Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.

FORMULARIO DE FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO ETN-501

CAPÍTULO # 1 k  E2  p 2c 2  E02 Px  ih

MECÁNICA CUÁNTICA x
Teoría de Max Planc
El efecto fotoeléctrico 
En  nhf Py  ih
La energía cinética: y
Donde: Ek  EPh  m
n es el número cuántico.
donde EPh es la energía del fotón. Energía
f es la frecuencia de oscilación de las
moléculas. m es la energía requerida para extraer 
los electrones del metal. E  ih
Energía de un fotón que corresponde a t
la energía entre dos estados EPh  hf La ecuación de Schrödinger
adyacentes. hc p2
E  Ei  E f  hf EPh 
  ur , t   E
2m0
La densidad de energía por unidad de La longitud de Broglie:
Sobre un estado general (r,t)
frecuencia f es: h
 h 2  r, t   r , t 
dEf 8hf 3   ur, t  r , t   ih
 f  
1 p
 2m0 2
r t
df c 3
 e KBT  1
hc
donde p es el momento de la partícula
  Separando en las partes dependiente e
  EPh  pc independiente del tiempo
La densidad de energía por unidad de Para un voltaje V0 determinado:  r, t    r * f t 
longitud de onda de la radiación Ek  eV0 Si no depende del tiempo, la ecuación
contenida en una cavidad a la
eV0  hf  m de Schrödinger
temperatura absoluta. (J/ms)
dE f df 8hc La velocidad del fotón:  h 2 2 
dE
 x  5
1
p   ur  r   E r 
d df d   e KBT  1
hc
v  2m0 
  me
  La ecuación dependiente del tiempo es
f t 
Ley de desplazamiento de Wien Efecto de Compton
Según la teoría relativista ih  Ef t 
 2.898x103 mK  t
hc
1T1  2T2  3T3     
KBa E  c mo 2 c 2  p 2 La parte dependiente del tiempo de la
donde: a es la constante de Wien. solución, en forma gral. es:
donde p es el ímpetu.
Postulado de De Broglie La energía cinética del electrón Et
i
E  hf f t   e h  e iwt
El momento P: Ek  E  E '  c me c  pe  me c
2 2 2 2
El problema de la Barrera Cuántica
h E y E’ es la energía de la partícula en La ecuación de Schrödinger se puede
P masa en reposo antes y después de la
 separar en direcciones x, y, z
h h
colisión.
 x, y, z   f1 x f 2  y  f 3 z 
  E
P mv p h2d 2
Relaciones relativistas
c  f1 x  Ex f1 x
2m0 dx 2
1. Variación de la masa con la E  me c 2  E 'c me 2 c 2  pe 2
h2d 2
f 2 y  Ey f 2 y
velocidad donde pe es el ímpetu del electrón 
m
m0 después de la colisión 2m0 dy 2
u
2 p  p' pe h2d 2
1    f 3 z   u  z  f 3 z   E z f 3  z 
c pe 2 
c
1 2
2

E  E'2 2EE' Cos  2m0 dz 2
2. Segunda Ley de Newton La energía total del electrón
  donde  es el ángulo de desviación E  Ex  E y  Ez
  entre p y p’
dP d  m0u  d mu En las direcciones x, y no hay energía
F   
1 1
 
1
1  Cos  potencial
dt dt 
  
u
2 dt E E ' me c 2
f1 x  
1 ik x x
 1    e
 c   ' 
h
1  Cos  Lx
3. Relación entre masa y energía me c 2
f2 y 
1 ik y y
E  mc2 h e
c  Ly
k  E  E0  mc2  m0c 2 me c 2
E0 es la energía en reposo Cantidad observables
4. Relación entre momento (cantidad Momento
de movimiento) y energía

FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 1 ETN – 501

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2
 kx 2
2m0 Características principales del
Ex  k E coeficiente de transmisión con los
2m0 2 parámetros de la barrera
 2k y 2 Para 0x a Caso 1, para u0 = E
Ey 
2m0
 2 x  Cex  De x 1 m u a2
 1  0 02
2m0
Lx y Ly son las distancias en las  u 0  E  T 2
Por lo tanto T<1 representa la
direcciones x, y 2
Para x > a dispersión de la barrera.
 3 x   Feikx
Caso 2, cuando u0 < E

