Capitolul 3 Joncţiuni pn.

Diode semiconductoare

3. Joncţiuni pn. Dioda semiconductoare

3.1 Procese fizice la joncţiunea pn

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice cu două

terminale, care au în structura lor o joncţiune pn, o regiune de tip p şi una de
tip n, realizate în aceeaşi reţea cristalină continuă, şi două contacte ohmice
(terminale). Valoarea conductivităţii electrice depinde de sensul tensiunii
aplicate: pentru sensul direct, care micşorează bariera energetică de
echilibru, conductivitatea are o valoare ridicată, iar pentru sensul invers,
care măreşte bariera energetică, conductivitatea devine redusă. Există multe
tipuri de diode: redresoare, stabilizatoare, de detecţie, de comutaţie,
VARACTOR, tunel, IMPATT, PIN, GUNN ş.a.
În continuare se vor analiza procesele fizice din joncţiunea pn,
modul de polarizare al acesteia, o serie de tipuri de diode cu aplicaţiile
principale şi exemple concrete de dispozitive.
La contactul dintre două solide cu nivele Fermi diferite, se formează
o barieră energetică Wb datorită difuziei purtătorilor de sarcină dintr-un
mediu în altul. Se operează cu potenţialul de difuzie definit ca Vb=Wb/q.
(La metale, acest potenţial se numeşte potenţial de contact şi este localizat
pe un spaţiu foarte îngust la suprafaţa de contact).
Se consideră un material semiconductor în care se realizează o
regiune de tip n şi una de tip p. La suprafaţa de separaţie a celor două
regiuni se formează o joncţiune pn caracterizată prin: lărgime, sarcină
spaţială, câmp electric, potenţial de difuzie şi capacitate electrică. Joncţiunea
pn este elementul de bază în majoritatea dispozitivelor electronice. Dacă
prin dopare se realizează condiţia ca valorile concentraţiilor NA şi ND în cele
două regiuni să fie constante iar variaţia acestora să aibă loc numai la
suprafaţa de separaţie, joncţiunea se numeşte abruptă şi ideală. De obicei, în
practică NA ≠ ND. În regiunile p şi n îndepărtate de joncţiune, concentraţiile
purtătorilor de sarcină sunt determinate de dopare şi de temperatură (în
regiunea p: pp ≫ np şi pp ≃ NA, iar în regiunea n: nn ≫ pn şi nn ≃ ND).
Trecând de la o regiune la alta concentraţiile electronilor şi golurilor variază
brusc. Purtătorii majoritari difuzează dintr-o regiune în cealaltă: golurile
difuzează din regiunea p în regiunea n, iar electronii din regiunea n în
regiunea p. Pe o porţiune din imediata vecinătate a suprafeţei de separaţie nu
mai este satisfăcută condiţia de neutralitate electrică: în regiunea p apare o
sarcină electrică negativă formată din ioni acceptori imobili, iar în regiunea
n apare o sarcină spaţială pozitivă formată în principal din ionii donori
imobili.
71
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.1 Prezentarea grafică a proceselor fizice în dioda semiconductoare cu

joncţiune pn.
Spaţiul în care se întinde sarcina spaţială se numeşte regiune de trecere şi
este definit longitudinal prin:

72
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

l0  l0  l n0 (3.1)

în care l0, lp0 şi ln0 au semnificaţiile din fig.3.1c. Prezenţa sarcinii spaţiale dă
naştere unui câmp electric E având sensul de la n la p. Acesta se opune
deplasării în continuare prin difuzie a purtătorilor majoritari dintr-o regiune
în alta. Existenţa câmpului electric duce la apariţia unui potenţial Vb numit
potenţial de barieră sau de difuzie. Prin acumularea unei sarcini electrice
regiunea de trecere prezintă o capacitate electrică. După realizarea
joncţiunii, în sistem se stabileşte echilibrul termodinamic caracterizat prin
aceea că nivelul Fermi are aceeaşi valoare în toate mediile ce compun
sistemul. Stabilirea echilibrului se face într-un timp foarte scurt în următorul
mod: deoarece nn ≫ np şi pp ≫ pn electronii din regiunea n vor trece în
regiunea p, iar golurile din regiunea p vor trece în regiunea n.

Fig. 3.2 Modelul benzilor energetice la dioda semiconductoare.

Ca urmare a acestei deplasări are loc egalizarea nivelelor Fermi

WFn=WFp şi formarea barierei energetice Wb. În afara regiunii de trecere
concentraţiile purtătorilor rămân neschimbate şi poziţiile nivelelor Fermi
73
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

aceleaşi (faţă de Wv şi Wc). În regiunea de trecere, unde raportul

concentraţiilor se schimbă şi este prezentă sarcina spaţială distanţele dintre
nivelul Fermi şi limitele benzilor de conducţie şi valenţă variază. Valoarea
lui Wb poate fi determinată ca diferenţa dintre nivelele Fermi ale celor două
regiuni de semiconductor [5]:
Wb  WFn  WFp  Wg  kT ln NcPv / NDNA
(3.2)

Înlocuind Wg cu expresia sa din relaţia (2.23) se obţine:

NDNA
Wb  kT ln (3.3)
n i2

Wb kT N D N A N N
Vb   ln 2
 VT ln D 2 A (3.4)
q q ni ni

Echilibrul termodinamic nu reprezintă o „stare îngheţată”. Un

anumit număr de purtători de sarcină circulă dintr-o regiune în cealaltă a
joncţiunii: deplasarea purtătorilor majoritari prin difuzie dă naştere
curenţilor de difuzie jnD şi jpD; deplasarea purtătorilor minoritari datorită
câmpului E dă naştere curenţilor de drift jnE şi jpE. Curenţii de difuzie şi de
drift sunt egali şi au sensuri opuse. Ţinând cont de relaţiile:

n i2  n n p n  p p n p
nn  ND
(3.5)
pp  NA

se pot deduce concentraţiile purtătorilor minoritari de o parte şi de alta a

joncţiunii din relaţia (3.4):
Vb

p n0  p p0  e VT
(3.6)

Vb

n p0  n n0  e VT
(3.7)

74
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Indicele 0 arată că există stabilit echilibrul termodinamic. Se deduc relaţii

[4,5,7] pentru:
Lărgimea totală a regiunii de trecere la echilibru termodinamic.
1 1
 2Vb  2
 2Vb  2
l 0  l p0  l n0    
 qN A 1  N A /N D   qN D 1  N D /N A 
(3.8)

 2Vb N A  N D 
l 0    (3.9)
 qN A N D 

3.2 Polarizarea joncţiunii pn

 Lărgimea regiunii de trecere în funcţie de tensiunea aplicată din exterior.

