Sunteți pe pagina 1din 10

2.

ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 37


2. ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN
ACŢIONĂRI ELECTRICE

2.1 Diode semiconductoare şi aplicaţiile lor în scheme de redresare

2.1.1 Noţiuni generale despre elementele semiconductoare


Releele şi contactoarele electromagnetice de comutaţii, analizate în capitolul
precedent, sunt simple şi ieftine, însă posedă unele dezavantaje, în particular:
 Au o rapiditate scăzută, frecvenţa de comutaţii fiind mai mică decât 10 Hz,
datorată inductivităţii bobinelor inductive de comandă şi deplasărilor
organelor mecanice mobile;
 Deconectarea bruscă a curentului sarcinilor inductive este însoţită de apariţia
arcului electric între contactele electrice, ca urmare a unor supratensiuni de
inducţie, care ionizează moleculele de aer şi străpunge spaţiul dintre
contacte, ceea ce micşorează fiabilitatea şi impune curăţirea lor periodică;
 Gabaritele, masele şi consumul de energie sunt relativ mari;
 Nu posedă proprietăţi de convertire c.a./c.c. (redresare) şi c.c./c.a. (inversare)
 Nu posedă proprietăţi efective de reglare a curentului sarcinilor electrice.
Elementele electronice semiconductoare de bază (diodele, tranzistoarele,
tiristoarele), care au fost propuse prin anii 1960, sunt lipsite de aceste dezavantaje,
de aceea s-au dezvoltat vertiginos. Aceste elemente sunt realizate cu materiale
semiconductoare (Si, Indiu, Arseniu şi altele), care au proprietăţi medii de
conducţie a curentului electric, ocupând o poziţie intermediară între materialele
bine conductoare (cuprul, aluminiul, fierul) şi materialele neconductoare de curent
(hârtia, cartonul, sticla, ceramica, materialele plastice). Curentul electric în
conductoare închise de cupru (aluminiu) este determinat de mişcarea ordonată a
electronilor liberi (de pe orbita exterioară a fiecărui atom din reţeaua cristalină) sub
acţiunea unui câmp electric exterior, creat de o sursă de energie electrică din
circuitul închis. Transmiterea energiei electrice, de la un nod spre alt nod, se face
foarte repede datorită vitezei mari de deplasare a câmpului electric în conductoare,
care constituie aproximativ 300000 km/s, adică este egală cu viteza luminii.
Materialele semiconductoare curate (intrinseci) sunt neutre şi nu pot concura
cu cuprul sau aluminiul, deoarece conductibilitatea (электропроводимость) lor
este mai mică faţă de cea a acestor metale. Însă dacă semiconductoarele de bază
(Si, Ge cu 4 electroni de valenţă pe orbita exterioară) sunt dopate cu anumite
impurităţi (примеси) semiconductoare (Arseniu şi Indiu cu 5 şi 3 electroni de
valenţă), se obţin zone de impurităţi cu conductibilitate Negativă N, determinată
de electronii liberi, şi conductibilitate pozitivă P, determinată de goluri (дырки).
Integrarea acestora în una, sau mai multe joncţiuni (переходы) P-N permite o
reglare a conductibilităţii electrice, sub acţiunea unei tensiuni electrice
exterioare. Această conductibilitate poate fi apropiată de cea a metalelor, sau de
cea a izolatoarelor, în funcţie de polarizarea tensiunii electrice exterioare..
Proprietatea de reglare a conductibilităţii electrice a semiconductoarelor devine
remarcabilă prin faptul, că ea poate fi realizată cu o rapiditate (frecvenţă) foarte
mare (de ordinul microsecundelor).
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 38
2.1.2. Caracteristica generală a diodelor semiconductoare

În figura 2.1.1 este arătată integrarea a 2 zone opuse de conductibilitate


pozitivă P şi negativă N, care nu sunt conectate la nici o sursă exterioară de
tensiune. Graniţa dintre aceste zone, numită Joncţiune P-N, joacă un rol decisiv
în reglarea curentului electric prin ambele zone, care stau la baza diodelor
semiconductoare. În acest caz electronii liberi din zona negativă N trec graniţa
(difuzează) spre golurile disponibile libere din zona pozitivă P, recombinând cu
acestea şi transformând totodată ionii ficşi ai Indiului din această zonă într-un
potenţial negativ N fără goluri. Deoarece electronii liberi de la graniţa zonei N au
trecut în zona P, graniţa zonei N, rămasă fără electroni, se transformă într-un
potenţial pozitiv al ionilor ficşi de Arseniu.
Diferenţa acestor 2 potenţiale electrice formează o tensiune electrică
interioară, sau un câmp electric interior Ei, care mai este numit şi barieră de
potenţial, deoarece sensul lui împiedică
trecerea ulterioară a purtătorilor de
sarcină prin joncţiunea P-N. Această
barieră de potenţial constituie
aproximativ 0,6-0,7 V pentru Siliciu şi
0,3V pentru Germaniu. Grosimea ei este
foarte mică – aproximativ 1 μm. Ca
urmare, în final ambele zone P şi N se
echilibrează, devenind astfel neutre.
Fig.2.1.1. Joncţiunea P-N (dioda) fără sursă exterioară de tensiune

