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Universidad de Piura

Componentes Principales
Tiristores

Dr. Ing. César Chinguel Arrese


UNIVERSIDAD DE PIURA 2
Componentes Principales

2. Componentes Principales
2.3. Tiristores
Introducción

Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna para producir un


nuevo tipo de conmutación. Los tiristores más importantes son lo rectificadores controlados de
silicio (SCR) y el triac. Al igual que los transistores de campo, los tiristores pueden conmutar
grandes corrientes. Por ello, una de sus principales aplicaciones es controlar grandes corrientes
de carga de motores, calentadores, sistemas de iluminación y otras cargas semejantes.

2.3.1. Diodo de cuatro capas

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro capas de
semiconductores npn, cuya estructura y símbolo se describen en las ilustraciones 1.a y 1.b.

Ilustración 1 Diodo de cuatro capas: a) Estructura, b) Símbolo, c) Estructura equivalente, d) Modelo de construcción.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en separar su


estructura física en dos mitades (ilustración 1.c). La mitad izquierda es un transistor NPN y la
mitad derecha un PNP, resultando el circuito mostrado en la ilustración 1.d. que normalmente
es referido como candado.

Al aplicar un tensión positiva entre ánodo y cátodo se puede observar que la unión J1 y J3 está
polarizada en directa, y la unión J2 polarizada en inversa. En estas condiciones únicamente
circula una corriente muy baja (despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado.

2.3.1.1. Funcionamiento

Realimentación Positiva

Aumentando la tensión positiva (entre el ánodo y el cátodo) se llega a una tensión V BO de


ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la caída de tensión decrece de
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la misma manera. En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo al de


conducción.
Obsérvese que el transistor superior, Q1, es un dispositivo pnp, y el inferior, Q2, es un
dispositivo npn. El colector de Q1 excita la base de Q2, y el de Q2 lo hace con la base de Q1.

Ilustración 2 Circuito de Diodo de 4 capas

Debido a la peculiar conexión de la ilustración 2, aparece una realimentación positiva. Un


cambio en la corriente de base de Q2 se amplifica y retorna al mismo punto a través de Q1 para
aumentar el cambio original. Esta realimentación positiva continúa cambiando la corriente de
base Q2 hasta que ambos transistores llegan a la saturación o corte. Por ejemplo, si la corriente
de base de Q2 se incrementa, aumenta la corriente de colector de Q2, lo que obliga a que más
corriente de base circulante por Q1, lo cual excita más la base de Q2. Este aumento y
realimentación en las corrientes continúa hasta que ambos transistores se saturan. Entonces, el
circuito actúa como un interruptor cerrado.

Pero se algo ocasiona que la corriente de base de Q2 disminuya, la corriente de colector de Q2


decrecerá. Este hecho reduce la corriente de base de Q1 y, a su vez, habrá menos corriente de
colector de Q1, lo que hace disminuir la corriente de base de Q2 aún más. Esta vez el circuito
actúa como un interruptor abierto.

El circuito es estable en cualquiera de los dos estados: interruptor abierto o cerrado como se
observa en la ilustración 3.b e ilustración 3.c permaneciendo en uno de ellos indefinidamente.
Si el interruptor se cierra, se mantendrá cerrado hasta que algo cause que las corrientes
disminuyan. Si está abierto, persistirá así hasta que también algo obligue a las corrientes a
aumentar. Debido a que el circuito puede permanecer en cualquiera de ambos estado
indefinidamente, se denomina latch (que significa pestillo)

Ilustración 3 Latch de Transistores


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Puesto que no hay corriente a través de la resistencia de carga, la tensión de salida es igual a la
tensión de la fuente, lo que indica que el punto de funcionamiento está en el extremo inferior
de la recta de carga (ilustración 3.d).

