En adelante, la literatura muestra mejoras paulatinas en diferentes cuestiones del

diseño y fabricación de los TFTs a partir de calcogenuros, en especial CdS y CdSe.

Un primer problema abordado es el dieléctrico usado para fabricar TFTs; el
transistor es controlado por una potencial de compuerta (Gate, por su nombre en
inglés) dentro de un capacitor del metal-aislador-semiconductor (MIS, por sus siglas
en ingles Metal-Insulator-Semiconductor), así la calidad del dieléctrico es de vital
importancia. El dieléctrico de uso más frecuente en la fabricación de TFTs es el
Dióxido de Silicio (SiO2), dado que proporciona una interfaz de alta calidad, gran
separación de banda prohibida (band-gap, por su nombre en inglés), alto punto de
fusión, propiedades superiores de aislamiento eléctrico, entre otros [21]. No
obstante la temperatura de deposición del dieléctrico 𝑆𝑖02 se encuentra alrededor
de 1000°C para películas de alta calidad, lo cual no es deseado en técnicas de
fabricación como CBD, que utiliza temperaturas alrededor de 100°C. Por lo anterior
el problema de encontrar dieléctricos alternos al 𝑆𝑖02 es una restricción de diseño y
se ha observado que dieléctricos a partir del dióxido de hafnio (HfO2) son buenos
candidatos para el reemplazo del SiO2 [21].

Salas-Villasenor et al [14], fabricaron TFTs a partir de CdS tipo n para uso en

electrónica flexible. Las películas delgadas de CdS se depositaron por CBD (70°C)
con dos tipos de dieléctricos, HfO2 y SiO2 para comparar los rendimientos de los
TFTs con diferentes dieléctricos. El SiO2 se hizo crecer a 1100°C sobre una oblea
de silicio mientras que el HfO2 se depositó a 100ºC sobre la misma oblea de silicio;
Tras la fabricación de los TFTs con diferentes dieléctricos en [14] se obtuvo una
𝜇𝑒𝑓𝑓 y un 𝑉𝑇 de 25 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 y −2 𝑉, respectivamente para HfO2, mientras que
para el TFTs con dieléctrico de SiO2 se obtuvo una 𝜇𝑒𝑓𝑓 y un 𝑉𝑇 de 2,3 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1
y −9 𝑉, respectivamente. Salas-Villasenor et al, mostraron cómo el desempeño
eléctrico de TFTs de CdS se puede mejorar en función del dieléctrico utilizado en el
dispositivos, además, obtenerse a bajas temperaturas, alrededor (100°C). Todos los
dispositivos TFTs analizados mostraron mejores características eléctricas con
respecto a TFTs con 𝑎 − 𝑆𝑖: 𝐻.
Una de las restricciones de diseño de dispositivos nombrada anteriormente fue la
necesidad de reducir las variables tóxicas en los procesos de fabricación. Para
obtener una película delgada de CdS con la técnica de CBD, se utilizan soluciones
acuosas a bajas temperaturas mediante una reacción química entre precursores
disueltos compuestos de sal de cadmio como fuente de Cd y tiourea como fuente
de S con la ayuda de un agente complejante. Este ayuda a asegurar la liberación
lenta de 𝐶𝑑 2+ y 𝑆 2− en la solución acuosa; generalmente es Amoniaco (𝑁𝐻3 ), el cual
resulta ser altamente tóxico y volátil para el medio ambiente [5].