În figura 2.1.2,a este arătată joncţiunea P-N în cazul aplicării către zona P
(Anod) a unei tensiuni exterioare de curent continuu (c.c.) de polaritate pozitivă E,
iar către zona N (Catod) – polaritatea negativă a acestei tensiuni cu o amplitudine
mai mare decât bariera interioară (E>EI), (această polarizare se numeşte directă).
În acest caz tensiunea rezultantă EΣ=E-Ei>0 asigură o deplasare (atracţie) continuă
a electronilor liberi din zona N spre Anod, adică o deschidere a diodei. Însă
rezistenţa interioară a diodei deschise Ri este mică, de aceea este necesară o
rezistenţă exterioară R ca să limiteze curentul diodei ID=U/R (fig.2.1.2,b). La o
polarizare inversă, tensiunea rezultantă EΣ=-E-Ei<0, ceea ce împiedică deplasarea
electronilor prin joncţiune şi blochează conducţia diodei (ID≈0), întrucât Ri→∞
(fig.2.1.2,c).

a)
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 39

b)

c)
Fig.2.1.2. Polarizarea directă şi inversă a diodei semiconductoare

Aşadar, dioda semiconductoare poate avea doar 2 stări de lucru (conductoare,


sau neconductoare), iar conducţia curentului este
unidirecţională – de la Anod spre Catod (dacă UAK>0).
Această proprietate a diodei se utilizează în redresoare
necomandate (convertoare c.a./c.c.). În schemele electrice
dioda se reprezintă printr-o săgeată, direcţia căreia coincide cu
direcţia curentului în stare deschisă (fig. 2.1.3).O altă
proprietate a diodei – nu are electrod special de comandă ca
tiristoarele, de aceea se consideră necomandată.
Fig.2.1.3.Simbolul diodei în scheme electrice
În figura 2.1.4,a sunt arătate unele diode de curenţi şi gabarite mici (diametrul
lor constituie 3-4mm), utilizate în microelectronică, iar în figura 2.1.4,b – diode de
curenţi medii şi mari (diodele pentru curenţi medii se execută în formă de şurub cu
catod rigid scurt, sau catod flexibil lung, pe când diodele pentru curenţi mai mari
de 500A se produc în formă de tabletă cu un diametru de 50-75mm). Diodele de
putere sunt prevăzute pentru o fixare pe nişte radiatoare de aluminiu, pentru a mări
suprafaţa de răcire.
a) b)

Fig.2.1.4. Diode semiconductoare industriale de curenţi mici, medii şi mari


2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 40
Dioda are 2 parametri de bază: curentul maxim admisibil în stare de
conducţie I şi tensiunea inversă (negativă) UAK (VAK), maxim admisibilă în stare
blocată. Aceşti parametri deseori se reprezintă grafic prin intermediul
caracteristicii principale a diodei I(UAK). Diodele de curenţi mari (>1000A) pot
fi considerate ca diode ideale, care în stare de conducţie au o rezistenţă interioară
Ri≈0, adică în această stare ele pot fi identificate cu un contact electronic normal-
închis (fig.2.1.5,a). În stare blocată dioda are o rezistenţă interioară relativ mare
RI.B →∞, de aceea curentul invers I(UAK<0)≈0, adică ea poate fi identificată cu un
contact electronic normal-închis.

a)
b)
Fig.2.1.5. Caracteristica „Amper-
Tensiune” a diodelor ideale şi reale

Diodele de curenţi mici şi medii nu pot fi considerate ideale, deoarece au o


rezistenţă interioară RI≈(3-5)Ώ. La aceste diode nu poate fi neglijată nici tensiunea
barierei de potenţial Ei≈0,7V a joncţiunii P-N. În caracteristica I(VAK) această
barieră se reprezintă ca o tensiune de prag VS, care trebuie depăşită de tensiunea
exterioară pentru a asigura creşterea curentului la o polarizare directă (fig.2.1.5,b).
Schema echivalentă a acestor diode în regim de conducţie se reprezintă ca un
contact normal-închis, înseriat cu tensiunea de prag VS şi cu rezistenţa Ri.
Dacă tensiunea negativă depăşeşte o valoare maxim-admisibilă, are loc
străpungerea (arderea) diodelor. În acest caz RI.B=RI, de aceea curentul diodei
poate fi limitat doar de rezistenţele altor elemente, conectate în serie cu diodele.