La única forma de cerrar el latch de la ilustración 3.b es mediante una tensión de cebado. Esto
significa utilizar una tensión de alimentación Vcc suficientemente grande como para llevar a
ruptura el diodo colector de Q1. Como la corriente de colector de Q1 aumenta la corriente de
base de Q2, empezará la realimentación positiva. Este hecho lleva a ambos transistores a
saturación, como se describió previamente. Cuando están saturados, de forma ideal, como
cortocircuito y el latch está cerrado. Idealmente el latch tiene una tensión nula a través de él
cuando está cerrado y el punto de funcionamiento está en el extremo superior de la recta de
carga (ilustración 3 d).

Función de Transferencia

En la ilustración 4 se presenta la gráfica de corriente en función de la tensión para un diodo de


cuatro capas. El dispositivo tiene dos zonas de funcionamiento: no conducción (corte) y
conducción (saturación). La línea a trazos es la transición entre ambas zonas y está dibujada así
para indicar que el dispositivo conmuta rápidamente entre los estados de conducción y no
conducción.

Ilustración 4 Función de transferencia

Cuando el dispositivo está en corte tiene corriente cero. Si la tensión trata de exceder VB, el
diodo de cuatro capas entra en saturación y su punto de trabajo se desplaza rápidamente por la
línea a trazos hasta la zona de conducción. Cuando el diodo está en saturación, funciona sobre
la línea superior. A medida que la corriente que circula a través de él es mayor que la corriente
de mantenimiento IH, el diodo permanece en estado de conducción. Si la corriente trata de
disminuir a un valor menor que IH, el dispositivo conmuta a la zona de no conducción.
La aproximación ideal de un diodo de cuatro capas es un interruptor abierto cuando no conduce
y un interruptor cerrado cuando lo hace. La segunda aproximación incluye la tensión de codo
VK, próxima a 0.7 V, que se observa en la ilustración 4.
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2.3.2. Rectificador controlado de silicio. (SCR)

a) Construcción

El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o cátodo y G


o gate o puerta de control) construido de silicio muy similar al diodo de cuatro capas descrito
en la anterior sección pero que posee una entrada adicional (G) llamada puerta o compuerta
(gate) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 5.a se muestra
el símbolo del SCR y en la figura 5.b su modelo a nivel transistor.

Ilustración 5 a) Símbolo del SCR, b) Modelo a Nivel de Transistores.

Ilustración 6 Rectificador Controlado de Silicio

b) Funcionamiento

La compuerta, determina el momento en el que el rectificador cambia del estado de circuito


abierto al circuito cerrado. No es suficiente con simplemente polarizar de forma directa la
región del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica
del SCR es por lo general de 0.01 a 0.1 Ω. La resistencia inversa es típicamente de 100 KΩ o
más.
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Disparo del Latch

En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al introducir una corriente por la
línea G se produce la conducción de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser
necesario alcanzar la VBO.

Ilustración 7 Disparo del Latch

Lailustración 8 permite ver claramente como las características del SCR varían con la corriente
de su puerta cuyos valores son del orden de miliamperios o inferiores. Si se busca establecer
una conducción directa, el ánodo deberá ser positivo con respecto al cátodo. Sin embargo, esta
no es una condición suficiente para encender el dispositivo. También deberá aplicarse un pulso
de magnitud suficiente a la compuerta para establecer una corriente de compuerta de
encendido, representada simbólicamente por IG. Además del disparo en la compuerta. Los SCR
pueden también encenderse al elevar de manera importante la temperatura del dispositivo, o al
elevar el valor del ánodo al cátodo hasta el valor de transmisión conductiva que se muestra en
las características de la ilustración 8.