1 1
 2ε N A  N D  2  V  2
l Vb  V   l 0 1  
 (3.10)
 q NA ND   Vb 

a) La polarizări inverse (- pe regiunea p şi + pe regiunea n) are loc

mărirea barierei de potenţial:
Vj  Vb  Vi
(3.11)

şi a lărgimii regiunii de trecere. S-a notat Vj tensiunea rezultată la nivelul

joncţiunii, şi Vi tensiunea de polarizare inversă aplicată.
1
 V  2 (3.12)
l  l 0 1  i 
 Vb 

b) la polarizări directe (+ pe regiunea p şi – pe regiunea n) are loc

micşorarea barierei de potenţial:

Vj  Vb  Vd (3.13)

şi reducerea regiunii de trecere:

1
 V  2
l  l O 1  d 
 Vb  (3.14)

75
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

S-a notat cu Vd tensiunea de polarizare directă pe joncţiune.

3.3 Ecuaţia diodei ideale

Ecuaţia diodei ideale (ecuaţia Shockley) exprimă dependenţa dintre

curentul prin diodă şi tensiunea aplicată la bornele acesteia.

I  f (V) (3.15)

Expresia analitică a curentului prin diodă se deduce în baza unei serii

de ipoteze simplificatoare care sunt valabile şi în cazul majorităţii
structurilor reale :
1) joncţiunea este abruptă şi ideală;
2) tensiunea externă aplicată se regăseşte în principal la limitele regiunii de
trecere; în afara acestei regiuni câmpul electric este nul;
3) lărgimea regiunii de trecere este foarte mică în raport cu lungimile de
difuzie ale purtătorilor, astfel că în această regiune se pot neglija procesele
de generare-recombinare;
4) există nivele mici de injecţie, concentraţia purtătorilor minoritari fiind
mult mai mică decât cea a purtătorilor majoritari;
5) lărgimile regiunilor p şi n sunt mult mai mari decât lungimile de difuzie
Ln şi Lp , încât purtătorii minoritari în exces se recombină înainte de a
ajunge la contactele ohmice.
În regim staţionar, în orice secţiune a diodei, curentul este constant
fiind dat de suma curenţilor produşi de purtătorii majoritari şi de purtătorii
minoritari. Regiunea de trecere fiind foarte îngustă, dacă se neglijează
procesele de recombinare, curentul datorat unui tip de purtători rămâne
constant în limitele acestei regiuni. Este suficient să se determine
componentele de difuzie ale curenţilor de purtători minoritari în exces. După
efectuarea calculelor [4,5] se obţine descrierea curentului prin diodă (ecuaţia
Shockley):

 V VT  
VF
  VT pt. Vd > 0,1V
I  IS  e  1   S
I e
pt. Vi > 0,1V (3.16)
    IS

unde VT = kT/ q = 0,025V.

76
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

 D p p n0 D n n p0 
I S  S  jS  Sq   
 L L 
 p n 

unde VT = kT/ q = 0,025V, jS este densitatea de curent de saturaţie, S este

aria joncţiunii, IS este curentul de saturaţie prin joncţiune şi are valori
cuprinse în domeniul 10-16 – 10-12A.
Caracteristica voltamperică a joncţiunii pn: I=f (V), este o
exponenţială în cazul polarizărilor directe şi o dreaptă aproximativ paralelă
cu abscisa în cazul polarizărilor inverse, până la o anumită valoare la care
survine străpungerea joncţiunii. În cataloage, la caracteristica diodei se
folosesc notaţiile: a) la polarizare directă tensiunea se noteaza cu VF
(Forward Voltage), curentul cu IF; b) la polarizare inversă tensiunea se
notează cu VR (Reverse Voltage), curentul cu IR.
Caracteristica statică experimentală diferă de cea ideală. La
polarizare directă rata de creştere a curentului în funcţie de tensiunea
aplicată este mai mică decât prevede teoria deoarece apar căderi de tensiune
pe regiunile p şi n. La polarizare inversă IS este mai mare decât cel calculat
teoretic deoarece în regiunea de trecere au loc fenomene de generare a
purtătorilor atât termic cât şi prin câmp electric; la creşterea lui IS contribuie
şi fenomenele de suprafaţă, precum şi impurităţile accidentale din
semiconductor.

Fig. 3.3 Caracteristica statică a unei joncţiuni pn.

Caracteristica de polarizare directă (I şi II) este definită prin tensiunea de

deschidere VF0 şi rezistenţa diferenţială rd definită prin relaţia:
1
 dI 
rd    VF  VFQ (3.17)
 dVF 
77
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Punctul de coordonată VFQ, IQ se numeşte punct static de funcţionare

al diodei. Uneori se foloseşte şi mărimea numită conductanţă diferenţială a
diodei:
g d  rd 1
(3.18)

Tensiunea de deschidere VF0 depinde de tipul joncţiunii (vezi tabelul 3.1).

