UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

“EXPERIENCIA N° 02”
“DISPARO DE UN TIRISTOR CON CIRCUITOS INTEGRADOS UJT Y PUT”
”

GRUPO N° : 1
INTEGRANTES :
 Alania Ureta, José Alejandro 20141170D
 García Fuentes Rivera, Alexander Jesús 20142049D
 Santamaría Llontop, Jesús Alberto 20147501B

Curso : Electrónica de Potencia

Profesor : Arévalo Macedo, Robinson
Sección : “A”
Ciclo Académico : 2018-I

LIMA, 05 DE MAYO DE 2018

 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

ÍNDICE
OBJETIVOS................................................................................................................................................ 1
FUNDAMENTO TEÓRICO ....................................................................................................................... 2
EQUIPOS Y MATERIALES...................................................................................................................... 8
DISEÑO DE CIRCUITOS DE DISPARO Y RESULTADOS ............................................................. 10
CUESTIONARIO ...................................................................................................................................... 14
OBSERVACIONES ................................................................................................................................. 16
CONCLUSIONES .................................................................................................................................... 17
ANEXO ...................................................................................................................................................... 18
 OBJETIVOS

 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT.

 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.

1
 FUNDAMENTO TEÓRICO
DISPARO POR UJT.
El Transistor Uniunión, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de
relajación para el disparo de Tiristores.
El UJT está constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos
electrodos o bases denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia está
comprendido entre 4 y 9 KΩ. En un punto de ella se crea un diodo PN que realiza la
función de emisor del UJT.
Circuito de regulación de voltaje eficaz aplicado a la carga

Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma

adecuada.

Si los terminales B1 y B2 están polarizados en directo con una tensión VBB, se crea un
divisor de tensión entre el contacto de la región P y los terminales B1 y B2, tal que

el voltaje entre la región P y el terminal B1 será:

Donde:

El valor típico del coeficiente, μ lo suministra el fabricante y está comprendido entre

0.5 y 0.8

2
 Esquema de polarización y circuito equivalente del UJT.
Si con esta configuración se aplica una tensión VE < VC, el diodo se polariza en
inverso y no conducirá. Pero si por el contrario, se aplica una tensión VE tal que se
verifica que VE ≥ VP, (siendo VP = VC + VD y VD la tensión directa de saturación del
diodo), el diodo quedará polarizado en sentido directo, circulando una corriente
entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de resistencia R1
una corriente de portadores (huecos). La nueva concentración de portadores en
esa zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje
VC, con lo que aumentará la intensidad IE. De esta manera, se creará una zona de
resistencia negativa inestable.

Si se disminuye la tensión VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo alcance

un valor inferior a la corriente de valle, IV aumentará el valor de VEB1 pasando a
polarizar el diodo en sentido inverso.

Característica V-I del UJT

La secuencia de trabajo del oscilador de relajación con UJT se puede comprender
mejor observando la figura.
El condensador se carga a través de la fuente hasta alcanzar un valor que depende
de la constante de tiempo aproximada del circuito, T

La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de la resistencia,

RT.
Cuando la tensión del condensador se iguala al valor VE (VE = VC + VD), se llega a la
tensión de pico.

3
VP. La resistencia entre el emisor y la base B1 baja rápidamente descargándose el
condensador a través de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del
Tiristor.
Cuando el UJT no conduce la tensión en extremos de R1 debe ser menor que la
tensión de disparo del SCR

Circuito y formas de onda de un oscilador de relajación con UJT

Es importante escoger una tensión VBB de alimentación adecuada, y un UJT con la

suficiente capacidad de impulso VOB1.
Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el estado de bloqueo,
volviendo el condensador a cargarse para repetir de nuevo el ciclo.
La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la
temperatura. En la mayoría de los casos, el valor de esta resistencia puede ser
calculado aproximadamente utilizando la siguiente expresión:

El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los Tiristores.

Característica interbase del UJT para distintos valores de IE

Nomenclatura del UJT
A la hora de manejar las hojas de características para aplicaciones prácticas y durante el
desarrollo de problemas, es muy importante conocer la nomenclatura específica usada para
determinar los parámetros principales del UJT

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IE
Corriente de emisor.
IEO Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una tensión dada
y la base 1 en circuito abierto.
IP
Intensidad de pico de emisor. Máxima corriente de emisor que puede circular sin que
el UJT alcance la zona de resistencia negativa.
IV
Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el dispositivo
está polarizado en el punto de la tensión de valle.

rBB Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una tensión
interbase dada.
VB2B1
Tensión entre la base 2 y la base 1, también llamada tensión interbase.
VP
Tensión de pico de emisor. Máxima tensión vista desde el emisor antes de que el UJT
alcance la zona de resistencia negativa.
VD
Caída de tensión directa de la unión de emisor. También llamada VF(EB1) ó VF.
VEB1
Tensión de emisor en al base B1.

