Tema 02 "Fundamentos y Tecnología de Materiales"

Tema 2. ESTRUCTURA INTERNA DE LOS MATERIALES. SISTEMAS CRISTALINOS

2.1. INTRODUCCIÓN

 Caracterización de los distintos materiales en ingeniería

 Estudio estructura a nivel atómico
 Comprensión los 7 sistemas cristalinos y 14 de redes
 Conocimiento de los índices de coordinación y su factor de empaquetamiento
 Posibles técnicas experimentales para determinar estructuras cristalinas.

2.2. ESTADO SÓLIDO

 Caracterizado por el estado de orden: cristalinos o amorfos

 Sólidos cristalinos: son los que repiten determinada estructura sistemáticamente
en todo el material.
o Son los materiales metálicos, mayoría cerámicos, y ciertos polímeros.

 Sólidos amorfos: son los que átomos, iones o moléculas están desordenados o
poco ordenados
o Ejemplo típico el vidrio

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 En realidad la materia no se encuentra totalmente ordenada o desordenada

 Existe degradación continua que da lugar a diferentes grados de cristalinidad.
 En general una baja velocidad de solidificación da lugar a mayores cristales.
 Temperatura de fusión: aquella en la que el matrerial recibe energía térmica suficiente para romper
enlaces que le dan coherencia como sólidos.
o Sólidos amorfos no presentan punto de fusión en contra de los sólidos cristalinos que si poseen.
 Fracturas:
o Sólidos amorfos: es de forma “concoidea” no sigue planos cristalinos
o Sólidos cristalinos: a lo largo de distintos planos de la estructura

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 Material cristalino:

o Monocristalino: un solo cristal

o Policristalino: con material de
cristales de diferente tamaño
(granos) unidos por sus fronteras.

2.2.1. Tipos de sólidos cristalinos

 Sólidos cristalinos metálicos:

o Alto empaquetamiento átomos unidos por enlaces metálicos
o Sólidos opacos, conductores eléctricos y térmicos, dúctiles y maleables, enlaces no direccionales, alto
punto de fusión, densidad y dureza.

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 Sólidos cristalinos iónicos:

o Iones ordenados y unidos por fuerzas de carácter electrostático.
o Elevado punto de fusión y dureza, fragilidad, baja conductividad eléctrica, transparentes u opacos.
o Ejemplo: ClNa
 Sólidos cristalinos covalentes:
o Átomos ordenados según direcciones de los orbitales moleculares de valencia
o Duros y frágiles, con elevado punto de fusión, y escasa deformación plástica.
o Conductividad eléctrica variable desde aislante del diamante a los semiconductores

 Sólidos cristalinos moleculares:

o Moléculas unidas por enlaces secundarios tipo
Van de Waals
o Sólidos blandos, bajo punto de fusión y
aislantes.
o Ordenación parcialmente cristalina, parcialmente
amorfa
o P.e. C4H4 .(ciclobutadieno)

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2.3. SISTEMAS CRISTALINOS. RED ESPACIAL

 Cristalografía: trata de estudiar los diferentes sistemas cristalinos

 Celda unidad: elemento más sencillo para representar a la unidad
estructural.
o Se define las 3 longitudes de sus lados (a,b y c) y los 3
ángulos entre los ejes (α, β y γ).

 Sistemas cristalinos: se establecen con arreglo a su grado de

simetría, siguiendo la propiedad de que “todos los cristales de una
misma sustancia presentan los mismos elementos de simetría”.

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 Los sistemas cristalinos de mayor interés tecnológico son el cúbico (definido por un único parámetro “a”)
y el hexagonal (definido por dos “a y c”).
 Basados en estos 7 sistemas cristalográficos, Bravais definió 14 tipos de redes cristalinas.

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 La mayoría de los metales de interés

industrial cristalizan según:
o Cúbica centrada en el cuerpo (cc).

o Cúbica centrada en las caras (ccc)

o Hexagonal compacta (hc)

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2.4. ISOMORFISMO Y ALOTROPÍA

 Metales isomorfos: son los que presentan la misma

estructura cristalina
 Alotropía: se dice del metal o no metal que presenta más de
una estructura cristalina en estado sólido, en condiciones de
presión y temperatura diferentes (p.e .Fe, Ti ó C).
 Estado alotrópico: es el constituido por cada una de las
formas cristalinas.
 Diferente ordenación, => diferente empaquetamiento =>
propiedades diferentes. (p.e. Carbono)

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2.5. ÍNDICES DE MILLER

 Interior del cristal: se considera un conjunto de puntos coincidentes con posiciones de núcleos de átomos.
 William Hallowes Miller, crea notación cristalográfica que permite identificar diferentes planos y
direcciones cristalográficas en un cristal
 Índices de Miller de PLANOS CRISTALOGRAFICOS: para definir un plano reticular o el conjunto de
sus paralelos, se utilizan tres índices de Miller (h k l),
o Se determinan las intersecciones del plano con los ejes cristalográficos, de tal forma que el plano no
debe contener a ninguno de los ejes.
o Se calculan los recíprocos de los números resultantes.(dos números son recíprocos uno de otro si su
producto es 1)
o Se buscan los números enteros más cercanos a los recíprocos.
o Se expresa la notación de Miller para el plano considerado

