UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA III

Experiencia #1 CIRCUITOS SINTONIZADOS Y TRANSFORMADORES DE REDES
, SELECTIVAS
INFORME PREVIO
1. Determine la expresión de Vo1, Vo2 y Vo3 en forma literal del amplificador
mostrado en la figura #1 (colector a Vo1). ¿ En función de que parámetro principal
se encuentra Vo(t) ?. Considere Lin, Cin. Rp de la bobina y capacidades parásitas
del transistor.
2. Haga un análisis en DC y determine el rango del potenciómetro Rp y el valor de
la resistencia R1 para obtener una corriente entre 100 y 300 𝜇A.
3. Describa la manera de obtener en forma experimental:
a) La frecuencia de resonancia (mínima y máxima) de la bobina de FI.
b) La inductancia Lin, capacitancia Cin.
c) Resistencia de pérdidas de la bobina
4. Indique las consideraciones que se deben tomar en cuenta para escoger los
transistores

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 LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

ITEM POSICION NOMBRES VALOR TIPO

1 Q1, Q2, Q3 Transistor 2 x 2N2222 NPN
BF 494
2 Bobina de FI de AM *Blanca
*Negra
*Amarrilla
3 R1 Resistencia 10 Ω., 100 Ω. 0.5W
2 X 1K Ω.
2 X 10K Ω.
4 Rp Potenciómetro 500K Ω. 0.5W
5 C1, C2 Condensador Electrolítico 1uF 25V
2 x 10uF
6 C3 Condensador cerámico 47pF 50V
100pF
7 Fuente de alimentación 30V
Doble
8 Osciloscopio
9 Generador de funciones
10 Multímetro Digital
11 Panel de experimentos
PROCEDIMIENTO
1. Arme el circuito de la figura #1 para las tres bobinas: amarilla, blanca y negra
2. Con el generador de frecuencias en 455KHz aplique Vin = 15mVp-p y varíe la
sintonización del circuito tanque hasta obtener la máxima amplitud de salida (Vo2
máximo),
3. Ajuste Rp hasta obtener Vo2 máximo = 100mVp-p.
4. Coloque las puntas del osciloscopio Vo2 y Vo1, luego sintonice el circuito tanque
variando la frecuencia del generador hasta la máxima salida en Vo2 y llene el
cuadro I-A
5. Variando la sintonización del circuito tanque mida la frecuencia de resonancia
mínima y máxima del circuito tanque, llene el cuadro I-B

Bobina Amarilla Bobina Blanca Bobina Negra

CUADRO Vo2
I-A
Vo1

Frec. Res
CUADRO max
I-B
Frec. Res
min

pág. 2
 6. Cambie de posición del colector al terminal intermedio de la Bobina (Fig #2) y
siguiendo el mismo procedimiento que en el caso anterior llene el cuadro II-A Y
II-B

Bobina Amarilla Bobina Blanca Bobina Negra

CUADRO Vo2
II-A
Vo3

Frec. Res
CUADRO max
II-B
Frec. Res
min

pág. 3
 7. Sintonizando el circuito tanque a 455KHz con la conexión anterior (Figura #2)
coloque condensadores a cada una de las bobinas a fin de determinar Lin y Cin.
Lego llene el cuadro III

Cin+Cext = Cin; Frecuencia de Frecuencia de Frecuencia de

Resonancia de Bobina Resonancia de Bobina Resonancia de Bobina
Amarrilla Blanca Negra
Cext = 50pF

Cext= 100pF

Cuadro III

8. Para el circuito de la figura #2 varié la frecuencia del generador y determine la respuesta

en frecuencia de las bobinas ajustando Rp para obtener Vo2 = 100mVp-p en resonancia.
Anote el valor DC en R5

Frecuencia 400 420 430 455 470 480 490 500 510
KHz
Vo3

Vo2

𝑉𝑅5(𝐷𝐶)

9. En el circuito de la figura #2 con Vo2 = 100mVp-p en resonancia coloque un

potenciómetro Rp = 500K en paralelo con el circuito tanque y ajústelo hasta
obtener Vo2 = 50mVp-p. Anote el valor de Rp. Repita lo anterior para los dos
boninas restantes

INFORME FINAL
1. Presente los datos y cuadros obtenidos en el laboratorio.
2. De los cuadros I-A Y II-A obtenga el valor de N1/N2 y N1/N3.
3. Del cuadro III obtenga Lin y Cin para cada bobina.
4. De los datos del paso 8 del procedimiento grafique la respuesta en frecuencia de cada
bobina y determine gráficamente el ancho de banda de BW y calcule el factor de
calidad Q de cada bobina.
5. Observaciones y conclusiones.

