Tema 3 Transistores 15 CAS

Fundamentos de Electrónica Departamento de Tecnoloxía Electrónica
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
2º Curso Grado en Ingeniería en Electrónica Industrial y
Automática.
Tema 3: Transistores
Profesores: Carlos Martínez-Peñalver Freire

Alfonso Lago Ferreiro
1
El transistor:
• Definición y clasificación.
• Estructura básica del transistor bipolar.
• Principio de funcionamiento del transistor bipolar.
• Configuraciones.
• El transistor en conmutación
• Lectura de hojas de características.
• Detección de averías.
• Transistores de efecto campo.
• El transistor MOSFET: de acumulación y de deplexión.
• Detección de averías.
• Resumen de las características de un MOSFET.
• Tiristores.
DEFINICIÓN Y CLASIFICACIÓN
Un transistor es un dispositivo semiconductor de 3 capas que puede amplificar
señales eléctricas.
La corriente se traslada de un circuito de baja resistencia a otro de resistencia

elevada (transistor = transfer-resistor) Amplificación de potencia.
NPN
Dos tipos de portadores de carga:
BIPOLARES
mayoritarios / minoritatios
(DE UNIÓN) PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
(UNIPOLAR)
SEMICONDUCTOR
* FET : Field Effect Transistor (MOSFET) CANAL P (MOSFET-P)
Un tipo de portadores de carga

ESTRUCTURA BÁSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Si sobre un monocristal se disponen dos uniones PN, una polarizada en sentido directo y
otra en sentido inverso, situadas una a continuación de otra y con una zona común:
Se les denomina por las capas:

N P N
Transistor NPN: Dos capas N y una P
Transistor PNP: Dos capas P y una N
UD UI
Transistor bipolar NPN
COLECTOR
N (medianamente dopado)
Portadores mayoritarios
BASE Transistor NPN: Electrones

P (ligeramente dopado) Transistor PNP: Huecos
EMISOR
N (fuertemente dopado)
ESTRUCTURA BÁSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Independientemente del nombre de las capas, los terminales reciben el

mismo nombre.
IB IC
N P N
Emisor Colector IE
Base
IB IC
P N P
Emisor Colector IE
Base
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR
P N N + - P
Concentración
de huecos
P N N N P
+ Portadores minoritarios
VO-VD + + + +
Distribución de potencial V’O+VI
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es equivalente al

de dos diodos en antiserie: el funcionamiento de la primera unión no
afecta al de la segunda - Portadores minoritarios
P N P
+ Portadores minoritarios
VO-VD + + + +
V’O+VI
Distribución de potencial
- Portadores minoritarios
P N P
+ + Portadores minoritarios
VO-VD + + + +
V’O+VI
El terminal central (base) maneja una fracción

de la corriente que circula entre los otros dos + +
terminales (emisor y colector): Portadores mayoritarios
EFECTO TRANSISTOR
Base
Emisor Colector
Transistor PNP
P N P
El terminal de base actúa como terminal de control manejando una fracción
de la corriente mucho menor que la del emisor y la del colector.
El emisor tiene una concentración de impurezas muy superior a la del
colector: emisor y colector no son intercambiables
IC IC
IB << IC
dc = dc =
IE = IC + IB IE IB
IC  IE
Factor de amplificación de corriente
Conclusiones:
• Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN.
• Para que sea un transistor y no dos diodos deben cumplirse dos
condiciones.
1) La zona de Base debe ser muy estrecha, menor que una
longitud de difusión.
2) El Emisor debe estar muy dopado.
3) Normalmente, el Colector está muy poco dopado y es mucho
mayor que el emisor.
C
Descubiertos por
N- Shockley, Brattain
y Barden en 1947
P N+ (Laboratorios Bell)
B E
CONFIGURACIONES
Emisor común: La tensión de entrada se acopla a la base y la señal de

salida se toma del colector. El emisor está puesto a tierra de alterna.
Es la configuración más utilizada.
Colector común: La tensión de entrada se acopla a la base y la señal de

salida se toma del emisor. El colector está puesto a tierra de alterna.
También se denomina seguidor de emisor.
Base común: La tensión de entrada se acopla al emisor y la señal de

salida se toma del colector. La base está puesta a tierra de alterna.
CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN
En principio necesitamos conocer 3

Transistor NPN tensiones y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada IC, IB, IE
IC
VCE, VBE, VCB
+ +
VCB
En la práctica basta con conocer solo
2 corrientes y 2 tensiones.
IB - VCE
+
Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
VBE y VBE.
IE
-
- Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fácilmente:
IE = IC + IB
IC = f(VCE, IB) Característica de salida VCB = VCE - VBE

Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada  VCE
IC IB
+
IB VCE
+
VBE VBE
-
-
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Característica de salida

IC IC
+
IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

base IB.