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 Índices de Miller de DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS [u v w]: también existen direcciones

cristalográficas
 Se obtienen de una forma directa con coordenadas del vector cuyo origen corresponde al origen de
coordenadas
 Se representan en un corchete los valores correspondientes

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 Familia de PLANOS EQUIVALENTES, denominados {h k l} y que representa aquellos planos que

tienen la misma densidad atómica superficial, distribución atómica e índices de Miller en valor absoluto.
 P.e. familia {100} es la que corresponden a la base superior (001), a la base inferior , al lateral derecho
(010), al lateral izquierdo a la cara anterior (100) y a la cara posterior .
o Es decir:{100} = .

 Familia de DIRECCIONES cristalográficas EQUIVALENTES se denominan por <uvw> y posee este

grupo igual densidad atómica lineal, distribución atómica e índices de Miller en valor absoluto.
o Es decir

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 Índices de Miller-Bravais del sistema hexagonal

o Sistema de coordenadas de cuatro ejes de la celda unidad

o Parámetros de la celda unidad son a y c.

o Los cristales con simetría hexagonal, tanto los planos (hkil) como las direcciones [hkil] tienen los
mismos índices.

o La suma de los índices h y k es el valor de i cambiado de signo: i = – (h + k)

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 En el ejemplo se indican los índices de Miller-Bravais de tres direcciones cristalográficas, siguiendo el

mismo procedimiento de obtención que para los índices de Miller.

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2.6. REDES CRISTALINAS DE LOS METALES

 Más frecuentes en los metales: red cúbica centrada en el cuerpo, la red cúbica centrada en las caras y la hexagonal
compacta, representando casi el 90% de los mismos, siendo del orden del 70% los metales que cristalizan en el
sistema cúbico.
 Celda unidad concepto ideal, el cristal se encuentra formado por un conjunto de celdas unidas entre sí y que por
lo tanto comparten aristas, vértices y planos.
 Cada átomo estará compartido por varias celdas a la vez.
 Cada celda, en función del tipo de red, contendrá un determinado número de átomos del metal .

Celda unidad de una estructura Estructura cristalina hexagonal compacta (hc), para materiales que
cúbica centrada en las caras (ccc) cristalizan en el sistema hexagonal, más compleja que la de Bravais

Red de Bravais

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2.6.1. Densidad teórica y parámetros de red

 En el sistema cúbico, la densidad teórica viene dada por la expresión:

 En el sistema hexagonal, la densidad teórica es:

a y c parámetros reticulares.

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Red cúbica centrada en el cuerpo (cc)

Red cúbica centrada en las caras (ccc)

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Red hexagonal compacta (hc)

2.6.2. Radio atómico y parámetros de red

 Radio atómico del elemento: mitad de la distancia interatómica.
 Red (ccc) compactación máxima se produce según la diagonal de la cara del cubo:

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 Red (cc) compactación máxima se produce según la diagonal principal del cubo:

 Red (hc) la compactación máxima se produce en el lado del hexágono

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2.6.3. Índices de coordinación

 Índice de coordinación IC es el número de átomos que equidistan de uno y son sus vecinos más próximos.
o IC de la red (cc) es 8
o IC de la red (ccc) es 12
o IC de la red (hc) es 12, siempre que la relación de parámetros c/a (altura del prisma hexagonal/arista
de la base) sea igual a 1,633. Algunos metales que cristalizan en este sistema presentan ciertas
desviaciones de este valor.

2.6.4. Factor de empaquetamiento (Fc)

 Es la relación entre el volumen que ocupan los átomos y el volumen de la celda unidad.

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2.6.5. Densidades atómicas y parámetros de red

 Densidad atómica planar se define como la relación entre el número de átomos a los que corta el área
de un determinado plano dividido por esa área.

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 Densidad atómica lineal.- relación entre el número de átomos cortados a través de sus diámetros por una
determinada longitud de línea en la dirección requerida, y la longitud determinada por esa línea.

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2.6.6. Distancia entre planos reticulares y parámetros de red

 Distancia entre dos planos con los mismos índices de Miller en el sistema cúbico (a= parámetro de red).

 Planos cuyos átomos están dispuestos de una manera más compacta son los que presentan mayor distancia
interplanar.

2.7. INTERSTICIOS EN LAS REDES CRISTALINAS

 Son los espacios interatómicos libres dentro de la red cristalina.
 Se pueden alojar impurezas y elementos de aleación cuyos volúmenes sean del orden del tamaño de los
intersticios.
 En la red (ccc) el mayor intersticio se encuentra en el centro geométrico del cubo.
 En la red (cc) los intersticios son más pequeños, estando el mayor de ellos situado en el centro del tetraedro
formado por los dos átomos de los vértices de un lado de la celda unidad y los átomos centrados en el cuerpo
de dicha celda y la situada inmediatamente encima de ella.

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2.8. TÉCNICAS PARA CARACTERIZAR ESTRUCTURAS INTERNAS.

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