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 EXPERIENCIA #2 LA CARACTERIASTICAS EXPONENCIALES
, DEL TRANSISTOR

OBJETIVO
Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente del
colector del transistor bipolar.

INFORME PREVIO
1. Calcule el punto de operación del transistor del amplificador de la
figura #1.
2. Determine una expresión general para VA, VB y V0 en resonancia
asumiendo los datos de la bobina y un QT alto (los datos del transistor
son conocidos).
2𝐼2 (𝑋)
3. Calcule Gm(x) y para los valores de V1 = 20, 50, 70, 100,
𝐼0 (𝑋)
200, 300, 350mV.
𝜔 𝑡
4. Para Vin = 260mV 𝑐𝑜𝑠( 𝑛0 ) encuentre una expresión general para
Vo(t).

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 LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

ITEM POSICION NOMBRES VALOR TIPO

1 Q1 Transistor BF 494 NPN
2 Bobina de FI de AM *Blanca
*Negra
*Amarilla
3 R1 Resistencia 47 Ω. 0.5W
2 X 1K Ω.
2 X 10K Ω.
2 X 22K
4 Rp Potenciómetro 100K Ω. 0.5W
5 C1, C2 Condensador Electrolítico 1uF 25V
3 x 10uF
6 C3 Condensador cerámico 47pF 50V
100pF
7 Fuente de alimentación 30V
Doble
8 Osciloscopio
9 Generador de funciones
10 Multímetro Digital
11 Panel de experimentos
PROCEDIMIENTO
1. Arme el circuito de la figura #1 con los valores diseñados en su informe
previo.
2. Conecte el generador Vin con V1 = 260mV; llene el cuadro #1 anotando la
frecuencia de resonancia fo y el ancho de banda BW; es decir se graficará la
respuesta en frecuencia

Frecuencia 400 430 450 455 470 490 500 520 540
KHz
Vo

Cuadro #1
3. Con el generador de señales a la frecuencia de resonancia del circuito tanque
varié la amplitud de entrada Vin y llene el cuadro #2

Vin (mV) 20 30 40 50 75 100 125 150 200

Vo

VB

VEQ

Cuadro #2

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 Nota para VB dibuje la forma de onda para cuatro valores de V1

4. Cambie la frecuencia del generador de señales a la mitad de la

frecuencia de resonancia del circuito tanque varié la amplitud de
entrada Vin y llene el cuadro #3
Vin (mV) 20 30 40 50 75 100 125 150 200

Vo

VB

VEQ

Cuadro #3
Nota para VB dibuje la forma de onda para cuatro valores de V1

5. Con el generador de entrada en V1 = 260mVp llene el cuadro #4

variando la frecuencia de entrada a los valores indicados. Dibuje las
formas de onda de Vo y VB.
Frecuencia fo fo/2 fo/3 fo/4 fo/5
KHz
Vo (mV)

VB (mV)

Cuadro #4

INFORME FINAL
1. Presente los cuadros y datos obtenidos en el laboratorio.
2. Determine el ancho de banda con los datos del cuadro #1
3. Grafique
2𝐼1 (𝑋) 𝑉𝑖
a. VS
𝐼0 (𝑋) 𝑉𝑇
b. La transconductancia Gm(x) en función de X para esto use el
cuadro #2
2𝐼2 (𝑋) 𝑉𝑖
c. VS ; use el cuadro #3
𝐼0 (𝑋) 𝑉𝑇
4. Compare el cuadro #4 con los resultados teóricos obtenidos por
las tablas o gráficos, considerar el transformador utilizado.
5. Observaciones y conclusiones.

2𝐼1 (𝑋) 𝑉𝑖 2𝐼2 (𝑋) 𝑉𝑖

Nota: Para los casos de los gráficos VS , VS y
𝐼0 (𝑋) 𝑉𝑇 𝐼0 (𝑋) 𝑉𝑇

Gm(x) vs X, hacer las comparaciones con las curvas del libro Clark & Hess.