VEB1(sat.) Tensión de saturación de emisor. Caída de tensión directa entre el emisor y la base B1
con una corriente mayor que IV y una tensión interbase dada.

VV Tensión de valle de emisor. Tensión que aparece en el punto de valle con una VB2B1
dada.
VDB1
Tensión de pico en la base B1. Tensión de pico medida entre una resistencia en serie y
la base B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajación.
μ
Relación intrínseca.
αrBB
Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variación de la resistencia B2 y
B1 para un rango de temperaturas dado y medido para una tensión interbase y
temperatura con emisor a circuito abierto dadas.

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DISPARO POR PUT
El Transistor Uniunión Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado en los
circuitos de disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como:
cátodo (K), ánodo (A) y puerta (G).
El PUT, es un pequeño Tiristor con puerta de ánodo, presentando unas características de
disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajación, pero
presenta la ventaja de poder ser programado para determinar el valor de los parámetros μ, V P e IV
mediante un sencillo circuito externo de polarización. Una vez fijada la tensión de alimentación
también es cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos parámetros y por tanto se pueden obtener
periodos de mayor duración.

Montaje y circuito equivalente de un PUT

La operación del PUT, depende de la tensión que se tenga aplicada entre el ánodo y la puerta del
Dispositivo. El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensión que es utilizado para
programar el disparo del dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de ánodo, el PUT
queda en estado de corte. Si se incrementa el voltaje de ánodo hasta un punto alrededor de
0.7V (Voltaje de barrera de la unión P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en
un periodo de tiempo muy corto (menos de 1μs). La tensión de ánodo (VP) que hace que el
dispositivo se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la relación:

En la figura se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias R1, R2 y el

condensador C, actúan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el paso de corte a
conducción, aparece un pulso de tensión VG (mayor de 6 V) en el cátodo del PUT. Este será el pulso
que apliquemos a la puerta del Tiristor. El condensador se descargará a través de la resistencia
de cátodo haciendo que la corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este
momento el voltaje de ánodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzará a cargarse de nuevo
el condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitiéndose de nuevo el ciclo.
Cuando la tensión de ánodo, VA es superior a VG + VGA, comienza a conducir y tiene una
característica similar a la del UJT como se puede observar en la curva característica V-I del PUT Tanto IP
como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:

Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores muy bajos

6
 usando valores grandes de RG. Esta característica es muy útil en circuitos con tiempos de retardo
largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso del UJT que Rmáx dependía de IP).
Los límites de resistencia de carga del condensador R T se determinan de la misma forma que para el
UJT.
En el problema siguiente se tratará de diseñar el oscilador de relajación con PUT a partir de las
características dadas por el fabricante y para una determinada frecuencia.

Oscilador de relajación con PUT. Curva característica V-I del PUT

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 EQUIPOS Y MATERIALES

Multímetro Fluke Osciloscopio

Protoboard Potenciómetro

Condensadores PUT 2N6027

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UJT 2N2646 Foco de 220V

Resistencias de polyester Tiristor BT151

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 DISEÑO DE CIRCUITOS DE DISPARO Y RESULTADOS

DISEÑO DEL CIRCUITO DE DISPARO CON UJT

   0.56  0.7 
 I v  4mA , I P  5 A
 RBB   4.7  9.1 k 
 Vv  3.5V

Para Vs  30V
1. VP  Vs  VD De modo que VD  0.5V
Si    0.56  0.7   VP  17.3  23V
2.Vv  3.5V

Vs  Vv V  VP
R s
Iv Iv
30  3.5 30  23
3
R
4 x10 5 x106

 6.625k   R  1.4 M 

 Optamos por un potenciómetro RP  200k 

10
 104
3. R2 
 xVs
Si    0.56  0.7   R2   0.44  5.92 k 

 Elegimos R2  0.5k 
4. R1  100
 Elegimos R2  47

De acuerdo con los valores de C y R P Se tiene lo siguiente:

Si: C=0.242  F y R P  65.7 k 
1  1 
T=  ( R p  R)CLn  
f  1  
 T=14.84ms
el cualse verifica con el gráfico en el osciloscopio