Corriente y tensión de disparo

Un SCR tiene una tensión de puerta V G y cuando esta tensión está en la proximidad de
0.7, el SCR se cebará. Cuando una resistencia se conecta en la puerta, se puede calcular
la tensión de entrada necesaria para disparar el SCR mediante esta ecuación:

𝑉𝑒𝑛 = 𝑉𝑇 + 𝐼𝑇 𝑅𝐺

En esta ecuación VT e IT son la tensión de disparo y la corriente de disparo, respectivamente,


necesarias para la puerta del dispositivo. Esta información se encuentra en las hojas de
características. Cuando se tiene el valor de R G, el cálculo de Ven es directo. Algunas veces, la
resistencia de la puerta no se utiliza. En este caso, R G es la resistencia Thévenin del circuito
que excita la puerta. A menos que la ecuación de V en se satisfaga, el SCR no puede cebarse.
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Tensión de bloqueo

La mayoría de los SCR están diseñados para cebarse mediante un disparo y abrirse reduciendo
la corriente. En otras palabras, un SCR permanece abierto hasta que un disparo excita su
puerta. Entonces el SCR se ceba y permanece cerrado incluso cuando el disparo desaparezca.
La única forma de abrir un SCR es usando el bloqueo por disminución de corriente hasta un
valor menor que la corriente de mantenimiento IH que también aparece en la hoja de
características del dispositivo.

a) Características y valores nominales

En la ilustración 8 se proporcionan las características de un SCR para distintos valores de


corriente de la compuerta. Las corrientes y los voltajes más utilizados se indican sobre las
características. A continuación se presenta una breve descripción de cada uno.

1. El voltaje de Cebado: es el voltaje por encima del cual el SCR ingresa a la región de
conducción.
2. Corriente de Mantenimiento(𝐼𝐻 ): es aquel valor de corriente por debajo del cual el SCR
conmuta del estado de conducción a la región de bloqueo directo bajo las condiciones
establecidas.
3. Tiempo de conducción (Turn-on Time): tiempo de duración mínima de la tensión de
disparo para pasar el SCR de bloqueo a conducción. Este tiempo tiene dos
componentes: TON= td + tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time) y tr el tiempo
de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el TON=td+tr=3Ns+0.2Ns=3.2Ns.

Ilustración 8 Características I-V del SCR


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4. Tiempo de corte (Turn-off Time): tiempo que el SCR puede permanecer por debajo de
las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF=tq de 10Ns .
5. Máxima corriente de conducción. Máxima corriente eficaz que puede circular por el
SCR durante el estado de conducción. Para el 2N5060, la ITrms=0.8A.
6. Velocidad critica de elevación. Variaciones muy rápidas de tensión entre el ánodo y
cátodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar este problema, la
variación de tensión ánodo-cátodo no debe superar un valor conocido como velocidad
critica de elevación (dv/dt); si se supera este valor además de producir el disparo puede
llegar a deteriorar el dispositivo. El 2N5060 tiene un dv/dt=30V/Ns. A veces
transitorios en las líneas de alimentación pueden originar problemas de comportamiento
del SCR al ser superado su velocidad crítica de elevación.

b) Aplicaciones

El SCR es el tiristor que más se usa. Puede conmutar corrientes muy elevadas y, por ello, se
emplea en control de motores, hornos, sistemas de aire acondicionado y calentadores de
inducción.

Algunas de las muchas aéreas de aplicación de los SCR incluyen controles de relevador,
circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,
controladores de motores, recortadores, inversores, ciclo-convertidores, cargadores de baterías,
circuitos de protección, controladores de calefacción y controles de fase.

En esta sección consideraremos cinco: un interruptor estático, un sistema de control de fase, un


cargador de baterías, un controlador de temperatura y un sistema de iluminación de emergencia
de una sola fuente.

i. Interruptor

Una de las aplicaciones más importantes del SCR es la protección de cargas delicadas y
caras contra sobretensiones de la fuente de alimentación.

En la ilustración 9 se muestra una fuente de alimentación positiva de valor VCC que


alimenta a una carga protegida. La carga es protegida por tres elementos, un diodo zener,
una resistencia y el SCR. En condiciones normales la tensión VCC es inferior a la tensión
de ruptura del Zener, es este caso no hay tensión en los terminales de R y el SCR
permanece abierto. La carga recibe VCC y no hay ningún problema.