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EXPERIENCIA #3 LA CARACTERISTICAS CUADRÁTICA DEL
, TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
OBJETIVO
Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de drenado
del transistor efecto de campo(FET)
INFORME PREVIO
1. Diseñe la red de polarización del Gate determinando los valores de Rb y
Cb, tal que Cb se cargue al valor pico Vg(t) (Frecuencia del generador =
455KHz)
2. Determine una expresión general para Vo en resonancia asumiendo los
datos de la bobina y un QT alto (los datos del transistor son conocidos)
3. Especifique dos métodos para determinar los parámetros del FET (uno
para determinar experimentalmente Vp y otro IDSS). Explique en forma
clara y concisa.

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 LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

ITEM POSICION NOMBRES VALOR TIPO

1 Q1 Transistor 2N5485 Canal N
2N3819
2 Bobina de FI de AM *Blanca
*Negra
*Amarrilla
3 R1 Resistencia 470 Ω. 0.5W
2 X 10K Ω.
1M Ω.
4 Rp Potenciómetro 100K Ω. 0.5W
5 C1, C2 Condensador Electrolítico 1uF 25V
10uF
6 C3 Condensador cerámico 47pF 50V
100pF
7 Fuente de alimentación 30V
Doble
8 Osciloscopio
9 Generador de funciones
10 Multímetro Digital
11 Panel de experimentos

PROCEDIMIENTO
1. Con el método descrito en el informe previo determine experimentalmente
Vp e IDSS en el FET.
2. Arme el circuito de la figura #1 con los valores de Cb y Rb diseñados en
su informe previo.
𝑉1
3. Conecte la señal de entrada Vin = V1 coswt de tal manera que = 0.25
𝑉𝑝
y fo= 455KHz y sintonice el circuito tanque a esta frecuencia. Luego llene
la tabla #1.
𝑉1 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.50 2.00

𝑉𝑝
Vo

Vd (DC)

V1

Tabla #1

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 4. Cambie la frecuencia del generador de señales a la mitad de la frecuencia
𝑉1
de resonancia del circuito tanque varié la amplitud de entrada y llene
𝑉𝑝
la tabla #2.

𝑉1 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.50 2.00

𝑉𝑝
Vo

Vd (DC)

V1

Tabla #2
Nota: Para todos los casos dibuje la forma de onda Vo tanto el paso (3) como
para el paso (4).
INFORME FINAL:
1. ¿Cuáles fueron los valores determinados experimentalmente para Vp e
IDSS?
𝐺𝑚 (𝑥)
2. Presente las tablas obtenidas en el laboratorio y con ellas grafique 𝑔𝑚0
𝑉1 𝐼2 𝑉1
vs 𝑉 y además VS 𝑉 . Compare los resultados con los gráficos de
𝑝 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑝

libro Clark & Hess y determine las desviaciones entre los valores teóricos
y experimentales.
3. ¿Qué conclusiones u observaciones ha podido obtener de las formas de
onda cuando el circuito tanque resonó a 2wo?
4. Observaciones y conclusiones.

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EXPERIENCIA #4 EL OSCILADOR COLPITTS
OBJETIVO
Diseñar y verificar el funcionamiento del oscilador colpitts usando BJT.
INFORME PREVIO
1. Diseñe la red de polarización para corriente de emisor igual a 100 uA para
la configuración dada en la figura #1 y encontrar además el valor de Rp y
R1 para que la corriente 𝐼𝐸 (𝐷𝐶) varíe entre 0.2mA y 0.04mA.
2. Encuentre el desplazamiento IEQ para V1 = 50, 100, 150, 200mV.

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 LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS

ITEM POSICION NOMBRES VALOR TIPO

1 Q1 Transistor BF 494 NPN
2 Bobina Roja de AM
3 R1 Resistencia 3.3K Ω. 0.5W
2 X 10K Ω.
22K, 47K
100K, 220K
4 Rp Potenciómetro 100K Ω. 0.5W
5 C3 Condensador Electrolítico 1uF 25V
10uF
6 C1, C2 Condensador cerámico 56pF 50V
680pF
7 Fuente de alimentación 30V
Doble
8 Osciloscopio
10 Multímetro Digital
11 Panel de experimentos