En [6] desarrollaron un TFT de CdS utilizando la técnica de CBD sin amoníaco para
la capa activa del transistor, en particular, se sustituyó el NH3 por Citrato de Sodio
como agente complejante. Los TFTs de CdS sin NH3 mostraron los siguientes
parámetros [6]: 𝜇𝑒𝑓𝑓 = [0.13, 0.12, 0.16]𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 , 𝑉𝑇 = [25, 19.5, 8.8] 𝑉 y 𝐼𝑜𝑛 /
𝐼𝑜𝑓𝑓 ~ 105 − 106 , para longitudes de canal de [80,40, 20] 𝜇𝑚 respectivamente. Los
resultados de los parámetros eléctricos de TFTs de CdS sin NH3 no eran mayores
a los reportados en la literatura anteriormente; empero, posterior a un tratamiento
térmico una cámara d gas a 250°C durante una hora, sus características eléctrica
mejoraron notablemente, obteniendo 𝜇𝑒𝑓𝑓 = [8.8, 6.2, 4.8] 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1, 𝑉𝑇 =
[12, 10.6, 8.4] 𝑉 y 𝐼𝑜𝑛 /𝐼𝑜𝑓𝑓 ~ 5𝑥106 para longitudes de canal de [80, 40, 20] 𝜇𝑚
respectivamente. Lo que demostró que es posible obtener TFTs con rendimientos
eléctricos similares a los reportados en la literatura libres de NH3 en su fabricación
[6].

Los tratamientos térmicos posteriores a la fabricación de TFTs también han sido

objetos de amplio estudio. En [13] fabricaron TFTs se reporta la fabricación de TFTs
con capa activa de CdS depositado con la técnica de CBD (70ºC) libre de NH3 para
el complejante. Se Utilizó HfO2 como dieléctrico de compuerta. Después de la
fabricación y caracterización eléctrica se realizaron dos tratamientos térmicos con
hidrogeno a 150 y 300ºC durante 60 minutos en atmosfera estándar y se obtuvo una
reducción en el 𝑉𝑇 de 10 a 4.6 V y aumentó de 𝐼𝑜𝑛 /𝐼𝑜𝑓𝑓 de ~ 105 a ~ 109 . Además
se observó que la 𝜇𝑒𝑓𝑓 no se modificó con el tratamiento térmico y se mantuvo
14.5 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1. El estudio presentado en [13] muestra las propiedades eléctricas
de los TFTs se pueden mejorar sustancialmente a través de los tratamientos
térmicos de corta duración; además, este tratamiento mejora la cristalinidad de los
transistores sintetizados mediante CBD.

También se han introducido mejoras en las técnicas de deposición de bajo costo,

en particular se ha estudiado la dependencia de las variables en CBD para depositar
calcogenuros como capa activa de los TFTs. La movilidad de los TFTs está ligada
a las propiedades cristalográficas y morfológicas de la deposición del calcogenuro,
verbigracia el CdS, y dichas propiedades a su vez dependen sensitivamente de
parámetros experimentales tales como pH, el tipo de sal CdS, los agentes
complejantes, los sustratos, los tratamientos térmicos, el proceso de fabricación
mismo, entre otros [12] [19].

Carrillo-Castillo et al [22], realizaron la fabricación de un TFT a partir de CdS (70ºC)

libre de NH3, usando di-hidrato de citrato de sodio e hidróxido de potasio como
agentes complejantes y con dieléctrico de compuerta de HfO2.En la fabricación de
este transistor se varió el pH entre 10 y 11.9 y la velocidad de deposición para
analizar el efecto sobre la cristalinidad y morfología de TFTs. Lo anterior ayudo a
determinar la condición óptima de dichas variables. En [22] se encontró que a media
que el pH aumentaba, el grado de cristalinidad también lo hacía, así como también
la deposición de la capa activa era más homogénea y para depósitos de CdS de
baja velocidad, la película exhibía estructuras policristalinas.

Los electrodos de Fuente (Source, por su nombre en inglés) y Drenaje (Drain, por
su nombre en inglés) son otro objeto de estudio y optimización del diseño de TFTs.
Estos electrodos deben tener al menos tres características: baja resistividad, alta
transmitancia óptica y buena estabilidad mecánica. Sin embargo, los electrodos
transparentes flexibles más utilizados son a partir de óxidos conductores
transparentes (TCO, por sus siglas en inglés Transparent Conductive Oxide); entre
los que tenemos óxido de indio y estaño (ITO), óxido de estaño dopado con flúor
(FTO), óxido de Indio-zinc-estaño (IZTO), entre otros. Estos TCOs tienen una banda
prohibida angosta, baja resistividad y pueden depositarse a bajas temperaturas. No
obstante, la estabilidad mecánica de los electrodos TCO sigue siendo un problema
difícil de resolver para lograr un funcionamiento estable y confiable de los TFTs [11].
Para buscar TCO’s alternos se ha propuesto una estructura Oxido-Metal-Oxido
(OMO, por sus siglas en inglés Oxide-Metal-Oxide). Los materiales metálicos más
utilizados son la plata (Ag) y el cobre (Cu) debido a su buena ductilidad y alta
conductividad [11].