Suponga ahora que la tensión de la fuente aumenta por alguna razón, para cuando VCC sea
demasiado grande de tal forma que el diodo Zener conduzca, aparecerá una tensión en los
terminales de R. Si la tensión de R es mayor que la tensión de disparo del SCR
(generalmente 0.7V), el SCR se cebara y conducirá fuertemente.
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Ilustración 9 Circuito de Protección con SCR

Esta acción es similar a cortocircuitar los terminales de la carga. Debido a que el SCR
entra en conducción muy rápido (1µ para el 2N4441) la carga se protege rápidamente
contra daños ocasionados por una sobretensión. La sobretensión que dispara el SCR es:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝐺𝑇

Por consiguiente, antes de que se destruyan circuitos integrados caros, podemos utilizar un
interruptor SCR para cortocircuitar los terminales de carga a la primera señal de
sobretensión. Las fuentes de alimentación con interruptor SCR necesitan un fusible o un
limitador de corriente para evitar daños en la fuente.

A pesar de que el circuito de la ilustración9 es adecuado para muchas aplicaciones, pero


es un circuito básico que se pude mejorar, pues adolece de un encendido suave porque el
codo de tensión de ruptura del zener es curvado en lugar de en ángulo. Cuando se tiene en
cuenta la tolerancia en las tensiones zener, el encendido suave puede resultar en una
tensión de alimentación peligrosamente alta antes de que el SCR se dispare.

Para solucionar esto se puede aumentar la ganancia de tensión, como se muestra en la


ilustración10. Normalmente el transistor está en corte, pero cuando la tensión de salida
crece, el transistor puede pasar a conducir y produce una gran tensión en R4. Como el
transistor produce una ganancia de tensión, una pequeña sobretensión puede disparar el
SCR.

Nótese que se está usando un diodo normal, no un diodo zener. Este diodo compensa las
variaciones debidas a la temperatura del diodo base-emisor. El ajuste de disparo nos
permite establecer el punto de disparo del circuito, típicamente un 10 o 15 por 100 por
encima de la tensión normal.
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Ilustración 10 Añadiendo la ganancia de un transistor al interruptor SCR

ii. Control de fase de resistencia variable.

La ilustración11 presenta un circuito SCR que controla la corriente a través de una


elevada carga. En este circuito, la resistencia variable R1 y el condensador C1 modifican el
ángulo de fase en la señal de puerta.
Cuando R1 es cero, la tensión de puerta está en fase con la tensión de red y el SCR actúa
como un rectificador de media onda. R2 limita la corriente de puerta a un valor seguro.

Ilustración 11 Circuito de aplicación

El ángulo al que se dispara el SCR se denomina ángulo de disparo, simbolizado como


θdisparo. El ángulo entre el inicio y fin de la conducción se denomina ángulo de conducción,
mostrado como θconducción.
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iii. Regulador para carga de baterías.

Como se indica en la figura, D1 y D2 establecen una señal rectificada de onda completa a


través de SCR1 y la batería que será cargada. Para voltajes bajos de la batería, SCR 2 se
encontrara en el estado de apagado por el SCR 1 será exactamente el mismo que el del
interruptor estático en serie que s analizo anteriormente en esta sección. Cuando la entrada
rectificada de onda completa es lo suficientemente grande para producir la corriente de
encendido requerida de la compuerta (controlada por R 1), se encenderá SCR1 e iniciara la
acción de carga de la batería. Al inicio de esta carga, el bajo voltaje de la batería
ocasionara un bajo voltaje VR según lo determina el circuito divisor de voltaje simple. El
voltaje VR será a su vez muy pequeño para lograr la conducción del Zener de 11V. En el
estado de apagado, el Zener es efectivamente un circuito abierto, lo cual mantiene al SCR 2
en el estado apagado dado que la corriente de compuerta es cero. El capacitor C 1 se
incluye para evitar que cualquier transición de voltaje en el circuito accidentalmente
encienda al SCR2. Recuerde de su estudio fundamental de análisis de circuitos que el
voltaje no puede cambiar de forma instantánea en un capacitor. De esta forma, C 1 evita
que efectos transitorios afecten el SCR.

