Semiconductores esas condiciones, al no presentar conductividad
eléctrica alguna, se comportan de forma similar
En este breve escrito se trata de entender el
comportamiento (no lineal) de diodos y
transistores, ya que estos dispositivos tienen
múltiples aplicaciones como rectificar,
amplificar y regular corriente. En esta ocasión
se pretende hallar las curvas características, así
como determinados puntos de operación en
ambos elementos.
Entender el comportamiento electrónico en
estos dispositivos será de mucha ayuda en un
futuro cuando se analicen circuitos integrados
con estructuras de silicio más complejas.
Semiconductor es un elemento que se
comporta como un conductor o como un
aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o
magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que
se encuentre. El semiconductor más utilizado es
el silicio, que es el elemento más abundante en
la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio.
Los átomos de los elementos semiconductores
pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su última órbita, de acuerdo con
el elemento específico al que pertenecen. No
obstante, los elementos más utilizados por la
industria electrónica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro
electrones en su última órbita. En este caso, el
equilibrio eléctrico que proporciona la
estructura molecular cristalina característica de
esos átomos en estado puro no les permite
ceder, ni captar electrones. Normalmente los
átomos de los elementos semiconductores se
unen formando enlaces covalentes y no
permiten que la corriente eléctrica fluya a
través de sus cuerpos cuando se les aplica una
diferencia de potencial o corriente eléctrica. En
a un material aislante.
Incremento de la conductividad en un
elemento semiconductor: A temperaturas
cercanas al cero absoluto no hay electrones
libres y el semiconductor se comporta como un
aislador o dieléctrico. A mayores temperaturas
algunos electrones adquieren suficiente energía
para escapar del enlace y se convierten en
electrones “libres” (libres pero dentro del sólido
cristalino), dejando atrás una vacante en el
enlace covalente. Dicha vacante se conoce
como un hueco y todo este proceso se conoce
como producción térmica de un par electrón-
hueco.
Cristales de silicio: Al combinarse los átomos
de Silicio para formar un sólido, lo hacen
formando una estructura ordenada llamada
cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes",
que son las uniones entre átomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal
forma que se crea un equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los átomos de Silicio.
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones
de valencia con los átomos vecinos, de tal
manera que tiene 8 electrones en la órbita de
valencia, como se ve en la figura.
El aumento de la temperatura hace que los
átomos en un cristal de silicio vibren dentro de
él, a mayor temperatura mayor será la
vibración. Con lo que un electrón se puede
liberar de su órbita, lo que deja un hueco, que a
su vez atraerá otro electrón, etc...
A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300
ºK o más, aparecen electrones libres.
Conducción eléctrica
Debido a que la banda que efectivamente
conduce es la que está casi vacía o casi llena, la
poca densidad de los portadores de carga en el
seno del cristal hace que se comporten como un
gas clásico o maxweliano.
Portadores de cargas
En un cristal hay dos clases de portadores de
carga: electrones y huecos. Si bien estos
últimos son ficticios, ya que resultan de un
estado vacante en la banda de valencia, esta
condición no invalida los modelos. Sin entrar
en detalles, un semiconductor presenta dos
tipos de corriente eléctrica:
Corriente de arrastre (o deriva): debida a
un campo eléctrico.
Corriente de difusión: debida a la diferencia de
concentración de portadores.
Tipos de Semiconductores:
Una de las propiedades más importantes de los
semiconductores es la cantidad de portadores
como función de la temperatura. El modelo de
las 2 corrientes es el usado para describir los
portadores, donde los electrones excitados son
los que conducen cargas negativas y los huecos
transportan carga positiva. Así que las
cantidades importantes a determinar son la
cantidad de portadores en la banda de
conducción ( ) y la cantidad de portadores
en la banda de valencia ( ).
Dependiendo de la relación entre la cantidad de
portadores en cada banda podremos clasificar a
los semiconductores. Así es como si la cantidad
de portadores (huecos) en la banda de valencia
es igual a la cantidad de portadores de la banda
de conducción (electrones) tendremos lo que se
llama un semiconductor intrínseco ( ).
Si, en cambio, la relación cambia se dice que es
un semiconductor extrínseco.
El caso intrínseco se da en cristales puros,
donde la densidad de carga es despreciable. Las
bandas de conducción solo pueden ser ocupadas
por electrones que abandonaron la banda de
valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco.
De esta manera la cantidad de cada tipo de
portador esta siempre balanceada.
El caso extrínseco, por el contrario, tiene
exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se
debe que el cristal puro se encuentra
"contaminado" con un átomo de otro tipo que
puede agregar un donor (electrón) o un aceptor
(hueco), esto pasa cuando ese átomo