Mejía et al [4], fabricaron TFTs a partir de CdS, tipo n, mediante CBD (100ºC) libre
de NH3, con el objetivo de analizar el efecto de los contactos en los parámetros
eléctricos del transistor. El proceso de fabricación se realizó con 100 𝑛𝑚 de aluminio
para definir el electrodo de compuerta y 90 𝑛𝑚 de HfO2 para el dieléctrico de
compuerta. Enseguida se depositan películas de CdS de 30, 70 𝑜 100 𝑛𝑚 sobre
HfO2. Los electrodos de fuente y drenaje se definieron con dos tipos materiales: oro
(𝐴𝑢) y aluminio (𝐴𝑙) con anchos de canal 𝑊 de 60 𝑎 180 𝜇𝑚 y longitudes de canal 𝐿
de 5 𝑎 80 𝜇𝑚. En [4] encontraron que el 𝑉𝑇 para los TFTs con contactos 𝐴𝑢 y 𝐴𝑙 se
define no sólo por la interfaz semiconductor-dieléctrica, sino que también influye el
material de electrodos fuente-drenaje. Los TFTs con electrodos de 𝐴𝑙 presentaron
la mayor 𝜇𝑒𝑓𝑓 , mientras que los TFTs con electrodos de 𝐴𝑢 presentaron el 𝑉𝑇 más
bajo en todos los TFTs fabricados. Después se realizó un tratamiento térmico sobre
los TFT’s fabricados y se evidenció que los contactos óhmicos de 𝐴𝑙 y la película de
CdS se mejoró [4]. Los parámetros eléctricos obtenidos fueron una 𝐼𝑜𝑛 /𝐼𝑜𝑓𝑓 de
~107 , 𝜇𝑒𝑓𝑓 de 5.3 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 para contactos de 𝐴𝑙 y 4.7 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 para contactos
de 𝐴𝑢, 𝑉𝑇 de ~16,5 𝑉 para contactos de 𝐴𝑙 y ~12,3 𝑉 para contactos de 𝐴𝑢.

Dentro de todos los avances mostrados para los TFTs, en particular para
semiconductores inorgánicos como CdS, CdSe, o 𝑎 − 𝑆𝑖: ℎ se han reportado
soluciones tipo n [14] [12] [4], pero no soluciones tipo p. Por su parte los
semiconductores orgánicos reportados generalmente son soluciones tipo p [9] [10],
pero se carece de soluciones tipo n. Estos hechos han limitado el desarrollo de los
dispositivos de unión p-n [11] o dispositivos CMOS [23] a partir de TFTs inorgánicos.
En [23] abordan estrategias para mezclar TFTs orgánicos tipo p con TFTs
inorgánicas tipo n para dispositivos CMOS; en particular, se diseñaron circuitos
lógicos (inversores y compuertas NAND y NOR). Los TFTs inorgánicos se fabricaron
con CdS, mientras que los OTFTs se fabricaron con pentaceno, utilizando la técnica
de CBD.