Ilustración 12 Circuito de regulador de carga de batería


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2.3.3. Otros SCR

2.3.3.1. Foto SCR

En la ilustración se observa a un foto-SCR. Las flechas representan la luz incidente que pasa a
través de una ventana y alcanza las capas de deflexión. Cuando la luz es lo suficientemente
intensa, los electrones de valencia son desligados de sus orbitas y se convierten en electrones
libres. Cuando estos electrones libres circulan del colector de un transistor a la base del otro, se
inicia la realimentación positiva y el foto-SCR se cierra.

Después de que la luz de disparo ha cerrado el foto-SCR, éste permanece cerrado aunque
desaparezca la luz. Para una sensibilidad máxima a la luz, la puerta se deja abierta, como en la
ilustración13.a. Si se quiere un punto de conmutación ajustable, se puede incluir el ajusta de
disparo como en la ilustración 13.b.La resistencia de la puerta desvía algunos de los electrones
producidos por la luz y modifica la sensibilidad del circuito a la luz sensible.

Ilustración 13 Foto-SCR: a) Puerta abierta, b) Ajuste de disparo

2.3.3.2. Interruptor controlado por puerta (GCS)

La forma normal de desactivar un SCR es el bloqueo por disminución de corriente. Pero el


interruptor controlado por puerta (GCS, del inglés Gate-Controlled Switch) se diseña para
abrirse fácilmente con un disparo de polarización inversa. Un GCS se cierra mediante un
disparo positivo y se abre por un disparo negativo.

El GCS es útil en contadores, circuitos digitales y otras aplicaciones en las cuales un disparo
negativo está disponible para bloquearlo.
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Ilustración 14 Interruptor controlado por puerta

2.3.3.3. Interruptor controlador de silicio (SCS)

En la ilustración15. a.se muestran las zonas dopadas de un interruptor controlado de silicio


(SCS, del inglés Silicon Controlled Switch). Ahora un terminal externo se conecta a cada zona
dopada. Imaginemos el dispositivo separado en dos secciones (Fig. 15. b.). Resulta equivalente
a un latch con acceso a ambas bases (Fig. 15. c.). Un disparo de polarización directa en
cualquiera de las bases cerrará el SCS. De la misma manera, un disparo de polarización
inversa en cualquiera de las bases abrirá el dispositivo.
En la ilustración 15. d. se observa el símbolo eléctrico de un SCS, la puerta inferior se
denomina puerta del cátodo y la puerta superior es la puerta delánodo. El SCS es un
dispositivo de baja potencia si se compara con el SCR, ya que maneja corrientes del orden
de miliamperios en lugar de amperios.

Ilustración 15 Interruptor controlador de silicio


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2.3.4. Tiristores Bidireccionales


2.3.4.1. DIAC

1.1 Construcción:

El DIAC es un dispositivo bilateral (que permite el disparo en cualquier dirección) de disparo


de alta tensión y corriente. Es básicamente un diodo de cuatro capas con unas características
eléctricas simétricas. Ninguno de sus terminales se denomina cátodo, en lugar de esto, existe
un ánodo 1 y un ánodo 2. En la figura 16 se muestra el arreglo básico de las capas de
semiconductor.

Ilustración 16 DIAC

1.2 Funcionamiento:

Su funcionamiento es muy similar al diodo de cuatro capas descrito anteriormente. Este


dispositivo conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo, y una vez que
el DIAC está conduciendo, la única forma de abrirlo es mediante el bloqueo por disminución
de corriente. Esto significa que se debe reducir la corriente a valor inferior al de la corriente de
mantenimiento. Este comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones
de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30 V.

