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Tipos de Transistors
Hay muchos tipos diferentes de transistores y cada uno varía en sus características y cada uno
tiene sus propias ventajas y desventajas.
A continuación se muestra una lista de los diferentes tipos de transistores; vamos a repasar las
características que los hacen cada uno para arriba.
Los transistores de unión bipolar son transistores que están formados por 3
regiones, la base, el colector y el emisor. Los transistores de unión bipolar, a
diferencia de los transistores FET, son dispositivos controlados por corriente. Una
pequeña corriente que entra en la región de base del transistor causa un flujo de
corriente mucho mayor desde el emisor a la región de colector.
Los transistores de la unión bipolar vienen en dos tipos principales, NPN y PNP. Un
transistor NPN es uno en el que el portador de corriente mayoritario son electrones.
El electrón que fluye del emisor al colector forma la base de la mayoría del flujo de corriente a
través del transistor. El otro tipo de carga, los agujeros, son una minoría. Los transistores PNP son
lo contrario. En los transistores PNP, la mayoría del portador de corriente son agujeros.
En general, los transistores de unión bipolar son el único tipo de transistor que se activa mediante
entrada de corriente (entrada en la base). Esto se debe a que los transistores de unión bipolar
tienen la menor impedancia de entrada de todos los transistores. La baja impedancia (o
resistencia) permite que la corriente fluya a través de la base del transistor. Debido a esta baja
impedancia también los transistores de unión bipolar tienen la mayor amplificación de todos los
transistores. La desventaja de los transistores de unión bipolar es porque tienen baja impedancia
de entrada, pueden causar la carga en un circuito. La carga es cuando un dispositivo puede extraer
corriente significativa de un circuito, perturbando así la fuente de alimentación de un circuito.
Los transistores de efecto de campo son transistores que están formados por 3
regiones, una compuerta, una fuente y un drenaje. A diferencia de los transistores
bipolares, los FET son dispositivos controlados por voltaje. Un voltaje colocado en la
puerta controla el flujo de corriente desde la fuente hasta el drenaje del transistor.
Los transistores de efecto de campo tienen una impedancia de entrada muy alta, desde
varios megóhms (MΩ) de resistencia a valores mucho mayores. Esta alta impedancia de
entrada hace que tengan muy poca corriente a través de ellos. (Según la ley de ohm, la corriente
es inversamente afectada por el valor de la impedancia del circuito.Si la impedancia es alta, la
corriente es muy baja.) Así que los FETs dibujan muy poca corriente de la fuente de alimentación
de un circuito. Por lo tanto, esto es ideal porque no perturban los elementos de potencia del
circuito original a los que están conectados. No causarán que la fuente de energía se cargue abajo.
El inconveniente de los FET es que no proporcionarán la misma amplificación que se podría
obtener de los transistores bipolares. Los transistores bipolares son superiores en el hecho de que
proporcionan una mayor amplificación, a pesar de que los FET son mejores en que causan menos
carga, son más baratos y más fáciles de fabricar.
Transistores de efecto de campo vienen en 2 tipos principales: JFETs y MOSFETs. JFETs y MOSFETs
son muy similares pero MOSFETs tienen valores de impedancia de entrada aún más altos que
JFETs. Esto causa aún menos carga en un circuito.
Ahora vamos a repasar los tipos de transistores por función, lo que significa lo que hacen o, más
bien, están diseñados para hacer. Algunos transistores se utilizan principalmente para la
conmutación. Otros más para amplificación.
Los transistores vienen con un valor, llamado el valor de hFE, que indica
cuánto un transistor puede amplificar las señales de entrada. Los valores
típicos de hFE para transistores de señales pequeñas oscilan entre 10 y 500,
con una corriente máxima de colector (Ic) de aproximadamente 80 a 600
miliamperios (mA). Vienen en formularios NPN y PNP. Las frecuencias
operativas máximas oscilan entre aproximadamente 1 y 300 megahercios
(MHz).
El colector del transistor está conectado a una base metálica que actúa
como disipador de calor para disipar el exceso de potencia.
Las potencias típicas varían entre 10 y 300 W, con frecuencias de aproximadamente 1 a 100 MHz.
Los valores máximos de corriente de colector (Ic) oscilan entre 1 y 100 amperios (A). Los
transistores de potencia vienen en NPN, PNP y Darlington (NPN o PNP).
Los transistores de alta frecuencia son transistores que se utilizan para señales
pequeñas que funcionan a altas frecuencias para aplicaciones de conmutación
de alta velocidad.
Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe
ser capaz de encender y apagar a muy altas velocidades. Los transistores de alta
frecuencia se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia (HF), de frecuencia muy
alta (VHF), de ultra alta frecuencia (UHF), de televisión por cable (CATV) y de
antena maestra (MATV). Tienen una frecuencia de frecuencia máxima de unos
2000 MHz y una corriente de colector máxima (Ic) de 10 a 600 mA. Están disponibles en ambos
formatos NPN y PNP.
Los Fototransistores
Al igual que los transistores regulares, los fototransistores pueden ser transistores bipolares o de
efecto de campo. Los fototransistores de efecto de campo (photoFET) son transistores de efecto
de campo sensibles a la luz. A diferencia de los transistores fotobipolares, los fotoFET usan luz para
generar un voltaje de puerta que se utiliza para controlar una corriente de drenaje-fuente.
PhotoFETs son extremadamente sensibles a las variaciones de la luz y son más frágiles,
eléctricamente hablando, que los fototransistores bipolares.
Las tres derivaciones de un transistor de uniones son B1, B2, y un cable emisor que es el conductor
que recibe la corriente de entrada. La operación básica de un UJT es relativamente simple. Cuando
no existe diferencia de potencial (tensión) entre su emisor y cualquiera de sus conductores de
base (B1 o B2), sólo una corriente muy pequeña fluye de B2 a B1. Sin embargo, si se aplica al
emisor una tensión de activación positiva suficientemente grande - con respecto a su base -, una
corriente más grande fluye desde el emisor y se combina con la pequeña corriente B2 a B1, dando
lugar a una gran corriente de salida B1. A diferencia de otros transistores, donde los cables de
control proporcionan poca corriente adicional, el UJT es justo lo contrario. Su corriente de emisor
es la fuente primaria de corriente para el transistor. La corriente B2 a B1 es sólo una cantidad muy
pequeña de la corriente combinada total. Esto significa que los transistores de uniones no son
adecuados para propósitos de amplificación, sino sólo para conmutación.