Al enfoque de integrar procesos heterogéneos de dos tecnologías TFT’s diferentes

se le denomina Pseudo-CMOS, el cual intenta minimizar los problemas de producir
CMOS, verbigracia, los impactos negativos de las grandes variaciones de los
procesos de impresión, a partir de TFTs y OTFTs debido a la imposibilidad de aplicar
reglas de diseño del silicio en dichos dispositivos [24]. Para OTFTs fabricados
generalmente por el proceso de impresión por chorro de tinta, se presenta una alta
sensibilidad del material semiconductor a condiciones ambientales (oxígeno, vapor
de agua, entre otros). Es por ello que Pseudo-CMOS utiliza la estructura de
fabricación de compuerta/superior (TGBC, por sus siglas en ingles Top-Gate,
Bottom-Contact) en la el dieléctrico de compuerta se deposita arriba de la capa
semiconductora y forman una capa protectora para evitar que la capa
semiconductora se exponga al ambiente [24]. Por otro lado, la arquitectura
compuerta/inferior (BGTC, por sus siglas en ingles Bottom-Gate, Top-Contact)
reportadas para la fabricación típica de TFTs con calcogenuros [4] [6] [12] [14] [23].
Sin embargo, la propuesta de un CMOS a partir de materiales híbridos es aún una
fuente de investigación reciente dado que las características eléctricas aún son
inestables [24] [25].

Para afrontar la problemática actual acerca de dispositivos TFTs-CMOS estables a

temperatura ambiente, recientemente han empezado a aparecer soluciones tipo p
para TFTs a partir de materiales inorgánicos. Carrillo-Castillo et al, reportaron un
TFT tipo p a partir de PbS mediante la técnica de CBD (100ºC), con arquitectura
BGTC, HfO2 como dieléctrico de compuerta y contactos de fuente y drenaje de 𝐴𝑢
con diferentes razones 𝑊/𝐿 de canal. Después de un tratamiento térmico de 150ºC
durante 60 minutos se obtuvo una 𝜇𝑒𝑓𝑓 de 0.14 𝑐𝑚2 𝑉 −1 𝑠 −1 y un 𝑉𝑇 de ~17 𝑉 [17].

La literatura muestra que hay un esfuerzo por encontrar materiales alternos al 𝑎 −

𝑆𝑖: 𝐻 para producir TFTs; paralelo a ello se mostraron procedimientos de síntesis a
través de CBD libres de amonio, buscando eliminar sustancias tóxicas para el medio
ambiente. Sin embargo, los TFTs tienen un amplio potencial para ser usados como
bio-sensores rápidos, sensibles, selectivos y fiables, fabricados a bajo costo [26].
Desde éste punto de vista se requiere que además de liberar de NH3 la síntesis de
los TFTs, los materiales de la película delgada misma no sean nocivos para la salud
humana. Desafortunadamente el CdS, ampliamente estudiado para TFTs, figura en
las Listas de Sustancias Peligrosas del Derecho a Saber (KTKHSL, por sus siglas
en inglés, Right to Know Hazardous Substance List) del Departamento de la Salud
de New Jersey (New Jersey Department of Health, por su nombre en inglés);
además organizaciones como OSHA, ACGIH, DOT, NIOSH, NTP, DEP, IARC, IRIS,
EPA, entre otras, lo presentan como cancerígeno y debe manipularse con
extremada precaución [15]. Por su parte el PbS también se posiciona como
sustancia tóxica para la salud humana en KTKHSL y se considera igualmente
cancerígeno [16]. De esta forma el CdS y el PbS quedan relegados a otras
aplicaciones como fotoconductores y detectores de radiación infrarroja
respectivamente [15] [16], pero es difícil aplicar TFTs para aplicaciones de bio-
sensores por ejemplo.

Fahhad Alharbi et al [7], realizaron un estudio sobre materiales binarios abundantes

y no tóxicos con posible aplicación para TFTs alternos al silicio, teluro de cadmio,
sulfuro de cadmio, entre otros. En [7] se seleccionaron los elementos en función de
su abundancia en la tierra y su toxicidad. Conforme a un conjunto de criterios
ambientales, físicos y químicos, se identificó una variedad de materiales
semiconductores binarios como candidatos potenciales para aplicaciones de TFTs
no tóxicos para los humanos y, que además no se encuentran en la lista de
materiales peligrosos para la vida o la salud del Instituto Nacional de Salud y
Seguridad Ocupacional de los Estados Unidos (NIOSH). Entre los elementos más
abundantes en el planeta tenemos el molibdeno (1,2 𝑝𝑝𝑚 - 200.000 𝑇𝑜𝑛/𝑎ñ𝑜), el
boro (10 𝑝𝑝𝑚 - 2 𝑀𝑖𝑙𝑙𝑜𝑛𝑒𝑠 − 𝑇𝑜𝑛/𝑎ñ𝑜) y el cobre (60 𝑝𝑝𝑚 - 500.000 𝑇𝑜𝑛/𝑎ñ𝑜) [7].
Fahhad Alharbi et al [7], obtuvieron una lista de veintinueve (29) elementos no
tóxicos y abundantes, los cuales se podían combinar para hacer más de cien
combinaciones binarias y unos pocos miles de compuestos ternarios posibles. Entre
los compuestos binarios a partir de sulfuro, que presentaban abundancia en el
planeta y no toxicidad para los humanos se encontraron: El CuS y el sulfuro cuproso
(Cu2S).

