Disciplina F 590

RELATÓRIO FINAL DE ATIVIDADES

TÍTULO DO PROJETO:
Contraste na Microscopia Fototérmica de trilhas resistivas – laser de Argônio
como feixe de prova

ESTUDANTE:
Cassiano Rezende Pagliarini

ORIENTADOR:
Prof. Dr. Antonio Manoel Mansanares

Grupo de Fototérmica e Ressonância Magnética - GFRM

Departamento de Eletrônica Quântica - DEQ
Instituto de Física Gleb Wataghin - IFGW
UNICAMP

Julho de 2004
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1. Resumo

Como a densidade de integração de circuitos eletrônicos aumenta continuamente,

existe uma demanda de métodos capazes de encontrar ‘hot spots’ em escalas micrométricas e
submicrométricas. Neste cenário a Microscopia Fototérmica de Reflexão surge como uma
poderosa ferramenta de análise de defeitos. Esta técnica consiste em medir as variações na
refletividade da amostra causadas pela variação na densidade de portadores e na temperatura.

1.1 Resumo do semestre anterior e atividades programadas

O objetivo deste projeto de Iniciação Científica em seu primeiro semestre era a

caracterização de trilhas resistivas (Al e polissilício) conduzindo corrente utilizando um laser
de diodo (670 nm) como feixe de prova. A dissipação de energia por efeito Joule produz uma
elevação de temperatura, e como conseqüência uma mudança no índice de refração. O uso da
microscopia fototérmica de reflexão permite a obtenção da distribuição de temperatura das
trilhas e das vizinhanças.
Inicialmente têm-se as seguintes atividades programadas no projeto:

i) Familiarização com a montagem experimental e consolidação dos conceitos

envolvidos na geração e detecção do sinal. Leitura de capítulos de teses de mestrado e
doutorado sobre o assunto. Entendimento dos programas de aquisição de dados e
controle do experimento;

ii) Realização de medidas em trilhas de Al e polissilício polarizadas usando-se o laser

de diodo (670 nm) como feixe de prova. Medidas em função da freqüência de
modulação e da corrente. Realização de mapas térmicos;

iii) Repetição das medidas do item (ii) usando os vários comprimentos de onda do
laser de Ar+. Análise dos resultados à luz de modelagem que leva em conta a
interferência optotérmica.

Foram realizados mapas térmicos em trilhas de alumínio que haviam sido submetidos
a simulações de condições adversas (descargas eletrostáticas, altas densidades de corrente e
temperaturas). Nestas amostras observamos um efeito de borda que, como vimos, se deve ao
fato da expansão térmica da trilha fazendo com que o sinal lido nas bordas fosse maior.
Também nestas trilhas foi possível fazer a caracterização térmica dos defeitos obtidos nas
simulações e com isto verificar seu comportamento quando postos em operação.
Já nas trilhas de polissilício foi possível obter o comportamento das linhas de corrente
em trilhas com estreitamento, verificando um maior sinal nestas partes mais estreitas, que,
como vimos, é atribuído à maior dissipação de energia por unidade de volume, já que a
densidade de corrente elétrica aumenta.
Verificamos também que nestas trilhas resistivas o processo dominante de geração de
sinal se dá por efeito Joule, uma vez que o sinal de fotorefletância modulada (R/R) é
proporcional ao quadrado da corrente que passa na trilha, fato característico do efeito Joule.
Assim vimos que a técnica de microscopia fototérmica de reflexão é uma importante
ferramenta na caracterização de dispositivos eletrônicos por se tratar de uma técnica não
destrutiva, e também pelo fato desta caracterização poder ser obtida com o dispositivo em
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operação, obtendo-se assim o perfil real de temperatura em operação, sendo possível a

detecção de defeitos e heterogeneidades na amostra.

1.2 Resumo do projeto deste semestre

Desta forma, na segunda parte do projeto foram realizadas medidas de MFR usando as
diferentes linhas de um laser de Ar+ (514.5, 501.7, 496.5, 488.0, 476.5, 457.9 nm) como feixe
de prova a fim de se obter uma maior sensibilidade da técnica. Será feita a análise dos
resultados obtidos levando em conta a interferência optotérmica nas diferentes camadas da
trilha resistiva.