În afară de diodele redresoare tipice, descrise mai sus (în engleză Generic), în
microelectronică sunt utilizate şi alte tipuri de diode cu particularităţi şi funcţii
speciale. De exemplu: diodele Schottky şi PIN, de exemplu, sunt destinate pentru o
funcţionare la frecvenţe foarte înalte; diodele Zener - pentru stabilizarea unei
tensiuni inverse (negative) la variaţia curentului; diodele Varicap îndeplinesc rolul
unui condensator; diodele luminiscente (Light-Emiting LED) – pentru
transformarea curentului electric într-un flux de lumină de culori diferite, diodele
Photo au o funcţie inversă faţă de LED. Diodele luminiscente LED în prezent au
primit o largă răspândire în iluminatul electric (orice joncţiune P-N deschisă
radiază un anumit spectru de lumină).
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 41
2.2.3 Aplicaţii ale diodelor semiconductoare în scheme de redresare

Datorită proprietăţilor dinamice bune şi conducţiei unilaterale, diodele au


căpătat o utilizare largă în redresoarele necomandate, care transformă tensiunea
de curent alternativ de la intrare într-o tensiune constantă de curent continuu
U d la ieşire. Însă această tensiune nu este reglabilă (deoarece însăşi dioda este
necomandată) şi nici tensiune ideală (linie dreaptă), ci este constituită din porţiuni
pozitive (pulsuri) ale tensiunii sinusoidale de la intrare.
Au fost propuse o varietate mare de redresoare necomandate cu diode :
 cu o conexiune în punte, sau cu punct nul (punct comun) al diodelor;
 cu 1,2,3,6 faze ale tensiunii alternative de intrare;
 cu redresare dublă sau mono alternanţă (a unei singure semiperioade).
Cel mai simplu redresor necomandat este cel monofazat mono alternanţă,
reprezentat în figura 2.1.6). El se numeşte redresor mono alternanţă, deoarece într-
o perioadă a tensiunii sinusoidale de intrare, dioda VD transmite la ieşire numai
porţiunea alternanţei pozitive, când ea este polarizată direct (UAK>0). În intervalele
de timp, când sinusoida de intrare este negativă, dioda VD este blocată, de aceea
valoarea momentană a tensiunii redresate în acest interval ud(t)=0. Ca urmare,
tensiunea redresată uD(t) în acest caz este constituită numai din pulsuri (alternanţe)
pozitive ale sinusoidei de intrare cu pauze nule între ele:
2U sin t , dacг U AK 0 sau 2k t 2k 1
ud t ;
0 , dacг U AK 0 sau 2k 1 t 2k
Valoarea medie Ud a tensiunii redresate se calculează prin integrarea valorii
momentane uD(t) într-o perioadă 2π - radiani :
1 2 2
Ud 2U sin t U 0.45U ,
2 0
Acest tip de redresor este simplu, însă se foloseşte în practică foarte rar,
deoarece valoarea medie a tensiunii redresate U d este mai mică cu 55%, faţă de
valoarea efectivă a tensiunii alternative de intrare U. În plus la aceasta, frecvenţa
pulsurilor tensiunii redresate momentane se micşorează de 2 ori (constituind 25
Hz), faţă de frecvenţa standardizată a tensiunii sinusoidale de intrare 50 Hz.
Ut
VD
t
0 2 3

