Sunteți pe pagina 1din 7

DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte

1. Curentul de drena (ID) la tranzistorul MOS depinde :


(a) de toate tensiunile tranzistorului VGS,, VDS, VBS ; (b) numai de tensiunea VGS; (c)
numai de tensiunea VDS; (d) numai de tensiunea VBS; (e) de niciuna din tensiunile
tranzistorului; (f) de curentul de substrat

2. Tensiunea de prag a tranzistorului MOS :


(a) este limita intre blocare si conductie; (b) marcheaza intrarea in saturatie; (c)
marcheaza iesirea din saturatie; (d) este tensiunea de strapungere a jonctiunii drena -
substrat; (e) este tensiunea de strapungere a jonctiunii sursa-substrat; (f) este tensiunea
de strapungere a oxidului de poarta.

3. Antrenarea( inducerea ) canalului la tranzitorul MOS se realizeaza:


(a) prin polarizarea drenei cu VDS= VT ; (b) prin polarizarea portii cu VGS= VT; (c) prin
modificarea temperaturii; (d) prin reducerea curentului de drena ; (e) prin strapungerea
oxidului; (f) prin .cresterea curentului de drena.

4. Tranzitorul MOS functioneaza si cu doua porti de comanda care sunt :


(a) G si S ; (b) G si D; (c) G si B; (d) B si S ; (e) D si S; (f) B si D.

5. Curentul de poarta ( iG ) la tranzistorul MOS: (a) este neglijabil datorita oxidului dielectric;
(b) depinde de toate tensiunile tranzitorului ; (c) depinde semnificativ de VDS; (d) depinde
semnificativ de VBS; (e) depinde de ID ;(f) depinde de curentul de substrat.

6. La tranzistorul MOS:
(a) poarta (grila) este electrodul de comanda; (b) drena este electrodul de comanda; (c)
sursa este electrodul de comanda; (d) substratul (B) este dispus pe oxid; (e) substratul
este intotdeauna conectat la sursa; (f) substratul este intotdeauna conectat la drena.

7. In zona activa ( de saturatie ) curentul de drena (ID) la tranzistorul MOS variaza : (a)
liniar cu VGS si parabolic cu VDS; (b) exponential atat cu VGS cat si cu VDS ; (c) liniar cu
VGS si cu VDS; (d) exponential cu VGS si parabolic cu VDS; (e) liniar cu VGS si exponential
cu VDS; (f) liniar cu VDS si parabolic cu VGS.

8. Dintre parametri dinamici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) gm si
rds; (b) id; (c) vgs; (d) vds; (e) ID; (f) VT .

9. Dintre parametri statici ai tranzistorului MOS fac parte marimile notate cu : (a) gm si rds;
(b) ID; (c) VGS; (d) VDS; (e) VBS; (f) VT si kn .

10. Amplificatorul CASCOD cu tranzistoare MOS este compus din: (a) doua etaje in
succesiunea GC , SC ; (b) doua etaje in succesiunea SC , GC; (c) doua etaje in
succesiunea SC , DC ; (d) doua etaje in succesiunea GC , DC; (e) un etaj SC; (f) un
etaj GC;

11. Care din urmatoarele afirmatii legate de factorul geometric al tranzistorului MOS este
falsa : (a) se noteaza cu W/L; (b) se numeste si factor de aspect;(c) factorul de curent
Nume student: 1

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
(kn(p)) este direct proportional cu factorul geometric; (d) diferentiaza tranzistoarele nMOS
( sau p MOS) fabricate in aceiasi tehnologie; (e) se noteaza cu L/W ; (f) afecteaza
curentul de iesire al oglinzii de curent cu tranzistoare MOS.

12. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 µ A / V 2 si λn ( p ) = 0.01V −1 . Daca I D = 100 µ A , castigul in tensiune este: (a) Av =
100; (b) Av = -100; (c) Av = 200; (d) Av = - 200 ; (e) Av = 50; (f) Av = - 50

13. Circuitul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
kn ( p ) = 50 µ A / V 2 si λn ( p ) = 0.01V −1 . Daca I D = 100 µ A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

14. Etajul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametri:
k n( p ) = 100 µA / V 2 si λn ( p ) = 0.01V −1 . Daca I D = 200 µA , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

15. Etajul amplificator din fig.1b este echipat cu tranzistoare MOS avand : λn ( p ) = 0.01V −1 .
Daca I D = 200 µA , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ;
(d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) Ro = 100k Ω .

16. Circuitul amplificator din fig.1c este echipat cu tranzistoare MOS avand: λn ( p ) = 0.01V −1 .
Daca I D = 25 µA , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ;
(d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) Ro = 100k Ω .

17. Circuitul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS avand: k n( p ) = 100 µA / V 2 si
λn ( p ) = 0.01V −1 Daca I D = 200 µA , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ;
(c) Ro = 0,5M Ω ; (d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) RO ≈ 10kΩ .

18. Etajul amplificator din fig.1d este echipat cu tranzistoare MOS cu aceiasi parametrii:
kn ( p ) = 50 µ A / V 2 si λn ( p ) = 0.01V −1 . Daca I D = 100 µ A , castigul in tensiune este: (a) Av =
200; (b) Av = -100; (c) Av = 400; (d) Av = -400 ; (e) Av = 1; (f) Av ≈ -1.

19. Circuitul din fig. 1c este:


(a) un etaj de amplificare SC; (b) un etaj de amplificare GC; (c) o oglinda de curent; (d)
un etaj diferential; (e) un etaj de amplificare DC;(f) un amplificator cascod

20. Circuitul amplificator din fig.1a este echipat cu tranzistoare MOS avand: λn ( p ) = 0.01V −1 .
Daca I D = 100 µ A , rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ; (c)
Ro = 0,5M Ω ; (d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) Ro = 100k Ω ;
21. Circuitul din fig. 1a este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 µ A / V 2 . Daca
I D = 400 µA , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 kΩ ; (b) Ri = 0 ,01kΩ ; (c) Ri = 0 ,1kΩ ; (d) Ri = ∞ ;
(e) Ri = 10 kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .

Nume student: 2

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
22. Circuitul din fig. 1b este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 µ A / V 2 . Daca
I D = 400 µA , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 kΩ ; (b) Ri = 0 ,01kΩ ; (c) Ri = 0 ,1kΩ ; (d) Ri = ∞ ;
(e) Ri = 10 kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .

23. Circuitul din fig. 1d este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 µ A / V 2 . Daca


I D = 400 µA , rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 kΩ ; (b) Ri = 0 ,01kΩ ; (c) Ri = 0 ,1kΩ ; (d) Ri = ∞ ;
(e) Ri = 10 kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .

Fig. 1

24. In schema din fig.2 VDD = 2VGS2 = 3V si R = 10k Ω ; Curentul de referinta are valoarea:
(a) I R = 100 µ A ; (b) I R = 200 µ A (c) I R = 300 µ A ; (d) I R = 400 µ A ; (e) I R = 150 µ A ; (f)
I R = 50 µ A ;

25. Sursa de curent din fig. 2 are I R = 400 µ A . Daca Q1 are factorul geometric de doua ori
mai mic in comparatie cu Q2 curentul de iesire are valoarea (se neglijeaza efectul
scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I 0 = 100 µ A ; (b) I 0 = 200µ A (c)
I 0 = 300 µ A ; (d) I 0 = 400µ A ; (e) I 0 = 150 µ A ; (f) I 0 = 50 µ A ;

26. Tranzistorul Q1 din circuitul fig.2 are λn = 0.01V −1 . Daca I 0 = 200µ A , rezistenta de iesire
este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ; (d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f)
Ro = 100k Ω ;

27. Tranzistoarele MOS din circuitul din fig.2 sunt identice si au : λn = 0.01V −1 . Daca
I R = 200 µ A si V= 10 V (tensiunea de iesire) , curentul de iesire este : (a) I 0 = 205µ A ; (b)
I 0 = 200µ A (c) I 0 = 210µ A ; (d) I 0 = 220µ A ; (e) I 0 = 225µ A ; (f) I 0 = 215µ A ;

Nume student: 3

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
28. Tensiunea de iesire minima pana la care oglinda de curent din fig.2 functioneaza corect
este : (a) V=VGS1 ; (b) V=VGS1 –VT ; (c) V=VGS2 ; (d) V=VDD ; (e) V=VDS2 ; (f) V=0 .