2. Introdução

Um importante avanço no desenvolvimento de estruturas microeletrônicas e

optoeletrônicas é a caracterização não destrutiva destes dispositivos em operação. O
conhecimento das perdas térmicas neste tipo de estrutura é de grande importância visto que, a
partir de perdas excessivas, defeitos podem se propagar por toda a estrutura. Neste contexto,
mapas térmicos são bons indicadores de defeitos em tais dispositivos uma vez que o perfil de
temperatura é sensível a modificações provocadas por estes.
Quando um material é excitado com uma fonte de energia modulada em intensidade,
suas propriedades ópticas podem ser alteradas pela absorção da energia incidente. Este fato
resulta em variações periódicas do índice de refração complexo da amostra na freqüência de
modulação da excitação. Estas variações periódicas no índice de refração complexo da
amostra podem ser detectadas através da medida da variação da refletância modulada R de
um feixe de prova contínuo que é refletido pela superfície da amostra.
Utilizando o princípio acima descrito, a técnica de microscopia fototérmica de reflexão
na forma convencional baseia-se no uso de um laser de excitação, modulado em intensidade,
que é absorvido pela amostra gerando calor. Estes por sua vez produzem mudança no índice
de refração complexo e na refletividade da amostra, que é detectada por um segundo feixe
laser (o feixe de prova). Com a focalização dos feixes no limite de difração (diâmetros da
ordem de 1,0 micrometro) e com a varredura dos feixes na superfície da amostra obtém-se
imagens que revelam a distribuição espacial de temperatura, distribuição esta associada à não
uniformidade das propriedades da amostra ou da estrutura.
No caso de dispositivos de microeletrônica e optoeletrônica, é possível substituir a
excitação com laser por corrente ou tensão aplicados no dispositivo. Neste caso, o dispositivo
é colocado em operação e a varredura do feixe de prova revela a distribuição de temperatura
devido à polarização aplicada. Enquanto no primeiro caso (forma convencional) as imagens
revelam a distribuição das propriedades físicas (térmica e eletrônica) locais da amostra, neste
caso as imagens estão associadas principalmente à distribuição de fontes de calor.
Obviamente, eventuais não uniformidades das propriedades térmicas e eletrônicas também
influenciam o sinal, sobretudo no caso de estruturas com empilhamento de camadas etc.
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3. Metodologia

3.1 Descrição da montagem

Nesta segunda metade do projeto um laser de Ar+ é utilizado como feixe de prova.
Usando a configuração de espelhos para o caso em que o laser de Ar+ é utilizado como feixe
bomba, o feixe passa pelo modulador acústico-óptico onde é difratado continuamente e sua
primeira ordem de difração selecionada por um diafragma. Passa por um cubo divisor de feixe
e uma torre de espelhos até entrar no tubo fotográfico do microscópio. Na volta, após a
reflexão na superfície da amostra, ele passa novamente pela torre de espelhos e é desviado
pelo cubo divisor de feixe para um fotodiodo rápido de Si (New Focus, mod. 1801, DC a 125
MHz). O sinal do fotodiodo é analisado por um lock-in de alta freqüência (EG&G, mod.
5202).
Para a aplicação de tensão modulada na amostra é utilizado um gerador de áudio
(PHILIPS, mod. PM5139). O sinal deste gerador de áudio é enviado a um osciloscópio
(Tektronix, mod. 7623A) para verificar a eficiência da modulação, e é também enviado como
sinal de referência para o amplificador lock-in.
Um sistema de translação x-y (Microcontrole, mod. ITL09.2 (menor passo de 0,1 m)
é utilizado na varredura da amostra. Este sistema é controlado por um microcomputador, que
também lê o lock-in e armazena a amplitude e a fase, e lê também a parte DC do sinal
proveniente do fotodiodo, pois este é proporcional à refletividade estática da amostra (no
comprimento de onda do feixe de prova). Um conversor analógico digital (STD, mod.
AD850) é responsável pela leitura do lock-in e do fotodiodo. Uma placa controladora
GPIB/IEEE liga o computador ao sistema de translação, ao conversor e ao gerador de áudio.
Todo o conjunto é montado em uma mesa pneumática (Melles Griot, mod.
07OTR001/07OTI035).
O feixe de prova é focalizado na superfície da amostra através de objetivas com
diferentes aberturas numéricas (NA=0,10, 0,25, 0,40 e 0,75). Com a máxima abertura os
feixes ficam com diâmetros da ordem de 1,0 m. Esta é a ordem de grandeza da resolução do
instrumento, visto que o posicionamento da amostra e dos feixes é feito com passos menores
que este (0,1 m de passo para os transladores da amostra). Outro parâmetro importante na
resolução do instrumento é o comprimento da onda térmica (e da onda de plasma), que fica na
faixa de micrometros para freqüências da ordem de megahertz. Daí o uso de um lock-in de
alta freqüência (100 kHz a 50 MHz). A sensibilidade da montagem está na faixa de 10-7-10-6
em R/R, e é limitada em altas freqüências pelo ruído de fótons. Em baixas freqüências o
ruído mecânico é predominante.
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Fig. 1: Diagrama de blocos da nova montagem experimental.