Ut Ud R Ud t
d
Ud
t
3

Fig.2.1.6. Redresor necomandat monofazat mono alternanţă la o sarcină activă


2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 42
În figura 2.1.7 este prezentat redresorul necomandat monofazat cu dublă
alternanţă şi cu nul, care este de fapt un redresor cu 2 faze de intrare U1 şi U2,
decalate cu 180º, obţinute cu ajutorul unui transformator de intrare cu 2 înfăşurări
secundare, conectate în serie şi cu un Nul între ele. Fiecare fază în acest caz
reprezintă un redresor mono alternanţă, descris în figura precedentă. Ambele
redresoare mono alternanţă sunt conectare paralel faţă de rezistenţa comună de
sarcină RD, conectată între Nulul transformatorului şi nulul catozilor ambelor
diode. Deoarece tensiunile de intrare U1 şi U2 sunt decalate cu 180º, redresoarele
mono alternanţă paralele funcţionează consecutiv (cu o frecvenţă de 25 Hz). În
prima jumătate de perioadă (de la 0-π) este deschisă prima diodă (cea de sus cu o
tensiune UAK>0), dioda de jos în acest interval fiind blocată, deoarece tensiunea ei
UAK<0. În jumătatea a doua de perioadă (π-2π), polarizarea şi conducţia diodelor
se inversează. De aceea tensiunea redresată ud(t), într-o perioadă deplină (0-2π),
este constituită de 2 pulsuri pozitive, ceea ce dublează valoarea medie Ud, în
comparaţie cu schema precedentă:
1 2 2 2
Ud 2 2U sin t U 0.9U 0,
2 0

Fig.2.1.7.. Schema şi diagramele redresorului monofazat dublă alternanţă şi cu nul


Dezavantajul acestei scheme constă în necesitatea utilizării unui
transformator monofazat cu 2 înfăşurări secundare identice. Când acesta lipseşte,
se utilizează schema în punte monofazată cu 4 diode.
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 43
În figura 2.1.8,a este prezentată schema unui redresor necomandat monofazat
dublă alternanţă cu 4 diode VD1-VD4, conectate în punte, într-o diagonală a căreia
se aplică tensiunea reţelei standardizate alternative Ui(t)=~220V, 50Hz, iar la
cealaltă diagonală - rezistenţa de sarcină Rd. Această schema poate avea, de
asemenea, la intrare şi un transformator monofazat, care se utilizează în caz, dacă
sarcina de ieşire necesită o tensiune mai mică (mai mare) decât tensiunea
standardizată a reţelei de curent alternativ, deoarece tensiunile intrare/ieşire, fără
transformator de raportare, nu diferă mult una de alta: Ud=0,9U (fig.2.1.8,b).
În ambele scheme tensiunea alternativă Ui(t) se aplică la toate 4diode, însă din
ele se deschid numai 2 (în cruce) – acelea, care sunt polarizate direct în momentul
dat. Dacă, de exemplu, Ui(t)>0 (sau, mai bine zis, dacă Ui(t)>1,4 V, unde 0,7V
reprezintă tensiunea interioară de prag a unei singure joncţiuni P-N), se deschid
diodele VD1,VD4, transmiţând la ieşire prima alternanţă. În caz, când Ui(t)<0, se
deschid diodele VD2,VD3, care transmit la ieşire a doua alternanţă pozitivă.
Ut
VD1 VD3
t
0 2 3
Ut Ud Rd
Ud t
VD 2 VD 4
VD1,4 VD 2,3 VD1,4 Ud
t
0 2 3
a)

b
Fig.2.1.8. Redresoare dublă alternanţă în punte monofazată şi sarcină activă
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 44
Elementele microelectronice sunt concepute pentru o alimentare în tensiune
continuă ideală (linie orizontală, adică fără pulsaţii de curent alternativ, ca la
baterii şi acumulatoare chimice). Redresoarele monofazate însă au la ieşire pulsaţii
(porţiuni de sinusoidă) foarte mari, de aceea tensiunea redresată trebuie filtrată cu
ajutorul unui condensator electrolit de capacitate mare. În figura.2.1.9,a este
arătată schema unui astfel de redresor necomandat cu filtru capacitiv, iar în figura
2.1.9,b – diagrama tensiunii redresate fără condensator (culoare verde) şi cu
condensator (culoare albastră). În acest caz forma tensiunii redresate se apropie de
cea ideală. Aceasta se datorează faptului, că în intervalul creşterii tensiunii
dud/dt>0), condensatorul se încarcă prin diode, acumulând energie electrică de la
reţea, iar în intervalul descreşterii dud/dt<0, diodele se blochează, deoarece
tensiunea ud(t)<uC(t), iar sarcina este alimentată de tensiunea (energia) acumulată
de condensator uC(t).
Condensatorul de filtrare în acest caz mai îndeplineşte încă o funcţie –
măreşte valoarea medie a tensiunii redresate Ud (dacă capacitatea este relativ
mare). El se încarcă până aproape de amplitudinea tensiunii sinusoidale, de aceea
Ud≈√2Ui≈1,4Ui, pe când fără condensator Ud=0,9Ui. Această proprietate măreşte
totodată factorul de putere (cos φ) al redresorului (micşorează consumul de
energie reactivă), ceea ce reprezintă un avantaj important, mai ales la puteri mari.

