Circuitos de Disparo de Tiristores Usando Circuitos Integrados UJT y PUT.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECANICA
RESUMEN
En el presente laboratorio se analizará el comportamiento del tiristor desde su

activación hasta el momento en que esté quede inactivo, el disparo del tiristor
usando los circuitos integrados son muy usados en la actualidad, pues no
representa pérdidas en los dispositivos a comparación de los relés y
contactores los cuales si sufren algún tipo de desgaste.
Para los dos circuitos, el tiristor se dispara cuando el valor de sus resistencias
tienen un valor específico, al igual que el valor del condensador, todo esto cuando
la entrada de la fuente de alimentación está en el rango de 20 a 30 volts.
Este circuito alimentará el circuito de disparo, y se encargará de disparar el tiristor
cuando aumentamos el valor del condensador para los dos casos.
1
ÍNDICE
N° pag.
RESUMEN ...................................................................................................... 1
I. OBJETIVOS ......................................................................................... 3
II. MATERIALES Y PROCEDIMIENTO ..................................................... 4
IV. CÁLCULO TEÓRICO Y CONDICIONES DE DISEÑO ......................... 7
V. CUESTIONARIO ................................................................................. 11
VI. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES............................................. 24
VII. HOJA DE DATOS................................................................................ 25
IX. BIBLIOGRAFÍA.................................................................................... 26
2
OBJETIVOS
 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y

PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.
3
MATERIALES Y PROCEDIMIENTO
 Osciloscopio digital
 Multímetro digital
 01 tiristor 2N3669o su equivalente
 01 PROTOBOARD
 01 foco o motor monofásico
 Condensadores electrolíticos de 0.22, 0.5, 1, 5, 10, 30 y 50uF a 50V
 Resistencias cuyos valores determinó en el diseño
 01 potenciómetro de 100K para 2W
Fig1: Multímetro
Fig2: Osciloscopio
4
Procedimiento
Primera Parte: UJT
1. Se diseñó e implementó el circuito de disparo de la figura
SW1 CARGA
20V
o
2.2K
2
RB2
220V Rp
1
60Hz
2N4870
C T
RB1
2. Consideramos que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar

potencias de 2W o más.
3. Para C=0.22uF se cerró el interruptor SW1 y anotó lo que ocurrió, luego
cierramos el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variamos RP,
observamos y anotamos.
4. Cambiamos el valor de C por los demás y repetimos el paso 3.
5. Para los pasos 3 y 4 colocamos el osciloscopio entre los terminales del
condensador y luego observamos la forma de onda en el osciloscopio.
5
Segunda Parte: PUT 2N6027
1. Diseñamos e implementamos el circuito de la figura:
SW1 CARGA
20V
o
2.2K
2
Rp R1
220V
1
60Hz
R2
C
T
Rs
2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.
A continuación una imagen con el circuito PUT realizado en laboratorio:
6
CALCULO TEÓRICO Y CONDICIONES DE DISEÑO(1)
 Disparo con UJT
DATOS TÉCNICOS DEL UJT 2N4870

n Ip (uA) Vv (v) Iv (mA) tg (us)
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
0.655 10 3.5 10 50
COMPROBACION DE R
C (uF) (Vs-Vv)/Iv R=2.2k+Rp (Vs-Vp)/Ip verificación
(Kohm) (Kohm) (Kohm)
0.22 1.65 71.18 640 ok
0.47 1.65 33.32 640 ok
0.82 1.65 19.09 640 ok
4.7 1.65 3.33 640 ok
8.2 1.65 1.90 640 X
33 1.65 0.47 640 X
47 1.65 0.33 640 X
MEDICIONES
Vs (v) f (Hz) C (uF) Vp (v)
20 60 0.22 13.6
20 60 0.47 13.6
20 60 0.82 13.6
20 60 4.7 13.6
20 60 8.2 13.6
20 60 33 13.6
20 60 47 13.6
7
COMPORTAMIENTO DE R1 COMPORTAMIENTO DE R2
C R1 R1 Verificación R2 teórico R2 verificación
(uF) teórico(Ohm) (Ohm) (Ohm) (Ohm)
0.22 <100 227.27 X >100 763.36 ok
0.47 <101 106.38 X >101 763.36 ok
0.82 <100 60.98 ok >102 763.36 ok
4.7 <100 10.64 ok >103 763.36 ok
8.2 <100 6.10 ok >104 763.36 ok
33 <100 1.52 ok >105 763.36 ok
47 <100 1.06 ok >106 763.36 ok
 Disparo con PUT
DATOS TECNICOS DE PUT