Fig.2

29. In circuitul din fig. 2 currentul de iesire este: I 0 = 200µ A pentru V DD = 3V si R = 10kΩ . Se
inlocuieste tranzistorul Q2 cu o dioda Zener. Tensiunea diodei Zener pentru care
curentul de iesire ramane neschimbat este: (a) VZ = 1V; (b) VZ = 1,5V; (c) VZ = 2,5V; (d)
VZ = 2V; (e) VZ = 1,2V; (f) VZ = 3V.

30. In circuitul din fig. 2 curentul de iesire este I 0 = 200µ A iar Q2 are un factor geometric de 4
ori mai mic decat Q1. Se inlocuieste grupul V DD , R cu o sursa de current ideala. Curentul
acestei surse pentru care curentul de iesire ramane neschimbat are valoarea (se
neglijeaza efectul scurtarii canalului pentru ambele tranzistoare): (a) I D = 100µA ; (b)
I D = 50 µA ; (c) I D = 200 µA ; (d) I D = 400 µA ; (e) I D = 800 µA ; (f) I D = 20 µA .

31. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: k p = 50 µA / V 2 , λ p = 0 .
Daca I D = 100 µA si R = 100kΩ castigul in tensiune este: (a) Av = 100; (b) Av = -100;

(c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 150; (f) Av = -50.

Fig. 3

32. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu tranzistor MOS avand: λ p = 0 . Daca
R = 100 kΩ rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ; (b) Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ; (d)
Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) RO = 100 kΩ .

Nume student: 4

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
33. Circuitul amplificator din fig.3 este echipat cu un tranzistor MOS avand: k p = 100 µA / V 2 ,
λ p = 0 . Daca I D = 50 µA rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 kΩ ; (b) Ri = 200 kΩ ; (c)
Ri = 25kΩ ; (d) Ri = 1kΩ ; (e) Ri = 10kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .

34. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
kn ( p ) = 50 µ A / V 2 si λn = 0, λ p = 0,01V −1 . Daca I D = 400 µA , castigul in tensiune este: (a) Av
= 200; (b) Av = -100; (c) Av = 5; (d) Av = -5 ; (e) Av = 50; (f) Av = -50.

35. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu : kn ( p ) = 50 µ A / V 2 . Daca
I D = 400 µA ,rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50 kΩ ; (b) Ri = 0 ,01kΩ ; (c) Ri = 0 ,1kΩ ; (d) Ri = ∞ ;
(e) Ri = 10 kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .

36. Circuitul cascod din fig. 4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
λn = 0, λ p = 0,01V −1 . Daca I D = 400 µA , rezistenta de iesire este: (a) RO = 25kΩ ; (b)
Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ; (d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) Ro = 1M Ω .

Fig. 4

37. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii:
2 −1
kn ( p ) = 50 µ A / V si λn = 0, λ p = 0,01V . Daca I D = 400 µA , castigul in tensiune al primului
etaj este: (a) Av1 = 1; (b) Av1 = -1; (c) Av1 = 100; (d) Av1 = -100 ; (e) Av1 = 50; (f) Av1 = -5.

38. Circuitul cascod din fig.4 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametri:
kn ( p ) = 50 µ A / V 2 si λn = 0, λ p = 0,01V −1 . Daca I D = 100 µA , castigul in tensiune al etajului
grila-comuna este: (a) Av2 = 1; (b) Av2 = -1; (c) Av2 = 100; (d) Av2 = -100 ; (e) Av1 = 50; (f)
Av1 = -5.