GRÁFICOS EN OSCILOSCOPIO

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DISEÑO DEL CIRCUITO DE DISPARO CON PUT

Para Vs  30V
1. Rs  100
 Eligimos Rs  47
2.Sabemos del datasheet
  0.867
R2
 Sabemos que:  
R2  R1
escogemos: R2  30k 
 R1  5k 
R1 xR2
3. RG 
R2  R1
 Resistencia de Puerta RG  4.286k 
4.VP   xVS
VP  25.71V
De acuerdo con los valores de C y R P Se tiene lo siguiente:
Si: C=0.242  F y R P  35.7 k 
1  Vs 
T=  ( R p  R)CLn  
f  Vs  VP 
 T=16.21.67ms
el cualse verifica con el gráfico en el osciloscopio

12
GRÁFICOS EN OSCILOSCOPIO

13
 CUESTIONARIO
1. ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos circuitos?
Al aumentar el valor de la capacitancia C del condensador se observa que disminuye la
luminosidad del foco, esto debido a que se está variando el ángulo de disparo. Una forma de
explicar esto es la siguiente:

El tiempo que se demora el disparo del PUT o

UJT depende del tiempo en que se carga el
condensador. (t1 en la figura) Si se dispone de un
condensador de alta capacitancia este tiempo
será grande (mayor tiempo en cargarse), por lo
que es tiristor se disparará luego (ángulo de
disparo grande), mientras que si se dispone de
dispone de uno de baja capacitancia se tendrá
el efecto contrario, y la luminosidad será mayor
(se deja pasar más potencia).

2. Según su opinión cual de los circuitos integrados de disparo es el recomendable

¿Por qué?

Ambos, UJT y PUT son usados como osciladores

de relajación, pero la diferencia yace en el hecho
de las propiedades intrínsecas.

A diferencia del UJT, el PUT tiene una relación

intrínseca dependiente de las resistencias
usadas en el diseño del circuito (R1 y R2 en el
gráfico).

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 Por lo que en los cálculos es posible un diseño más preciso, mientras que en el UJT se
dispone de un rango para la relación intrínseca, el cual viene en la hoja de datos del
fabricante.

Además, debido al control que se tiene sobre la relación intrínseca es posible variar el
voltaje de pico, el cual se escogerá adecuado a las características del tiristor a controlar.

Por ende, es recomendable el uso de circuitos de disparo con PUT, debido a la libertad de
controlar sus parámetros.

3. ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera que cambios
se podrían hacer para mejorarlo.
Como principal dificultad para realizar la experiencia fueron que no se
tuvo el suficiente cuidado al elaborar el diseño de los circuitos, por ello se
esperó a culminar la teoría para luego efectuar un correcto diseño.
Asimismo se recomienda efectuar el diseño en base al datasheet del
integrado que se está utilizando y verificar la correcta conexión de estos,
ya que en nuestro caso al no contar con el suficiente cuidado, se conectó
erróneamente el UJT y este se quemó.
Además se recomienda que el integrado UJT que se debería especificar
en la guía de laboratorio sea el 2N2646 ya que el UJT que se describe
en la mencionada guía es muy difícil de conseguir.

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 OBSERVACIONES

- En la experiencia se observó que en el regulador UJT, cuando se

le colocó un valor muy pequeño de C (en el orden de nF) la señal
de la onda regulada no era estable y presentaba curvas
superpuestas. Esto es debido a que el tiempo de carga se hace
muy pequeño y no le daba el tiempo al condensador de cargarse,
por lo que terminaban superponiéndose las curvas de carga y
descarga, generando el voltaje regulado inestable. Aun así, el
foco se observaba prendido.
- Se observó en la implementación de laboratorio que el PUT
permitía una mejor regulación que el UJT, a pesar de usarse el
mismo potenciómetro para regular ambos circuitos. Sin embargo
se debe aceptar que el cálculo de diseño de un disparador de
pulsos por UJT es más liviano.

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 CONCLUSIONES

- Se diseñó exitosamente los circuitos de disparo de un tiristor con

un UJT y un PUT calculando las resistencias necesarias con los
conocimientos obtenidos en clase.
- Se disparó exitosamente nuestro tiristor con nuestros circuitos de
disparo diseñados. El tiristor tuvo como carga a un foco de 25W.
- El porcentaje de error encontrado en los cálculos para la
experiencia 2 con el PUT nos demuestra que esta es muy
próxima a los valores teóricos, al igual que nuestro circuito con el
UJT.

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ANEXO

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