2N6027
IG Vp tg
(mA) (v) (us)
50 10 50
50 10 50
50 10 50
50 10 50
50 10 50
50 10 50
50 10 50
MEDICIONES
Vs f C
(v) (Hz) (uF)
20 60 0.22
20 60 0.47
20 60 0.82
20 60 4.7
20 60 8.2
20 60 33
20 60 47
8
COMPORTAMIENTO TEÓRICO DEL PUT

C (uF) Rs R=2.2k+Rp RG R1 R2 Rp
(Ohm) (KOhm) (KOhm) (Ohm) (Ohm) (Kohm)
0.22 227.27 109.30 0.2 400 400 107.10
0.47 106.38 51.16 0.2 400 400 48.96
0.82 60.98 29.32 0.2 400 400 27.12
4.7 10.64 5.12 0.2 400 400 2.92
8.2 6.10 2.93 0.2 400 400 0.73
33 1.52 0.73 0.2 400 400 ----
47 1.06 0.51 0.2 400 400 ----
RESULTADOS EXPERIMENTALES1
 Disparo con UJT
DISPARO CON UJT (lámpara encendida)

C Vp Vs R1 R2 Rp t1 t1
(uF) (v) (v) (ohm) (ohm) (kohm) (ms) teórico(ms)
0.22 14.2 20 50 658 65 12 14.784
1 13.8 20 50 658 14.6 14.6 16.8
4.7 14.5 20 50 658 1.75 17.9 18.565
10 14.6 20 50 658 0.25 25.5 24.5
33 16 20 50 658 0.18 85.9 78.54
47 15.2 20 50 658 0.2 128 112.8
DISPARO CON UJT (lámpara apagada)

C Vp Vs R1 R2 Rp t1 t1 teórico
(uF) (v) (v) (ohm) (ohm) (kohm) (ms) (ms)
0.22 17 20 50 658 219 37.9 48.664
1 16.5 20 50 658 151.6 145 153.8
4.7 11.5 20 50 658 62.7 550 305.03
10 14 20 50 658 20.47 260 226.7
33 12.5 20 50 658 25.79 950 923.67
47 12 20 50 658 60.92 3 2966.64
1
En las mediciones con lámpara encendida, se trató de hacer las conexiones con los valores de diseño.
Mientras que en la lámpara apagada, se buscó la resistencia Rp más baja que no permita encender al
foco.
9
 Disparo con PUT
DISPARO CON PUT (lámpara encendida)

C Vp Vs R1 R2 Rs Rp t1 t1 teórico
(uF) (v) (v) (kohm) (ohm) (ohm) (kohm) (ms) (ms)
0.22 16.3 20 1.18 500 230 188.85 42.031
1 17.5 20 1.18 500 110.2 40.66 12.9 42.86
4.7 17 20 1.18 500 69.3 24.05 32 123.375
10 12 20 1.18 500 11.2 2.54 38 47.4
33 17 20 1.18 500 1.5 1.61 6 125.73
47 16.8 20 1.18 500 0.9 0.86 2.9 143.82
DISPARO CON PUT (lámpara apagada)

