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Universidad Católica de Valparaíso


Escuela de Ingeniería Eléctrica

Plan de Estudios

1.- Descripción

Carrera : Ingeniería Civil Electrónica


Asignatura : Circuitos Electrónicos
Clave : EIE - 441
Créditos : 4 (cuatro)
Pre – Requisitos : EIE 342 Teoría de Redes 2
EIE 351 Electrónica del Estado Sólido
Horas Teóricas : 4 (cuatro)
Horas Prácticas : ------
Horas Ayudantía : 2 (dos)
Duración : Un Semestre
Unidad Académica : ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

2.- Objetivos Generales

a) Conocer los dispositivos lineales modernos y su empleo en circuitos activos.

b) Obtener un dominio de los métodos generales de análisis.

c) Conocer el diseño de circuitos de aplicación amplia en Ingeniería Electrónica.

3.- Objetivos Específicos

a) INTRODUCCION A LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS LINEALES


Que el alumno conozca los modelos básicos de los dispositivos y pueda identificar
componentes reales.

b) POLARIZACION DE TRANSITORES
Que el alumno sea capaz de diseñar circuitos de polarización estables.

c) METODOS DE ANALISIS DE CIRCUITOS RC CON SEMICONDUCTORES


Que el alumno pueda caracterizar a los amplificadores en el estado sinusoidal
estacionario.

d) AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Que el alumno conozca a dichos amplificadores desde el punto de vista estructural y
pueda trabajar con sus parámetros.
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e) EFECTOS TERMICOS
Que el alumno sea capaz de evaluar las necesidades de ventilación y riesgo de fuga
térmica de los transistores.

f) AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Que el alumno sea capaz de analizar y diseñar circuitos con transistores en el rango de
1 a 100 watts, aproximadamente.

g) FUENTES DE PODER REGULADAS


Que el alumno conozca configuraciones de uso común y sea capaz de diseñarlas de
modo general.

4.- Contenido

CAPITULO 1 INTRODUCCION A LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS LINEALES


1.1 Modelos matemáticos, físicos y no linealidades en transistores bipolares, jfets, mosfets,
amplificadores operacionales de instrumentación y de aislación.

CAPITULO 2 POLARIZACION DE TRANSITORES


2.1 Características técnicas de transistores bipolares, jfets, mosfets, Vmos y hexfets.
2.2 Diseño de circuitos de polarización mediante criterio de sensibilidad incremental, para
tolerancias especificadas.

CAPITULO 3 METODOS DE ANALISIS DE CIRCUITOS RC CON SEMICONDUCTORES


3.1 Ganancia y respuesta de frecuencia de etapas en cascada.

CAPITULO 4 AMPLIFICADORES OPERACIONALES


4.1 EL amplificador diferencial
4.2 Estructura de los amplificadores operacionales típicos (LM 101, uA 741 y otros).
4.3 Cálculo e la respuesta de frecuencia, slew rate y ancho banda de potencia en
dispositivos comerciales.
4.4 Estabilidad de la función de transferencias de circuitos con amplificadores
operacionales típicos.
4.5 Amplificadores operacionales de transconsductancia.

CAPITULO 5 EFECTOS TERMICOS


5.1 Modelos térmicos de los dispositivos
5.2 Formas de Transferencias del calor.
5.3 Cálculos de potencia eléctrica con disipadores comerciales.
5.4 Fuga Térmica.

CAPITULO 6 AMPLIFICADORES DE POTENCIA


6.1 Cálculo de potencia de salida, disipación y eficiencia en amplificadores transistorizados
clase A, B, en simetría complementaria y en amplificadores de potencia integrados.

CAPITULO 7 FUENTES DE PODER REGULADAS


7.1 Análisis y diseño de reguladores lineales paralelos, serie e integrados.
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7.2 Reguladores conmutados (convertidores elevadores y reductores).


7.3 Métodos de control de los reguladores conmutados.

5.- Metodología Didáctica

Clase expositiva, Resolución de problemas.

6.- Material Didáctico

Pizarra, transparencias, apuntes parciales de clases.

7.- Procedimiento Evaluativo

Se realizan tres certámenes escritos, además de tareas y certámenes especiales,


individuales a alumnos de bajo rendimiento en relación al promedio del curso.

8.- Bibliografía

• CHEN, WAI-KAI, “Active Network and Feedbach Amplifier Theory”, Mc Graw Hill, 1980.

• PARZEN, BENJAMIN, “Design of Cristal and Other Harmonic Oscillators”, John Wiley
& Son 1983.

/mcg.

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