Tabelul 3.1
Metal- semiconductor
Tipul joncţiunii Germaniu Siliciu
(Schottky)
Tensiunea de deschidere
0,15÷0,3 0,5÷0,6 0,1÷0,3
(domeniu de variaţie) (V)
Tensiunea de deschidere
0,18 0,55 0,1
(tipică) (V)

Caracteristica de polarizare inversă este definită printr-o valoare

extrem de redusă a curentului invers IR (Reverse curent) IR < 10μA, într-un
domeniu larg de tensiune (III). Acesta depinde de tipul diodei, la unele
tipuri: IR < 10nA. La atingerea unei valori critice a tensiunii inverse aplicate,
notate cu VRM numită tensiune inversă maximă, (Maximum Reverse
Voltage), curentul prin diodă creşte brusc datorită intrării în conducţie prin
multiplicare în avalanşă a purtătorilor. Funcţionarea sigură a diodelor
impune ca tensiunea inversă să nu atingă valoarea VRM. Secţiunea
transversală a unei diode uzuale este cuprinsă între 1mm2 şi 100mm2;
densitatea de curent medie admisă la siliciu este de 1A/mm2.

3.4 Modele liniare pe porţiuni pentru diodele semiconductoare

Ţinând cont de forma ecuaţiei Shockley (3.15), funcţionarea diodei

semiconductoare în circuitele reale poate fi modelată în patru variante.
1. În cazul tensiunilor ridicate din circuitul de lucru al diodei, dacă se
neglijează căderea de tensiune pe diodă în conducţie directă şi curentul
invers, se obţine caracteristica din fig 3.4-1 a diodei ideale modelată de
relaţiile:
VR < 0, IR =0 (3.19)
V = 0, IF >0
Dioda ideală se comportă ca un întrerupător comandat în tensiune,
dar cu conducţie unidirecţională.
78
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

2. În cazul tensiunilor reduse de lucru şi a curenţilor direcţi mici se ia în

consideraţie căderea de tensiune pe diodă, ca în fig. 3.4-2:

UR < 0, IR = 0
(3.20)
UF ≥ VFO, I > 0

3. În cazul tensiunilor reduse de lucru şi al curenţilor mai ridicaţi se ia în

model şi rezistenţa directă a diodei RD formată dintr-o parte constantă rm şi
din rezistenţa diferenţială a joncţiunii rd , fig. 3.4-3:

UR < 0, IR = 0 (3.21)

VF  VFO
UF ≥ VFO, IF = (3.22)
RD

4. La tensiuni de polarizare inverse ridicate, modelul 3 se completează cu un

rezistor RINV conectat în paralel cu dioda ideală ca în fig. 3.4-4:
VR
VR < 0, IR = (3.23)
R INV

I I

1 IF 2
IF

V V
0 0 VF0
A K A K + -

VF0
I I
IF IF
3 4
1
1 RINV 1
RD V RD V
0 VF0 0 VF0
IR

A RD RD
K + - A K + -
VF0 VF0
RINV

Fig. 3.4 Modele liniare pe porţiuni pentru dioda semiconductoare

79
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Construcţia diodelor

Dioda reală este formată din structura semiconductoare închisă într-o

capsulă etanşă prevăzută cu terminale electrice. Partea activă a
dispozitivului o reprezintă structura semiconductoare în care s-a realizat
joncţiunea pn şi zonele superficiale puternic dopate p+ şi n+ care asigură
contacte ohmice cu rezistenţă serie neglijabilă. Suprafeţele corespunzătoare
anodului şi catodului sunt metalizate, iar suprafaţa laterală a
semiconductorului este pasivată şi protejată cu dielectrici anorganici (Al2O3,
sticlă) sau organici (răşini poliamidice sau siliconice) care asigură
stabilitatea funcţionării prevenind contaminarea joncţiunii prin factori
externi şi evitând o conducţie "paralelă" cu joncţiunea prin mediu.
Structurile cu putere redusă se lipesc cu catodul sau cu anodul (mai
rar), pe capul metalic al capsulei (ambază), cu aliaje pe bază de plumb sau
mai rar prin alierea unor straturi adiacente. Celălalt electrod se lipeşte la un
terminal metalic izolat faţă de ambază de regulă pe capacul capsulei.
Capsula unei diode are câteva cerinţe impuse: să protejeze structura
semiconductoare faţă de mediu (umiditate, agenţi chimici corozivi) printr-o
etanşare perfectă; să asigure legătura electrică între joncţiune şi circuitul
extern; să evacueze căldura din joncţiune spre mediul extern; să fie
rezistentă mecanic la manevrele care se fac. În fig.3.5 se prezintă structura
mecanică a unei diode de putere medie.

Fig. 3.5 Constructia unei diode de putere medie in capsulă metalică

80
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Materialul semiconductor utilizat cel mai frecvent la realizarea diodelor este

siliciul. Ca tehnologii de obţinere a jonctiunilor pn în diode în prezent se
utilizează difuzia din stare solidă şi implantarea ionică (vezi cap. 7).

3.5 Dioda redresoare. Redresarea curentului alternativ

Pentru alimentarea cu curent a circuitelor electronice se foloseşte

tensiunea continuă. Reţeaua de transport şi distribuţie a energiei electrice în
România utilizează curentul alternativ cu tensiunea de 220V/380V şi
frecvenţa de 50Hz. (în unele state există alte tensiuni şi frecvenţe ale
reţelelor de distribuţie). Pentru aplicaţii în care este necesară o tensiune
continuă se folosesc redresoare care realizează conversia tensiunii
alternative în tensiune continuă.
În general un redresor are trei părţi principale:
 transformatorul cu rolul de a modifica tensiunea reţelei pentru ca la
ieşirea redresorului să se obţină o anumită valoare a tensiunii redresate.
Raportul de transformare este n1: n2 = U1m: U2m ;
 elementul redresor propriu-zis cu caracteristică neliniară şi conducţie
unidirecţională care realizează redresarea ;
 filtrul de netezire care reduce pulsaţiile tensiunii redresate şi este
constituit de obicei din elemente pasive R, L, C. În unele aplicaţii redresorul
poate să nu fie prevăzut cu filtru de netezire (alimentarea unor servomotoare
de curent continuu, circuite de generare a impulsurilor ş.a.)