La solución en la dirección z dentro de Por conservación de energía 

2m0
u0  E   i
2 2
la barrera obedece a la ecuación 2m0a 2 a 
a  a k 
2 2 2 2
u0   0 
h 2 d 2 f 3 z 
1
2  2  T
  E z f 3 z  1 u0 2
2m0 dz 2 1 Sen2a
4 E E  u0 
La solución normalizada es:
si n es impar Los parámetros de dispersión  nh
a  n  
 2  2 2m0 E  u 0 
2
 nz  F
f 3 z  
1 T  
Cos 
a  2a   A donde  es la longitud de onda de De
si n es par 2 Broglie
B
R  En términos de E y u0 la condición de
 nz 
f 3 z  
1  A
Sen  transmisión perfecta o transparencia.
a  2a  De las condiciones de frontera E  u0  n 2 E
La energía total del electrón B C D
1   donde El es la energía del estado
2 2n 2  2k x
2  2k y 2 A A A fundamental de una partícula.
E   ikA  ikB  C  D
2m0w 2 2m0 2m0  2 2 
B  C D E   
Filtración cuántica a través de  1      2m a 2 
 0 
barrera (Efecto túnel) A ik  A A 
El problema del átomo de hidrógeno
Supongamos que los electrones se C a D  a F ika
e  e  e La ecuación de Schrödinger para el
propagan en la dirección x incidiendo
A A A sistema electrón-positrón:
contra una barrera de potencial cuya  2 
C a D  a ik F ika  22h e2
altura de energía u0 es más grande que e  e  e   2e   r   ETot r 
la energía total de los electrones E, A A  A  2me

2mp 40 re  rp 

pero es finita. A  i  k  
x < 0 región I  Cosha    Senhaeika La ecuación del movimiento relativo
F  2 k    del electrón y el protón
u=0
0x a región II Probabilidad de transmisión o  2 2 e2 
u = u0 tunelamiento    r   Er 
El flujo de las partículas en el haz  2mr 40 r 
x > a región III
u=0 incidente es dado por medio de la donde r es la coordenada relativa y mr
En la región I se consideran a los densidad de probabilidad en el haz la masa reducida
electrones libres, la ecuación de onda incidente por la velocidad de la r  re  rp
para x < 0 partícula fi.
1 1 1
 2 1 2m0 f i   i i *vi  Aeikx A*eikxvi  AA*vi  
 2 E1  0 mr me m p
x 2  El flujo de partículas en el haz
transmitido: Los eigenvalores de la energía
Dentro de la barrera, región II, la cuantificada tiene los valores
ecuación de onda para 0x a f t   t t *vt  Feikx F *e ikx  FF *vt (n=1,2,3,…)
 2  2 2m0 La probabilidad de transmisión o
 2 E  u 0  2  0 tunelamiento es definida por: En  
me e 4 1
  2 eV 
13.6
x 2  * 2 240  
2 2
n 2
n
y fuera de la barrera, región III, la FF *v  F   F   F 
T        El radio cuantificado es:
ecuación de onda para x > a AA*v  A   A   A 
 2  3 2m0 n 2 2
1   2  k 2  rn 
 2 E 3  0 1
 1   Senh2 a me ke 2
x 2  T 4  k 
Las soluciones para E < u0 rn  n 2 a0
Para x < 0 2m0 E La energía para los niveles permitidos
k
 1 x   Aeikx  Be ikx 2 ke2 1
En  
2m0 u 0  E  2a0 n 2

2
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 2 ETN – 501
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La frecuencia del fotón emitido cuando La densidad efectiva de estados Niveles electrónicos en un potencial
el electrón brinca de una órbita exterior 3 3 periódico
 m 
k BT 3 2 m k T 
  
2 2
a una interior nc  2 e2   2 e B2 
 2   2  u r u rR
E  Ef ke 2  1 1 
f  i     El potencial periódico
2a0   n 2 f n 2 i 

