Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Curs 05 Tranzistoare
Curs 05 Tranzistoare
Tranzistoare
1. Prezentare generală
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductore, construite în general din
MATERIALE SEMICONDUCTOARE din Siliciu, întrebuinţate în general în diverse
tipuri de circuite electronice, care au drept drept principal scop prelucrarea sau
generarea unor informaţii, atât de tip analogic cât şi digital. Câteva din cele mai
importante clase de circuite electronice analogice în care tranzistoarele sunt utilizate
sunt:
amplificatoare de semnal
generatoare de semnal (oscilatoare)
stabilizatoare de tensiune
Tranzistorul bipolar
1
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
2
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
3
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
4
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
5
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
Din relaţiile 5.3 şi 5.4.a rezultă că iB depinde exponenţial de tensiunea vBE, în mod
asemănător cu modul în care depinde curentul printr-o diodă de tensiunea pe
aceasta. Din acest motiv, între BAZĂ şi EMITOR, un tranzistor bipolar se comportă
ca o diodă semiconductoare şi în consecinţă poate fi modelat prin intermediul
modelelor diodei. Astfel, în primă fază, circuitul echivalent care modelează
comportamentul tranzistorului bipolar în RAN este prezentat în Figura 5.a, iar
circuitul echivalent LINIAR, care poate fi utilizat în analiza circuitelor care conţin
tranzistoare bipolare funcţionând în RAN este cel prezentat în Figura 5.b.
În circuitul echivalent 5.b valoarea VD este de aproximativ 0,6V. Aşadar, dacă
tranzisotrul bipolar funcţionează în RAN devine valabilă relaţia:
v BE 0 ,6V 5.4.b
Relaţiile 5.4.a şi 5.4.b caracterizează funcţionarea trenzistorului bipolar în RAN.
6
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
Revenind la relaţia 5.4.a, aceasta sugerează faptul că, un tranzistor bipolar care
funcţionează în RAN:
amplifică puternic în curent (iB este crescut de sute de ori şi furnizat ca iC)
amplificarea este liniară (între iC şi iB este o relaţie liniară).
Aceste caracteristici generează elementele fundamentale necesare construirii
unui circuit capabil să amplifice semnale. Asupra acestui aspect, se va reveni în
capitolul care tratează circuitele de amplificare cu tranzistoare.
7
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe joase şi
medii.
8
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
Figura 7. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe înalte.
Tranzistorul MOS
9
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
1. Prezentare generală
Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) este un dispozitiv cu trei
terminale, furnizat de către producători sub diverse forme (capsule), un exemplu
fiind prezentat în Figura 1.
Cele trei terminale ale tranzistorului MOS se numesc DRENĂ, GRILĂ, respectiv
SURSĂ.
10
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
11
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiţia de funcţionare: vGS < VTH (canal N)
unde VTH reprezintă un parametru al tranzistorului MOS numit tensiune de
prag; valoarea acestei tensiuni este:
pozitivă pentru tranzistorul MOS cu canal indus de tip N, negativă pentru
tranzistorul MOS cu canal indus de tip P;
negativă pentru tranzistorul MOS cu canal iniţial de tip N, pozitivă pentru
un tranzistor MOS cu canal iniţial de tip P;
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
iD 0 5.7
12
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
REGIUNEA LINIARĂ:
o condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS < vGS - VTH
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
v
i D 2 k vGS VTH DS v DS 5.8
2
mA
unde k este un parametru al tranzistorului care se măsoară în
V2
(miliamperi împărţit la volţi la pătrat).
o în această regiune, tranzistorul MOS se comportă ca o rezistenţă a cărei
valoare poate fi controlată de o tensiune – tensiunea grilă-sursă.
REGIUNEA DE SATURAŢIE:
o condiţia de funcţionare: vGS > VTH şi vDS > vGS - VTH
o în această regiune, funcţionarea tranzistorului MOS este descrisă de
ecuaţia de funcţionare:
i D k vGS VTH 2 5.9
o în această regiune tranzistorul MOS poate fi utilizat pentru prelucrarea
analogică a semnalelor, fiind singura regiune de funcţionare în care
tranzistorul NOS poate AMPLIFICA LINIAR semnale;
13
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
diD Amper
gm gm 2 k I D g m Siemens 5.10
dvGS i I Volt
D D
Figura 5. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe joase şi
medii.
Modelul depinde de frecvenţa la care este utilizat tranzistorul MOS. Pentru frecvenţe
mai mici decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor joase şi medii), modelul
14
Dispozitive Electronice şi Electronică Analogică 2009-2010
Suport curs 05 – Tranzistoare
Pentru frecvenţe mai mari decât aproximativ 1MHz (domeniul frecvenţelor înalte),
funcţionarea tranzistorului MOS este afectată de anumite fenomene dinamice, de
natură capacitivă, care pot fi modelate prin intermediul unor CAPACITĂŢI
PARAZITE, reunite în parametrii notaţi cgs, respectiv cds. Circuitul echivalent valabil
în acest caz este prezentat în Figura 6.
Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului în regim variabil de semnal mic, pentru frecvenţe înalte.
15