Cuando el ánodo 1 es positivo con respecto al ánodo 2, las capas de semiconductor de interés
particular serán p1n2p2 y n3. Para el caso cuando el ánodo 2 es positivo con respecto al ánodo 1,
las capas que son relevantes serán p 2n2p1 y n1. La figura 17 describe claramente el
comportamiento del DIAC.
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Ilustración 17 Comportamiento del DIAC

1.3 Aplicaciones

Una de las mayores aplicaciones, para las que se ha diseñado el diac, es para el disparo de otros
tiristores, triac mayormente.

2.3.4.2. TRIAC

a) Construcción

El TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las
condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquier dirección. En otras palabras,
para cualquier dirección la corriente de compuerta puede controlar la acción del dispositivo en
una forma muy similar a la demostrada para el SCR ya que este dispositivo actúa como dos
SCR en paralelo (Figura 18).

Ilustración 18 TRIAC
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Ilustración 19 Estructura interna de in TRIAC

b) Funcionamiento:

El TRIAC puede controlar la corriente en cualquier dirección y la tensión de cebado es


generalmente alta, así que la forma habitual de cebar un TRIAC es mediante la aplicación de
un disparo de polarización directa. Una vez cebado el TRIAC continúa conduciendo hasta que
la corriente disminuye a un valor menor que la corriente de mantenimiento.

Ilustración 20 Comportamiento de un TRIAC

c) Aplicaciones

Se utilizan TRIAC de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,


controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control computarizado de
muchos elementos caseros. Sin embargo, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores
eléctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el triac se apague
correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.
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Control de fase (potencia):

En la figura 21 se presenta una aplicación fundamental del TRIAC. En esta condición, se


encuentra controlando la potencia de ac a la carga mediante la conmutación de encendido y
apagado durante las regiones positiva y negativa de la señal senoidal de entrada. La acción de
este circuito durante la parte positiva de la señal de entrada, es muy similar a la encontrada
para el diodo Shockley. La ventaja de esta configuración es que durante la parte negativa de
la señal de entrada, se obtendrá el mismo tipo de respuesta dado que tanto el DIAC como el
TRIAC pueden dispararse en la dirección inversa. La forma de onda resultante para la
corriente a través de la carga se proporciona en la figura "control de fase". Al variar la
resistencia R, es posible controlar el ángulo de conducción. Existen unidades disponibles
actualmente que pueden manejar cargas de más de 10kW.

Ilustración 21 Aplicación del TRIAC

2.3.5. Transistor de una unión (UJT)

El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor uniunión),
con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos
se obtienen los terminales base 2 (B2) y base 1 (B1). Esta barra de silicio consta de un grado de
dopado característico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (R BB).
En un punto determinado de la barra, más próximo a B2 que a Bl, se incrusta un material tipo P
para formar una unión P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal dé emisor (E).
Considerando el lugar de inserción del material tipo P, se obtiene un divisor de tensión sobre la
resistencia RBB original: el formado por las partes correspondientes de la barra N comprendidas
entre B2 y E y entre E y B1. A estas resistencias así obtenidas se las denomina 𝑅𝐵1 , y 𝑅𝐵2 ,
respectivamente. La relación existente entre ellas es de suma importancia, de manera que se
define el parámetro «η» como:

𝑅𝐵1 𝑅𝐵1
𝜂= =
𝑅𝐵𝐵 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
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El cual depende del proceso de fabricación, del grado de dopado, de la geometría del elemento,
etc. El fabricante suele proporcionar este dato entre sus hojas de especificaciones.

El UJT tiene dos zonas de dopaje, como se muestra en la ilustración 22 (a). Cuando la tensión
de entrada es cero, el dispositivo no conduce. Si se incrementa la tensión de entrada por encima
de la tensión de mantenimiento (dada por la hoja de características), la resistencia entre la zona
p y la zona n inferior se hace muy pequeña, como se ve en la ilustración 22 (b). La ilustración
22 (c) es el símbolo eléctrico de un UJT.

