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ENGENHARIA ELÉTRICA

EMERSON SIMONATO DE OLIVEIRA- 226492014

PORTFÓLIO 01
ELETRÔNICA ANALÓGICA

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Guarulhos
2015
EMERSON SIMONATO DE OLIVEIRA

PORTFÓLIO 01
ELETRÔNICA ANALÓGICA

Trabalho apresentado ao Curso Engenharia

Elétrica da Faculdade ENIAC para a disciplina
Eletrônica Analógica.

Prof. MARCOS JOSE PINSON

Guarulhos
2015
1

𝑽 𝟏𝟐
A linha intersecta em 𝑰𝒅 = 𝑹 = 𝟕𝟓𝟎 = 𝟏𝟔𝒎𝑨 e V = 12V portanto Vd real ≈
0,85V

a) Utilizando a curva caracteristica da figura 2.1.5.2(b), determine Id, Vd e

Vr para o circuito da figura 2.1.5.2(a).
𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 12 − 0,85 = 11,15𝑉
𝑉𝑑 = 0,85𝑉
𝑉 11,15
𝐼𝑑 = = = 14,86𝑚𝐴
𝑅 750

b) Repita o item (a) utilizando o modelo aproximado do diodo e compare

os resultados.
𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 12 − 0,7 = 11,3𝑉
𝑉𝑑 = 0,7𝑉
𝑉 11,3
𝐼𝑑 = = = 15,06𝑚𝐴
𝑅 750

c) Repita o item(a) utilizando o modelo ideal do diodo e compare os

resultados.

𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 12 − 0 = 12𝑉
𝑉𝑑 = 0𝑉
 𝑉 12
𝐼𝑑 = = = 16𝑚𝐴
𝑅 750
2

𝑽 𝟔
a)A linha intersecta em 𝑰𝒅 = 𝑹 = 𝟐𝟎𝟎 = 𝟑𝟎𝒎𝑨 e V = 6V portanto Vd real ≈ 1V
𝑽 𝟔
b)A linha intersecta em 𝑰𝒅 = 𝑹 = 𝟒𝟕𝟎 = 𝟏𝟐𝒎𝑨 e V = 6V portanto Vd real ≈
0,82V
𝑽 𝟔
c)A linha intersecta em 𝑰𝒅 = 𝑹 = 𝟔𝟖𝟎 = 𝟖𝒎𝑨 e V = 6V portanto Vd real ≈ 0,8V

a) Utilizando a curva característica da figura 2.152(b), determine Id e Vd

para o circuito da figura 2.153.
𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 6 − 1 = 5𝑉
𝑉𝑑 = 1𝑉
𝑉 5
𝐼𝑑 = = = 25𝑚𝐴
𝑅 200

b) Repita o item (a) com R=0,47kΩ

𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 6 − 0,82 = 5,18𝑉
𝑉𝑑 = 0,82𝑉
𝑉 5,18
𝐼𝑑 = = = 11𝑚𝐴
𝑅 470

c) Repita o item (a) com R=0,68kΩ

𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 6 − 0,8 = 5,2𝑉
𝑉𝑑 = 0,8𝑉
𝑉 5,18
𝐼𝑑 = = = 7,61𝑚𝐴
𝑅 680

d)O valor de Vd é relativamente próximo a 0,7V em cada caso? Compare

os valores resultantes de Id e comente-os.
Sim. Conforme a alternancia nos valores da queda de tensão no diodo e
da variação da fonte a corrente varia.
4

𝑽 𝟑𝟎
A linha intersecta em 𝑰𝒅 = 𝑹 = 𝟏𝟓𝟎𝟎 = 𝟐𝟎𝒎𝑨 e V = 30V portanto Vd real ≈
0,95V

a) Utilizando as curvas características aproximadas do diodo de Si,

determine o valor de Vd, Id e Vr para o circuito da figura 2.154
𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 30 − 0,95 = 29,05𝑉
𝑉𝑑 = 0,95𝑉
𝑉 29,05
𝐼𝑑 = = = 19,36𝑚𝐴
𝑅 1500

b) Faça a mesma análise do item (a) utilizando o modelo ideal do diodo.

𝑉𝑟 = 𝑉 − 𝑉𝑑 = 30 − 0 = 30𝑉
𝑉𝑑 = 0𝑉
𝑉 30
𝐼𝑑 = = = 20𝑚𝐴
𝑅 1500

c) Os resultados obtidos nos itens (a) e (b) sugerem que o modelo ideal
pode fornecer uma boa aproximação para a resposta ideal sob
determinadas condições?

Sim. Dependendo da curva caracteristica ele pode fornecer uma boa

aproximação.

7. Determine o nível de Vo para cada circuito da figura 2.157

𝑉𝑑𝑆𝑖 = 0,7𝑉
𝑉𝑑𝐺𝑒 = 0,3𝑉

𝑉 12 − 0,7 − 0,3
𝑉𝑜 = 𝑅 ∗ 𝐼 = 𝑅 ∗ = 10000 ∗ = 9,17𝑉
𝑅 12000
9. Determine Vo1 e Vo2 para os circuitos da figura 2.159

𝑉𝑜1 = 𝐸 − 𝑉𝑑𝑆𝑖 = 12 − 0,7 = 11,3𝑉

𝑉𝑜2 = 𝑉𝑑𝐺𝑎𝐴𝑠 = 1,2𝑉

𝑉𝑜1 = 0𝑉
𝑉𝑜2 = 0𝑉

12. Determine Vo1, Vo2 e I para o circuito da figura 2.162

𝑉𝑑𝑆𝑖 = 0,7𝑉
𝑉𝑜1 = 0,7𝑉
𝑉𝑜2 = 0,7𝑉

20 − 0,7 0,7 − 0,7

𝐼 = 𝐼𝑅1 − 𝐼𝑅2 = − = 0,0193 − 0 = 19,3𝑚𝐴
1000 470
13. Determine Vo e Id para o circuito da Figura 2.163

9,3 8,8
+
𝑉𝑜 = 𝑅 ∗ 𝐼 = 2000 ∗ 3000 3000 = 6,03𝑉
2
𝑉 10 − 6,03 − 0,7
𝐼𝐷 = = = 1,635𝑚𝐴
𝑅 2000

19. Determine Vo para a porta AND de lógica negativa da Figura 2.165

𝑉𝑜1 = 𝐸 + 𝐸 − 𝑉𝑑𝑆𝑖 = −5 + 5 − 0,7 = −0,7𝑉

20. Determine o valor de Vo para a porta da Figura 2.166

𝑉𝑜 = 10𝑉
21. Determine Vo para a configuração da Figura 2.167

𝑉𝑜1 = 𝐸 − 𝑉𝑑𝐺𝑒 = 5 − 0,3 = 4,7𝑉