Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Modulul (capitolul) 6
CUPRINS
MATERIALE CONDUCTOARE ....................................................187
SI MATERIALE SEMICONDUCTOARE ......................................187
6.1. Materiale cu conductibilitate electrică ridicată.......................187
6.2. Materiale pentru contacte electrice .........................................198
6.3. Materiale pentru termocuple...................................................200
6.4. Materiale cu rezistivitate electrică ridicată .............................201
6.5. Materiale semiconductoare .....................................................202
Cuvinte cheie .................................................................................208
Bibliografie ....................................................................................208
Teste de autoevaluare.....................................................................209
OBIECTIVE:
Insuşirea noţiunilor privind principalele tipuri de materiale cu
proprietăţi speciale de conducţie electrică .
Se au în vedere următoarele aspecte: studiul structurilor şi
proprietăţilor materialelor cu conductibilitate electrică ridicată (cuprul
şi aliajele sale, aluminiul şi aliajele sale, datorită utilizării lor pe scară
largă), evidenţierea tipurilor de materiale metalice cu destinaţii
speciale (contacte electrice, rezistoare, termocuple), studiul
principalelor materiale semiconductoare (germaniul siliciul, seleniul şi
compuşii semiconductori). Pentru fiecare categorie de probleme s-au
evidenţiat aspectele esenţiale legate de proprietăţile specifice
domeniului de utilizare. Insuşirea cunoştinţelor din acest capitol
impune parcurgerea şi însuşirea noţiunilor din modulul 4 al cursului.
186
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
MATERIALE CONDUCTOARE
SI MATERIALE SEMICONDUCTOARE
187
STIINTA MATERIALELOR
188
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
189
STIINTA MATERIALELOR
190
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
simbolurile chimice ale elementelor de aliere pentru care concentraţia este în jur
de 1 % sau mai mare fiind însoţite de numere (de preferinţă întregi) care indică
concentraţiiile masice nominale (medii) ale acestor componente; de exemplu,
CuZn38Pb2Mn2 este alama cu 38% Zn, 2%Pb şi 2%Mn. In tabelul 6.2 se
prezintă principalele caracteristici ale câtorva alame utilizate frecvent în
electronică şi electrotehnică.
Fig. 6.4. Diagramele de echilibru ale sistemului de aliaje Cu – Sn pentru diferite stări:
a. starea de echilibru stabil; b. starea metastabilă obţinută prin recoacere (starea O);
c. starea metastabilă obţinută prin turnare (strarea M)
191
STIINTA MATERIALELOR
192
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
193
STIINTA MATERIALELOR
194
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
Ta, Zr); efectele prezenţei acestor impurităţi în concentraţii masice mici, constând
în diminuarea proprietăţilor de turnare (Cu, Mg, Zn, Mn) sau îmbunătăţirea
acestora (Si şi, mai ales, Ti, Ta, Zn), creşterea rezistenţei mecanice şi scăderea
plasticităţii (Si, Mg, Zn, Mn, Cr, Mo), mărirea rezistenţei la coroziune (Si, Mg,
Mn, Ni) sau diminuarea acesteia (Cu), creşterea refractarităţii (Ni, Cr, Mo),
îmbunătăţirea prelucrabilităţii prin aşchiere (Cu, Zn), reducerea conductibilităţii
electrice (Mn) etc., sunt de obicei acceptabile;
• impurităţi insolubile în aluminiul solid (Sn, Pb, Bi); aceste impurităţi
uşor fuzibile se separă la limitele cristalelor de aluminiu şi influenţează negativ
prelucrabilitatea prin deformare plastică la cald (generează fenomene de fragilitate
sau fisurare la cald);
• impurităţi care formează cu aluminiul compuşi chimici (Fe, Si, As,
Sb); prezenţa compuşilor (Al3Fe, Al12Fe3Si, AlAs, AlSb) pe care îi formează
aluminiul cu aceste impurităţi are ca efect principal diminuarea plasticităţii şi
tenacităţii semifabricatelor sau produselor din aluminiu.
195
STIINTA MATERIALELOR
196
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
monofazică α;
- îmbătrânirea (naturală sau artificială), constând din menţinerea
produsului prelucrat prin deformare plastică la o temperatură tii (v. fig. 6.6 b) în
vederea separării din soluţia solidă α suprasaturată a unor faze cu dimensiuni şi
grad de dispersie ce depind de temperatură şi timpul de menţinere, capabile să
producă durificarea la nivelul dorit a structurii; în practică se preferă îmbătrânirea
artificială deoarece rezultatele sunt mai stabile în timp; în cazul îmbătrânirii
naturale ( menţinerea la temperatură ambiantă) orice încălzire ulterioară a
materialului va conduce la modificarea proprietăţilor.