Región de funcionamiento:
El punto de trabajo (Q) de un transistor se obtiene mediante el corte de la recta
de carga con las curvas correspondientes a la característica de salida del
transistor.
100 A Recta de carga:
IC (mA)
80 A
14
VCE  VCC  I C  R L
12
60 A
10
8 IB (μA) RL
40 A RB 1kΩ
6
282kΩ VCC
4 Q 12V
20 A
2 VBB=12V
0 A
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 VCE (V)

Diferentes regiones de funcionamiento (curvas linealizadas):
Zona activa: IC=·IB
IC IC (mA)
+ 400
40
IB 30 300
+ VCE IB (μA)
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturación
Zona de corte
Activa: La unión de emisor está polarizada en directa y la de colector en inversa:
IB > 0 VCE > 0,2 V. Se utiliza en aplicaciones de amplificación.
Corte: Ambas uniones están polarizadas en inversa: VBE > - 0,5 V VBC > - 0,5 V
Se utiliza en aplicaciones de conmutación.
Saturación: Ambas uniones están polarizadas en directa: IB > 0 βIB > IC > 0
Se utiliza en aplicaciones de conmutación

Modelos del transistor en las diferentes regiones de funcionamiento:
IC
+
IC Zona IB
+ activa + ·IB VCE
IB VBE = 0,7V
+ VCE
- -
VBE
- - IC IC<·IB
Zona de IB +
saturación + VCE= 0,2V
IC VBE = 0,7V -
IB
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
Los transistores, sobre todo en aplicaciones de potencia, tienen controladas
sus características de conducción y corte para ser usados como elementos de
conmutación.
Así como en la región activa, el transistor permite amplificar, es posible usarlo
como un interruptor.
+VCC
+VCC
RC
+VCC
1k
. 0V
vout
0V
vin β = 125
RB
68k
20
+VCC
RC +VCC
+VCC
1k
. vout
0V
0V vin β = 125
RB
68k
Encendido, se comporta
“casi” como un cortocircuito.
21
+VCC
RC +VCC
+VCC
1k
. vout
0V
0V vin β = 125
RB
68k
Apagado, se comporta
como un circuito abierto.
22
EJEMPLO: Transistor NPN
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V 12 V
I  = 100
40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un

IC
transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser suficiente
para asegurar la zona de saturación. PF (ON) 3 A ON
Ventajas: OFF
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lógico.
12 V VCE
Electrónica de Potencia y Electrónica PF (OFF)
digital
LECTURA DE HOJA DE CARACTERÍSTICAS
Los transistores deben trabajar dentro de unos rangos máximos de tensión,

corriente y potencia. Es decir, dentro de un área de operación segura
(Safety Operation Area, SOAR)
IC
Ejemplo transistor 2N3904: C
•VCBO = 60 V ICMAX B
•VCEO = 40 V
E
•VEBO = 6 V
PMAX
Estos valores corresponden a tensiones inversas
de ruptura con uno de los terminales del transistor SOAR
abierto (por ej.: VCBo es la tensión colector-base con VCE-MAX
el terminal de emisor abierto.
VCE
24
LECTURA DE HOJA DE CARACTERÍSTICAS
Ejemplo transistor 2N3904:

La temperatura puede cambiar el valor de las características del transistor.
•IC = 200 mA dc
•PD = 250 mW (for TA = 60 oC)
•PD = 350 mW (for TA = 25 oC)
•PD = 1W (for TC = 60 oC)
La ganancia de corriente se suele especificar como hFE en lugar de βdc. Ambas
magnitudes son iguales.
IC en mA hFE(min) hFE(max)
0.1 40 ___
Características en 1 70 ___
conducción 10 100 300
50 60 ___
100 30 ___
25
DETECCIÓN DE AVERÍAS VC
RB = 470kΩ RC = 1 kΩ
VB VCC = 15V
βdc = 100
VBB = 15V
AVERÍAS Y SÍNTOMAS
VB VC Avería Comentario
0,7 12 Ninguna No hay avería
15 15 RB cortocircuito Transistor destruido (diodo emisor)
0 15 RB abierto No hay corriente de base ni colector
0,7 15 RC cortocircuito
0,7 0 RC abierto
0 15 No hay VBB Comprobar alimentación y conexiones
0,7 0 No hay VCC Comprobar alimentación y conexiones
26
TRANSISTORES BIPOLARES COMERCIALES
TOSHIBA
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
27
TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
Un transistor de efecto campo es un dispositivo de estado sólido en el