contaminante tiene una cantidad distinta de
electrones en la capa de valencia a los de la red
pura.
Dopado de un semiconductor: En la práctica,
para mejorar la conductividad eléctrica de los
semiconductores, se utilizan impurezas
añadidas voluntariamente. Esta operación se
denomina dopado, utilizándose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son elementos
cuyos átomos tienen cinco electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el fósforo, el antimonio y el
arsénico.
Cuando un elemento con cinco electrones de
valencia entra en la red cristalina del silicio, se
completan los cuatro electrones de valencia que
se precisan para llegar al equilibrio y queda
libre un quinto electrón que le hace mucho
mejor conductor. De un semiconductor dopado
con impurezas pentavalentes se dice que es de
tipo N.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos
átomos tienen tres electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se encuentran el
boro, el galio y el indio.
Si se introduce una impureza trivalente en la
red cristalina del silicio, se forman tres enlaces
covalentes con tres átomos de silicio vecinos,
quedando un cuarto átomo de silicio con un
electrón sin enlazar, provocando un hueco en la
red cristalina. De un semiconductor dopado con
impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
Ley de Acción de Masas: Al añadir impurezas
de tipo n, disminuye el número de huecos. De
forma similar ocurre al dopar con impurezas
tipo p, disminuye la concentración de
electrones libres a un valor inferior a la del
semiconductor intrínseco, en condiciones de
equilibrio térmico, el producto de la
concentración de las cargas positivas y
negativas libres es una constante independiente
de la cantidad de átomo donador o aceptador.
Esta ecuación se denomina Ley de Acción de
Masas y viene dada por:
El Diodo
Un diodo no es más que la unión de un
semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N a la que se le han añadido 2 terminales
uno en la parte p y otro en la parte n, para poder
acoplarse a un circuito. Se puede observar una
representación idealizada de la unión PN.
Polarización directa: Si el terminal positivo de
la fuente está conectado al material tipo p y el
terminal negativo de la fuente está conectado al
material tipo n, diremos que estamos en
"Polarización Directa". La conexión en
polarización directa tendría esta forma:
En este caso tenemos una corriente que circula
con facilidad, debido a que la fuente obliga a
que los electrones libres y huecos fluyan hacia
la unión. Al moverse los electrones libres hacia
la unión, se crean iones positivos en el extremo
derecho de la unión que atraerán a los
electrones hacia el cristal desde el circuito
externo. Así los electrones libres pueden
abandonar el terminal negativo de la fuente y
fluir hacia el extremo derecho del cristal. El
sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el
terminal negativo de la fuente entra por el
extremo derecho del cristal. Se desplaza a
través de la zona n como electrón libre. En la
unión se recombina con un hueco y se convierte
en electrón de valencia. Se desplaza a través de
la zona p como electrón de valencia. Tras
abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye
al terminal positivo de la fuente.
Polarización inversa: Se invierte la polaridad
de la fuente de continua, el diodo se polariza en
inversa, el terminal negativo de la batería
conectado al lado p y el positivo al n, esta
conexión se denomina "Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexión
en inversa:
El terminal negativo de la batería atrae a los
huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, así los huecos y los electrones
libres se alejan de la unión y la z.c.e. se
ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor
diferencia de potencial, la zona de depleción
deja de aumentar cuando su diferencia de
potencial es igual a la tensión inversa aplicada
(V), entonces los electrones y huecos dejan de
alejarse de la unión. A mayor la tensión inversa
aplicada mayor será la z.c.e.
Existe una pequeña corriente en polarización
inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco, lo que
hace que haya pequeñas concentraciones de
portadores minoritarios a ambos lados, la
mayor parte se recombina con los mayoritarios
pero los que están en la z.c.e. pueden vivir lo
suficiente para cruzar la unión y tenemos así
una pequeña corriente.
Curva característica I-V
Matemáticamente, la relación existente entre la
tensión directa VD que soporta la unión y la
corriente  que fluye de la zona P a la zona N
viene dada por la siguiente expresión:
Esta es la expresión  (VD) de una unión ideal.
En una unión real, es similar pero no del todo
idéntica.

: Es la intensidad de corriente que atraviesa el

diodo.

VD: Es diferencia de tensión en los extremo del B = Base

diodo
E = Emisor
S: Es la intensidad de corriente de saturación
(Es decir valores negativos de VD) C = Colector

VT: Es una Constante que varía con la El transistor de unión bipolar: es un

temperatura conocido como “Voltaje Térmico”
o “Potencial equivalente de Temperatura”
dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos).

El transistor: es un dispositivo electrónico

semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada.1
Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.