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R. Calzada_Salas ricardocalzada@gmail.com
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puerta de control) muy similar al
diodo de cuatro capas descrito en la
anterior sección pero que posee una
entrada adicional (G) que permite
disparar el dispositivo antes de
alcanzar la VBO. En la figura 12.8.a
se muestra el símbolo del SCR y en
la figura 12.8.b su modelo a nivel
transistor. En el modelo a nivel de
transistor se observa claramente que
al introducir una corriente por la línea
G se produce la conducción de los
transistores, es decir, el disparo del
dispositivo sin ser necesario alcanzar
la VBO. La figura 12.9 permite ver A continuación se detallan algunos
claramente como las características parámetros característicos de los
del SCR varían con la corriente de su SCR.
puerta cuyos valores son del orden
de miliamperios o inferiores. • Tiempo de conducción (Turn-on
Time). Tiempo de duración mínima de
la tensión de disparo para pasar el
SCR de bloqueo a conducción. Este
tiempo tiene dos componentes:
TON=td +tr , siendo t d el tiempo de
retraso (delay time) y tr el tiempo de
subida (rise time). Por ejemplo, el
2N5060 tiene el
TON=td+tr=3µs+0.2µs=3.2µs.
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• Velocidad crítica de elevación. conducción tiene una impedancia
Variaciones muy rápidas de tensión muy baja que permite circular
entre el ánodo y cátodo en un SCR grandes de niveles de corriente con
pueden originar un disparo una tensión ánodo-cátodo del orden
indeseado. Para evitar este problema, de 1V. En estado de corte, la
la variación de tensión ánodo-cátodo corriente es prácticamente nula y se
no debe superar un valor conocido comporta como un circuito abierto. A
como velocidad crítica de elevación continuación se describen las
(dv/dt); si se supera este valor diferentes maneras de activar o
además de producir el disparo puede disparar y de bloqueo de un tiristor.
llegar a deteriorar el dispositivo. El
2N5060 tiene un dv/dt=30V/µs. A Activación o disparo de un tiristor
veces transitorios en las líneas de Existen cuatro maneras de poner a
alimentación pueden originar un tiristor en estado de conducción:
problemas de comportamiento del a) Activación o disparo por puerta. El
SCR al ser superado su velocidad método más común para disparar un
crítica de elevación. Los circuitos de tiristor es la aplicación de una
protección contra transitorios de corriente en su puerta. Los niveles de
corriente (figura 12.10.a) y transitorios tensión y corriente de disparo en la
de tensión (figura 12.10.b) evitan este puerta deben tener un rango de
indeseado disparo. Básicamente son valores comprendidos dentro de una
filtros basados en RC o inducciones zona de disparo de seguridad. Si se
que eliminan esas señales espurias. sobrepasa ese límite puede no
dispararse el tiristor o puede
deteriorarse el dispositivo; por
ejemplo, para el 2N5060 la máxima
potencia eficaz que puede soportar la
puerta es PG (av)=0,01 W.
Gráficamente, en la figura 12.11 se
muestra la forma típica de esa zona
de seguridad de disparo del SCR
TF521S de Sanken Electric;
Figura 12.10. Circuitos de protección contra obsérvese la su elevada dependencia
transitorios de a) tensión y b) intensidad. con la temperatura. Este tiristor
soporta corrientes de hasta IT
Activación o disparo y bloqueo de los
(rms)=5 A y la corriente máxima de
tiristores
disparo es IGT (max)=15mA a 25ºC
El tiristor es un dispositivo de estado para una VGT (max)=2.5 V. Otro
sólido que su modo de operación ejemplo es el C701 de SPCO capaz
emula a un relé. En estado de de soportar 1300A con una corriente
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IGT=500mA. Además, el disparo active el tiristor. Generalmente se
debe tener una duración dependiente elimina este problema utilizando
del tiristor con valores típicos de circuitos de protección basados en R,
1µseg para que resulte eficaz. El C o L (figuras 12.10.a y 12.10.b).
tiempo de conexión o de activación Valores típicos de dv/dt están
es el tiempo que tarda en conducir el comprendidos entre 5V/µseg a
tiristor desde que se ha producido el 500V/µseg.
disparo. Los valores típicos de
tiristores comerciales están alrededor
de 1 a 3µseg, aunque para
aplicaciones especiales como son los
moduladores de impulsos de radar se
fabrican tiristores con valores por
debajo de 100nseg.
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circuitos de disparo por impulso están corriente de carga a un circuito
basados generalmente en un paralelo, es decir, cortocircuitando el
transformador de acoplo que dispositivo.
transmite el pulso de disparo (figura
12.12.c). Este transformador permite b) Corte por polarización inversa. Una
el aislamiento eléctrico entre el tiristor tensión inversa ánodo-cátodo tenderá
y el circuito de control y precisa a interrumpir la corriente del ánodo.
menor potencia de disparo. Sin La tensión se invierte en un
embargo, son más voluminosos semiperiodo de un circuito de alterna,
debido al tamaño del transformador y por lo que un tiristor conectado a la
suelen ser sustituidos por opto- línea tendrá una tensión inversa en
acopladores luminosos. Por último, un semiperiodo y se cortará. Esto se
los circuitos de disparo en alterna llama conmutación por fase o
están diseñados para sincronizar la conmutación de línea alterna.
fase entre el suministro en alterna y el
c) Corte por puerta. Algunos tiristores
disparo que permita la regulación en
especialmente diseñados, como los
potencia (figura 12.12.d). Debido a la
GTO, se bloquean con una corriente
importancia de este último tipo de
de puerta negativa.
disparo, se va a dedicar un apartado
completo a su estudio. El tiempo de conmutación en corte es
el tiempo que tarda en bloquearse un
Bloqueo de un tiristor
tiristor. Con conmutación natural su
La conmutación en corte o bloqueo valor está comprendido entre 1 a
es el proceso de poner en estado de 10µseg, mientras que conmutación
corte al tiristor que puede realizarse forzada puede ser de 0.7 a 2µseg.
de tres formas: conmutación natural, Sin embargo, existen gran variedad
polarización inversa o conmutación de tiristores diseñados para tener
por puerta. tiempos de conmutación muy bajos.
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reguladores de luz, control de caída de tensión en el SR (VAK~0V).
velocidad de motores, etc. En esas condiciones, VS=VL
+VAKVVS.
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suficientemente intensa, el SCR se su símbolo y la figura 12.18.b su
dispara y permanece en conducción modelo equivalente basado en dos
aunque desaparezca esa luz. En la SCR conectados en oposición.
figura 12.15.a se muestra su símbolo
y en la figura 12.15.b aparece una
aplicación sencilla del foto-SCR con
una resistencia ajustable que controla
la intensidad de luz incidente de
disparo.
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Figura 12.20. Esquema de un opto-acoplador
TRIAC para activar un TRIAC de mayor
potencia.
DIAC
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observarse de su característica, que siguiente tabla contiene valores
la zona de resistencia negativa típicos del DIAC ST-2:
comienza al superarse la tensión de
ruptura y luego permanece
permanentemente en esta zona, por
lo que no existe un punto de valle. La
BIBLIOGRAFÍA
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