 El nivel de Fermi EF  2 2 
 
1  1 1   n   2m   u r   E  
 RH  2  2  EF  k BTLn   
 n f n i   Nc  Los autoestimados  del Hamiltoniano
Densidad de estados Aproximación de Joyce-Dixon de un electrón
Para el electrón libre
 2k 2

  n 
EF  k BT Ln  
n 
 H   
2 2
 u r 

  Nc  8Nc  2m
 
E 
2me Energía total del gas de electrones  n k r  u n k r  e j k ,r
El número de estado electrónico por
unidad de volumen es:

ETot  N E Ef E dE
 unk r   u r  R
nk
k 2 dk 0 Modelo de Kronig – Penny
N E dE    El movimiento de la partícula
2 2
 f E dE  e2 
me m dE
nc 
 2   x 
2
2 0   E  EF 
2 me  E
1
3 2 0 exp   1 EP  E0 
NE    kBT  2m x  x 2
 3
La solución es una función de onda de
me k BT   E  Bloch
Densidad de estados en sistemas n Ln1  exp F 
bidimensionales  2
  k BT   x   ux   e jkx
m dE Donde u(x) es la amplitud con el
N E dE  e 2 periodo de la red I
2 CAPÍTULO # 2
ESTRUCTURAS DE BANDAS DEL
2 me  2 E 2
1 1
NE   SEMICONDUCTOR
 Electrónica de estado sólido La solución en la región I EP(x)=0
Estadística de Fermi y Dirac La densidad de electrones de  2u1 x 
x 2
e jkx  2 jk
u1 x 
x
 
e jkx  k 2   2 u1 x e jkx  0
Distribución clásica Maxwell- conducción es
En la región II EP(x)=E0
Boltzmann Z 
n  6.022x1023  c  Si 0<E<E0

  Ei  E f   A 
f E   exp     2   2 
Cos  Cosa Coshb    Sena Senhb 

  k B T   donde Zc es el número de electrones en  2 


Distribución de Fermi-Dirac la capa más externa del átomo. Si E>E0

 es la densidad del material. 2   2 
Cos  Cosa Coshb    Sena Senhb 
f E  
1 
A es la masa atómica.  2 
 Ei  E f 
1  exp 

El radio promedio r de un volumen n
 k BT  esférico por electrón k
; n  1,2,,n
1
a
Distribución de Bose-Einstein  3  3 Fuerza externa sobre la masa
r  
f E  
1
 4n  efectiva
 Ef  Velocidad del grupo
exp  1

Periodicidad de un cristal
k
 k BT  Red de Bravais vg  *
m
La densidad n R'  R  m1 a1  m2 a2  m3 a3
 Masa efectiva
N E E Cúbica centrada en el cuerpo
n 
0 exp
 E  Ef  a1   xˆ  yˆ  zˆ 
a m*  2

d k

 k T  1 2
 B  dk 2
a2  xˆ  yˆ  zˆ 
a
E
2
2me
2
3 2 n 3  2
CAPÍTULO # 3
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
a3  xˆ  yˆ  zˆ 
a Condición de ionización completa N
El vector kF y la velocidad vF de Fermi 2 
 EC  EF 

k F  3 2 n  1
3 Cúbica centrada en la cara n  N d  NC  e k BT

a1   yˆ  zˆ 
a
 
 1 ND: Concentración de átomos donores.
vF  3 2 n 3 2 Nivel de Fermi N respecto al nivel EC
me
a2  xˆ  zˆ 
a
N 
 m 
3
2
EF 2 EC  EF  k BTLn C 
n  2 e 2  k BT  3
2 e k BT  Nd 
a3  xˆ  yˆ 
a
 2  2 Condición de ionización completa P
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 3 ETN – 501
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 EF EV  3 3

p  N a  NV  e kBT  E  EC  2
4  EV  E F  2
nF  3  F1  exp F  F1   
NA: Concentración de átomos 2  k BT  2 3   k B T 
aceptores.
 