C Vp Vs R1 R2 Rs Rp t1 t1 teórico
(uF) (v) (v) (kohm) (ohm) (ohm) (kohm) (ms) (ms)
0.22 14 20 1.18 500 230 248.6 38 55.176
1 13 20 1.18 500 110.2 80.6 76.7 82.8
4.7 12.5 20 1.18 500 69.3 24.8 116 126.9
10 11.6 20 1.18 500 11.2 22.2 217 244
33 11.2 20 1.18 500 1.5 14.87 589.9 563.31
47 12.8 20 1.18 500 0.9 15.8 815 846
10
CUESTIONARIO
1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado.
a. TR AN SI S TO R UJ T
El transistor UJT, es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Está
formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que
se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, conocido como razón de resistencias o factor
intrínseco.
a. 1. Curva Cara ct erí sti ca
Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje
sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de
modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la
resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región
se llama región de resistencia negativa. Este es un proceso con realimentación
positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar.
En la figura, se muestra el
comportamiento de la curva de un
UJT. nos indica la tensión pico que
hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del
UJT, una vez superada esta tensión,
la corriente del emisor aumenta (se
hace mayor que ), provocándose el
descebado del UJT.
11
a. 2. Ci rcui to de Di sp aro
Las condiciones de diseño para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son
muy rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100Ω. En algunas
aplicaciones su valor podrá valer entre 2000 y 3000Ω. El resistor RE debe tener un valor
comprendido entre 3 KΩ y 3 MΩ, para permitir que el circuito oscile. Si es muy grande,
es posible que no llegue a la tensión de disparo. Si es muy chico, el UJT se dispara pero
luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse.
Nota:
 Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe

haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
 Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es
de material tipo P. Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se
comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al
revés. Es muy poco usado.
12
b. TR AN SI S TO R PU T
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (PNPN) cuyo funcionamiento es similar al

del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido
a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos,
pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que
permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
b. 1. Funci onami ento
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción.

El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces,
se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente
menor a la corriente de sostenimiento.
Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo
se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la
conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el
PUT es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene
desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina
el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de
alimentación, pero en un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo
RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se
conservara en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta
más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se activará.
La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente
en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB.
b. 2. Cur va Cara cterí sti ca
Mientras la tensión no alcance el valor , el PUT estará abierto, por lo cual los
niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel , el dispositivo
entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo
de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su estado de bloqueo,
es necesario que el nivel de voltaje caiga lo suficiente para reducir la corriente por
debajo de un valor de mantenimiento .
13
En la figura, se muestra el comportamiento de la curva de un PUT. nos indica la
tensión pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del
PUT, similar al funcionamiento del UJT.
b. 3. Ci rcui to de Di sp aro
Consideraciones de diseño:
Nota:
 A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores
de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son
controlados por la terminal G.
 La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias:
RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas
resistencias están en el exterior y pueden modificarse.
 Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es más débil que en el UJT y la
tensión mínima de funcionamiento es menor en el PUT.
14
2. El informe debe contener todos los datos técnicos del UJT y PUT,
valores de los componentes utilizados, así como los gráficos
obtenidos en la experiencia.
CIRCUITO CON EL UJT

 Valores de diseño de R1 y R2:
C (uF) R1 (Ohm) R2 (Ohm)
0.22 227.27 763.36
0.47 106.38 763.36
0.82 60.98 763.36
4.7 10.64 763.36
8.2 6.10 763.36
33 1.52 763.36
47 1.06 763.36
 Datos técnicos del UJT 2N4870:
15
CIRCUITO CON EL PUT
 Valores de diseño de R1 y R2:
COMPORTAMIENTO TEÓRICO DEL PUT

C (uF) Rs R=2.2k+Rp RG R1 R2 Rp
(Ohm) (KOhm) (KOhm) (Ohm) (Ohm) (Kohm)
0.22 227.27 109.30 0.2 400 400 107.10
0.47 106.38 51.16 0.2 400 400 48.96
0.82 60.98 29.32 0.2 400 400 27.12
4.7 10.64 5.12 0.2 400 400 2.92
8.2 6.10 2.93 0.2 400 400 0.73
33 1.52 0.73 0.2 400 400 ----
47 1.06 0.51 0.2 400 400 ----
16
IMÁGENES OBTENIDAS DE LA EXPERIENCIA
a) Gráfico del comportamiento del condensador para C=4.7 uF en el circuito UJT
b) Gráfico del comportamiento del condensador para C=0.47 uF en el circuito UJT
17
c) Gráfico del comportamiento del condensador para C=0.22 uF en el circuito UJT
d) Gráfico del comportamiento del condensador para C=33 uF en el circuito UJT
18
e) Gráfico del comportamiento del condensador para C=1 uF en el circuito PUT
f) Gráfico del comportamiento del condensador para C=33 uF en el circuito PUT
19
g) Gráfico del comportamiento del condensador para C=10 uF en el circuito PUT
h) Gráfico del comportamiento del condensador para C=4.7 uF en el circuito PUT
20
3. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos

circuitos?
Lo que sucede en ambos circuitos al aumentar el valor de C en cada circuito de

disparo del tiristor es que conforme va aumentando, la carga o foco va disminuyendo
su luminosidad. Por ende al aumentar demasiado el valor de C, el foco tiende a
apagarse. Esto se puede observar de una mejor manera en las imágenes generadas
en el osciloscopio.
4. Según su opinión, cuál de los circuitos integrados de disparo es el

recomendable. ¿Por qué?
De un modo u otro el circuito más sencillo de diseñar es el circuito de disparo con el

UJT, ya que se da el uso de una menor cantidad de resistencias y es de una forma
más económica si se van a realizar circuitos de disparo en cantidad. Pero por otro lado
el dispositivo UJT 2N4870 no fue tan fácil de poder encontrar y su precio es
relativamente alto comparado con los demás componentes.
La principal diferencia entre el UJT y el PUT es que las resistencias RB1 y RB2 son
resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas resistencias son
externas y por tanto pueden modificarse, además que la tensión mínima de
funcionamiento es menor en el PUT.
Así que dependiendo la circunstancia se podrá usar uno u otro circuito integrado para
el disparo del tiristor.
21
5. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera

que cambios se podrían hacer para mejorarlo.
En realidad las dificultades estuvieron en realizar las conexiones en el circuito de

disparo con el PUT, ya que las resistencias que se hallaron en el diseño no se podían
colocar en el circuito de otro modo que realizando conexiones en serie de varias
resistencias de varios valores, para que el ensayo se realice con éxito.
Un cambio que se pudo haber realizado es el cambio de entrada de fuente, se pudo

haber elegido otro valor de entrada de voltaje en el circuito de disparo ya que la fuente
a usar, es una fuente regulada y de algún modo es más fácil de determinar.
Justamente, en nuestro caso tuvimos que regular otro valor de entrada, que estaba en
el rango de 20 a 30 volts. Esto lo vimos conveniente según ciertos valores de
operación en el datasheet del UJT y PUT, siendo así el disparo del tiristor de una
forma más clara.
Otro problema que se tuvo era que el UJT era muy sensible al realizar un circuito de
potencia. Uno tenía que ser muy cuidadoso a la hora de realizar el diseño del circuito
de disparo del tiristor, ser cuidados especialmente en los parámetros a usar como por
ejemplo el voltaje de entrada, era mejor regularla a otro valor más preciso y que no
dañe el transistor UJT.
22
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
OBSERVACIONES:
 Se apreció tanto para el circuito de disparo con el UJT y el PUT, que a

medida que se incrementaba la resistencia Rp (para cada valor de
capacitancia) , ocasionaba un mayor tiempo de carga en el condensador
(se aprecia en los gráficos).
 A medida que se incrementaba el valor de la capacitancia, la resistencia
Rp tenía menor rango en el cual el foco se mantenía encendido.
 Cuando se redujo el valor de Rp a valores bajos, la onda de carga y
descarga del condensador llegaba a frecuencias altas. La onda señalada
era similar a la del riso de corriente continua obtenida al rectificar corriente
alterna. (para ambos circuitos).
 La principal diferencia entre el UJT y el PUT es que las resistencias RB1
y RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas
resistencias son externas y por tanto pueden modificarse, además que la
tensión mínima de funcionamiento es menor en el PUT.
CONCLUSIONES:
 Los valores calculados teóricamente (para el funcionamiento del foco) y