197
STIINTA MATERIALELOR
198
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
199
STIINTA MATERIALELOR
este realizat dint-un aliaj (bronzuri cu cadmiu, bronzuri cu beriliu, alame etc), iar
celălalt element din grafit sau materiale metalografitice.
Grafitul (formă alotropică a carbonului cu structură cristalină hexagonală)
asigură un coeficient de frecare redus datorită desprinderii unor particule foarte
fine prin clivaj pe planele cristaline paralele şi micşorării rugozităţii suprafeţelor
de contact prin umplerea microgolurilor cu aceste particule.
Materialele metalografitice (Cu + grafit, bronz + grafit) se obţin prin
sinterizare şi au conductibilitatea electrică şi termică şi rezistenţa mecanică mai
bune decât grafitul.
200
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
201
STIINTA MATERIALELOR
Tabelul 6.6. Principalele caracteristici ale unor metale pentru filamente şi rezistenţe
Densitatea, Temperatura de Temperatura max. de Rezistivitatea ρ
Metalul
kg/m3 topire, oC utilizare, oC la 20 oC, µΩm
Wolfram 19300 3410 2500 5,51
Molibden 10200 2620 2000 5,70
Tantal 16500 2000 2000 12,4
Niobiu 8560 2470 1800 14,2
202
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
203
STIINTA MATERIALELOR
( )
ρ B = ρ 0 1 + 3,8 ⋅ 10 −33 µ 2 B 2 [µΩm }, (6.2)
6.5.2. Siliciul
Este cel mai utilizat material semiconductor; face parte din grupa a patra a
sistemului periodic şi cristalizează ca şi germaniul în sistemul cubic tip diamant.
Siliciul pur se obţine prin sinteza, purificarea înaltă şi descompunerea unor
compuşi cum sunt : silanul (SiH) şi triclorsilanul (SiHCl); materia primă o
constituie siliciul tehnic obţinut în cuptoare prin reducerea cuarţitei (SiO2 –
mineral extrem de răspândit în scoarţa terestră) cu cocs de petrol.
Obţinerea monocristalelor se realizează prin tehnologii speciale ce se
bazează în principiu pe asigurarea condiţiilor de cristalizare corespunzătoare
creşterii unui germene monocristalin. La obţinerea microprocesoarelor se aplică
şi tehnologii bazate pe depunerea directă din fază de vapori.
Valorile principalelor caracteristici ale siliciului sunt prezentate în tabelul
6.7 împreună cu cele ale germaniului. Analizând aceste caracteristici se constată
că siliciul are banda interzisă mai mare decât germaniul, ceea ce explică şi
rezistivitatea electrică intrinsecă mai mare; variaţia rezitivităţii electrice a
siliciului cu temperatura se produce conform relaţiei:
6500
ρ t = 0,96 ⋅ 10 − 6 exp( ) [Ωm]. (6.3)
T
204
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
6.5.3 Seleniul
Seleniul este un element care prezintă o varietate mare de forme alotropice
cristaline (monoclinic α, şi β, hexagonal γ, ) şi chiar amorfe (seleniu roşu, cafeniu,
negru, coloidal). Ca material semiconductor se utilizează seleniul hexagonal – γ,
obţinut prin încălzirea oricărei forme alotropice la 180…220 oC. Este stabil în aer,
nu reacţionează cu apa, dar reacţionează cu halogenii şi cu oxigenul la cald.
Conductivitatea sa electrică depinde de forma alotropică şi de gradul de
impurificare. Datorită fenomenului fotovoltaic pronunţat, se utilizează la
realizarea fotoelementelor.
205
STIINTA MATERIALELOR
blendă (ZnS) cubic, (v. fig.6.10a), care se deosebeşte de cea tip diamant prin
faptul că este formată din două specii atomice şi nu are un centru de simetrie, fie
în sistem hexagonal tip würtzită (v. fig. 6.10b), la care legătura dintre atomii
vecini este tot tetraedrică, diferenţele constatându-se numai la poziţiile atomilor
mai îndepărtaţi.
Din punct de vedere chimic compuşii AII-BVI sunt sulfuri, seleniuri sau
calcogenuri (telururi) de Zn ,Cd, Hg. etc. aşa cum rezultă din tabelul 6.8, în care
se prezintă principalele caracteristici ale acestora. Aceşti compuşi sunt activi
chimic, disociază la temperaturi înalte şi sunt atacţi de acizi.
Sub acţiunea radiaţiilor din spectrul vizibil sau al altor tipuri de radiaţii în
aceste materiale se produc fenomene de fluorescenţă (luminiscenţa care apare
imediat după acţiunea radiaţiei primare) sau fosforescenţă (luminiscenţa care
apare după un anumit timp (secunde, minute) de la acţiunea radiaţiei primare) în
funcţie de elementele cu care au fost dopate. Principalele elemente dopante
activatoare sunt: Cu, Ag, Au, iar coactivatoare (cele care introduc în banda
interzisă niveluri donoare) sunt : Al, Ga, In, F, Cl, Br.
