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Exercice 1:
Objectif: Exploiter la caractéristique de transfert d’une fonction donnée
s
Soit la fonction définie par la caractéristique de transfert ci-contre.
8
Déterminer l’allure du signal de sortie si on applique en entrée le
signal suivant :
Cas a b c d
-4 -1 4 Forme d’onde sinus sinus sinus sinus
e Offset (V) 0 0 1 1
3
Amplitude (V) 4 2 2 4
Fréquence (khz) 1 1 1 1
-8
Sur la feuille réponse (au dos) :
Tracer, en concordance de temps, les signaux e(t) et s(t).
+12
UNITE
10 mA DE
AMPLIFICATEUR C.A.N TRAITEMENT
(à dimensionner)
Ve
Vs
8 bits
CTN PT100
R(θ)= 100 +0,385 θ
θ en °C
La plage de température à mesurer s’étend de -50 °C à +125 °C. La correspondance de la tension présente
à l’entrée du CAN est donnée par le tableau ci-dessous :
Température θ en °C -50 +125
Tension Ve(V) entrée de l’amplificateur
Tension Vs (V) en entrée du CAN 0 12
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• Reprendre et compléter le tableau ci-dessus avec les tes valeurs de la tension Ve.
• Tracer la caractéristique de transfert de l’amplificateur.
• En déduire, pour chaque zone de fonctionnement l’équation Vs = f(ve).
Comparaison
Intégration de
tension
V1 V2
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s e
8
-4 -1 4
e t
3
-8
(
e
e(t)
4
-4
s(t)
8
t
t
-8
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EN1
FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE
Exercice 1:
Objectif: Exploiter la caractéristique statique d’une diode afin de calculer la résistance de limitation du
courant dans la diode à partir de sa caractéristique statique
On considère un circuit constitué d’une alimentation E, d’une résistance R et d’une diode dont la
caractéristique statique Id=f(Vd) est donnée dans le tableau ci-dessous.
Vd
Id
E R
Vs
1- Pour E=5V et R= 120Ω, utiliser la caractéristique statique pour déterminer le courant Id0
traversant la diode et la tension Vd0 à ses bornes (aide : tracer la droite de charge
ensemble des points Id,Vd possibles définis par R).
2- Représenter la droite de charge pour la valeur R = 80Ω puis R=220Ω. Quelle est
l'influence de R?
3- Calculer la valeur de R pour limiter le courant à 80 mA.
4- Etablir le modèle équivalent de la diode prenant en compte sa tension de seuil Vs et sa
résistance interne dynamique Rd (R=120Ω)
270ohm Vo
1-V1=V2=5V
R2 D2
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Exercice 3:
Objectif : appliquer la méthode d'étude exposée en cours afin de:
- Etablir les conditions de conduction des diodes.
- Tracer la fonction de transfert d'une structure à diodes.
100kohm R2
D2 200kohm
V1
V2 V3
100V 25V
2
VE R11
R3 R10 5,6k R12
1K 5,6K VS 1K
2
1
1
2
+7,5 1N4148 1N4148 1N4148 1N4148
+15
D1 D2 D3 D4
2
1
2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1
R4 R5 R6 R7 R8 R9
330 68 100 100 68 330
-15
-7,5
Application:
Pour un signal VE triangulaire, d'amplitude 4V de fréquence 50Hz, dessiner sur un même
chronogramme VE(t) et VS(t). Quelle est l'utilité de cette structure?
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EN1
FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE
Exercice 1 :
Soit le montage suivant :
VF IF
R1
IF
DZ1
Q1
E
-5,6
. V
12 V VF
I
R2
CIRCUIT
V
2mA
DE
CHARGE
DZ1 est une diode zener de 5,6 V dont la caractéristique statique est donnée ci dessus.
Le transistor est caractérisé par :
VBE = -0,6 V à l’état passant
β =100
Montage 1 :
Ir 1 – Calculer R pour avoir Ir = 1 mA.
2 – Exprimer I en fonction de Ir. Quel est l’écart en p% entre I
R
I
et Ir.
E
15 Montage 2 : I1 I2
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Exercice 3 : Application : Paire différentielle et miroir de courant
Paire différentielle :
+E Soit le montage suivant :
M1
M1 et M2 sont des miroirs de courant parfaits.
Les transistors sont supposés parfaitement
Is
identiques.
Ic1 Ic2
1 – Exprimer I en fonction de (Ic1 – Ic2).
e1 e2
2 – En posant :
VBEn
Icn = Is.e UT
Io
Etablir l’expression de I en fonction de
Ipol
(e1-e2) .
3 – En posant l’hypothèse que (e1-e2)<<UT.
M2
Donner l’expression simplifier de I en fonction de
(e1-e2).
-E Quelle est la fonction réalisée ?
4 – Quelle est, en tension, l’excursion maximum de
la tension collecteur Vc2 ?
Pour augmenter l’excursion en tension des tensions collecteur Vcn, on réalise le montage suivant :
5 – M3 et M4 étant des miroirs de courant parfaits, quelle est la nouvelle relation entre Isortie, Ic1
+E
et Ic2 ?
