Electronică de Putere

Curs 4 Tiristorul SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Tiristorul convenținal (Silicon Controlled Rectifier)
ț ( )

G K G K
G
N+ A (anod)
P TN+PN-

N-
TPN-P
G (grilă)
K (catod)
P
A
A
a) b) c)

a)) structura;; b)) schema electrică echivalentă;; c)) simbolul

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,
2
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Amorsarea tiristorului SCR prin comandă în grilă
p g

Curenții prin structura internă și condițiile formale de amorsare

G K G iK  iA  iG
K iK  iG  iCP  iCN
+
iG
iK i   i  I 
N
TN +P N - 
P CP PA CB 0P
iG
G iCN  NiK  ICB0N
iCP NiG  ICB0
iP iN -  iA 
N
TP N- P
iCN
1  N  P 
NiG
P ICB0  iG  iA 
iA 1  N  P 
A
A Dacă N  P  1  iA  
Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,
3
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Amorsarea tiristorului SCR prin comandă în grilă
p g

Formele de undă ce descriu amorsarea tiristorului SCR

iG iG a
IGT.MAX
GT MAX
I GT t b
IGT
c
iA a
IL
b
t

0 0,5V 0,6V 0,7V 0,8V vGK

tp
Amorsarea tiristorului:
a) tiristorul amorsează: iA(tp)>iL;
b) tiristorul ratează amorsarea:
iA((tp) < iL
Caracteristica de intrare a tiristorului:
a) iA = 0, caracteristica tipică unei joncţiuni p-n;
b) iA ≠ 0, IG devine IGT < IGT.MAX după amorsare;
c)) iA ≠ 0,, IG devine negativ
g după
p amorsare.

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

4
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Caracteristicile statice de ieșire ale tiristorului SCR
ș

Starea de
St d blocare
bl în
î invers:
i iA Starea de
St d conducție:
d ți
iA = 0 și –VBR < vAK < 0 iA >> și vAK.ON <<
caracteristica stării
IL: curentul de acroșare de conducţie
IH: curentul de menținere iG2  iG1 iG = 0
- VBR
VBO vAK
regiunea
g de
străpungere caracteristica caracteristicile
stării de blo care în stării de blocare în
polarizare inversă polarizare directă
Regiunea de străpungere: Starea de blocare în direct:
VBR și iA  –
vAK < –V  iA = 0 și 0 < vAK < VBO
Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,
5
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Amorsări parazite ale tiristorului convenţional (SCR)
p ţ ( )

11. Amorsare
A cu iG = 0 șii vAK > vBO ICB0

2. Amorsare datorată instabilităților termice  ICBO >> Ai 
1  N  P 
3. Amorsare prin efect dv/dt:
G G -
-
K K
+
G
N P (i G = 0) T N + PN -
- - - - - - - -
regiune de Cb
trecere ggo lită de dv AK
+ + + + + + + + Cb
purtăto ri având dt
capacitatea de
N - T PN -P
barieră C b

P A
+
+ A
Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,
6
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Procesul de blocare al tiristorului convenţional (SCR)
ţ ( )

Formele de undă ce descriu blocarea unui tiristor SCR

di A
Curentul dt tq 1
anodic Q s  t sIRM 
I0 ts tf t 2
2
-IRM 1 IRM

Tensiunea Qs Qf
dv AK
2  diA dt
anod-catod dt

t 1
Q f  t fIRM
0 t0 t1 t2 t3 t4 2

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

7
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Blocarea tiristorului SCR prin comutaţie naturală
p ţ

Schema electrică de principiu Formele de undă explicative

a unui redresor monoalternanţă v=V sint
MAX
comandat realizat cu tiristor
comandat, t
(blocat prin comutaţie naturală) iG
R iA t
iA
t
Th
v=V MAX sint vAK
t

TON

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

8
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Comanda cu controlul unghiului de amorsare (α
g ( a)

R iout

v out
Th
v in
vG

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

9
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Circuite Snubber de protecţie a tiristorului SCR
p ţ

Schema electrică de principiu a reţelelor Snubber pasive

utilizate pentru protecţia tiristorului convenţional SCR
di
Protecţie la
dt LS dv
Protecţie la
dt
Th
RS

(110) nF CS

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

10
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Tiristorul cu stingere
g pe p
p poartă (Gate Turn Off ‐
( GTO))

G K G K iG
G +IGF
N+ A (anod)
P TN+PN-

t
0
N-
T PN-P
G (grilã)
K (catod)
N+ N+ N+ P RS -IGR
A
A
iA

Comportare de tip tiristor SCR

(iGF  IGT)
IL
Comportare de tip tranzisto r BJT
(iGF  IGT)
vAK

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

11
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației
Tiristorul N‐MCT (N‐MOS Controlled Thyristor)
( y )

GR ILĂ ( G) CAT OD (K) GRILĂ (G)

S iO 2 S iO 2
Ca nalul n a l P+ P+ Ca nalul n al
tra nz istor ului tranz istor ului
+ -
O N-MOS N- N N ON -MOS

C a na lul p al Ca nalul p al
tr anz istorului P tranz istor ului
OF F-MOS OFF- MO S
N- Anod

P+ TPNP
Anod ON-MOS TNPN
ANOD (A)
OFF-MOS

Grilă Grilă

Catod Catod

Electronică de Putere, Curs 4, anul III, 2016-2017,

12
Facultatea de Electronică, Telecomunicații și Tehnologia Informației