bajo las condiciones de diseño, si bien es cierto no son iguales a las
obtenidas experimentalmente, pero si guardan cierto grado de
aproximación y sobre todo el comportamiento físico resulto acorde a la
teoría.
 Es muy importante obtener valores de referencia ya que permiten
estimar los valores óptimos de componentes.
 Si se pudo controlar la potencia de salida del foco desde valores
pequeños (oscilaciones muy lentas), hasta valores altos.
 Estos circuitos son importantes para poder controlar el comportamiento
de la carga según se necesite. El control puede ser automatizado y de
esta forma mejorar el aprovechamiento de energía.
 El condensador es de suma importancia para estos circuitos, gracias a la
manipulación del Tao (‫ )ז‬se puede hacer un control a la activación del
tiristor.
 Con pequeñas corrientes (circuito de control), se puede controlar
circuitos de potencias elevadas, y lo mejor de todo se puede controlar el
disparo a nuestro gusto; claro que bajo ciertas restricciones y
recomendaciones.
23
BIBLIOGRAFÍA
 Apuntes de clase del profesor del curso
 Electrónica de potencia – Mohammed H.Rashid
 https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-dispositivos-de-
disparo-ujt-y-put.pdf
 http://unicrom.com/put-caracteristicas-oscilador/
 http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES%203.pdf
24

Circuitos de Disparo de Tiristores Usando Circuitos Integrados UJT y PUT.

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FACULTAD DE INGENIERÍA MECANICA

En el presente laboratorio se analizará el comportamiento del tiristor desde su

 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y

Primera Parte: UJT

1. Se diseñó e implementó el circuito de disparo de la figura

2. Consideramos que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar

Segunda Parte: PUT 2N6027

1. Diseñamos e implementamos el circuito de la figura:

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.

A continuación una imagen con el circuito PUT realizado en laboratorio:

CALCULO TEÓRICO Y CONDICIONES DE DISEÑO(1)

 Disparo con UJT

DATOS TÉCNICOS DEL UJT 2N4870

 Disparo con PUT

DATOS TECNICOS DE PUT

COMPORTAMIENTO TEÓRICO DEL PUT

DISPARO CON UJT (lámpara encendida)

DISPARO CON UJT (lámpara apagada)

 Disparo con PUT

DISPARO CON PUT (lámpara encendida)

DISPARO CON PUT (lámpara apagada)

1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado.

El transistor UJT, es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras.

a. 1. Curva Cara ct erí sti ca

 Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (PNPN) cuyo funcionamiento es similar al

b. 1. Funci onami ento

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción.

b. 2. Cur va Cara cterí sti ca

CIRCUITO CON EL UJT

 Datos técnicos del UJT 2N4870:

CIRCUITO CON EL PUT

 Valores de diseño de R1 y R2:

COMPORTAMIENTO TEÓRICO DEL PUT

IMÁGENES OBTENIDAS DE LA EXPERIENCIA

a) Gráfico del comportamiento del condensador para C=4.7 uF en el circuito UJT

b) Gráfico del comportamiento del condensador para C=0.47 uF en el circuito UJT

c) Gráfico del comportamiento del condensador para C=0.22 uF en el circuito UJT

d) Gráfico del comportamiento del condensador para C=33 uF en el circuito UJT

e) Gráfico del comportamiento del condensador para C=1 uF en el circuito PUT

f) Gráfico del comportamiento del condensador para C=33 uF en el circuito PUT

g) Gráfico del comportamiento del condensador para C=10 uF en el circuito PUT

h) Gráfico del comportamiento del condensador para C=4.7 uF en el circuito PUT

3. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos

Lo que sucede en ambos circuitos al aumentar el valor de C en cada circuito de

4. Según su opinión, cuál de los circuitos integrados de disparo es el

De un modo u otro el circuito más sencillo de diseñar es el circuito de disparo con el

5. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera

En realidad las dificultades estuvieron en realizar las conexiones en el circuito de

Un cambio que se pudo haber realizado es el cambio de entrada de fuente, se pudo

 Se apreció tanto para el circuito de disparo con el UJT y el PUT, que a

 Los valores calculados teóricamente (para el funcionamiento del foco) y

 Apuntes de clase del profesor del curso

 Electrónica de potencia – Mohammed H.Rashid

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