que un campo eléctrico controla el flujo de portadores en un canal de
conducción.
CANAL N (JFET-N)
UNIÓN
CANAL P (JFET-P)
TRANSISTORES DE
EFECTO CAMPO
METAL-OXIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor
28
EL TRANSISTOR MOSFET
D D D D
G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P
MOSFET acumulación MOSFET deplexión
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
29
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N:
G
S
D
N N
Metal
Oxido
xido (aislante)
P Semiconductor
SUSTRATO
Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con la

fuente (S)
La puerta está aislada del sustrato mediante una capa se SiO2
30
VDS
Característica de salida:
ID=f(VGS,VDS)
ID=0
ID (mA)
G S
D
N N
VGS = 0
P VDS (V)
• Los terminales principales del MOS son drenador y fuente.

• Al aplicar tensión VDS la unión drenador-sustrato impide la circulación de
corriente de drenador
El MOS de acumulación es un dispositivo que normalmente está en corte
cuando la tensión de puerta es cero. 31
VDS
ID=f(VGS,VDS)
ID=0 VGS
ID (mA)
G S VGS (V)
D
N N
VDS = 0
P -
- - - VDS (V)
e e e e
• Al aplicar tensión positiva VGS los electrones libres de la zona P (sustrato) son
atraídos hacia el terminal de puerta.
• Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona rica en
electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y fuente.
• Vt = tensión umbral (valor mínimo de VGS necesario para formar el canal). 32
VDS
ID=f(VGS,VDS)
ID VGS
ID (mA)
G S VGS (V) = cte
D
Aumenta
N N
P VDS (V)
Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la corriente de drenador ID

La tensión VGS modula la anchura del canal.
El dispositivo se comporta como una resistencia controlada por VGS
33
VDS
ID=f(VGS,VDS)
ID VGS
ID (mA)
G S VGS (V) = cte
D
N N
P VDSsat VDS (V)
Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la corriente de drenador ID

Incrementar la tensión VDS tiene un doble efecto:
Ohmico: mayor tensión = mayor corriente ID.
El canal se estrecha por uno de los lados = ID se reduce
A partir de un cierto valor de VDS ambos efectos se compensan y la corriente se estabiliza
haciéndose prácticamente independiente de VDS 34
VDS
Función de transferencia: Característica de salida:
ID=f(VGS) ID=f(VGS,VDS)
ID VGS
ID (mA) ID (mA)
G S VGS (V) = cte
D
N N
P VGS (V) VDSsat VDS (V)

Vt
La relación entre la tensión VGS aplicada y la corriente ID que circula por el canal en esta
zona viene dada por la siguiente ecuación:
k
I D   VGS  Vt 
2
35
El MOSFET canal N como dispositivo de tres estados:
Estados de MOSFET canal N

Vt = tensión umbral
(valor mínimo de VGS
necesario para formar
el canal) Corte Conducción
VGS ≤ Vt > 0 VGS ≥ Vt > 0
ID (mA) VGS
10
40
Óhmico Activo
30 8
Por debajo de VDG ≤ - Vt VDG ≥ - Vt
20
esta tensión no
6
10 se forma el canal
Límite = VGS – VDS = Vt
4
2 4 6 8
VDS (V) VDG = -Vt
36
El MOSFET como dispositivo de tres estados:
Estado de corte: El transistor se modela como un circuito abierto.
Estado óhmico: El transistor se modela como una resistencia

controlada por tensión.
Resistencia no lineal: iD 
k
2

 2  (VGS  Vt )  VDS  VDS
2
 ID=f(VGS,VDS)
k 1
Resistencia lineal: iD   2  (VGS  Vt   VDS   VDS
2 R NMOS
v DS  0,2  v GS  Vt 1
R NMOS 
k  (v GS  Vt )
Estado activo: El transistor se modela como una fuente de corriente

no lineal controlada por tensión.
ID=f(VGS)
k
  VGS  Vt 
2
VDS = VGS - Vt iD 
2
37
Ruptura del terminal de puerta:
• La capa de aislante de SiO2 suele ser muy delgada, para proporcionar a la

puerta el máximo control sobre la corriente de drenador.
• Se puede destruir fácilmente excediendo la tensión puerta-fuente.
• El rango de VGS(max) suele ser del orden de decenas de voltios.
• Las tensiones transitorias debidas a los efectos inductivos y las descargas