PROCEDIMIENTOS
1. Arme el circuito de la figura #1 y ajustarlo para la corriente de emisor
pedida. Con C1 desconectado mida VE = ………….. IE =…………..
2. Conecte C1 y conecte las puntas de prueba del osciloscopio en el emisor,
observe si el circuito oscila. Ajuste la frecuencia del oscilador a 1MHz.
Anote los valores picos en el colector y emisor del transistor.
3. Varié el voltaje de oscilación variando Rp llene la tabla #1.
VE(DC) 0.8 0.7 0.65 0.6 0.5 0.4 0.3 0.25 0.2
(volt)
Vc
(pico)
VE
(pico)
VBE(DC)

Tabla #1

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 4. Ajuste nuevamente la corriente de emisor IEQ = 100uA y varié la
resistencia de colector R3. Llene la tabla #2.
R3 10K 15K 22K 47K 100K 220K

Vc
(pico)
VE
(pico)
VBE(DC)

Tabla #2

INFORME FINAL
1. Presente los datos y las tablas obtenidas en el laboratorio.
2. ¿Para que valor de corriente IEQmin oscila, con R3 = 15K?
3. Grafique
➢ IE(dc) vs Vc(pico)
➢ VBE(DC) vs Vc (pico)
Verifique teóricamente algunos puntos.
4. Grafique Vc(pico) y 𝑉𝐸 (pico) vs R3; determine para que valor R3 el
circuito deja de oscilar. Compare con el valor teórico.
5. Observaciones y conclusiones.

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 EXPERIENCIA #5
TÍTULO: EL MEZCLADOR CON PAR DIFERENCIAL
INFORME PREVIO
1. Diseñar la red polarización del circuito de la figura #2 para IEQ= 0.1mA.
Elegir valores adecuados de condensadores.
2. Determinar expresiones generales para Vo(t), VA(t) y VB(t). Asumir los
datos de la bobina amarilla. ( QT alto) y del transistor conocidos.
3. Calcular Gc(x) para 𝑉1= 10 mVp y 𝑉2= 150mVp , 𝐼𝐸𝑄1 = 0.1mA.
4. Diseñar el oscilador Colpitts mostrado en la figura #1 cuyas características
son: fo= 1.4MHz; THD <2%; RL=22K
LISTA DE COMPONENTES

ITEM POSICION NOMBRES VALOR TIPO

1 Protoboard
2 R1, R2, R3 Resistencias 5X10K, 1X5K, 1/2W
2X1K, 3X10K,
1X22K

3 C1 Condensadores 1X10uf/16V,
1X0.68nf/16V,
47pf.
4 Pot Potenciómetro 1 X 10K, 1 X 100K
5 Q1, Q2, Q3 Transistores BF 494 NPN

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PROCEDIMIENTO
1. Armar el circuito mostrado en la figura #2 con los valores obtenidos en el
informe previo. Previamente deberán determinar las características de la
bobina amarrilla tales como n, Lin, Cin, Rp, Q, BW. Anotar dichos
valores.

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 2. La entrada 𝑉1 , 𝑓1 , es el oscilador de 1.4MHz diseñado en el informe previo
; la entrada 𝑉2 , 𝑓2 , es el generador de RF a una frecuencia de 1.4 +/- 0.455
MHz.
Figura #2
3. Determine la respuesta en frecuencia llenando el siguiente cuadro.

𝑓0 (KHz) 400 455 500

𝑉0 (mVpp)

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 4.
a) Para 𝑉1=20mVp, 𝑓1 =1.4MHz
𝑉2=100mVp, 𝑓"2 =945 KHz
Donde 𝑓"2 =𝑓1 − 455KHz
Llenar el siguiente cuadro y dibujar las formas de onda
𝑓"2 (KHz) 945

𝑉0 (m𝑉𝑝𝑝 )

b. Para 𝑉1=20mVp, f1=1.4MHz

𝑉2=100mVp, f2=1.855KHz
Donde la frecuencia imagen es 𝑓"2 =𝑓1 + 455KHz
Llenar el siguiente cuadro y dibujar las formas de onda

𝑓"2 (MHz) 1.855

𝑉0 (m𝑉𝑝 )

INFORME FINAL
1. Mostrar los cuadros y tablas obtenidas en el laboratorio.
2. Graficar la respuesta en frecuencia con la tabla del paso (3) y
determinar su ancho de banda.
3. Graficar 𝐼𝐸𝐷𝐶 vs 𝑉1(𝑉𝑝𝑝 )
4. Que puede concluir con respecto a los obtenidos en el paso (4).
Explique
5. Observaciones y conclusiones.

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