Parametrii care definesc un redresor sunt:

 tensiunea medie redresată obţinută în sarcină: Us
 curentul mediu redresat care strabate sarcina: Is
 factorul de ondulaţie, definit ca:

Up
γ (3.24)
Us

unde Up este amplitudinea armonicii de frecvenţa cea mai joasă prezentă la

ieşire. O redresare de calitate presupune un factor de ondulaţie scăzut.
 Randamentul de redresare, definit de relaţia:
P
η U (3.25)
PC

81
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde PU =USIS , este puterea utilă în sarcină, iar PC este puterea furnizată de
transformator în circuit.
Există în principal două tipuri de redresare: monoalternanţă şi
bialternanţă.

3.5.1 Redresor monoalternanţă

Schema redresorului monoalternanţă este dată în fig.3.6, şi constă

din: transformatorul de reţea Tr., dioda D şi rezistenţa de sarcină RS.
Tensiunea medie la bornele rezistenţei de sarcină este:
T2 T2

U 2Msint dt  2M
1 1 RS U RS
U med 
T 
0
u(t)dt 
T 
0
RS  R t π RS  R t
(3.26)

Fig. 3.6 Redresor monoalternanţă şi diagramele de funcţionare

unde U2M este amplitudinea tensiunii din secundarul transformatorului, ω

este pulsaţia acesteia, Rt este rezistenţa totală a diodei şi a secundarului
transformatorului de reţea. Dacă se neglijiează Rt se obţine:
U
U med  2M
π
U med U 2M
I med   (3.27)
R S  Rt π(R S  Rt )

82
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Curentul maxim prin diodă va fi:

U 2M
I max  (3.28)
RS
iar tensiunea inversă maximă pe diodă va fi:

U RM  U 2M (3.29)

Dacă se ia în consideraţie căderea de tensiune pe diodă de valoare

aproximativă constantă UD0, atunci tensiunea medie pe sarcină devine:
U 2M  U D0
US  (3.30)
π
3.5.2 Redresor bialternanţă în punte

Schema redresorului bialternanţă în punte de diode este prezentată în

fig. 3.7. Pe durata alternanţei pozitive a tensiunii furnizate de
transformatorul de reţea diodele D1 şi D3 sunt polarizate direct şi conduc, în
timp ce diodele D2 şi D4 sunt blocate. Pe durata alternanţei negative diodele
D2 şi D4 conduc, iar diodele D1 şi D3 sunt blocate. Curentul IS prin rezistorul
de sarcină RS are tot timpul acelaşi sens.

Fig. 3.7 a- Schema redresorului bialternanţă în punte;

b- diagramele tensiunilor şi curenţilor.

Tensiunea medie la bornele rezistorului de sarcină este:

T T
2 2 2
RS U RS
U 2Msin ωt dt  2 2M
2
U med   u(t)dt  R (3.31)
T 0 T 0 S  Rt π RS  R t
83
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde Rt reprezintă suma dintre rezistenţele în conducţie ale perechilor de

diode D1, D3, respectiv D2, D4 şi a rezistenţei înfăşurării secundare a
transformatorului de reţea.
Dacă se neglijează Rt atunci:

2U 2M
U med  (3.32)
π
Curentul mediu redresat este:

U S 2U 2M
I med   (3.33)
RS πR S

Curentul maxim prin diodele punţii este acelaşi ca la redresarea

monoalternanţă. Tensiunea inversă maximă pe o diodă va fi jumătate din
tensiunea din secundar (avem două diode în serie):
U 2M
U RM   (3.34)
2
Dacă se ia în consideraţie căderea de tensiune pe o diodă şi se
consideră că aceasta are o valoare aproximativ constantă UD0 , atunci
tensiunea medie pe sarcină devine:

U 2M  2U DO
US  (3.35)
π

Forma semnalelor corespunzătoare redresării bialternantă cu punte

de diode este dată în fig. 3.7 b.

Redresorul bialternanţă cu priză mediană

Schema redresorului cu priză este dată în fig. 3.8. Pe durata

alternanţei pozitive a tensiunii de reţea conduce dioda D1, D2 fiind blocată,
iar pe durata alternanţei negative conduce D2, D1 fiind blocată.

84
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Fig. 3.8 Schema redresorului bialternanţă cu priză mediană

Se poate arăta că relaţiile stabilite pentru tensiuni şi curenţi în cazul

redresării bialternanţă cu punte de diode sunt valabile şi aici ca de altfel şi
formele tensiunii şi ale curentului. Totuşi tensiunea inversă pe o diodă este
mai mare în cazul redresorului cu priză mediană decât în cazul redresorului
cu punte de diode.
În tabelul 3.2 se dau parametrii reprezentativi pentru fiecare din
redresoarele prezentate anterior, parametri utili în proiectare.

Tabelul 3.2 Compararea performanţelor diferitelor tipuri de

redresoare
Tipul redresorului Monoalternanţă Bialternanţă Bialternan
cu priză ţă
în punte
Eficienţa de conversie 0,406 0,812 0,812
Frecvenţa pulsaţiilor f 2f 2f
Tensiunea continuă de ieşire 0,318 U2 0,636 U2 0,636 U2
Coeficientul de pulsaţii 1,21 0,482 0,482
Tensiunea inversă pe o diodă 2U2 2U2 U2
Coef. de utilizare al transf. 0,287 0,693 0,812

3.5.3 Filtrarea curentului redresat

Filtrele de netezire sunt filtre trece jos care atenuează pulsaţiile ten -
siunii redresate, lăsând neschimbată componenta continuă. Se folosesc filtre
cu diferite structuri care conţin capacităţi, rezistenţe, inductanţe. Cele mai
folosite sunt filtrele capacitive.