electrostáticas también pueden dañar el terminal de puerta.
• Algunos dispositivos tienen integrado, para proteger la puerta, un diodo

zener en paralelo con la puerta y la fuente de menor valor que la tensión
límite VGS(max) .
38
Estructura y funcionamiento de un MOS de deplexión de canal N:
G S
D ID (mA) VGS
2
40
N n N
30 0 Ya hay canal
formado
Difusión hecha durante 20
P el proceso de fabricación -2
10
2 VDS (V)
4 6 8
• En los MOSFET de deplexión el canal se forma mediante una difusión

adicional durante el proceso de fabricación
• Con tensión UGS nula puede haber circulación de corriente de drenador
• Es necesario aplicar tensión negativa UGS para cerrar el canal
39
DETECCIÓN DE AVERÍAS:
Los MOSFET requieren un cuidado especial cuando se les prueba para

determinar su correcto funcionamiento debido a la delgada capa de óxido de
silicio que hay entre la puerta y el canal que puede destruirse fácilmente.
Debido a su puerta aislada y la construcción del canal, no resulta efectivo su

prueba con un óhmetro o un multímetro digital.
Un buen método para probarlos consiste en emplear un trazador de curvas.

O bien si no se dispone de éste, utilizar un circuito de prueba.
Una última alternativa es la sustitución del componente. Midiendo los

valores de las tensiones dentro del circuito, a menudo es posible deducir si
el dispositivo MOSFET está defectuoso.
40
RESUMEN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET:
La corriente de drenador se controla mediante la tensión VGS
En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor umbral de VGS se

forma el canal y puede circular la corriente de drenador.
En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite la circulación de

la corriente de drenador incluso para tensión VGS nula.
Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores electrónicos de potencia,

etapas amplificadoras, circuitos digitales, ....
41
TRANSISTORES MOSFET COMERCIALES:
42

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Fundamentos de Electrónica Departamento de Tecnoloxía Electrónica

Profesores: Carlos Martínez-Peñalver Freire

La corriente se traslada de un circuito de baja resistencia a otro de resistencia

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

Un tipo de portadores de carga

ESTRUCTURA BÁSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Se les denomina por las capas:

BASE Transistor NPN: Electrones

ESTRUCTURA BÁSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Independientemente del nombre de las capas, los terminales reciben el

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es equivalente al

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El terminal central (base) maneja una fracción

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Emisor común: La tensión de entrada se acopla a la base y la señal de

Colector común: La tensión de entrada se acopla a la base y la señal de

Base común: La tensión de entrada se acopla al emisor y la señal de

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

En principio necesitamos conocer 3

IC = f(VCE, IB) Característica de salida VCB = VCE - VBE

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

IC = f(IB, VCE) Característica de salida

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

CONFIGURACIONES: EMISOR COMÚN

EJEMPLO: Transistor NPN

Sustituimos el interruptor principal por un

LECTURA DE HOJA DE CARACTERÍSTICAS

Los transistores deben trabajar dentro de unos rangos máximos de tensión,

LECTURA DE HOJA DE CARACTERÍSTICAS

Ejemplo transistor 2N3904:

TRANSISTORES BIPOLARES COMERCIALES

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Un transistor de efecto campo es un dispositivo de estado sólido en el

* FET : Field Effect Transistor

MOSFET acumulación MOSFET deplexión

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con la

• Los terminales principales del MOS son drenador y fuente.

Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la corriente de drenador ID

P VDSsat VDS (V)

Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la corriente de drenador ID

P VGS (V) VDSsat VDS (V)

El MOSFET canal N como dispositivo de tres estados:

Estados de MOSFET canal N

Estado óhmico: El transistor se modela como una resistencia

Estado activo: El transistor se modela como una fuente de corriente

• La capa de aislante de SiO2 suele ser muy delgada, para proporcionar a la

• Se puede destruir fácilmente excediendo la tensión puerta-fuente.

• El rango de VGS(max) suele ser del orden de decenas de voltios.

• Las tensiones transitorias debidas a los efectos inductivos y las descargas

• Algunos dispositivos tienen integrado, para proteger la puerta, un diodo

• En los MOSFET de deplexión el canal se forma mediante una difusión

• Es necesario aplicar tensión negativa UGS para cerrar el canal

Los MOSFET requieren un cuidado especial cuando se les prueba para

Debido a su puerta aislada y la construcción del canal, no resulta efectivo su

Un buen método para probarlos consiste en emplear un trazador de curvas.

Una última alternativa es la sustitución del componente. Midiendo los