4. Contraste na Microscopia Fototérmica em trilhas resistivas de

polissilício: diferentes conprimentos de onda do feixe de prova

Foram feitas medidas utilizando a montagem e o método acima descrito em trilhas

resistivas de polissilício variando-se o comprimento de onda do feixe de prova. Utilizou-se
seis linhas do laser de Ar+ (514.5, 501.7, 496.5, 488.0, 476.5, 457.9 nm) e o diodo laser (670
nm). Foram feitas varreduras horizontais de 80 m com passo de 0,5 m atravessando a trilha
(largura de 40 m). As condições experimentais na trilha foram as mesmas com todos os
comprimentos de onda, sendo feita a varredura sempre na mesma posição vertical da trilha
próximo ao seu centro, onde a concentração de calor é maior uma vez que as ligações de
alumínio nas extremidades da trilha funcionam como escoador de calor.
Na figura 2 temos o resultado das medidas de R/R0, fase e a componente DC do sinal
de refletância para os comprimentos de onda prova=514,5 nm e prova=501,7 nm. Vemos que
para prova=501,7 nm o sinal é maior revelando um aumento na sensibilidade da medida com
relação ao prova=514,5 nm. Vemos também que existe uma mudança da fase sobre a trilha
para esses comprimentos de onda. Essa mudança brusca de 180º na fase para comprimentos
de onda próximos é um indicativo da presença do fenômeno de interferência optotérmica.
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90 (a) prova=514,5 nm
80 prova=501,7 nm

70

60

R/R0 (10 )
50

-6
40

30

20

10

0 20 40 60 80 100
Posição (m)

320
(b)
280

240

200
Fase (deg)

160

120

80

40
prova=514,5 nm
0 prova=501,7 nm

0 20 40 60 80
Posição (m)

2,0
 prova=514,5 nm
1,8
(c)  prova=501,7 nm

1,6

1,4

1,2
R0 (V)

1,0

0,8

0,6

0,4

0,2

0,0

0 20 40 60 80 100
Posição (m)

Fig. 2: (a) Amplitude normalizada, (b) fase e (c) componente DC do sinal para uma trilha de polissilício. A
corrente elétrica foi modulada na trilha de 0 a 6,3 mA em 100 kHz.
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O resultado anterior mostra o comportamento da refletância para dois diferentes

comprimentos de onda do laser de prova. Para ilustrar o contraste com todos os feixes de
prova utilizados foi feita a média do sinal sobre a trilha e com isso um gráfico em função do
comprimento de onda. A figura 3 mostra o resultado obtido para os diversos comprimentos de
onda utilizados já mencionados anteriormente. A barra de erro que aparece nas medidas
indica o desvio padrão dos pontos experimentais obtidos sobre a trilha para aquele
comprimento de onda e o sinal positivo ou negativo diz respeito a fase do sinal, já que ela
pode inverter de 180º dependendo do comprimento de onda.

100

80

60

40

20
R/R (10 )
-6

-20

-40

-60

-80

-100
450 500 550 600 650
prova (nm)

Fig. 3: Amplitude normalizada do sinal como função do comprimento de onda do feixe de prova para uma trilha
de polissilício. Em todas as medidas a corrente elétrica foi modulada na trilha de 0 a 6,3 mA em 100 kHz.

