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onde 𝑉𝑐 é a voltagem através do capacitor. Então o poder complexo de (6.2) pode ser
reescrito como
que é idêntico a (6.9). Este é um procedimento útil porque para a maioria dos
ressonadores práticos a perda é muito pequena, então o 𝑄 pode ser encontrado
usando o método de perturbação, começando com a solução para o caso sem perdas.
Então o efeito da perda pode ser adicionado à entrada impedância, substituindo 𝜔0
pela freqüência ressonante complexa dada em (6.10).
Finalmente, considere a
𝑙𝑎𝑟𝑔𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑓𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛á𝑟𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑚𝑒𝑖𝑎 𝑝𝑜𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑜 𝑟𝑒𝑠𝑠𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟. A Figura 6.1b mostra
a variação da magnitude da impedância de entrada versus frequência. Quando a
frequência é tal que | 𝑍𝑖𝑛 |2 = 2𝑅2 , então (6.2) a potência 𝑚é𝑑𝑖𝑎 (𝑟𝑒𝑎𝑙) fornecida ao
circuito é metade da que é fornecida na ressonância. Se 𝐵𝑊 é a largura de banda
fracionária, então 𝛥𝜔/𝜔0 = 𝐵𝑊/2 na borda da banda superior. Usando (6.9) dá
ou
O circuito ressonante 𝑅𝐿𝐶 paralelo, mostrado na Figura 6.2a, é o dual do circuito 𝑅𝐿𝐶
em série. A impedância de entrada é
e a potência complexa entregue ao ressonador é
que é idêntico a (6.4). Da mesma forma, a impedância de entrada pode ser expressa
como
Como no caso ressonador em série, o efeito da perda pode ser explicado pela
substituição de 𝜔0 nessa expressão por uma freqüência ressonante efetiva complexa:
Q CARREGADO E DESCARREGADO
Linha λ / 2 em Curto-Circuito
e depois
Um ressonador λ / 2 é feito de uma peça de linha coaxial de cobre com um raio interno
de 1 mm e um raio externo de 4 mm. Se a freqüência de ressonância for de 5 GHz,
compare o Q descarregado de um ressonador de linha coaxial preenchido com ar com
o de um ressonador de linha coaxial preenchido com Teflon.
Solução
Primeiro calculamos a atenuação da linha coaxial, usando os resultados dos Exemplos
2.6 ou 2.7. Do Apêndice F, a condutividade do cobre é σ = 5,813 × 107 S / m. A
resistividade da superfície a 5 GHz é
Para Teflon, r = 2,08 e tan δ = 0,0004, então a atenuação devido à perda do condutor
para a linha preenchida com teflon é
A perda dielétrica da linha cheia de ar é zero, mas a perda dielétrica da linha de Teflon
é
e entao
Além disso, como antes, tanh α? ? α? para pequenas perdas. Usando estes resultados
em (6.28) dá
O ressonador da Figura 6.4, portanto, possui uma ressonância de tipo paralelo para? =
λ / 4, com uma impedância de entrada na ressonância de Zin = R = Z0 / α. De (6.18) e
(6.30) o Q descarregado deste ressonador é
Desde a ? = π / 2β na ressonância.
e entao
Desde a ? = π / β na ressonância.
Solução
A partir de (3.197), a largura de uma linha de 50 microstrip neste substrato é
encontrada como sendo W = 0,508 cm, e a permitividade efetiva é e = 1,80. O
comprimento ressonante pode então ser calculado como
A constante de propagação é
De (3.199), a atenuação devido à perda do condutor é
Frequências ressonantes
freqüências desta cavidade sob a suposição de que a cavidade é sem perdas, então
determine o Q descarregado usando o método de perturbação descrito na Seção 2.7.
Embora pudéssemos começar com a equação de onda de Helmholtz e o método de
separação de variáveis para resolver os campos elétricos e magnéticos que
satisfazem as condições de contorno da cavidade, é mais fácil começar com os
campos dos modos de guia de onda TE ou TM, uma vez que já satisfazem as
condições de contorno necessárias nas paredes laterais (x = 0, a e y = 0, b) da
cavidade. Então, é necessário apenas impor as condições de contorno que Ex = Ey =
0 nas paredes finais em z = 0, d.
Na Tabela 3.2, os campos elétricos transversais (Ex, Ey) do modo de guia de
ondas retangulares TEmn ou TMmn podem ser escritos como
o que implica que a cavidade deve ser um inteiro múltiplo de comprimento de onda de
meia guia na freqüência de ressonância. Nenhuma solução não trivial é possível para
outros comprimentos, ou para freqüências diferentes das freqüências ressonantes.
Um número de onda de ressonância para a cavidade retangular pode ser definido
como
Então podemos nos referir ao TEmn? ou TMmn? modo ressonante da cavidade, onde
os índices m, n,? indica o número de variações no padrão de onda estacionária nas
direções x, y, z, respectivamente. A frequência de ressonância do TEmn? ou TMmn?
modo é dado por
onde foi feito uso da simetria da cavidade ao duplicar as contribuições das paredes em
x = 0, y = 0 ez = 0 para considerar as contribuições das paredes em x = a, y = be z =
d, respectivamente. As relações k = 2π / λ e ZTE = kη / β = 2dη / λ também foram
utilizadas na simplificação (6,45). Então, a partir de (6.7), o Q não carregado da
cavidade com paredes condutoras com perdas, mas dielétrico sem perdas, pode ser
encontrado como
Solução
O número de onda k é
Note que a perda dielétrica tem o efeito dominante no Q; Q mais alto poderia ser
obtido usando uma cavidade cheia de ar. Estes resultados podem ser comparados
com os dos Exemplos 6.1 e 6.2, que utilizaram tipos similares de materiais na mesma
frequência. ■