Proprietăţile lor sunt influenţate de asemenea de câmpurile magnetice şi de
solicitările mecanice.
Semiconductorii de tipul AII-BVI sunt utilizaţi la fabricarea
fotorezistoarelor, generatoarelor Hall, traductoarelor de forţă etc.
206
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
II VI
Tabelul 6.8. Principalele caracteristici ale unor compuşi A -B
Mobilitatea
Mobilitatea
Tipul Lăţimea benzii golurilor µg,
Permitivitatea εr electronilor µe,
semiconductorului interzise wi, eV m2/V.s
m2/V.s
ZnS 8,32 3,6 0,014 5·10-4
ZnSe 8,10 2,7 0,035 28·10-4
ZnTe 10,10 2,26 0,034 110·10-4
CdS 9,30 2,41 0,35 15·10-4
CdSe 9,63 1,67 0,065 98·10-4
CdTe 10,60 1,44 0,105 190·10-4
207
STIINTA MATERIALELOR
Cuvinte cheie
alumel, 200 cromel, 200
aluminiu duraluminiu, 197
tehnic, rafinat electrolitic, extrapur, eroziune, 198
195 filamente, 201
aluminiu tehnic, 194 germaniu, 202
argentan, (alpaca), 201 îmbătrânire, 197
bronzuri cu aluminiu, 193 manganine, 201
bronzuri cu staniu, 191 materiale metalografitice, 200
bronzuri hipoeutectoide (bifazice), 192 nicrom, 202
bronzuri monofazice α, 192 rezistivitatea intrinsecă, 203
călire de punere în soluţie,, 196 seleniu, 205
compuşi AII-BVI, 205 siliciu, 204
compuşi AIII-BV, 207 silita, 202
constantan, 200 silumin, 197
contacte alunecătoare, 199 sinterizare, 199
contacte electrice, 198 termocuple, 200
Bibliografie
208
Capitolul 6 Materiale conductoare şi materiale semiconductoare
Teste de autoevaluare
T.6.1. Care dintre următoarele impurităţi prezente în cuprul tehnic
determină apariţia fenomenului numit „boala de hidrogen”: a) plumbul;
b) bismutul; c) oxigenul; d) sulful?
T.6.2. Care dintre următoarele aliaje pe bază de cupru au ca element de aliere
principal zincul: a) bronzurile; b) aliaje Kunial; c) aliaje Alpaca; d) alamele?
T.6.3. Care dintre următoarele tipuri de alame se pot prelucra prin
deformare plastică: a) alamele monofazice α; b) alamele bifazice; c) alamele
monofazice β’; d) tombacurile?
T.6.4. Care dintre următoarele caracteristici corespund alamei CuZn30: a)
este o alamă monofazică α; b) este o alamă binară deformabilă; c) este o alamă
specială deformabilă; d) este o alamă pentru turnare?
T.6.5. Care este structura de echilibru la ta a bronzurilor cu beriliu folosite
în tehnică: a) structură monofazică α ≡ Cu(Be); b) structură monofazică γ (fază
bertholidă pe baza compusului CuBe; c) structură bifazică, alcătuită din α şi γ;
d) structură alcătuită din constituienţi α (preeutectoid) şi eutectoidul (α+γ)?
T.6.6. Care dintre următoarele categorii de aliaje industriale Al − Cu se pot
supune durificării structurale prin călire de punere în soluţie şi îmbătrânire
naturală sau artificială: a) aliajele deformabile, având %Cum = 2...5 %; b) aliajele
de turnare cu %Cum ≤ 5,7 %; c) aliajele de turnare cu %Cum < 5,7 %; d) toate
categoriile de aliaje industriale?
T.6.7. Care dintre următoarele condiţii trebuie îndeplinite de un material
pentru contacte electrice: a) să aibă rezistenţă la coroziune; b) să aibă rezistenţă la
şoc termic; c) să aibă rezistenţă la sudare; d) să aibă conductibilitate termică
mare?
T.6.8. Un material pentru contacte electrice trebuie să aibă: a) rezistenţă la
eroziune electrică; b) rezistivitate electrică mare; c) rezistenţă la uzare;
d) plasticitate mare?
T.6.9. Cea mai mică rezistivitate electrică o au contactele electrice
realizate din: a) aliaj Ag-Ni 90/10; b) aur; c) argint; d) cupru?
T.6.10. Sinterizarea este: a) procedeu tehnologic de obţinere a pieselor
prin turnare de precizie; b) procedeu tehnologic de obţinere a pieselor prin presare
209
STIINTA MATERIALELOR
210