2
n 3
Concentraciones extrínsecas Densidad efectiva de estado. EV  EF  *
3 2
 p 2
Dador (T medias) n>>p 3 2mdosh
n  p  ND  ND  m *k T  2
NC  2 e B2  3
2  2 
  1  2m
p  2  dosh 2 V
*
E  EF  2
p  ni 
n
 m *  2 T 
3 3 3   
NC T   2.512 x10  de   cm 
2
3

19
EF cerca de BC. En este caso el semiconductor se llama
Aceptor (T medias) p>>n  me   300 
COMPENSADO
p  n  NA  NA Semiconductores intrínsecos
Densidad de estado de huecos
2 n  p  ni
n  ni  2m *  2
3
p EF en el centro de banda
Nh E   4 2h  EV  E  2
1
EF cerca de BV.    E
  EF  g
Concentración de portadores 2
extrínseco Densidad de huecos o concentración Neutralidad de la carga
 EC  EF  de huecos.
 EV n  ni  nd  Nd
n  NC  e k BT
p   N h ( E )  f h ( E )  dE  NV  F1 (nh )
 EC  Ei   EF  Ei   EF  Ei 
p  pi  pa  Na
 2
 NC  e k BT
e k BT
 ni  e k BT La concentración intrínseca
 m *k T  ni  pi
E E  NV  2 h B2  n  nd  ( N d  N a )  p  pa
 F V  2 
p  NV  e k BT   n=total de electrones libres en la banda
 EV  Ei   Ei  EF   Ei  EF  EV  EF de conducción
nh  nd=electrones ligados a los átomos
 NV  e k BT
e k BT
 ni  e k BT
k BT
donores
Densidad de estados de electrones p=total de huecos libres
3
 2m *  2 pa=huecos ligados a los átomos
La densidad de carga del portador
3
ne ( E )  4 2e
 


E  EC  12 aceptores
1  2m
*  2 
E  EC  12  dE   Nd=iones donores fijos en el nivel
n  2  2e
2  




EC
E EF  donador
Na=iones aceptores fijos en el nivel
e kBT
1 aceptor
Se define De huecos
3 Equilibrio térmico
E  EF  2m *  2
n  Na  p  Nd
n nh ( E )  4 2h  EV  E  2
1

k BT   
 
E  EC Semiconductores no degenerados Para electrones
nF  F La concentración de electrones está nn  Na  pn  Nd
k BT definido
1
La concentración de los electrones EF  EC nn  N d  N a   Nd  Na 2  4ni 2 
2  
3 1 n  NC e k BT
1  2m k T  2
n 2  dn
* Para huecos
n  2  e 2 B 
2  n 
0 ennF   1 La concentración de huecos
EV  EF
np  Na  p p  Nd
1
Integral de Fermi- p  NV e k BT
pp  N a  N d   N a  N d 2  4ni 2 
Dirac o media de Fermi 2  
Semiconductores degenerados
 1 Tipo N
n 2  dn
F1 nF    nnF  3
Tipo n
1 4  EF  EC  2
N D  N a  nn  N d
e F1   
3   k BT 
2 0
nn pn  ni
2
Al aplicar la densidad efectiva NC. 2

NC  F1 nF 
2
n
 EF  EC 
n2
*
3 2  n32 Tipo P
N a  Ni  p p  N a
2 2mdose
3
n p p p  ni
2
4  E F  EC  2
1  2m E  EC 
3
nF  3  F1   
* 2