6 – Quelle est l’excursion,
en tension, possible de la
M1 M3
tension de sortie.
7 – Redessiner ce dernier
montage en remplaçant les
blocs M1, M2, M3 et M4
Ic1 Ic2
par les montages vus à
l’exercice 2. (Il faudra
e1 e2
peut-être adapter certaines
structures avec des
Isortie
transistors PNP).
Io
Ipol
M2 M4
-E
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1. Transistor en commutation.
VCC VCC Dans le montage suivant, V2 est un signal carré compris entre
0 et 9 V, de fréquence 10 hz. Calculer les différentes
résistances pour assurer un éclairement correcte de la LED (IF
= 10 mA, VF = 1 .2 V) lorsque le signal V2 est au niveau haut
R1
?
+ 9 (9V). Vous justifierez toutes les valeurs numériques que vous
V1
-
utiliserez dans les calculs.
D1
Rouge
allumer la LED sur l’état bas ?
2N2222
Q1
R2
+ ?
V2
-
2. Montage de polarisation :
Pour les deux montages ci-dessous :
1 - calculer les différentes résistances de façon à polariser le transistor autour du point de
fonctionnement : VC0 = 6 V et IC0 = 2mA.
On donne pour le transistor : β = 100 et VBE0 = 0,6 V, et on impose R3 = 1 kΩ.
2 – A la suite d’une panne, nous sommes amenés à changer le transistor par un de même référence.
Cependant, la valeur de β est de 200. Recalculer la valeur de la polarisation avec ce nouveau transistor.
Conclure quant au choix du montage.
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En considérant que les condensateurs peuvent être remplacés par des courts circuits en régime
dynamique, établir pour chaque montage l’expression :
• Du gain en tension à vide Avo
• De l’impédance d’entrée Ze
• De l’impédance de sortie Zs
h21 ⋅ Rc
Avo = −
R1 RC h11
CL2 1
Ze =
1 1 1
+ +
CL1 Q1
R1 R 2 h11
Vs
Zs = Rc
Ve R2
RE CE
VCC VCC
h21 ⋅ Rc
RC
R1 Avo =
CL2 h11
1
Q1 Ze =
1 1
+
CL1 RE h11
CB
R2 Vs h21 + 1
RE
Ve
Zs = Rc
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Montage Collecteur Commun :
VCC VCC
RE ⋅ (h21 + 1)
Avo =
R1 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
1
Ze =
CL1 Q1 1 1 1
+ +
R1 R 2 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
CL2
1
Ve R2 Vs
Zs =
1 1
RE +
RE h11
h21 + 1
h21 ⋅ Rc
RC
Avo = −
h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
R1
CL2
1
CL1 Q1 Ze =
1 1 1
+ +
R1 R 2 h11 + RE ⋅ (h21 + 1)
Vs 1
Ve R2
Zs =
RE Rc
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EN1
FONCTIONS ET COMPOSANTS ELEMENTAIRES DE L’ELECTRONIQUE
R1 R1
- -
+
Ve + +
- Vs Vs
+
Ve
-
montage 1 montage 2
R1
R4
-
R3
+
V1 +
Vs
- +
R1 R4
- V2
-
Ve +
+
- Vs
montage 3 montage 4
R R4 R5
R1
- R1 -
V1
+ R2
+ +
- Vs V1
V2 R3 R2 Vs
+
+ -
- V3 V2 R3
+ +
- - V3
+
-
montage 5 montage 6
4 - Pour les montages 7 et 8 ci-dessous, établir l’expression de Vs(t) en fonction de Ve(t).
Quelles sont les fonctions réalisées ?
C R
R C
- -
+ +
Ve + Ve +
- Vs - Vs
montage 7 montage 8
5 – Pour les montages 9, 10, 11 et 12 ci-dessous, tracer la caractéristique de transfert
Vs = f (Ve).
R2 R2
R1 R1
+ +
+
Ve - -
- Vs Vs
Ve +
-
montage 9 montage 10
- -
Vref + +
+ +
- Vs - Vs
Ve R1 R2
R1 R2
+
- Ve +
- Vref
montage 11 montage 12
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6 – Structure de Rauch :
Pour les montages 13,14 et 15 ci-dessous, établir la fonction de transfert H(jω) et tracer les
diagrammes de Bode, en module et en phase.
C2 C R2
R
C C
R R
2
2
R1 3
ve 3 ve 1 vs
C1 1 vs
montage 13 montage 14
C1
R
C2
R
2
3
ve R 1 vs
montage 15
7 – Structure de Sallen-Key :
Pour les montages 16,17 et 18 ci-dessous, établir la fonction de transfert H(jω) et tracer les
diagrammes de Bode, en module et en phase.
R4
R3
C1
2
R R 3
1
vs
ve
C2
montage 16
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R4
R3
R1
2
C C
3
1
R2 vs
ve
montage 17
R4
R3
R
2
R 3
1
C1
R vs
ve
C2
montage 18
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