ELECTRONICA DE POTENCIA I Carreras: Ing. Eléctrica – Ing. Electrónica Docente: MSc. Ing. Tatiana Vicker M.

Facultad de Tecnología - UMRPSFXCH

TEMA 1
ELECTRONICA DE POTENCIA
1. INTRODUCCION
1.1 APLICACIONES
La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversión de
potencia y para el control de los motores eléctricos. Combina la energía, la electrónica y
el control. El CONTROL se encarga del régimen permanente y de las características
dinámicas de los sistemas de lazo cerrado. La ENERGIA tiene que ver con el equipo de
potencia estática y giratoria, para la generación, transmisión y distribución de energía
eléctrica. La ELECTRONICA se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido
requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con los objetivos de control
deseados.

La electrónica de potencia se puede definir como la aplicación de la electrónica de

estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica, se basa en la
conmutación de dispositivos semiconductores de potencia.
Se usa para controles de calor, controles de iluminación, controles de motor, fuentes de
alimentación, HVDC sistemas.

Tabla. 1.1. Algunas aplicaciones de la electrónica de potencia

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1.2 HISTORIA

La primera revolución electrónica inicia en 1948 con el transistor de silicio. En 1956

con el transistor de disparo PNPN, En 1957 con el tiristor rectificador controlado de Si
(SCR).

La segunda revolución electrónica en 1958 con el tiristor comercial.

1.3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

A partir de 1970 se dividen en 5 tipos principales: Diodos de potencia, Tiristores,

Transistores bipolares de juntura de potencia, MOSFET de potencia y Transistores
bipolares de compuerta aislada (IGBT)-Transistores de inducción estática (SIT).

Los DIODOS DE POTENCIA son de 3 tipos: de uso general, de alta velocidad y

Schottky.

Los diodos de uso general están disponibles hasta 3000 V, 3500 A

Fig. 1.1. Configuraciones de diodos de uso general

Los de alta velocidad hasta 3000 V, 1000 A, el tiempo de recuperación inversa varia
entres 0.1 y 5 µs.
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo y un tiempo recuperación muy pequeño, en
nanosegundos hasta 100 V, 300 A.

Los TIRISTORES se subdividen en 8 tipos: Tiristor de conmutación forzada, Tiristor

conmutado por línea, Tiristor desactivado por compuerta (GTO), Tiristor desactivado
con asistencia de compuerta (GATT), Rectificador controlado de Si fotoactivado
(LASCR), Tiristor controlado por MOS, Tiristor de conducción inversa (RCT), Tiristor
de inducción estática (SITH),

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El tiristor tiene 3 terminales, ánodo, cátodo y compuerta. Cuando una pequeña corriente
pasa a través de la compuerta hacia el cátodo, el tiristor conduce cuando el ánodo este a
un potencial más alto que el cátodo.
Cuando un tiristor esta en un modo de conducción, la caída de potencial en directa es
muy pequeña 0.5 a 2 V.
Un tiristor se desactiva haciendo que el potencial del ánodo sea igual o menor que el
potencial del cátodo.

Los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito

adicional conocido como circuitería de conmutación.

Existen configuraciones de tiristores de control de fase (conmutación de línea): tipo

perno, disco de hockey, plano y de aguja. Existen de 6000 V, 3500 A, hasta 1200 V,
2000 A el tiempo de desactivación puede ser de 10 a 20 µs.

Fig. 1.2. Configuraciones de tiristores

Los RCT y GATT se utilizan para la interrupción de alta velocidad. Los RCT existen
hasta 2500 V, 1000 A y 400 A, con tiempo de interrupción de 40 µs. Los GATT hasta
1200 V, 400 A con tiempo de interrupción de 8 µs.

Los LASCR hasta 6000 V, 1500 A, con tiempo de interrupción de 200 a 400 µs,
adecuados para sistemas de energía de alto voltaje especialmente HVDC.

Para aplicaciones de corriente alterna de baja potencia los TRIAC se utilizan en

controles sencillos de calor, de iluminación, de motor. Sus características son similares
a 2 tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta, el flujo
de corriente se puede controlar en cualquier dirección.

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Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados, se desactivan mediante la
aplicación de un pulso corto negativo a las compuertas y se activan mediante un pulso
breve positivo a las mismas, no requieren de circuito de conmutación.

Los GTO están disponibles hasta 4000 V, 3000 A

Los SITH están disponibles hasta 1200 V, 300 A

Los MCT están disponibles hasta 1000 V, 100 A, se activan mediante un pequeño pulso
de voltaje “-“sobre la compuerta MOS (respecto a su ánodo) y desactivan mediante un
pulso pequeño de voltaje “+”.

Fig. 1.3. Tiristores desactivados por compuerta

Los TRANSISTORES bipolares de alta potencia son comunes en convertidores de

energía a frecuencias menores que 10 kHz y se aplican hasta 1200 V, 400 A.
Tiene 3 terminales: base, emisor y colector. Se opera en forma de interruptor en la
configuración emisor común.
Mientras que la base de un transistor NPN este a un potencial más alto que el emisor y
la corriente de base sea grande como para excitar al transistor en la región de saturación,
el transistor se conservara activado, siempre que la unión del colector al emisor este
correctamente polarizada.
La caída directa de un transistor esta de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excitación de la
base es retirado, el transistor se desactiva.

Los MOSFET de potencia están disponibles hasta 1000 V, 50 A y con un rango de

frecuencia de varias decenas de kHz.

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Los IGBT son controlados por voltaje, son más rápidos que los BJT pero aun no tan
rápidos como los MOSFET, son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y
frecuencias de hasta 20 kHz, se encuentran hasta 1200 V, 400 A.

