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Circuitos Electrónicos II
EXPERIMENTO 1
CARACTERÍSTICAS V-I DEL FET
Objetivos:
1. Presentar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento en el osciloscopio
2. Determinar la característica de transferencia de un NMOS de enriquecimiento por medición
3. Estimar la magnitud del voltaje de umbral.
4. Estimar el valor de Kn.
5. Determinar la magnitud de IDSS y Vp =(VGSoff) de un JFET canal N
Materiales
1- Osciloscopio de dos canales
1- MOSFET canal N de enriquecimiento 2n7000
1- JFET canal N 2n5486
1- Amp-Op uA741
1- Generador de señales
Resistores: 100 , 1k , 1k
1- Potenciómetro 10k
1- Fuente de Poder DC (dual)
1- Voltímetro digital
1- Voltímetro análogo (VOM)
Procedimiento
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Carrera: __________________________
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c. Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura1. e invierta la señal del canal X.
d. Conecte el canal Y entre D y tierra real.
e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real
f. Ponga el osciloscopio en modo X-Y e incremente la resistencia del potenciómetro y registre el valor de V G
con el voltímetro. Grafique la característica de salida resultante para cada valor de V GS.
g. Estime el valor de Vt, Kn y VA .
VGS
V1kΩ
ID=V1kΩ /RD
e. Grafique ID vs VGS
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V. Comparaciones
a. Compare los valores de los parámetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante, son
parecidos?
VI. Conclusiones
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Cedula:
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