Essa oscilação observada em função do comprimento de onda com R/R0 passando de

negativo para positivo e a diferença na sensibilidade do sinal é basicamente explicada pelo
efeito da interferência optotérmica.
Na figura 4 vemos um esquema para dois feixes incidentes com diferentes
comprimentos de onda onde existe uma interferência entre o feixe refletido na superfície da
trilha e na superfície do substrato. Dependendo da espessura da trilha essa interferência é
construtiva ou destrutiva para certo comprimento de onda sendo máxima a interferência
construtiva se:

2nd
 2 m (1)

onde n é o índice de refração da trilha, d sua espessura,  o comprimento de onda do feixe
incidente e m é um número inteiro ou semi-inteiro.
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Fig. 4: Interferência óptica na trilha dos feixes refletidos em sua superfície e no substrato. Expansão térmica da
trilha (linha pontilhada) responsável pela mudança da fase do sinal sobre a trilha.

Quando a trilha expande termicamente (linha pontilhada na figura 4) essa interferência

ainda pode aumentar ou diminuir para aquele comprimento de onda incidente pois vemos que
agora sua espessura será d’ e, se ela aumenta então R/R0 é positivo, caso diminua será
negativa.
Na prática isto quer dizer que o sinal desta refletância depende da derivada do
comportamento deste coeficiente com a temperatura, dR/dT, que é proporcional a dR/d.

Fig. 5: Comportamento do sinal com o comprimento de onda (linha azul). Quando a trilha expande existe um
deslocamento da curva (curva verde) devido a sua nova espessura. Assim vemos que a mudança do sinal da fase
de negativo para positivo de um comprimento de onda para outro se deve a interferência optotérmica.
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5. Conclusões

Desta forma foi obtido o contraste na Microscopia Fototérmica de Reflexão usando-se

diversos comprimentos de onda do feixe de prova.
Vimos que a escolha certa do comprimento de onda de prova aumenta a sensibilidade
da técnica existindo valores para prova onde a caracterização é optimizada.
Esta variação na sensibilidade do sinal fototérmico se deve a interferência optotérmica
nas diversas camadas do dispositivo, onde o sinal da fase é determinado pelo sinal de dR/d.
Assim vemos que a MFR é uma poderosa ferramenta na caracterização de dispositivos
eletrônicos por se tratar de uma técnica não destrutiva, e também pelo fato desta
caracterização poder ser obtida com o dispositivo em operação, obtendo-se assim o perfil real
de temperatura em operação, sendo possível a detecção de defeitos e heterogeneidades na
amostra e ainda a optimização de sua caracterização em função do comprimento de onda do
feixe de prova.

6. Referências

1. A. M. Mansanares, Optical detection of photothermal phenomena in operating electronic devices:

temperature and defects imaging, em "Semiconductors and Electronic Materials", Vol. 4 da série "Progress
in Photothermal and Photoacoustic Science and Technology", Eds. A. Mandelis e P. Hess, Chapter 3, págs.
75-110, SPIE Optical Engineering Press, 2000.
2. Jerias Alves Batista, Microscopia Fototérmica de Reflexão aplicada à caracterização de dispositivos
microeletrônicos, Tese de Mestrado, IFGW-Unicamp, 29/07/96.
3. Luis Carlos Ogando Dacal, Caracterização térmica de diodo-laser de potência para telecomunicação
através da Microscopia Fototérmica, Tese de Mestrado, IFGW-Unicamp, 20/12/96.
4. Jerias Alves Batista, Detecção de defeitos em estruturas semicondutoras através da Microscopia
Fototérmica de Reflexão: a interferência optotérmica e o aumento de contraste, Tese de Doutorado, IFGW-
Unicamp, 31/01/2001.
5. A. M. Mansanares, J. P. Roger, D. Fournier, A. C. Boccara, Temperature field determination of InGaAsP/InP
lasers by photothermal microscopy: Evidence for weak non-radiative processes at the facets, Appl. Phys.
Lett., 64 (1), 4-6 (1994).
6. A. M. Mansanares, T. Velinov, Z. Bozoki, D. Fournier, A. C. Boccara, Photothermal microscopy: Thermal
contrast at grain interface in sintered metallic materials, J. Appl. Phys., 75 (7), 3344-3350 (1994).