Laboratorio de Dispositivos y Componentes Electrónicos UNMSM

U.N.M.S.M
Facultad de Ing. Electrónica y Eléctrica

Apellidos y Nombres Matricula

Curso Tema
Dispositivos y Dispositivos foto electrónicos de
componentes dos terminales
electrónicos
Informe Fechas Nota
Previo Realización Entrega

Numero
5 - 23/05/18
Grupo Profesor

Numero: 21
Ing. Russell Córdova Ruíz
Horario: 10-12
Laboratorio de Dispositivos y Componentes Electrónicos UNMSM

I. Objetivos :
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las características de funcionamiento bipolar PNP

II. Marco teórico

 Transistor Bipolar PNP :

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente el transistor
está constituido por tres regiones semiconductores denominadas emisor, base y colector. Existen 2
tipos de transistores bipolares, los denominados PNP y NP, siendo el comportamiento de los
transistores PNP totalmente análogos.
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que
permiten aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada es bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital.

EMISOR: Se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportándose como un
metal. Su nombre se debe a que este terminar
funciona como emisor de portadores de carga.
BASE: La intermedia, muy estrecha, que separa al
emisor del colector.
COLECTOR: De extensión mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la unión base-

emisor está polarizada en directa, mientras que la
base-colector en inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores y la mayoría pasa al colector.

Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un bipolar

El transistor posee tres estados de operación:
o Zona de saturación:
El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta como una
pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicional de la base no provoca un aumento
de la corriente del colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.
o Zona activa:
En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por
la corriente de la base. A pequeños aumentos de la corriente de base corresponden grandes
aumentos de la corriente del colector, de forma casi independiente de la tensión entre el
emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo base- emisor ha de estar polarizado en
directa; mientras el diodo base-colector, de forma inversa.
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o Zona de corto:
El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener un circuito base-
emisor abierto, en estas circunstancias la corriente del colector es prácticamente nula y por
ello se puede considerar el transistor en su circuito colector-emisor como un interruptor
abierto.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en

inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que
llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y colector.

De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares 2N3906 y BF494AB. (AC128 y AC126),
(BD138, TR50 y TR85)

 2N3906

RANGOS SIMBOLO VALOR UNIDAD

Colector-emisor voltaje VCEO 40 Vdc
Colector- base voltaje VCBO 40 Vdc
Emisor-base voltaje VEBO 5 Vdc
Colector corriente continua ID 200 mAdc
Disipacion total del dispositivo a TA =25°C PD 650 mW
Por debajo de 25°C 5 mW/°C
Disipacion total de energía a TA =60°c PD 250 mW/
Disipacion total del dispositivo a TC =25°C PD 1.5 mW
Por debajo de 25°C 12 mW/°C
Union de funcionamientos y TJ , Tstg -55 a +150 °C
almacenamiento (rango de temperatura)
CARACATERISITICAS TERMICAS
Resistencia térmica, unión ambiente RɵJA 200 °C/W
Resistencia térmica, unión case RɵJC 83.3 °C/W
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
min max unidad
Colector-emisor voltaje de ruptura V(BR)CEO 40 - Vdc
Colector- base voltaje de ruptura V(BR)CBO 40 - Vdc
Emisor-base voltaje de ruptura V(BR)EBO 5 - Vdc
Corriente de corte base IBL - 50 nAdc
Corriente de corte colector ICEX - 50 nAdc
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 BF494

Símbolo Parámetro Condiciones min max undidad

VCBO Colector- base voltaje Emisor abierto - 30 V
VCEO Colector-emisor voltaje Base abierta - 20 V
ICM Disipación máxima del colector - 30 mV
Ptot Disipación total de energía TA =< 25°C - 300 mW
hFE DC IC=1mA , VCE= 10v 67 220
ft Frecuencia de transición IC=1mA , VCE= 10v, f=100Mhz 120 - Mhz

 AC128

ESPECIFICACIONES MAXIMAS
Simbolo Valor Unidades
Disipación total del dispositivo PC 1 W
Tensión colector-base VCBO 32 V
Tensión colector-base VCEO 16 V
Tensión emisor-base VEBO 10 V
Corriente del colector DC máxima IC 1 A
Temperatura operativa máxima TJ 100 °C
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Producto de corriente-ganancia-ancho de banda fT 1 Mhz
Capacitancia de salida CC 200 pF
Ganancia de corriente continua (hfe) 45
Empaquetado TO1

 AC126
ESPECIFICACIONES MAXIMAS
Simbolo Valor Unidades
Disipación total del dispositivo PC 0.5 W
Tensión colector-base VCBO 32 V
Tensión colector-base VCEO 12 V
Tensión emisor-base VEBO 10 V
Corriente del colector DC máxima IC 0.1 A
Temperatura operativa máxima TJ 90 °C
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Producto de corriente-ganancia-ancho de banda fT 1 Mhz
Capacitancia de salida CC 40 pF
Ganancia de corriente continua (hfe) 100
Empaquetado TO1
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 BD138
ESPECIFICACIONES MAXIMAS
Simbolo Valor Unidades
Disipación total del dispositivo PC 12.5 W
Tensión colector-base VCBO 60 V
Tensión colector-base VCEO 60 V
Tensión emisor-base VEBO 0.5 V
Corriente del colector DC máxima IC 1 A
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Producto de corriente-ganancia-ancho de banda fT 75 Mhz
Ganancia de corriente continua (hfe) 40 - 160
Empaquetado TO 126

III. Procedimiento
Hallaremos la resistencia directa e inversa del transistor 2N3906.

Directo
Base - Emisor Base – Colector Colector - Emisor

Inverso
Base - Emisor Base – Colector Colector - Emisor
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