85
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Redresorul cu filtru capacitiv.

În fig. 3.9 a, se prezintă schema redresorului monoalternanţă cu filtru

capacitiv (un condensator de capacitate mare conectat în paralel cu sarcina).
În fig. 3.9 b,c,d, se prezintă diagramele de funcţionare. Condensatorul
schimbă regimul de funcţionare al diodei. Aceasta va conduce în intervalul
θ1 – θ2, când dioda este polarizată direct. Atâta timp cât dioda conduce,
curentul care o străbate este egal cu suma dintre curentul de încărcare al
condensatorului şi curentul prin sarcină. Pe timpul cât dioda este blocată
condensatorul asigură curentul prin sarcină, cu alte cuvinte acesta se
descarcă prin rezistenţa de sarcină. Acest timp este egal cu T – (θ2 – θ1) pe
durata unei perioade (T) a tensiunii de reţea.

Fig. 3.9 a- redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv; b- curba reală a

tensiunii de ieşire; c- curbele reale ale curenţilor iD; iC; iS; d- curba
idealizată a tensiunii de ieşire.

Pentru determinarea valorii medii Umed şi a factorului de pulsaţie γ se

presupune că în intervalul de timp cât dioda este blocată tensiunea US

86
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

variază liniar în timp şi creşte brusc când tensiunea din secundar devine
maximă. În această situaţie tensiunea medie pe sarcină va fi:
Ur
U med  U 2M  (3.36)
2
unde Ur este amplitudinea variaţiei tensiunii pe sarcină, care se numeşte
tensiune de riplu, ea fiind dată de:
ΔQ I med T I med
Ur    (3.37)
C C fC

ΔQ reprezentând variaţia sarcinii condensatorului în intervalul [π/2 - 5π/2].

Deoarece tensiunea pe sarcină variază liniar în intervalul cât dioda nu
conduce cu amplitudinea Ur≪Umed curentul debitat de condensator se poate
considera constant şi egal cu Imed. În această situaţie tensiunea medie pe
sarcină devine:
U 2M
U med  (3.38)
1
1
2fR S C

Dacă se ia în consideraţie căderea de tensiune pe diodă şi se

aproximează că aceasta are o valoare constantă UD atunci tensiunea medie
pe sarcină devine:
U 2M  U DO
US  (3.39)
1
1
2fR S C

Fenomenele sunt asemănătoare şi în cazul redresorului bialternanţă

cu filtru capacitiv. Diferenţele ce apar au drept cauză faptul că pulsaţia
tensiunii pulsatorii obţinute în cazul redresării bialternanţă este dublă şi prin
urmare timpul de descărcare al condensatorului pe rezistenţa de sarcină este
mai scurt. Pe timpul unei perioade a tensiunii de reţea condensatorul se
încarcă de două ori. Deasemenea căderea de tensiune pe diode este 2U D0
deoarece în serie cu sarcina există două diode.

În tabelul 3.3 se dau parametrii reprezentativi pentru redresoarele

monoalternanţă şi bialternanţă prevăzute cu filtru capacitiv.

87
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Tabelul 3.3 Parametri reprezentativi pentru redresoarele monoalternanţă şi

bialternanţă

Tipul redresorului Mono- Bialternanţă Bialternanţă în

alternanţa cu priză punte
Puterea tipică a 1,73PS 1,48PS 1,24PS
transformatorului
Tensiune în secundar 0,95US 0,9US 0,9US
Tensiune inversă pe diodă 2,4US 2,25US 1,13US
Curentul mediu prin diodă 1,0IS 0,51IS 0,51IS
Curentul în secundarul transf. 2,1IS 1,1IS 1,57IS
Valoarea condensatorului 5Is/Ur 2Is/Ur 2Is/Ir
(mF)*
Tensiunea maximă pe 1,4US 1,41US 1,41US
condensator
Curentul max. la pornire 0,7CUS 0,7CUS 0,7CUS
(C in mF)
Frecvenţa riplului 50Hz 100Hz 100Hz
*Ur reprezintă amplitudinea maximă a riplului adică a tensiunii alternative
pe sarcină.

3.6 Dioda stabilizatoare de tensiune (zener)

Pentru menţinerea funcţionării aparaturii electronice la parametrii

impuşi una din condiţiile necesare este asigurarea unor tensiuni de
alimentare constante. Diodele stabilizatoare de tensiune care se mai numesc
şi diode zener sunt utilizate la realizarea unor stabilizatoare parametrice
bazate pe faptul că tensiunea la bornele diodei prezintă la o anumită
tensiune de polarizare inversă variaţii foarte mici faţă de variaţia curentului
care o străbate.
Dioda stabilizatoare este constituită dintr-o joncţiune pn la care
concentraţiile impurităţilor în regiunile n şi p sunt mai mici ca la dioda
redresoare dar cu condiţiile: ND≤Nc şi NA≤Pv. La aplicarea unor tensiuni
inverse are loc fenomenul de străpungere electrică (fenomen reversibil dacă
nu provoacă prin încălzire distrugerea structurii) caracterizat printr-o
creştere rapidă a curentului invers. Acest fenomen este provocat de trei
cauze concurente: instabilitatea termică, efectul tunel interbenzi,
multiplicarea în avalanşă a purtătorilor minoritari. Analiza făcută asupra
ponderii acestor mecanisme arată că cel mai important este procesul de

88
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

multiplicare în avalanşă, când la tensiuni ridicate în regiunea de trecere

există un câmp electric intens şi purtătorii minoritari acumulează energii
mari şi în urma ciocnirilor cu atomii reţelei se generează perechi electron-
gol care la rândul lor provoacă noi ionizări de impact. Apare astfel o creştere
importantă a curentului invers prin joncţiune fapt care descrie fenomenul de
străpungere electrică a joncţiunii. În fig. 3.10 este prezentată caracteristica
statică a unei diode zener. Curentul invers este neglijabil şi egal cu curentul
IS al joncţiunii pentru tensiuni negative mai mici în valoare absolută ca
valoarea tensiunii de străpungere. După atingerea tensiunii de străpungere,
curentul Iz creşte puternic, iar între valorile Vzm şi VzM evoluează în
domeniul Izm şi respectiv IzM. În circuit trebuie introdusă o rezistenţă de
limitare R1 care să împiedice intrarea în regiunea de disipaţie depăşită
evidenţiată de hiperbola de maximă disipaţie: Pdmax=IZVZ.

