología ‘internet of things’. Según un estudio de
PricewaterhouseCoopers, el mercado global de semiconductores crecerá anualmente más del 5 por
ciento hasta 2019, con un crecimiento especialmente fuerte en los segmentos de mercado de movilidad
e IoT
El proceso de fabricación de chips semiconductores comienza con un disco de silicio, conocido como
oblea. A mayor diámetro más chips se pueden fabricar por ciclo de máquina. Comparado con las
fábricas de obleas convencionales de 6 y 8 pulgadas, la tecnología de obleas de 12 pulgadas ofrece la
puesta en marcha de economías de escala. Esta es una de las características fundamentales de la nueva
fábrica Bosch en Dresden, que permitirá al fabricante alemán la creciente demanda de
semiconductores provocada por la movilidad conectada y las aplicaciones relacionadas con las
ciudades y los hogares inteligentes.
El objetivo de Bosch es finalizar los trabajos de construcción a finales de 2019 y, tras una fase de
ajustes los trabajos de producción comenzarán a finales de 2021. La inversión total en la planta
alcanzará cerca de mil millones de euros, “la mayor inversión individual en la historia de más de 130
años de Bosch” según Volkmar Denner, presidente del Consejo de Administración de Robert Bosch
GmbH y se crearán uno 700 nuevos puestos de trabajo.
Durante más de 45 años, Bosch ha estado fabricando chips semiconductores en múltiples variantes,
sobre todo, en forma de “application-specific integrated circuits” (ASIC) – circuitos integrados
específicos para una aplicación–, semiconductores de potencia y sensores micro-electromecánicos
(MEMS). Los ASIC de Bosch se utilizan en los automóviles desde 1970. Están personalizados para
aplicaciones individuales y esenciales para funciones como el despliegue del airbag. En 2016, cada
automóvil que salía de las líneas de producción en todo el mundo tenía una media de más de nueve
chips Bosch a bordo.
Cuando se trata de sensores MEMS, Bosch es a la vez pionero y fabricante líder mundial. Hace más de
20 años, el proveedor de tecnología y servicios desarrolló la técnica de micro-fabricación conocida
mundialmente en la industria como el “proceso Bosch”, que también se utiliza para fabricar
semiconductores. En su fábrica de obleas de Reutlingen, Alemania, Bosch fabrica actualmente
alrededor de 1,5 millones de ASICs y 4 millones de sensores MEMS al día, en base a la tecnología de
6 y 8 pulgadas. En total, la empresa ha fabricado más de 8.000 millones de sensores MEMS desde
1995. Hoy, el 75 por ciento de los sensores MEMS de Bosch se utilizan en aplicaciones de electrónica
de consumo y comunicaciones. Los sensores MEMS de Bosch pueden encontrarse en tres de cada
cuatro smartphones. Su actual catálogo de semiconductores incluye, sobre todo, sensores de
aceleración, de giro, de flujo de masa, de presión y de medio ambiente, así como micrófonos,
semiconductores de potencia y ASICs para las centralitas electrónicas.
Observación: Esta traducción se proporciona con fines educativos y puede contener errores o ser imprecisa.
¿Cuál es el último producto de Toshiba? ¿Un ordenador portátil? ¿UNA TV? ¿Por
qué la lechuga? El fabricante japonés de electrónica, que tiene un linaje que se
remonta a la década de 1930, ha creado recientemente una granja vegetal dentro
de una fábrica en desuso en Yokosuka, Prefectura de Kanagawa, que una vez fue
produciendo disquetes en la sintonía de millones. Cuando disquetes se volvió
obsoletos, la fábrica estaba parada en la década de 1990 y permanecieron
desierta durante décadas hasta que Toshiba decidió establecer una granja vegetal
cultivo de lechuga, espinaca y otros vegetales de hojas verdes. Pero se trata no
lechuga ordinaria, que se cultiva no en suelo sino en una formulación
especializada de nutrientes y fertilizantes en salas limpias donde Toshiba una vez
manufacturado electrónica delicada. Los productos son tan limpios que incluso no
necesita lavarse antes de comerlos.
Crédito de la foto
Todo dentro de las salas limpias es controlado estrechamente, incluyendo
iluminación, temperatura y presión de aire. Los trabajadores entran en la sala de
trajes especiales y después de lavarse bien las manos. La habitación carece de
bacterias y polvo, permitiendo que los cultivos estériles se han extendido la vida
útil en comparación con el campo de cultivos. Hay no hay bugs, así que ninguÌ n
pesticida es necesario tampoco.
La primera cosecha comenzada en pequeños envases de plástico en los
comedores corporativos de Toshiba, así como cafés de ensalada en algunos
grandes almacenes japoneses del envío en noviembre de 2014. Toshiba planea
eventualmente vender bolsas de ensaladas y cortar las verduras en tiendas de
conveniencia y supermercados. Se espera que la planta producir 3 millones de
unidades de vegetales, como lechuga y hierbas, anualmente desde el año fiscal
2015.
Crédito de la foto
Toshiba no es la industria del semiconductor único que entró en la agricultura. En
mayo del año pasado, electrónica que gigante Fujitsu Ltd. comenzó a enviar
verduras producidos en la habitación de una fábrica de semiconductores de
apagado en la Prefectura de Fukushima. La lechuga cultivada por Fujitsu tiene
niveles muy bajos de potasio, contiene aproximadamente una quinta parte de lo
que lechuga tradicional, que es perfecto para aquellos con insuficiencia renal que
están en diálisis, ya que no toleran el potasio muy bien.
Hitachi también opera un sistema de agricultura-gestión de ti que puede ayudar a
la previsión de crecimiento y determinar el mejor momento de cosecha para
cultivos de cereales como el trigo, que tiene una ventana de cosecha óptima en
Japón de sólo una o dos semanas.
Otro fabricante de productos electrónicos Sharp está creciendo fresas japonés en
una planta de 108 metros cuadrados en Dubai con una iluminación de LED
controlada, una tecnología patentada de purificadores de aire y humedad y
temperatura sistemas de control para optimizar el crecimiento de fresa. Del
mismo modo, Panasonic está creciendo su propia marca de espinaca en un
establecimiento en Singapur mientras que planta de semiconductores
abandonados de Sony en la Prefectura de Miyagi de Japón es ahora el parque
interior más grande del mundo iluminado por LED.
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Campo interior de Fujitsu. Crédito de la foto
La granja de Panasonic en Singapur. Crédito de la foto
Fuentes: QZ.com / Asahi.com / PCWorld