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S
(Métal. Isolant. Semi-conducteur)
es es
em
Ec
EF EF
Ev
ei
xp
Les bandes d’énergie côté isolant plus semi-conducteur sont plates, on est en régime de
bandes plates
es es
em
Ec
EF EF
Eg
Ev
VG 0 volt
Zone
d’accumulation
tendance à venir s’accumuler près de l’interface, entraînant une courbure vers le bas des
niveaux EC et Ev : c’est le régime d’accumulation.
- Sur la grille métallique, il apparaît une charge positive par unité de surface : Qm > 0.
- Les é attirés vers l'interface isolant-semiconducteur forment une charge négative par
unité de surface :
Qs = - Qm < 0.
La structure MIS est alors équivalente à une capacité qui a pour diélectrique, la couche
isolante SiO2. La figure 3 donne la répartition des charges dans une MIS en régime
d’accumulation.
M I S
Qm
x
Qs
Potentiel de surface Vs :
La tension de polarisation VG appliquée sur la grille métallique se répartit entre l’isolant
et le semi-conducteur : VG=Vi + Vs
- Vi = tension maintenue par l’isolant,
- Vs = tension à l’interface isolant/sc ou potentiel de surface.
V(x)
M I S
VG
Vi
Vs
0 x
dV( x )
( x ) .
dx
(x)
0 i
C acc C i ( pF / cm 2 ) ; Cacc est indépendante de l’excitation VG.
ei
Les é libres du sc sont repoussés loin de l’interface isolant/sc , créant ainsi une zone de
charge d’espace ZCE déserte en é (porteurs majoritaires) et contenant une charge fixe de
donneurs non compensées, figure 6.
Densité de charge ( x ) :
L’application d’une tension de grille négative fait apparaître deux charges opposées :
- Une charge par unité de surface Qm> 0 au niveau de la grille métallique,
- et une charge opposée Qs Qm > 0 au voisinage de l’interface isolant/sc , figure 7.
i
Env s
-eVG
ei Env
es es
em
EF Ec
-eVG
EF
Ev
VG 0 volt
Zone
de désertion
(x)
M I S
Qs = eNd.xd
Qs xd = profondeur de la ZCE
x
Qm
V(x)
M I S
0
x
Vs
VG ei
(x)
ii=ss avec i < s
M I S
i = 3,45 10-11 F/m. pour SiO2
s x
i
0 i 0 s
avec C i et C ZCE .
ei x d (VG )
i
Env
s
-eVG ei
Env
em
es es
EF
-eVG
Ec
EF
EFi
Fig. 9
Ev
VG << 0
Zone
de désertion 0V
La couche d'inversion est séparée par une zone désertée de la région neutre du semi-
conducteur, figure 9.
Par effet capacitif QT est équilibrée par une charge négative Qm localisée sur la grille
métallique, figure 10.
(x)
M I S
Qinv
QZCE
xZCE x
xinv
Qm (xinv + xZCE) xZCE
La figure 11, donne l’évolution des fonctions V(x) et (x) dans la structure MIS en régime
de forte inversion.
V(x)
M I S
0
x
Vsinv
VG xM
ei
(x)
M I S
s
xM
i
Capacité de la structure :
0 i 0 s
avec Ci et C ZCE .
ei x M (Vsin v )
La caractéristique C(V) de la structure est donnée par la figure 12.
Conclusion :
Références :