Fig.2.1.9 Schema şi diagrama de funcţionare a redresorului monofazat mono


alternanţă cu şi fără condensator de filtrare
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 45
O creştere a tensiunii redresate medii Ud, chiar şi fără utilizarea unui
condensator de filtrare, poate fi obţinută, de asemenea, prin ridicarea numărului de
faze ale redresorului. O largă răspândire în practică au obţinut-o redresoarele
trifazate necomandate, care pot fi realizate, la fel ca şi cele monofazate, în aceleaşi
2 variante de conexiuni – cu nul şi în punte. În figura 2.1.10 este arătat un redresor
trifazat necomandat mono alternanţă cu Nul (de fapt cu 2 Nuluri), diodele
căruia se conectează în fiecare secundar al transformatorului trifazat, conectat în
„Stea”. Sarcina de ieşire a redresorului Rd se conectează între Nulul
transformatorului şi Nulul comun al catozilor celor 3 diode.
Funcţionarea acestui redresor se bazează pe aceleaşi proprietăţi de conducţie
unilaterală ale diodelor. În fiecare moment de timp, din cele 3 diode, conduce
curentul acea diodă , care este polarizată direct, adică care are anodul mai pozitiv,
deoarece catozii sunt comuni. Într-un sistem trifazat simetric fiecare fază devine
mai pozitivă peste fiecare 120º, de aceea fiecare diodă conduce curentul 120º.
Deschiderea următoarei diode condiţionează blocarea celei precedente prin
aplicarea unei tensiuni UAK < 0 . Valoarea momentană a tensiunii redresate conţine
deja 3 pulsuri pozitive (porţiuni de sinusoidă) ale tensiunilor de fază de o durată de
120º fiecare, amplitudinea cărora este mai mică, faţă de redresoarele monofazate.
Valoarea medie a tensiunii redresate în acest caz într-adevăr este mai mare faţă de
tensiunea de intrare: Ud = 1,17 U.

A B C

t
3 6
Ud U f 1.17U f
2
2
3 Ud t
Rd
Fig. 2.1.10. Schema redresorului trifazat necomandat cu Nul şi diagrama lui de
funcţionare
Ud
VD1 VD3 VD5
Pentru a obţine o tensiune redresată şi mai mare şi cu pulsaţii alternative şi
mai mici, se foloseşte redresorul
U d R trifazat
3 dublă alternanţă 3cu66 diode conectate
U t U U 2.34U f
în punte, arătată în figura d 2.1.11,a. Această punte d
poate ffi reprezentată
t
convenţional ca fiind constituită din0 2 redresoare trifazate mono alternanţă cu Nul,
VD 4 VD6 VD 2
conectate în serie cu sarcina Rd şi paralel, în raport cu Nulul transformatorului de
alimentare. Unul dintre aceste 2 redresoare este Pozitiv (D1 D2 D3, deoarece are
catozii comuni, iar anozii se polarizează cu tensiuni pozitive), iar altul - Negativ
( D11, D21 , D31 deoarece anozii sunt comuni, iar catozii se polarizează cu tensiuni
negative).. În fiecare moment de timp, din fiecare redresor cu Nul, se deschide câte
o singură diodă (acea, care este polarizată direct), de exemplu: în redresorul Pozitiv
– dioda cu potenţial mai pozitiv la Anod, iar în redresorul Negativ - dioda cu un
potenţial mai negativ la Catod.
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 46
În fiecare redresor cu Nul într-o perioadă au loc câte 3 comutaţii ale diodelor
(D1 D2 D3 şi D11, D21 , D31 ), însă punctele de intersecţie a alternanţelor pozitive sunt
defazate faţă de punctele de intersecţie a alternanţelor negative cu 60º
(fig.2.1.11,b). De aceea într-o perioadă se obţin 6 comutaţii, defazate cu 60º.
Fiecare diodă conduce în total 120º, însă 60º - cu dioda opusă a fazei precedente şi
60º - cu dioda opusă a fazei următoare, de exemplu: dioda D1 conduce 60º cu D21 şi
60º cu D31 .

Ud U dP U dN
3 6 3 6
Uf Uf
2 2
1,17U f 1.17U f
2,34U f

b
Fig.2.1.11 Redresor trifazat dublă alternanţă în punte şi formele lui de tensiune