2 3   k BT 
n  2  dose 2 F
3  


Función de distribución para los
átomos de impurezas
Tipo P Prob. de que un estado donador este
ocupado
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 4 ETN – 501
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nd 1  m    m*hh = masa efectiva de huecos
 aBeff Aº  0.52917 e*  s  pesados
Nd 1  E  EF   m   0 
exp d   1  e  Huecos de semiconductores
2  k BT  Semiconductores indirectos Cuando todos los estados de la banda
de valencia están ocupados
La energía cerca de los bordes de la
nd=núm. de electrones ligados a los
átomos donadores.
banda en el punto k=k0
k i  k 0i 2
 ki  0  
ki  k e
Nd=densidad del donador.
Prob. de que un hueco sea atrapado
E k , k 0   E k 0    2
i  x ,y ,z
 mi *
ki  k e
En la situación donde un electrón con
para un nivel aceptor
vector de onda k, se pierde, el vector
pa 1
 Para semiconductores directos de onda total es:
Na 1  E  Ea 
exp F   1 E k   Ec 
 2k 2  k i  k e
4  k BT  2me *
ki  k e
pa=núm. de huecos ligados a los La relación del momento de energía La ecuación de movimiento es
átomos aceptores.  2kl 2  2kt 2 k  
E k   Ec 
v
Na=aceptor del donador.   h  e  h  B
2ml * 2mt * t  c 
Nd   E  EF 
nd   2 N d exp   d  Donde kl es la parte longitud de k y kt
1  E  EF    k BT  kh y vh son el momento y la velocidad
exp d  es la parte transversal medida desde el
2  k BT  del hueco.
borde de la banda de conducción.
La masa efectiva de los electrones en CAPÍTULO # 4
Densidad de electrones en la BC el borde de la banda de conducción. FENÓMENO DE TRANSPORTE
  E  EF  1 2Pcv 2
n  NC exp   C  1
 
DE PORTADORES
Fenómeno de arrastre de portadores
  k BT  me* me Eg
Energía térmica promedio:
Fracción de los donadores ionizados: Para la mayoría de los
3
nd 1 semiconductores K  kT
 2
nd  n N  E  Ed  2Pcv 2
 20eV  Energía cinética:
1  C exp  C
k BT 
me 1 * 2 3
2N D  En general, la masa efectiva mn Vth  kT
Fracción de huecos ligado a los niveles 2 2
1 1  2E
de aceptor  Velocidad térmica:
4Na me*  2 k 2 3kT
pa  La densidad de estados en un sistema Vth 
  E  EF m n*
exp   C   1 tridimensional

  k BT 
N E  

2 m* dos 2 12
E

3
Vth 
T
  E  Ea  2 2
 4 N a exp   F  Donde m*dos es la masa de densidad de para los electrones
  k BT  estados para los semiconductores de   105 cm
banda de separación directa se cumple
T  1 ps
La densidad de huecos en la BV Velocidad de arrastre
m*dos  me* La corriente:
 E  EF 
p  NV exp V  Para el Si, la masa de densidad de
i
Q

Q
estados vale
 k BT  r  / vr
m*dos  m1  m2  m3  3
1
pa 1 r = tiempo de tránsito de una partícula

pa  p N  E  EV  donde m1, m2 y m3 son las mases La densidad de corriente:
1  V exp  a
k BT 
efectivas en las tres direcciones
Qvr
4Na  principales para el Si J  vr  envr
Las ecuaciones relativas para dopar m*e  m1 , m*t  m2  m3 A
Nivel de Fermi intrínseco *
m e = masa efectiva longitudinal Fuerza de dispersión:
E  Ev 3  m*dose  m*t = masa efectiva transversal mn vr
*
EFi  c  k BTLn * 
 F  e 
2 4  m dosh 
La densidad total de estados para el Si
r
Niveles donores pronosticados para un
N E Si  

6 2 m dos *

3
2 1
2 e 
módulo parecido a hidrógeno 2 2
E vr   r*
2
 me* 
mn
 
Ec  Ed eV   13.6  0 
3 3 3
 
2 2 2
m*dos  m*lh  m*hh vrn  n
 s   me 
 
*
m lh = masa efectiva de huecos ligeros
Radio donora de Bohr
FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 5 ETN – 501
Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
Para los huecos en la banda de n( x, t )
 dV  
e Vn pn dp
valencia n1  n2   
Vrp   p x k BT V p pp p

n( x, t ) pp y pn son las densidades de huecos en

 e  n ( x, t )   Dn las regiones donde nn y np son las
x
 p   r*  densidades electrónicas en las regiones
m  coef. de difusión del sistema
 h  de tipo n y tipo p.
2
Densidad de corriente de electrones:
Dn  La ley de acción de masas
J n  en n 2 disp nn pn  n p p p  ni 2
Para huecos: Trayectoria media libre evic ev
J p  en p pp nn ic