Ilustración 22.- Transistor uniunión

Tal como se ve en el circuito de la ilustración 23, la forma habitual de polarizar al UJT es


mediante dos baterías. Una (VBB) que polariza a las bases y la otra (V EE) para la unión E-B1,
con la que se dota a dicha unión de una polarización directa. Este circuito nos servirá para
obtener las curvas características del UJT.

Ilustración 23.- Circuito para obtener las curvas características de UJT

En principio supondremos que el potenciómetro P es un cortocircuito. Si inicialmente se hace


VBB=0 y se aumenta progresivamente la tensión VEE, la unión E- B1 se comporta como un
diodo polarizado en directo.

El funcionamiento difiere notablemente cuando V BB es distinta de cero. En este caso, y para


una tensión VEE=0, circulará una corriente a través de la barra de silicio de valor tal, que en el
cátodo del diodo se obtendrá una tensión.
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𝑅𝐵1
𝑉𝐾 = 𝑉𝐵𝐵 = η ∗ 𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2

Quedando, por tanto, la unión P-N polarizada en inverso y circulando una corriente inversa de
emisor. Conforme se aumenta la tensión V EE, disminuye la polarización inversa del diodo y,
consecuentemente, la corriente de emisor, hasta llegar a un punto en el que no circula corriente:
esta tensión VEE será de valor igual a VK.

Si se continúa aumentando VEE, el diodo queda polarizado en directo, comenzando a circular


una corriente de emisor, y cuando la tensión V EE alcanza el valor VK más los 0,7 voltios
correspondientes a la tensión de codo del diodo, el emisor inyecta portadores en la región N de
aquél, modulando la resistencia 𝑅𝐵1 , con lo que ésta disminuye de valor hasta prácticamente
desaparecer. En ese momento, la tensión 𝑉𝐸𝐵1 , cae bruscamente, aumentando lE con la misma
rapidez: se ha producido el cebado del UJT.

A la tensión 𝑉𝐸𝐵1 correspondiente al cebado se la conoce como tensión de pico (Vp) y tiene
como valor

𝑉𝑃 = η ∗ 𝑉𝐵𝐵 + 0,7

De la expresión anterior se deduce que la tensión de cebado del UJT depende de la tensión de
alimentación (VBB), con lo que variando ésta conseguiremos igualmente variar la tensión de
pico. En la ilustración 24 se observa el punto de pico del UJT para una tensión V BB dada,
indicándose con línea de trazos el cebado del elemento. A esta zona se la conoce con el nombre
de zona de resistencia negativa.

Ilustración 24.- Curvas características de UJT


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Una vez cebado el UJT, si se aumenta el valor de P la corriente l E disminuirá gradualmente,


manteniéndose prácticamente constante la tensión 𝑉𝐸𝐵1 hasta llegar a un punto de P tal, que la
corriente lE pasa por debajo del valor Iv, llamado de valle, momento en el que se produce un
paso del UJT al estado de bloqueo, aumentando 𝑉𝐸𝐵1 y disminuyendo lE hasta el valor de la
corriente de fuga del diodo.

El UJT fue popular durante un tiempo para hacer osciladores, temporizadores y otros circuitos.
Pero como se mencionó al principio, los amplificadores operacionales y los temporizadores en
CI (como el 555) han reemplazado al UJT en muchas aplicaciones.

Bibliografía
 http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.3.Tiristor.pdf
 http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES%201.pdf
 https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/04/el-tiristor.pdf
 http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/potencia%20diplomado/tir.pdf
 file:///C:/Documents%20and%20Settings/Usuario/Mis%20documentos/Downloads/Tema12
.pdf
 Malvino, A. (1994). Principios de Electrónica. Madrid: McGraw Hill Latinoamericana.

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