Fig. 3.10 Caracteristica statică a unei diode zener

Mărimi importante în funcţionarea şi utilizarea diodelor zener

A. Coeficientul de temperatură, αvz
Diodele zener prezintă o dispersie tehnologică a valorii tensiunii
stabilizate Vz, care este garantată la temperatura ambiantă de referinţă
(Tamb=25°C). Pentru calculul tensiunii stabilizate la o temperatură diferită se
utilizează relaţia:

Vz T   Vz Tamb 1   vz T  Tamb 

89
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

unde:
 vz 
1  dVz 
 
Vz  dT  Iz ct
 
K 1

αvz are valori negative pentru diodele cu Vz ≤ 5,5÷6V şi valori pozitive

pentru diodele cu Vz>6V. Schimbarea de semn se datorează trecerii de la
străpungerea prin efect zener la străpungerea prin multiplicare în avalanşă.
Coeficientul de temperatură este minim la diodele cu Vz ≈ 5÷6V. Pentru a se
realiza o stabilitate ridicată a unor tensiuni de referinţă se realizează
dispozitive cu compensare termică care conţin diode zener înseriate cu
diode redresoare care îşi compensează reciproc coeficienţii de temperatură.

B. Rezistenţa diferenţială pe caracteristica de stabilizare, rz

În cazul general rezistenţa diferenţială, rz are două componente:

rezistenţa diferenţială pentru condiţii izoterme rzj şi rezistenţa diferenţială
termică rzth:

dVz  Vz   V  dT
rz      z 
dI z  I z T ct  T  I z ct dI z

rz  rzj  rzth

Dacă variaţia curentului prin dioda zener este rapidă, încât temperatura nu o
poate urmări atunci rezistenţa totală va fi egală cu rzj. Acesta este cazul
valorilor indicate de producători pentru rz deoarece măsurătorile se fac la
frecvenţa de 1KHz. În general, cu creşterea curentului rzj scade , deoarece se
manifestă mai ales străpungerea prin multiplicare în avalanşă.

C. Zgomotul diodelor zener

În funcţionare diodele zener generează zgomot datorită caracterului

statistic al fenomenului de străpungere şi formarea microplasmelor. Cu
creşterea curentului prin diodă tensiunea echivalentă de zgomot prezintă
maxime şi minime în funcţie de numărul de puncte în care apare
străpungerea. Cel mai mare zgomot este generat în zona de "cot" a
caracteristicii. Pentru a reduce zgomotul se cuplează în paralel cu dioda
zener un condensator de cca. 100nF care are rol de filtru trece jos.

90
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

3.6.1 Stabilizator parametric de tensiune cu dioda zener

În fig. 3.11 a se prezintă schema electrică a unui stabilizator

parametric de tensiune cu diodă zener. Elementele acesteia sunt: sursa de
tensiune care alimentează montajul, modelată de sursa de tensiune ideală E
şi rezistorul r1 care reprezintă rezistenţa internă a sursei reale, rezistorul " de
balast" R1,care cuplează alimentarea sursei reale la dioda zener în polarizare
inversă şi rezistorul de sarcină RS.
Funcţionarea este următoarea: sursa de intrare trebuie să asigure un
asemenea curent prin dioda zener şi sarcină încât punctul de funcţionare al
diodei să fie situat în regiunea liniară a caracteristicii. Astfel tensiunea pe
sarcină va avea valoarea Vz (între Vzm şi VzM). Dacă tensiunea de intrare
variază în limitele admise în proiectarea schemei datorită căderii de tensiune
variabilă pe rezistorul R1, tensiunea la bornele sarcinii rămâne constantă.
Stabilizarea tensiunii pe sarcină are loc şi pentru un anumit domeniu de
valori ale rezistenţei acesteia.

R I a I S
R I a IS
Iz IZ
r
+ Rd
+ catod E + US RS
E U DZ U
S
RS - UZ
- anod -

b b
A B

Fig. 3.11 Stabilizator de tensiune parametric cu diodă zener:

A- schema electrică, B- schema echivalentă
Pentru a determina elementele unui astfel de stabilizator se trece la
schema echivalentă din fig. 3.11. Dioda zener se înlocuieşte cu o sursă de
tensiune ideală Uz în serie cu o rezistenţă care modelează rezistenţa
diferenţială a diodei. Rezistenţa internă a sursei de alimentare se neglijează
deoarece are valori sub 0,1Ω, în timp ce R1 are valori peste 100Ω. R include
r şi R1.
Scriind ecuaţiile lui Kirchhoff pentru circuit se obţine sistemul:

E – Uz = IR + IzRd
Uz = -IzRd + ISRS (3.44)
I = Iz + IS

91
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Rezolvând acest sistem în raport cu R se obţine:

1
EU R I
R z d z
(3.45)
 R  U
I z 1  d   z
 RS  RS

Pentru ca circuitul să stabilizeze valoarea lui R trebuie astfel aleasă încât

punctul de funcţionare al diodei să nu iasă de pe caracteristica de stabilizare,
adică să varieze între IzM şi Izm. Curentul prin diodă va avea valoarea
maximă IzM atunci când:
E = EM ; RS = RSM; IS = Im (3.46)

Impunând condiţiile (3.46) în expresia (3.45) se obţine:

E M  U z  R d I zM
Rm  (3.47)
 R  U
1zM 1  d   z
 R SM  R SM

Curentul prin dioda nu trebuie să fie mai mic ca Izm pentru cazul
extrem în care:

E = Em ; RS = RSm; IS = IM (3.48)

Condiţiile (3.48) introduse în relaţia (3.47) conduc la:

E m  U z  R d I zm
RM  (3.49)
 R  U
I zm 1  d   z
 R Sm  R Sm

Rezistenţa R trebuie să satisfacă condiţia:

Rm < R < RM (3.50)

Scriind sistemul de ecuaţii (3.44) şi explicitând US se găseşte expresia

tensiunii de ieşire:
Rd R RdR
US  E Uz  IS (3.51)
Rd  R Rd  R Rd  R

92
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Coeficientul de stabilizare este:

 
 1  R R R
S0     d  (3.52)
 U S  Rd Rd
 E  I2 ct.

deoarece R≫Rd.
Rezistenţa internă a stabilizatorului este:
 U  RdR
R i   S  E ct   Rd (3.53)
 IS  Rd  R
Dependenţa de temperatură a tensiunii de ieşire US este exprimată
prin coeficientul de temperatură al stabilizatorului, K0, determinat în special
de coeficientul de temperatură al diodei zener:

 U  R  dU z 
K θ   S  Ect    (3.54)
 θ  R  R d  dθ 

Coeficientul de temperatură al diodelor zener depine de tensiunea

nominală şi de punctul de funcţionare. O micşorare a dependenţei
coeficientului de temperatură al stabilizatorului de curentul prin diodă se
poate face prin conectarea în serie cu dioda zener a unei diode polarizate
direct având un coeficient de temperatură opus diodei zener.

3.6.2 Aplicaţii speciale ale diodelor zener

A. Obţinerea referinţelor de tensiune cu diode de referinţă

Aceste diode sunt diode zener compensate cu temperatura. În
general diodele zener au un coeficient de temperatură negativ sau pozitiv,
variabil cu temperatura. Pentru a realiza o diodă de referinţă se înseriază cu
dioda zener joncţiuni pn polarizate direct care îi compensează coeficientul
pozitiv de temperatură. Obţinerea unei stabilităţi termice ridicate a diodei de
referinţă este asigurată de menţinerea unui curent constant prin diodă, lucru
care se obţine prin folosirea unei surse de curent constant. De regulă diodele
de referinţă au tensiuni cuprinse între 6,2V şi 9V. În fig. 3.12 se prezintă
variaţia tensiunii stabilizate în funcţie de curent şi temperatură pentru dioda
1N935.

93
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.12 Dependenţa tensiunii stabilizate în funcţie de temperatură pentru

dioda 1N935

Caracteristicile de stabilitate ale unei diode tipice cum este MZ605

sunt: tensiunea zener, Uz=6,2V∓5%; curent zener Iz=7,5mA; variaţia
maximă a tensiunii zener ΔUz= 2,5mV; temperatura de lucru = -25°C ÷
+100°C; variaţia în timp a tensiunii stabilizate: 30μV/1000h.
Diodele de referinţă sunt utilizate în surse de tensiune şi curent, în sisteme
de conversie analog-numerică, în sisteme de automatizare şi control ş.a.

B. Protecţia circuitelor electronice la supratensiuni de alimentare

Se utilizează când durata supratensiunii este mică astfel încât dioda

zener să poată prelua şocul fără a se distruge termic. În fig. 3.13 se prezintă
configuraţia unui circuit de protecţie de acest tip. Dimensionarea
elementelor se face ţinând cont de valoarea estimata a supracurentului ce
poate apărea.

Fig. 3.13 Circuit de protecţie la supratensiune, cu diodă zener

Pentru creşterea puterii absorbite se pot folosi diode zener de putere

ridicată sau conectarea în paralel a acestora. De regulă se presupune că
supratensiunea apare singular cu o constantă de timp mare. Pentru a proteja
circuitul electronic în cazul unor supratensiuni de durată mare se utilizează o
combinaţie diodă zener - siguranţă fuzibilă, ca în fig. 3.14.
94
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Fig. 3.14 Circuit de protecţie la supratensiune cu

diodă zener şi siguranţă fuzibilă.

Presupunând că dioda DZ nu ar fi conectată, dacă la un moment dat

tensiunea furnizată de sursă creşte nepermis, curentul prin rezistorul R va
creşte determinând topirea fuzibilului F, dar după un timp mai lung necesar
încălzirii acestuia. Conectând dioda zener DZ, aceasta nu permite creşterea
tensiunii la bornele sarcinii (RC) peste valoarea ei de strapungere şi
determină topirea fuzibilului printr-un curent suplimentar pe care îl poate
prelua. În fig. 3.15 se prezintă variaţia tensiunii pe sarcină în cazul
conectării diodei zener de protecţie.

Fig. 3.15 Variaţia tensiunii pe sarcină cu protecţie.

Rezistorul RS are valoare mult mai mică ca R şi are rolul de a limita

curentul prin dioda zener la intrarea acestuia în conducţie la o valoare care
să nu ducă la străpungerea termică a acesteia.

C. Protecţia instrumentelor de măsură

Dioda zener poate fi utilizată la protecţia instrumentelor sensibile de

măsură, foarte vulnerabile la supracurenţi. În fig. 3.16 se prezintă modul de
protecţie a unui instrument de măsură analogic.

95
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Fig. 3.16 Circuit de protecţie cu diodă zener

pentru instrument de măsură.

D. Protecţia tranzistoarelor şi a circuitelor integrate

În capitolul următor se va vedea că la tranzistoarele cu efect de câmp

apariţia unor tensiuni electrostatice ce depăşesc anumite valori pot conduce
la deteriorarea lor. Pentru a preveni acest lucru se conectează între terminale
diode zener care limitează convenabil valorile de lucru.
La circuitele integrate, deasemenea aplicarea unor tensiuni mari în
intrare pot conduce la distrugerea structurii. În fig. 3.17 se prezintă o
configuraţie de protecţie cu diode zener pentru un circuit integrat utilizat ca
amplificator diferenţial.

Fig. 3.17 Limitarea tensiunii diferenţiale de

intrare la un amplificator integrat

E. Limitatoare şi formatoare de semnal cu dioda zener

Caracteristica neliniară a diodei zener permite crearea unor circuite

formatoare simple. În fig. 3.18 se prezintă un circuit formator de semnal
dreptunghiular.

96
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

Fig. 3.18 Formator de semnal dreptunghiular cu diode zener.

Pentru a asigura simetria tensiunii de ieşire trebuie sortate diode cu

aceeaşi tensiune zener. Semnalul este dreptunghiular dacă tensiunea
sinusoidală aplicată la intrare are o amplitudine mare în raport cu Uz. Dacă
amplitudinea este mai redusă se obţine un semnal trapezoidal.

F. Indicator de nivele de tensiune cu diode zener

Folosind diode zener cu valori diferite se pot separa nivelele de

tensiune care apar într-un circuit. Se pot crea testere pentru nivele logice sau
VU-metre pentru aparatura de sonorizare audio. În fig. 3.19 se prezintă
schema unui indicator de nivele cu diode LED.

Fig. 3.19 Indicator pentru nivele de tensiune cu diode zener.

Dacă diodele zener DZ1 ...... DZn au tensiuni de deschidere alese

convenabil în sens crescător ledurile LED1 ..... LEDn vor lumina gradat, în
funcţie de nivelul tensiunii aplicate la intrare, Vin.

97
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

3.6.3 Dioda cu capacitate variabilă VARACTOR

Acestă diodă foloseşte proprietatea joncţiunii pn de a se comporta la

polarizare inversă ca o capacitate dependentă de tensiunea aplicată. Legea
de variaţie a capacităţii cu tensiunea aplicată joncţiunii depinde de modul în
care variază concentraţia de dopare în regiunea de trecere.
De obicei expresia capacităţii este dată de :

Cbo
Cb  1
(3.55)
 V  2
1  
 Vb 

unde, Cbo este capacitatea la polarizare nulă.

Capacitatea de barieră creşte la polarizări directe şi scade la
polarizări inverse. În fig. 3.20 se prezintă caracteristica capacitate-tensiune
pentru dioda BB121. Dioda VARACTOR lucrează numai la tensiuni de
polarizare inverse deoarece factorul de pierderi trebuie să fie cât mai redus,
lucru care nu este posibil la polarizări directe când apare un curent direct
prin diodă.

Fig. 3.20 Dependenţa capacitate-tensiune inversă la dioda BB121

98
 Capitolul 3 Joncţiuni pn.Diode semiconductoare

În fig. 3.21 sunt: a- schema echivalentă a diodei VARACTOR b-

simbolul diodei. Utilizarea capacităţii de barieră a joncţiunii pn la acordul
circuitelor oscilante a fost realizată de Bell Laboratoires în 1961.

Fig. 3.21 a- Schema echivalentă a diodei VARACTOR, b- Simbolul diodei

VARACTOR

 Capacitatea Ct este elementul esenţial al diodei. Obţinerea unui raport

Ctmax/Ctmin cât mai mare, necesită o plajă extinsă pentru tensiunea de
polarizare. De obicei acest raport este cuprins între 4 şi 20.

 Rezistenţa serie rs este suma rezistenţelor parazite de contact şi a

siliciului din afara joncţiunii. Creşterea tensiunii inverse de polarizare duce
la scăderea rezistenţei serie prin extinderea regiunii de trecere. Valoarea
rezistenţei rs este de 0,5÷1Ω şi se măsoară la înaltă frecvenţă cu ajutorul
unor punţi speciale.

 Factorul de calitate:
1
Q ( 3.56)
Ct rs

creşte la o frecvenţă dată cu tensiunea de polarizare inversă.

 Inductanţa serie, Ls este datorată terminalelor diodei şi este de ordinul a

2,5nH la capsula DO-35.
Inductanţa serie şi capacitatea totală conectată în serie determină o
frecvenţă de rezonanţă:

1
f0  (3.57)
2 Ct Ls

99
FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)

Frecvenţa de rezonanţă proprie diodei VARACTOR are valori tipice

de circa 1,4÷2 GHz.
În fig. 3.22 se indică un mod de utilizare al diodei VARACTOR într-
un circuit oscilant acordabil. Avantajul deosebit este că se poate modifica
capacitatea prin intermediul unei tensiuni continue. Funcţionarea montajului
este următoarea: în paralel cu circuitul oscilant format din bobină şi
condensatorul C1 se conectează dioda VARACTOR Ct , în serie cu
condensatorul C2, de capacitate mult mai mare decît cea a diodei; prin
rezistorul R1 se aplică diodei o tensiune de polarizare inversă care îi
modifică controlat capacitatea. Valoarea rezistorului R1 este de cca.1M
acesta avînd şi rolul de separare al circuitului oscilant faţă de sursa de
alimentare (aceasta ar putea şunta circuitul oscilant). Prin modificarea
tensiunii sursei de polarizare se modifică continuu frecvenţa de oscilaţie.
Acest tip de montaj permite şi realizarea unor circuite de acord
automat al circuitelor oscilante, caz în care se face compararea frecvenţei
reale cu frecvenţa dorită şi se aplică o tensiune de reacţie diodei
VARACTOR pentru a menţine mereu circuitul oscilant pe această
frecvenţă. Există numeroase aplicaţii ale acestui mecanism de stabilizare al
frecvenţei în receptoarele radio şi TV şi în echipamentele de comunicaţie.

Fig. 3.22 Acordul unui circuit oscilant cu dioda VARACTOR

Dioda VARACTOR se mai utilizează în amplificatoare parametrice,

la generarea de armonici la frecvenţe foarte înalte şi în amplificatoare cu
modulare-demodulare.

100