39. In circuitul din fig. 4, tranzistoarele care amplifica sunt: (a) numai Q1; (b) Q2 si Q3; (c)
numai Q3; (d) Q1si Q2; (e) Q1, Q2 si Q3; (f) Q1 si Q3.

Nume student: 5

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte
40. Un tranzistor MOS are drena conectata la poarta. Daca I D = 25 µA , k n = 50 µA / V 2 si
λn = 0,02V −1 rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10kΩ ; (b)
r = 100 kΩ ; (c) r = 20kΩ ; (d) r = 10 MΩ ; (e) r = 4 MΩ ; (f) r = 1MΩ .

41. Un tranzistor MOS are sursa legata la poarta. I D = 25 µA , k n = 50 µA / V 2 si λn = 0,02V −1


rezistenta dinamica echivalenta intre drena si sursa (r) este: (a) r = 10 kΩ ; (b) r = 100 kΩ ; (c)
r = 2 MΩ ; (d) r = 10 MΩ ; (e) r = 4 MΩ ; (f) r = 1MΩ .

42. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la D este:
1 1 1 gm g ds g ds
(a) ; (b) ; (c) ; (d) 2
; (e) 2
; (f) .
gm g m + g ds g ds ( g m + g ds ) ( g m + g ds ) (gm )2

43. Rezistenta dinamica a diodei realizate cu un tranzistor MOS ce are G legat la S este:
1 1 1 gm g ds g ds
(a) ; (b) ; (c) ; (d) 2
; (e) 2
; (f) .
gm g m + g ds g ds ( g m + g ds ) ( g m + g ds ) (gm )2

44. Conditia de semnal mic pentru tranzistorul MOS este: (a) v gs << VGS − VT ; (b) v gs << VGS ;
(c) v gs << VT ; (d) v gs < VGS − VT ; (e) v gs >> VGS − VT ; (f) v gs > VGS − VT .

45. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 µA / V 2 , λ n = 0.01V −1 . Daca I D = 100 µA castigul in tensiune este: (a) Av ≈ 1;
(b) Av ≈ - 1; (c) Av = 10; (d) Av = -10 ; (e) Av = 0,1; (f) Av = -0,1.

Fig. 5

46. Etajul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 µA / V 2 , λn = 0.01V −1 . Daca I D = 100 µA rezistenta de iesire este: (a) Ro = 1M Ω ;
(b) Ro = 2 M Ω ; (c) Ro = 0,5M Ω ; (d) Ro = 0, 25M Ω ; (e) Ro = 4 M Ω ; (f) RO ≈ 10kΩ .

47. Circuitul amplificator din fig.5 este echipat cu tranzistoare MOS cu parametrii
k n = 50 µA / V 2 , λn = 0.01V −1 . Daca I D = 500 µA rezistenta de intrare este: (a) Ri = 50kΩ ;
(b) Ri = ∞ ; (c) Ri = 0,1kΩ ; (d) Ri = 1kΩ ; (e) Ri = 10kΩ ; (f) Ri = 100 kΩ .
Nume student: 6

Punctaj:
DCE - Examen admitere MASTER – la fiecare subiect unul sau doua raspunsuri sunt corecte

48. Care din amplificatoarele echipate cu transistor MOS au rezistenta de intrare la semnal
mic si frecvente joase, finita: (a) etajul SC; (b) etajul GC; (c) etajul DC; (d) amplificatorul
cascod; (e) etajul SC si amplificatorul cascod; (f) etajul DC si amplificatorul cascod.

49. Un transistor nMOS este blocat daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VT < VDS;
(d) VT > VDS; (e) pentru orice VGS ; (f) VDS > 0.

50. Un transistor nMOS este conductie daca: (a) VT < VGS ; (b) VT >VGS; (c) VGS < 0;
(d) pentru orice VGS ; (e) VGS =0; (f) VDS = 0.

Nume student: 7

Punctaj: