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Componentes Principales
Tiristores
2. Componentes Principales
2.3. Tiristores
Introducción
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas de
semiconductores npn, cuya estructura y símbolo se describen en las ilustraciones 1.a y 1.b.
Ilustración 1 Diodo de cuatro capas: a) Estructura, b) Símbolo, c) Estructura equivalente, d) Modelo de construcción.
Al aplicar un tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión J1 y J3 está
polarizada en directa, y la unión J2 polarizada en inversa. En estas condiciones únicamente
circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado.
2.3.1.1. Funcionamiento
Realimentación Positiva
El circuito es estable en cualquiera de los dos estados: interruptor abierto o cerrado como se
observa en la ilustración 3.b e ilustración 3.c permaneciendo en uno de ellos indefinidamente.
Si el interruptor se cierra, se mantendrá cerrado hasta que algo cause que las corrientes
disminuyan. Si está abierto, persistirá así hasta que también algo obligue a las corrientes a
aumentar. Debido a que el circuito puede permanecer en cualquiera de ambos estado
indefinidamente, se denomina latch (que significa pestillo)
Puesto que no hay corriente a través de la resistencia de carga, la tensión de salida es igual a la
tensión de la fuente, lo que indica que el punto de funcionamiento está en el extremo inferior
de la recta de carga (ilustración 3.d).
La única forma de cerrar el latch de la ilustración 3.b es mediante una tensión de cebado. Esto
significa utilizar una tensión de alimentación Vcc suficientemente grande como para llevar a
ruptura el diodo colector de Q1. Como la corriente de colector de Q1 aumenta la corriente de
base de Q2, empezará la realimentación positiva. Este hecho lleva a ambos transistores a
saturación, como se describió previamente. Cuando están saturados, de forma ideal, como
cortocircuito y el latch está cerrado. Idealmente el latch tiene una tensión nula a través de él
cuando está cerrado y el punto de funcionamiento está en el extremo superior de la recta de
carga (ilustración 3 d).
Función de Transferencia
Cuando el dispositivo está en corte tiene corriente cero. Si la tensión trata de exceder VB, el
diodo de cuatro capas entra en saturación y su punto de trabajo se desplaza rápidamente por la
línea a trazos hasta la zona de conducción. Cuando el diodo está en saturación, funciona sobre
la línea superior. A medida que la corriente que circula a través de él es mayor que la corriente
de mantenimiento IH, el diodo permanece en estado de conducción. Si la corriente trata de
disminuir a un valor menor que IH, el dispositivo conmuta a la zona de no conducción.
La aproximación ideal de un diodo de cuatro capas es un interruptor abierto cuando no conduce
y un interruptor cerrado cuando lo hace. La segunda aproximación incluye la tensión de codo
VK, próxima a 0.7 V, que se observa en la ilustración 4.
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Componentes Principales
a) Construcción
b) Funcionamiento
En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la
línea G se produce la conducción de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser
necesario alcanzar la VBO.
Lailustración 8 permite ver claramente como las características del SCR varían con la corriente
de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores. Si se busca establecer
una conducción directa, el ánodo deberá ser positivo con respecto al cátodo. Sin embargo, esta
no es una condición suficiente para encender el dispositivo. También deberá aplicarse un pulso
de magnitud suficiente a la compuerta para establecer una corriente de compuerta de
encendido, representada simbólicamente por IG. Además del disparo en la compuerta. Los SCR
pueden también encenderse al elevar de manera importante la temperatura del dispositivo, o al
elevar el valor del ánodo al cátodo hasta el valor de transmisión conductiva que se muestra en
las características de la ilustración 8.
Un SCR tiene una tensión de puerta V G y cuando esta tensión está en la proximidad de
0.7, el SCR se cebará. Cuando una resistencia se conecta en la puerta, se puede calcular
la tensión de entrada necesaria para disparar el SCR mediante esta ecuación:
𝑉𝑒𝑛 = 𝑉𝑇 + 𝐼𝑇 𝑅𝐺
Tensión de bloqueo
La mayoría de los SCR están diseñados para cebarse mediante un disparo y abrirse reduciendo
la corriente. En otras palabras, un SCR permanece abierto hasta que un disparo excita su
puerta. Entonces el SCR se ceba y permanece cerrado incluso cuando el disparo desaparezca.
La única forma de abrir un SCR es usando el bloqueo por disminución de corriente hasta un
valor menor que la corriente de mantenimiento IH que también aparece en la hoja de
características del dispositivo.
1. El voltaje de Cebado: es el voltaje por encima del cual el SCR ingresa a la región de
conducción.
2. Corriente de Mantenimiento(𝐼𝐻 ): es aquel valor de corriente por debajo del cual el SCR
conmuta del estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las condiciones
establecidas.
3. Tiempo de conducción (Turn-on Time): tiempo de duración mínima de la tensión de
disparo para pasar el SCR de bloqueo a conducción. Este tiempo tiene dos
componentes: TON= td + tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time) y tr el tiempo
de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el TON=td+tr=3Ns+0.2Ns=3.2Ns.
4. Tiempo de corte (Turn-off Time): tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de
las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF=tq de 10Ns .
5. Máxima corriente de conducción. Máxima corriente eficaz que puede circular por el
SCR durante el estado de conducción. Para el 2N5060, la ITrms=0.8A.
6. Velocidad critica de elevación. Variaciones muy rápidas de tensión entre el ánodo y
cátodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar este problema, la
variación de tensión ánodo-cátodo no debe superar un valor conocido como velocidad
critica de elevación (dv/dt); si se supera este valor además de producir el disparo puede
llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un dv/dt=30V/Ns. A veces
transitorios en las líneas de alimentación pueden originar problemas de comportamiento
del SCR al ser superado su velocidad crítica de elevación.
b) Aplicaciones
El SCR es el tiristor que más se usa. Puede conmutar corrientes muy elevadas y, por ello, se
emplea en control de motores, hornos, sistemas de aire acondicionado y calentadores de
inducción.
Algunas de las muchas aéreas de aplicación de los SCR incluyen controles de relevador,
circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,
controladores de motores, recortadores, inversores, ciclo-convertidores, cargadores de baterías,
circuitos de protección, controladores de calefacción y controles de fase.
i. Interruptor
Una de las aplicaciones más importantes del SCR es la protección de cargas delicadas y
caras contra sobretensiones de la fuente de alimentación.
Suponga ahora que la tensión de la fuente aumenta por alguna razón, para cuando VCC sea
demasiado grande de tal forma que el diodo Zener conduzca, aparecerá una tensión en los
terminales de R. Si la tensión de R es mayor que la tensión de disparo del SCR
(generalmente 0.7V), el SCR se cebara y conducirá fuertemente.
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Esta acción es similar a cortocircuitar los terminales de la carga. Debido a que el SCR
entra en conducción muy rápido (1µ para el 2N4441) la carga se protege rápidamente
contra daños ocasionados por una sobretensión. La sobretensión que dispara el SCR es:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝐺𝑇
Por consiguiente, antes de que se destruyan circuitos integrados caros, podemos utilizar un
interruptor SCR para cortocircuitar los terminales de carga a la primera señal de
sobretensión. Las fuentes de alimentación con interruptor SCR necesitan un fusible o un
limitador de corriente para evitar daños en la fuente.
Nótese que se está usando un diodo normal, no un diodo zener. Este diodo compensa las
variaciones debidas a la temperatura del diodo base-emisor. El ajuste de disparo nos
permite establecer el punto de disparo del circuito, típicamente un 10 o 15 por 100 por
encima de la tensión normal.
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Componentes Principales
En la ilustración se observa a un foto-SCR. Las flechas representan la luz incidente que pasa a
través de una ventana y alcanza las capas de deflexión. Cuando la luz es lo suficientemente
intensa, los electrones de valencia son desligados de sus orbitas y se convierten en electrones
libres. Cuando estos electrones libres circulan del colector de un transistor a la base del otro, se
inicia la realimentación positiva y el foto-SCR se cierra.
Después de que la luz de disparo ha cerrado el foto-SCR, éste permanece cerrado aunque
desaparezca la luz. Para una sensibilidad máxima a la luz, la puerta se deja abierta, como en la
ilustración13.a. Si se quiere un punto de conmutación ajustable, se puede incluir el ajusta de
disparo como en la ilustración 13.b.La resistencia de la puerta desvía algunos de los electrones
producidos por la luz y modifica la sensibilidad del circuito a la luz sensible.