  vth disp e  e k BT
k BT
y
pn np
Resistividad Flujo de huecos
E  p ( x, t )
vic es el voltaje interconstruído en
F  e   Fi ausencia de polarización externa
x  p ( x, t )  Dp Ax p N a  Axn N d
Campo del electrón:
x
Relación de Einstein: A es la sección transversal de la
1 E V
   d ( x, t )
J n ( x)  en n( x) ( x)  eDn n estructura p-n y Na y Nd son las
e x x dx densidades de Poisson
La fuerza
Campo eléctrico ctte. En   x   x p
F   (x)
V  d 2V x 
   Para campo eléctrico uniforme:
0
  ( x)  e ( x)  x dx 2
Densidad de corriente neta de Ec ( x)  Ec (  0)  e ( x) x V x   V p
portadores:
J  enn  p p 
En equilibrio las corrientes de hueco y Vp se define como el potencial en la
electrón son cero. región neutral tipo p.
Conductividad: m1  ( x) 
1 Dd d n ( x, t ) En  x p  x  0
n( x) n dx
  enn  p p  d 2V x  eN a

Función de distribución 
Resistividad: m
dx 2
 E  EF ( x ) 
n( x)  ni exp  F  E x   
eN a x eN a x p

1  k BT   

 El campo eléctrico
eN a x 2 eN a x p x eN a x p
2

l 1 dEFi V x     Vp
R   2  2
A e dx En 0  x  xn
k BT Dn
d 2V x
Conductividad metales
0
 eN
e n  d
 dx 2 
1  tC
dV x eNdx eNdxn
Masa efectiva de un electrón CAPÍTULO # 5 E x     
dx  
d 2 EBC v  FÍSICA DE LA UNIÓN P-N
m*e  La unión P-N no polarizada V x   
eNd 2 eNd xn
x 
eN
x  a x p 2  Vn
dv 2 La densidad de corriente 2  2
hay que conocer EBC(v) para evaluar En xn  x  
 dpx  
m*e J p x   e p px E x   D p 0
Conductividad de semiconductores  dx  d 2V x 
0
Eg
dnx dx 2
   0e 2 kT J n x  en nxEx  eDn La diferencia de potencial entre –xp y 0
dx
Masa efectiva de un hueco Na x p 2 Na x p 2
d EBV v 
2
La relación de Einstein  
V 0  V  x p  e
2
 V p  Vn  e
2
mh*  p e
2  La diferencia de potencial entre xn y 0
dv D p k BT
 eN x 2  eN x 2
Para una corriente neta cero V xn   V 0  V   d n  Vn   d n
 2  2
Fenómenos de difusión de p 1 dpx 
portadores E x   La neutralidad de la carga
Densidad de corriente de huecos: Dp px  dx N d xn  N a x p
J p   Dp  p El campo E, la relación de Einstein
2VIC  Nd 
p e dV x  1 dpx  xp 
Flujo hacia la der. E x      
px  dx eN a  Nd  Na 
(n1  n2 ) Dp k BT dx
n ( x, t )  Sean Vp y Vn los potenciales en el lado
2 disp p y en el lado neutral respectivamente

FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO 6 ETN – 501

Docente: Teodoro Busch Dekovice FACULTAD DE INGENIERÍA U.M.S.A.
 Na 
2VIC x x p   x  xn Q  eAxn Nd  eAxp N a
xn   eV  
  nx   n p  e k BT  1e ln
  x es 
 Nd  Na 
eN d 1
    N N 2
El campo eléctrico no es uniforme en  x p es   Q  A2e Vic  V  a d 
la región de agotamiento y alcanza un El decaimiento esta dado por las  Na  Nd 
valor máximo con un valor pico: longitudes de difusión apropiada (lp La capacitancia de la unión
eN x eN a x p para huecos y ln para electrones) 1
n   d n   La corriente de difusión debida a los dQ A  2eN a N d  2 A
  Cj     
huecos en el material tipo n dV 2  Vic  V N a  N d  x
Polarización directa
D p  ev k T  x xn l p La carga del hueco inyectada
I p x   eA
La región p se somete a un potencial
pn  e B  1e  p Dp  Lp 2
positivo respecto de la región n Vf>0, lp  
por tanto:
ADp Q p  I p  eALp pn e eV k BT
VTot  Vic  V f e px  x>xn
lp La capacitancia equivalente
Polarización inversa
La región n tiene una tensión positiva La corriente total de huecos inyectados dQp e 2 Al p pn eV k T eI p
Cdiff   e B 
aplicada Vr>0 con los respecto a p, por en el lado n dV k BT k BT
ADp  ev k T 
I p xn   e
tanto: La conductancia de c.a. del diodo
pn  e B  1
VTot  Vic  Vr lp   dI eI v 
Gs  
Segunda relación entre xp y xn La corriente total de electrones dV k BT
2
eN d X n 2 eN d X p inyectada en el lado p A temperatura ambiente la
Vic  V f  
ADn  ev k BT 
2 s 2 s

In  xp  e  n p  e  1
conductancia es
I I mA
El ancho de la zona de agotamiento ln   Gs  
2 s N d  N a La corriente del diodo rs 25.86
x Vic  V f  Dp  ev   ev  rs es la resistencia del diodo
I v   eA
e Na Nd D
pn  n n p  e k BT  1  I 0  e k BT  1
 p
l l n     En la condición de polarización directa
El ancho individual del lado p y el lado
Corrientes minoritarias y meditarias  dv 
n de la zona de agotamiento is  Gvs  Cdiff  s 
 
Corriente de difusión de huecos en la  dt 
2 s N a Vic  V f región de tipo n
xn  La capacitancia de difusión real de la
e N d N a  N d  con x > xn descripción señal pequeña es

xp 

2 s N d Vic  V f  I p x   eA
Dp
lp
pn e
 x  xn  l p eV k BT
e 1   Cdiff  
eI
p
e N a N a  N d  k BT
con x > -xp  es un factor que vale ½ para diodos
Inyección carga y flujo de corriente I n x  eA
Dn
ln
x x  l
n p e p n eeV kBT  1   de base grande y 2/3 para dispositivos
de base estrecha.
La densidad del portador móvil
eVic La corriente total del diodo CONSTANTES
1eV   1.6 x10 19 J 
pp
 e k BT
pn
 Dp
I  eA
D 
pn  n n p  e eV kBT  1   Constante de Boltzmann
p  xn   l p ln 
eV
J
 e k BT La corriente del diodo de electrones en k B  1.3085x10 23  
pn
la región x > xn K 
n x p  I n x   I  I p x 
eV Constante de Planck
e h  6.626x10 34 Js
k BT

 
np
Los portadores en exceso inyectados a
 Dp
I n x   eA 1 e
 x  xn  l p D 
pn  n n p  eeV  k BT
1  Constante de Planck reducida
 p
l l n 
 1.0544x1034 Js
h
través de las regiones de agotamiento Capacidad de transición de la unión 
 eV  polarizada 2
pn  pn  e k BT  1 La capacitancia de transición o juntura La masa del electrón
  por unidad de área me  9.11x1031Kg
 eV  dQ dQ  s
n p  n p  e kBT  1 Cj   
Constante de Compton
  dV xdE x c  2.426x1012 m
Las densidades de portador de los La anchura de agotamiento de la unión Velocidad de la luz en el vacío
c  3x108 m / s 
portadores minoritarios fuera de la Vic-V
región de agotamiento 1
 2 Vic  V  N a  N d  2 Constante de Rydberg
 
 x xn 
 eV  x  RH  1.0973732x107 m1
px   pn  e  1e
lp
kBT
 x  xn  e Na Nd 
  Número de Avogadro
xn 
Na x
Na  Nd
; xp 
Nd x
Na  Nd 
N A  6.022x10 23 átomos
mol

La carga en la región de agotamiento Velocidad térmica para Si y Ga
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a 300ºK Vth  10 7 m / s 
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