Los SIT son similares a un JFET, tienen capacidad de potencia de bajo ruido, baja
distorsión y alta frecuencia de audio, los tiempos de activación y desactivación son
cortos 0.25 µs, están disponibles hasta 1200 V, 300 A y la velocidad de interrupción
puede ser tan alta como 100 kHz.
Son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (audio VHF/UHF) y
amplificadores de microondas.

Tabla 1.2. Especificaciones de dispositivos semiconductores de

potencia

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Tabla 1.3. Características y símbolos de algunos dispositivos de

potencia

1.4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE

POTENCIA

Pueden operar como interruptores mediante aplicaciones de señales de control a la

terminal de compuerta de los tiristores y a la base de los transistores bipolares.

Una vez que un tiristor esta en modo de conducción la señal de la compuerta ya sea
positiva o negativa no tiene efecto.

Cuando un dispositivo semiconductor de potencia esta en modo de conducción normal,

existe una pequeña caída de voltaje, las cuales son despreciables.

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Fig. 1.4. Características de control de los dispositivos de interrupción

de Potencia

Los dispositivos se pueden clasificar a partir de:

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a) Activación y desactivación sin control (diodo)

b) Activación controlada y desactivación sin control (SCR)
c) Activación y desactivación controladas (BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT,
SIT, MCT)
d) Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT)
e) Requisito de pulso en la compuerta (SCR, GTO, MCT)
f) Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO)
g) Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)
h) Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT)
i) Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT,
IGBT, SITH, SIT, diodo)

1.5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA

Para el control de la potencia eléctrica, es necesario convertir la potencia de una forma a

otra, las características de interrupción de los dispositivos permiten dicha conversión.
Los convertidores de potencia estáticos efectúan la conversión de potencia, un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos se clasifican en:

1. Rectificadores de diodos
2. Convertidores de ca-cd ( rectificadores controlados)
3. Convertidores de ca-ca ( controladores de voltaje de ca)
4. Convertidores de cd-cd ( pulsadores de cd o reguladores de conmutación)
5. Convertidores de cd-ca ( inversores)
6. Interruptores estáticos de ca o interruptores de cd

Rectificadores.- Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de ca en un

voltaje fijo de cd. El voltaje de entrada al rectificador puede ser monofásico o trifásico.

Fig. 1.5. Circuito rectificador monofásico

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Convertidores ca-cd.- Es un convertidor monofásico con dos tiristores de

conmutación. El valor promedio del voltaje de salida se puede controlar variando el
tiempo de conducción de los tiristores o el ángulo de retraso de disparo α. La entrada
puede ser una fuente monofásica o trifásica

Fig. 1.6. Convertidor monofásico de ca-cd

Convertidores ca-ca.- Se utilizan para obtener un voltaje de salida de corriente alterna

variable a partir de una fuente de corriente alterna fija. El voltaje de salida se controla
mediante la variación del tiempo de conducción de un TRIAC o el ángulo de retraso de
disparo α.

Fig. 1.7. Convertidor monofásico de ca-ca

Convertidores cd-cd.- Es un pulsador de transistores. El voltaje promedio de salida se

controla mediante la variación del tiempo de conducción t del transistor Q1. Si T es el
periodo de corte, entonces ti = δT.

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δ – se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador.

Fig. 1.8. Convertidor monofásico de cd-cd

Convertidores cd-ca.- Si los transistores M1 y M2 conducen durante medio periodo y

M3 y M4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida puede ser controlado
variando el tiempo de conducción de los transistores

Fig. 1.9. Convertidor monofásico de cd-ca

Interruptores estáticos.- Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados
como interruptores estáticos o contactores, la alimentación a estos interruptores puede
ser de ca o cd.

1.6 DISEŇO DE UN EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

El diseño de un equipo de electrónica de potencia se puede dividir en 4 partes:

1. Diseño de los circuitos de potencia.

2. Protección de los dispositivos de potencia
3. Determinación de la estrategia de control
4. Diseño de los circuitos lógicos y de mando

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1.7 EFECTOS PERIFERICOS

Las operaciones de los convertidores de potencia se basan en la conmutación de

dispositivos semiconductores de potencia y como resultado los convertidores introducen
armónicos de corriente y de voltaje en el sistema de alimentación y en la salida de los
convertidores. Estas pueden originar problemas de distorsión del voltaje de salida,
generación de armónicas en el sistema de alimentación e interferencia con circuitos de
comunicación y señalización. Para ello es necesario introducir filtros en la salida y en la
entrada de un sistema convertidor, para reducir a una magnitud aceptable el nivel de
armónicas.
La estrategia de control puede guiarse a fin de minimizar o reducir estos problemas. Los
convertidores pueden causar interferencias de radio frecuencia, debido a la radiación
electromagnética y los circuitos de mando pueden generar señales erróneas. Esta
interferencia se puede evitar mediante un blindaje.

Fig. 1.10. Sistema convertidor de potencia generalizado

1.8 MODULOS DE POTENCIA

Requieren de 2, 4 o 6 dispositivos. Con dual (configuración de medio puente), quad

(puente completo) o seis (trifásicos) los cuales están disponibles. Los módulos ofrecen
menores perdidas en estado activo, altas características de interrupción de voltaje y
corriente, así como una velocidad más alta que los dispositivos convencionales.

1.9 MODULOS INTELIGENTES O POTENCIA INTELIGENTE

Representan el estado avanzado de la electrónica de potencia, integran el modulo de

potencia junto con el circuito periférico (aislamiento de entrada/salida de una interfaz
con el sistema de la señal y el sistema de alto voltaje, circuito de excitación, circuito de
protección y diagnostico, control por microcomputadora y una alimentación de energía
de control. Solo se necesita conectar fuentes de alimentación externas (flotantes).

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Tabla 1.4. Algunos fabricantes de dispositivos y módulos

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