En el 2016 Castillo-Carrillo et al [27], ha propuesto realizar TFT’s a partir CuS como

desarrollo de materiales no tóxicos y de bajo costo. En particular utilizando la técnica
de CBD para aplicaciones de electrónica flexible y/o bio-sensores dado que la
temperatura baja de síntesis del dispositivo hace este proceso compatible con
sustratos poliméricos flexibles. El CuS se depositó mediante CBD a 27ºC, con
tiempos de deposición de 20 𝑎 40 𝑚𝑖𝑛 con contactos ITO, usando dos agentes
complejantes de trietanolamina y amoníaco; la película de CuS tuvo además un
tratamiento térmico de 60 minutos a 150ºC. Para el estudio básico sobre películas
de CuS, [27] entraron mediante patrones de difracción de rayos x (XRD, por sus
siglas en inglés, X-ray diffraction) que las películas de sulfuro de cobre son amorfas;
la transmitancia en el rango del visible fue de 40 𝑎 90 %, la cual decaía conforme el
tiempo de cremento era más alto. La banda de energía para el sulfuro de cobre
depositada disminuyo de 2,32 𝑎 2,22 𝑒𝑉 conforme el tiempo de deposición
aumentaba igualmente. Castillo-Carrillo et al [27], también encontraron que las
películas delgadas de 𝐶𝑢𝑆 son uniformes y aumentaban su rugosidad conforme
aumentaba el espesor de la película; no obstante, tras los recocidos, esta condición
se mejoraba. Desde el punto de vista eléctrico, en [27] observaron que la interfaz
metal-CuS tiene un buen comportamiento óhmico con resistencias halladas de
1,8 𝑥 10−5 𝑎 2 𝑥 10−6 Ω/𝑐𝑚 que decae con respecto al tiempo de deposición. De esta
manera se observa que el CuS es un buen candidato para fabricar TFT’s de bajo
costo para aplicaciones de electrónica flexible y/o bio-sensores.

En 2017 [28] se estudió películas de CuS desde el punto de vista morfológico y

eléctrico depositado por la técnica de inmersión múltiple del sustrato con tiempos
de deposición de 45 𝑎 90 𝑚𝑖𝑛 a 27 °C sobre un sustrato de vidrio. En [28] reportaron
transmitancias de 20 𝑎 90 % dependiendo del número de inmersiones; el band gap
de la película obtenido fue de 2,35 𝑎 1,8 𝑒𝑉 a medida que aumentaba, de forma no
lineal, el número de inmersiones. Las propiedades eléctricas observadas en [28]
para películas de CuS mostraron un aumento de la conductividad eléctrica con el
aumento en el número de inmersiones del proceso de deposición.

Empero, las revisiones del estado del arte no muestran la fabricación de un

dispositivo funcional de TFT a partir de un compuesto inorgánico no toxico como el
sulfuro del cobre, toda la revisión se encuentra entorno a la ciencia básica y la
expectativa que se tiene de la aplicación de dicho material. En [29] se mostró la
viabilidad y caracterización de prototipos de TFTs para celdas solares mediante
CBD a partir de CuS sobre vidrio, dado que se hallaron picos de transmitancia de
70% cerca de los 660 𝑛𝑚 y una disminución hasta de un 8%, pero hasta ahora no
se ha reportado ningún dispositivo funcional TFT a partir de 𝐶𝑢𝑆.