El GCS es útil en contadores, circuitos digitales y otras aplicaciones en las cuales un disparo
negativo está disponible para bloquearlo.
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Componentes Principales
1.1 Construcción:
Ilustración 16 DIAC
1.2 Funcionamiento:
Cuando el ánodo 1 es positivo con respecto al ánodo 2, las capas de semiconductor de interés
particular serán p1n2p2 y n3. Para el caso cuando el ánodo 2 es positivo con respecto al ánodo 1,
las capas que son relevantes serán p 2n2p1 y n1. La figura 17 describe claramente el
comportamiento del DIAC.
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1.3 Aplicaciones
Una de las mayores aplicaciones, para las que se ha diseñado el diac, es para el disparo de otros
tiristores, triac mayormente.
2.3.4.2. TRIAC
a) Construcción
El TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las
condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquier dirección. En otras palabras,
para cualquier dirección la corriente de compuerta puede controlar la acción del dispositivo en
una forma muy similar a la demostrada para el SCR ya que este dispositivo actúa como dos
SCR en paralelo (Figura 18).
Ilustración 18 TRIAC
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b) Funcionamiento:
c) Aplicaciones
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor uniunión),
con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos
se obtienen los terminales base 2 (B2) y base 1 (B1). Esta barra de silicio consta de un grado de
dopado característico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (R BB).
En un punto determinado de la barra, más próximo a B2 que a Bl, se incrusta un material tipo P
para formar una unión P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal dé emisor (E).
Considerando el lugar de inserción del material tipo P, se obtiene un divisor de tensión sobre la
resistencia RBB original: el formado por las partes correspondientes de la barra N comprendidas
entre B2 y E y entre E y B1. A estas resistencias así obtenidas se las denomina 𝑅𝐵1 , y 𝑅𝐵2 ,
respectivamente. La relación existente entre ellas es de suma importancia, de manera que se
define el parámetro «η» como:
𝑅𝐵1 𝑅𝐵1
𝜂= =
𝑅𝐵𝐵 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
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El cual depende del proceso de fabricación, del grado de dopado, de la geometría del elemento,
etc. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de especificaciones.
El UJT tiene dos zonas de dopaje, como se muestra en la ilustración 22 (a). Cuando la tensión
de entrada es cero, el dispositivo no conduce. Si se incrementa la tensión de entrada por encima
de la tensión de mantenimiento (dada por la hoja de características), la resistencia entre la zona
p y la zona n inferior se hace muy pequeña, como se ve en la ilustración 22 (b). La ilustración
22 (c) es el símbolo eléctrico de un UJT.
𝑅𝐵1
𝑉𝐾 = 𝑉𝐵𝐵 = η ∗ 𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
Quedando, por tanto, la unión P-N polarizada en inverso y circulando una corriente inversa de
emisor. Conforme se aumenta la tensión V EE, disminuye la polarización inversa del diodo y,
consecuentemente, la corriente de emisor, hasta llegar a un punto en el que no circula corriente:
esta tensión VEE será de valor igual a VK.
A la tensión 𝑉𝐸𝐵1 correspondiente al cebado se la conoce como tensión de pico (Vp) y tiene
como valor
𝑉𝑃 = η ∗ 𝑉𝐵𝐵 + 0,7
De la expresión anterior se deduce que la tensión de cebado del UJT depende de la tensión de
alimentación (VBB), con lo que variando ésta conseguiremos igualmente variar la tensión de
pico. En la ilustración 24 se observa el punto de pico del UJT para una tensión V BB dada,
indicándose con línea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre
de zona de resistencia negativa.
El UJT fue popular durante un tiempo para hacer osciladores, temporizadores y otros circuitos.
Pero como se mencionó al principio, los amplificadores operacionales y los temporizadores en
CI (como el 555) han reemplazado al UJT en muchas aplicaciones.
Bibliografía
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.3.Tiristor.pdf
http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES%201.pdf
https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/04/el-tiristor.pdf
http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/potencia%20diplomado/tir.pdf
file:///C:/Documents%20and%20Settings/Usuario/Mis%20documentos/Downloads/Tema12
.pdf
Malvino, A. (1994). Principios de Electrónica. Madrid: McGraw Hill Latinoamericana.